KR20100018454A

KR20100018454A - 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 기억 매체

Info

Publication number: KR20100018454A
Application number: KR1020090067105A
Authority: KR
Inventors: 아츠키 후루야; 사토시 치노
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2008-08-06
Filing date: 2009-07-23
Publication date: 2010-02-17
Also published as: JP2010040822A; CN101645395A; CN101645395B; TW201019411A

Abstract

본 발명은, 피처리 기판을, ESC 전극으로부터 부드럽게 떼어낼 수 있는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법을 제공하는 것으로서, 피처리 기판으로의 처리가 종료된 후, 챔버 내를 진공 처리하고(단계 3), 이 진공 처리 동안, ESC 전극의 전압을 척 전압과 동일한 극성의 전압으로 안정시키고, ESC 전극의 전압이 안정된 후, 챔버 내에 제전용 가스를 공급하고(단계 4), 챔버 내에 공급된 제전용 가스를 플라즈마화하고(단계 5), 피처리 기판을 ESC 전극으로부터 이탈시켜, 피처리 기판이 ESC 전극으로부터 이탈한 후, ESC 전극을 기준 전위로 한다(단계 6).

Description

정전 흡착 장치의 제전 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 기억 매체{TREATING METHOD OF STATIC ELIMINATING FOR ELECTROSTATIC ABSORBING APPARATUS, SUBSTRATE TREATING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 피처리 기판을 정전 흡착하는 정전 흡착 장치에 관한 것으로, 특히, 정전 흡착 후에 실시되는 제전 처리에 관한 것이다.

피처리 기판인 반도체 웨이퍼나 플랫 패널 디스플레이 기판(이하 FPD 기판이라고 함)의 에칭에는, 고 진공하에서 행해지는 건식 에칭이 채용되어 있다. 건식 에칭은, 예컨대, 챔버 내에 피처리 기판을 배치하고, 챔버 내에 플라즈마를 형성하여, 그 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 것을 들 수 있다.

건식 에칭 중, 피처리 기판은 기판 탑재대 상에 고정해야 해서, 예컨대, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 피처리 기판을, 정전 흡착력을 이용하여, 탑재대 상에 흡착시켜 지지하는 정전 흡착 장치가 많이 사용되고 있다.

또한, 특허문헌 1에는, 건식 에칭이 종료한 후, 피처리 기판을 정전 흡착 장치의 정전척 전극(이하 ESC 전극이라고 함)으로부터 부드럽게 떼어내기 위해서, 정 전 흡착 후에 제전 처리를 실시하는 것이 기재되어 있다(예컨대, 단락 0033 내지 0034 참조).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제11-111830호 공보

그러나 제전 처리를 실시했다고 해도, 피처리 기판을 ESC 전극으로부터 떼어낼 때, 드물게, 기판-ESC 전극간에서 흡착이 일어나는 경우가 있어 떼어내는 것이 곤란하게 된다는 사정이 있다. 이 원인은, 기판을 탑재하는 ESC 전극 표면에 잔류한 전하가 관계하고 있는 것이라고 추측되고 있다.

이러한 경우, 피처리 기판을, 리프트 핀 등을 이용하여 강제적으로 ESC 전극으로부터 이탈시키면, 위치 어긋남의 발생, 또는 피처리 기판의 균열을 초래하여, 수율 저하의 원인으로 된다.

본 발명은, 피처리 기판을, ESC 전극으로부터 부드럽게 떼어내는 것이 가능한 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법, 이러한 제전 처리 방법이 실행되는 정전 흡착 장치가 탑재된 기판 처리 장치, 및 이러한 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램을 저장한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 형태에 따른 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법은, 정전척 전극 상에 정전 흡착된 피처리 기판을 뗄 때에 실행되는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법으로서, 정전 흡착 장치의 정전척 전극에 척 전압을 인가하여, 피처리 기판을 상기 정전척 전극에 정전 흡착시키는 공정과, 상기 피처리 기판이 상기 정전척 전극에 정전 흡착된 상태에서, 상기 피처리 기판에 처리를 실시하는 공정과, 상기 피처리 기판으로의 처리가 종료한 후, 챔버 내를 진공 배기하는 진공 처리 공정과, 상기 진공 처리 공정의 사이, 상기 정전척 전극의 전압을 상기 척 전압과 동일한 극성의 전압으로 안정시키는 공정과, 상기 정전척 전극의 전압이 안정한 후, 상기 챔버 내에 제전용 가스를 공급하는 공정과, 상기 챔버 내에 공급된 상기 제전용 가스를 플라즈마화하는 공정과, 상기 피처리 기판을 상기 정전척 전극으로부터 이탈시키는 공정과, 상기 피처리 기판이 상기 정전척 전극으로부터 이탈한 후, 상기 정전척 전극을 기준 전위로 하는 공정을 포함한다.

또, 본 발명의 제 2 형태에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 상기 피처리 기판을 탑재하는 탑재부에, 상기 제 1 형태에 따른 제전 처리 방법이 실행되는 정전 흡착 장치를 이용한다.

또, 본 발명의 제 3 형태에 따른 기억 매체는, 컴퓨터 상에서 동작하여, 정전 흡착 장치가 탑재된 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 프로그램은, 실행시에, 상기 제 1 형태에 따른 제전 처리 방법이 행하여지도록, 컴퓨터에 상기 정전 흡착 장치가 탑재된 기판 처리 장치를 제어시킨다.

본 발명에 의하면, 피처리 기판을, ESC 전극으로부터 부드럽게 떼어내는 것이 가능한 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법, 이러한 제전 처리 방법이 실행되는 정전 흡착 장치가 탑재된 기판 처리 장치, 및 이러한 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램을 저장한 기억 매체를 제공할 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시예를, 도면을 참조하여 설명한다. 이 설명에 있어서, 모든 도면에 걸쳐 공통의 부분에는 공통의 참조 부호를 붙인다.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법이 적용되는 건식 에칭 장치의 일례를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 본 예에서는, 피처리 기판으로서 절연성 기판, 예컨대, FPD 기판을 예시한다. FPD 기판의 일례는, 액정 표시 장치(LCD)에 사용되는 유리 기판이다. 단, 피처리 기판은 유리 기판에 한정되는 것이 아니다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 건식 에칭 장치는 기밀하게 구성된 챔버(1)를 갖고 있다. 챔버(1)의 바닥부의 거의 중앙에는, 절연 부재(7)를 통해 피처리 기판인 FPD 기판 S를 수평으로 지지하기 위한 탑재대(2)가 마련되어 있다.

탑재대(2)의 상면에는, FPD 기판 S를 흡착시키기 위한 정전 흡착 장치(10)가 마련되어 있다. 정전 흡착 장치(10)는 ESC 전극(11)과, DC 전원(21)을 포함하여 구성된다. ESC 전극(11)은 탑재대(2)의 상면에 고정되어, 절연물, 예컨대, 폴리이미 드, 세라믹 등으로 구성되는 절연층(12)과, 이 절연층(12)의 속에 매설되고, 도전물, 예컨대, 구리 등으로 구성되는 내부 전극(13)을 갖는다. DC 전원(21)은, 내부 전극(13)에 DC 전압을 인가한다. DC 전원(21)은 챔버(1)의 밖에 마련되고, 케이블(22)을 통해 내부 전극(13)에 접속된다. 케이블(22)의 접지측에는 스위치(23)가 마련되어 있다. 스위치(23)를 DC 전원(21)측의 단자 a에 접속하면, 내부 전극(13)에 급전되고, 반대로 스위치(23)를 접지측의 단자 b에 접속하면, 내부 전극(13)은 접지되어, 기준 전위(접지 전위)로 된다.

탑재대(2) 및 ESC 전극(11)에는, 리프트 핀(30)이 관통되는 관통구멍(31)이 형성되어 있다. 리프트 핀(30)은 관통구멍(31)을 상하로 이동하여, FPD 기판 S를 ESC 전극(11)의 상면에 탑재하고, 또한, FPD 기판 S를 ESC 전극(11)으로부터 떼어낸다.

챔버(1)의 천벽(天壁) 근방에는, 탑재대(2)에 대향하도록 샤워 헤드(4)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(4)는, 그 하면에 다수의 가스 토출 구멍(5)이 마련되고 있고, 또한 그 상부에 가스 도입부(6)를 갖고 있다. 그리고, 가스 도입부(6)가 챔버(1)의 천벽에 부착되어 있다.

가스 도입부(6)에는 가스 공급 배관(8)이 접속되어 있고, 이 가스 공급 배관(8)의 타단에는, 에칭용의 반응 가스 및 희석 가스로 이루어지는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계(9)가 접속되어 있다. 반응 가스로서는, 예컨대, CHF₃, CF₄ 등의 할로젠 함유 가스가, 희석 가스로서는 Ar 가스 등의 불활성 가스가 사용된다.

또, 챔버(1)의 저벽(底壁)에는 배기 포트(15)가 형성되어 있고, 이 배기 포트(15)에는 배기계(16)가 접속되어 있다. 그리고, 배기계(16)의 진공 펌프를 작동시키는 것에 의해, 배기 포트(15)를 통해 챔버(1) 내를 배기하여, 챔버(1) 내를 소정의 진공도까지 감압하는 것이 가능해지고 있다.

탑재대(2)에는, 도시하지 않는 매칭 박스를 통해 고주파 전원(24)이 접속되어 있다. 고주파 전력이, 고주파 전원(24)으로부터 탑재대(2)에 공급됨으로써 샤워 헤드(4)와 탑재대(2)와의 사이의 공간에 고주파 전계가 형성된다. 형성된 고주파 전계에 의해, 상기 공간에는 처리 가스의 플라즈마가 형성되어, FPD 기판 S에 형성된 막, 예컨대, 산화막 등이 에칭된다.

제어부(40)는 프로세스 제어기(41)와, 사용자 인터페이스(42)와, 기억부(43)를 구비하고 있다.

프로세스 제어기(41)는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어진다.

사용자 인터페이스(42)는, 오퍼레이터가 건식 에칭 장치를 관리하기 위해서 명령의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 시스템의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 포함한다.

기억부(43)는, 건식 에칭 장치에 있어서 실행되는 각종 처리를, 프로세스 제어기(41)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터, 및 처리 조건에 따라 건식 에칭 장치에 처리를 실행시키기 위한 프로그램(레시피)이 저장된다. 레시피는 기억부(43) 중의 기억 매체에 기억된다. 기억 매체는, 하드디스크이더라도 좋고, CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 가반성(transferability)인 것이더 라도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예컨대, 전용 회선을 통해서 레시피를 적절히 전송시키도록 하여도 좋다. 임의의 레시피는 사용자 인터페이스(42)로부터의 지시 등에 의해 기억부(43)로부터 호출되고, 프로세스 제어기(41)에 있어서 실행됨으로써 프로세스 제어기(41)의 제어 하에, 건식 에칭 장치에 있어서 FPD 기판 S에 대한 소정의 처리가 실시된다. 또한, 본 예에서는, 상기 레시피에, 다음으로 설명하는 제전 처리 방법이 포함된다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제전 처리 방법이 포함된 처리 시퀀스의 일례를 나타내는 도면이다.

우선, FPD 기판 S를, 도시하지 않는 반송아암을 이용하여 챔버(1) 내에 반입하여, ESC 전극(11)의 상면으로부터 돌출하고 있는 리프트 핀(30) 상에 싣는다. FPD 기판 S가 반송아암으로부터 리프트 핀(30)에 바꿔실린 후, 리프트 핀(30)을 내려, FPD 기판 S를 ESC 전극(11)의 기판 탑재면 상에 탑재한다.

다음으로 챔버(1) 내를 기밀하게 유지한 상태에서, 배기계(16)에 마련된 진공 펌프를 작동시키고, 챔버(1) 내의 압력을, 예컨대, 0.5Pa 이하의 고 진공 상태로 한다.

다음으로 처리 가스 공급계(9)로부터, 처리 가스를 샤워 헤드(4)의 가스 토출 구멍(5)을 통해서 챔버(1) 내에 공급한다. 이 때, 공급되는 처리 가스의 유량에 의해, 챔버(1) 내의 압력은, 예컨대, 13.3Pa로 조정된다(단계 1:실 처리 조압(調壓)). 또한, 이 실 처리 조압시에, 스위치(23)를 단자 a측으로 설정하여, DC 전원(21)으로부터 케이블(22)을 통하여 내부 전극(13)에 척 전압을 인가한다. 척 전 압의 일례는, 정의 DC 전압이며, 전압값의 일례는 3000V이다.

다음으로 고주파 전원(24)으로부터, 소정의 주파수, 예컨대, 13.56MHz의 고주파 전력을 탑재대(2)에 공급하여, 샤워 헤드(4)와 탑재대(2)와의 사이의 공간에 고주파 전계를 형성한다. 이 고주파 전계에 의해, 상기 공간에는 처리 가스의 플라즈마가 형성된다(단계 2: 실 처리 방전). 챔버(1) 내의 압력이, 예컨대, 13.3Pa, 또한, 플라즈마가 존재하는 상태에서, 내부 전극(13)에 척 전압이 인가되어 있으면, FPD 기판 S의 표면에는 척 전압과는 반대 극성의 전하가 발생한다. 본 예에서는 내부 전극(13)에 정(正)의 DC 전압이 인가되어 있기 때문에, FPD 기판 S 상에는 플라즈마로부터 부(負) 전하가 축적된다. 이것에 의해, FPD 기판 S 상의 부 전하와 내부 전극(13)과의 사이에 쿨롱력이 발생하여, FPD 기판 S가 ESC 전극(11)에 정전 흡착된다. FPD 기판 S가 ESC 전극(11)에 정전 흡착된 상태에서, 처리 가스의 유량, 및 고주파 전력의 조건을 소정의 값으로 설정하면, 형성된 처리 가스의 플라즈마에 의해, FPD 기판 S의 소정의 층에 대하여 처리, 본 예에서는 에칭 처리가 실시된다.

다음으로 처리 가스의 공급을 멈추고, 배기계(16)에 마련된 진공 펌프를 작동시켜 진공 배기하여, 챔버(1) 내의 압력을, 예컨대, 0.5Pa 이하의 고 진공 상태로 한다(단계 3: 진공 처리). 또한, 이 진공 처리시에, 스위치(23)를 단자 b측에 전환하여 내부 전극(13)을 접지한다. 이것에 의해, DC 전원(21)으로부터의 전압 인가가 정지되고, 또한, 내부 전극(13)은 기준 전위(본 예에서는 접지 전위)로 된다. 또한, 본 예에서는, 진공 처리시에, 다시, 스위치(23)를 단자 a측으로 되돌려, 단계 1, 2에서 인가한 척 전압과 동일한 극성의 전압을 내부 전극(13)에 재인가한다. 재인가하는 전압값의 일례는, 척 전압과 같은 값, 예컨대, 3000V이다. 단, 재인가하는 전압은, 후술하는 시험 결과로부터 알 수 있듯이, 척 전압과 극성이 같으면 좋고, 전압의 값은 임의이다.

다음으로 내부 전극(13)에 재인가한 전압이 안정한 후(전압 안정), 처리 가스 공급계(9)로부터, 예컨대, 제전용 가스를 샤워 헤드(4)의 가스 토출 구멍(5)을 통해 챔버(1) 내에 공급한다. 이 때, 공급되는 제전용 가스의 유량에 의해, 챔버(1) 내의 압력은, 예컨대, 6.7 내지 26.7Pa, 본 예에서는 13.3Pa로 조정된다(단계 4: 제전 조압). 제전용 가스의 예는 Ar 가스, 또는 O₂ 가스, 또는 He 가스 등을 들 수 있다.

다음으로 고주파 전원(24)으로부터, 소정의 주파수, 예컨대, 13.56MHz의 고주파 전력을 탑재대(2)에 공급한다. 이것에 의해, 샤워 헤드(4)와 탑재대(2)와의 사이의 공간에 제전용 가스의 플라즈마가 형성된다(단계 5: 제전 방전). 플라즈마가 형성되는 것에 의해, FPD 기판 S 상에 축적되어 있던 전하, 본 예에서는 부 전하가 플라즈마 중의 정이온과 결합하여 중화된다. 이것에 의해, FPD 기판 S가 제전된다.

다음으로 탑재대(2)에 고주파 전력이 공급되어 있는 상태, 즉, 제전 방전이 행하여지고 있는 상태에서, 리프트 핀(30)을 상승시켜, FPD 기판 S를 ESC 전극(11)으로부터 이탈시킨다. FPD 기판 S가 ESC 전극(11)으로부터 완전히 이탈한 후(리프트업 완료), 스위치(23)를 단자 b측으로 전환하여, 내부 전극(13)을 재접지하여, 기준 전위(접지 전위)로 한다. 또한, 내부 전극(13)이 재접지된 상태로, 샤워 헤드(4)에 고주파 전력을 수초간 공급한다(단계 6:리프트업 + 제전 방전).

다음으로 제전용 가스의 공급을 멈추고, 배기계(16)에 마련된 진공 펌프를 작동시키고, 챔버(1) 내의 압력을, 예컨대, 0.5Pa 이하의 고 진공 상태로 한다(단계 7:진공 처리).

이후에, FPD 기판 S를 리프트 핀(30)으로부터 도시하지 않는 반송아암에 바꿔실어, 챔버(1) 밖으로 반출하는 것으로 처리가 종료한다(단계 8: 처리 종료).

도 3에, 일 실시예에 따른 제전 처리 방법의 시험 결과를 나타낸다.

이 시험은, FPD 기판 S가 ESC 전극에 흡착해버리는 현상을 재현하여 실시했다. 본 시험에 있어서는, FPD 기판 S를 다음과 같이 하여 ESC 전극(11)에 흡착시켰다. 도 4(a) 및 도 4(b)는 흡착 프로세스를 모식적으로 나타낸 단면도이다.

우선, 도 4(a)에 나타낸 바와 같이, 내부 전극(13)에 정전압을 일시적으로 인가함으로써 ESC 전극(11)의 기판 탑재면(11a) 상에 부 전하를 축적시킨다. 이어서, 도 4(b)에 ESC 전극(11)의 기판 탑재면(11a)이 부로 대전한 상태에서, FPD 기판 S를 탑재한다.

이와 같이 표면이 대전된 ESC 전극(11) 상에 FPD 기판 S를 탑재하면, 도 2 중에 나타내는 척 전압 인가 시퀀스(참고예: 보통의 제전 처리)에서는, 리프트업시, FPD 기판 S가 ESC 전극(11)에 흡착한 채로 되었다(평가 No.0).

이에 비하여, 일 실시예에 따른 제전 처리 그러면 평가 No.1 내지 6에 나타낸 바와 같이, 리프트업시, FPD 기판 S가 ESC 전극(11)에 흡착하는 것은 없었다.

또한, 내부 전극(13)에 재인가하는 전압은, 척 전압과 같은 극성으로, +500V, +1000V, …, +3000V로, +500V씩 바꿔 보았지만, 결과는 모두 동일하며, 어느 것이나 흡착하는 것은 없었다. 단, 도 3에는 나타내고 있지 않지만, 재인가하는 전압의 극성을, 척 전압과는 반대의 극성, 즉, "마이너스(-)"로 하면, 리프트업시, FPD 기판 S가 ESC 전극(11)에 흡착한 채로 되었다.

이러한 시험 결과로부터, 제전시에 내부 전극(13)에 재인가하는 전압은, 척 전압과 극성이 같으면 좋고, 전압의 값은 임의인 것을 알았다.

또한, 평가 No. 7, 8에 나타낸 바와 같이, 표면이 대전하지 않고 있는 ESC 전극(11)에 FPD 기판 S를 탑재한 경우에도, 일 실시예에 따른 제전 처리 방법에 의하면, 리프트업시, FPD 기판 S가 ESC 전극(11)에 흡착하는 것은 없었다.

일 실시예에 따른 제전 처리 방법에 있어서, ESC 전극(11)의 표면이 대전하고 있었다고 해도, FPD 기판 S의 흡착이 발생하지 않는 원리는 몇가지 생각할 수 있다. 생각되는 원리의 하나를 간단히 설명해 둔다.

도 5(a) 내지 도 5(c)는, FPD 기판 S가 흡착하는 원리를 모식적으로 나타낸 단면도이다.

부로 대전한 ESC 전극(11) 표면에, FPD 기판 S가 탑재된 상태를 도 5(a)에 나타낸다. 이 상태에서 플라즈마를 형성하면, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 표면이 부로 대전한 ESC 전극(11)에, 플라즈마중의 정전하가 가까이 당겨지고, FPD 기판 S의 표면에 축적된다. 축적된 정전하는, FPD 기판 S를 사이에 두고 ESC 전극(11) 표면 상의 부 전하와 서로 서로 끌어당기기(쿨롱력) 때문에, 도 5(c)에 나타낸 바와 같이, FPD 기판 S는 ESC 전극(11)에 흡착된 채로 된다.

도 6(a) 내지 도 6(c)는, 일 실시예에 따른 제전 처리 방법에 의해, FPD 기판 S가 흡착하지 않는 원리의 일례를 나타내는 단면도이다.

일 실시예에 따른 제전 처리 방법에서는 진공 처리중에, 내부 전극(13)에 척 전압과 동일한 극성의 전압, 본 예에서는 정의 전압을 재인가하고, 또한, 재인가한 전압을 안정시킨다. 본 예에서는 이 상태를 도 6(a)에 나타낸다. 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 표면이 부로 대전한 ESC 전극(11)의 내부 전극(13)에 정의 전압을 인가하면, 내부 전극(13)에 정전하가 축적된다. 축적된 정전하는, ESC 전극(11) 표면 상의 부 전하와 서로 끌어당긴다(쿨롱력). 이 상태에서, 플라즈마를 형성하더라도, ESC 전극(11) 표면상의 부 전하는 내부 전극(13)의 정전하와 이미 서로 끌어당기고 있기 때문에, FPD 기판 S의 표면에는 정전하는 축적되지 않는다. 따라서, 도 6(c)에 나타낸 바와 같이, 리프트 핀(30)을 상승시킴으로써 FPD 기판 S는 ESC 전극(11)에 흡착되지 않고 리프트업된다.

이와 같이, 일 실시예에 따른 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법에 의하면, 가령, ESC 전극(11)의 표면이 대전하고 있었다고 해도, 피처리 기판을, ESC 전극(11)으로부터 부드럽게 떼어내는 것이 가능해진다.

또, 본 발명은 상기 일 실시예에 한정되지 않고 여러가지 변형 가능하다. 또한, 본 발명의 실시예는 상기 일 실시예가 유일한 실시예도 아니다.

예컨대, 피처리체의 절연 기판으로서는 FPD 기판에 한정되지 않고, 다른 절연성 기판이더라도 좋다. 또한, 플라즈마 형성에 관해서도 상기 일 실시예에 한정 되지 않고, 예컨대, 샤워 헤드(4)에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해 행하더라도 좋고, 마이크로파 등 다른 수단으로 플라즈마를 형성할 수도 있다. 또한, 정전 흡착 장치(10)가 탑재되는 장치로서는 건식 에칭 장치에 한정되지 않고, 다른 성막 장치 등, 다른 플라즈마 처리 장치에 적용할 수 있다.

또, 상기 일 실시예에서는, 내부 전극(13)으로 전압을 재인가할 때, 일단, 스위치(21)를 접지측으로 바꾸고 나서 전압을 재인가하도록 했지만, 도 7에 나타낸 바와 같이, 척 전압으로부터, 이 척 전압과 동일한 극성의 소정의 전압까지 강하시키도록 하여도 좋다.

전압을 강하시키는 경우에 있어서도, 내부 전극(13)의 전압이 안정한 후, 단계 4에 나타내는 제전 조압 공정에 들어간다.

단, 전압을 강하시키는 경우에는, 내부 전극(13)의 방전이 지연되는 경향이 있어, 내부 전극(13)의 전압이 안정할 때까지 시간이 걸리는 일이 있다. 시간을 단축하고 싶은 경우에는, 상기 일 실시예와 같이, 일단, 내부 전극(13)을 접지하여, 내부 전극(13)을 기준 전위(접지 전위)로 하고 나서, 내부 전극(13)에 전압을 재인가하도록 하면 좋다.

또, 도 8에 나타낸 바와 같이, 척 전압을 유지한 채로 진공 처리 공정에 들어가고, 척 전압을 유지한 채로 제전 조압 공정에 들어가도록 하더라도 좋다. 이와 같이 척 전압을 유지한 채로도, 상기 일 실시예와 마찬가지로, ESC 전극(11) 표면이 대전하고 있었다고 해도, 리프트업시에는, FPD 기판 S의 흡착이 발생하는 일은 없다.

기타, 본 발명은 여러가지 변형할 수 있다.

도 1은 건식 에칭 장치의 일례를 개략적으로 나타내는 단면도,

도 2는 일 실시예에 따른 제전 처리 방법이 포함된 처리 시퀀스의 일례를 나타내는 도면,

도 3은 일 실시예에 따른 제전 처리 방법의 시험 결과를 나타내는 도면,

도 4는 흡착 프로세스를 모식적으로 나타낸 단면도,

도 5는 FPD 기판이 흡착하는 원리를 모식적으로 나타내는 단면도,

도 6은 일 실시예에 따른 제전 처리 방법에 의해, FPD 기판이 흡착하지 않는 원리의 일례를 나타내는 단면도,

도 7은 일 실시예에 따른 제전 처리 방법이 포함된 처리 시퀀스의 다른 예를 나타내는 도면,

도 8은 일 실시예에 따른 제전 처리 방법이 포함된 처리 시퀀스의 또 다른 예를 나타내는 도면.

부호의 설명

1 : 챔버 2 : 탑재대

4 : 샤워 헤드 9 : 처리 가스 공급계

10 : 정전 흡착 장치 11 : ESC 전극

12 : 절연층 13 : 내부 전극

16 : 배기계 21 : DC 전원

24 : 고주파 전원 30 : 리프트 핀

Claims

정전척 전극 상에 정전 흡착된 피처리 기판을 떼어낼 때에 실행되는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법으로서,

정전 흡착 장치의 정전척 전극에 척 전압을 인가하여, 피처리 기판을 상기 정전척 전극에 정전 흡착시키는 공정과,

상기 피처리 기판이 상기 정전척 전극에 정전 흡착된 상태에서, 상기 피처리 기판에 처리를 실시하는 공정과,

상기 피처리 기판으로의 처리가 종료한 후, 챔버 내를 진공 배기하는 진공 처리 공정과,

상기 진공 처리 공정의 사이, 상기 정전척 전극의 전압을 상기 척 전압과 동일한 극성의 전압으로 안정시키는 공정과,

상기 정전척 전극의 전압이 안정한 후, 상기 챔버 내에 제전용 가스를 공급하는 공정과,

상기 챔버 내에 공급된 상기 제전용 가스를 플라즈마화하는 공정과,

상기 피처리 기판을 상기 정전척 전극으로부터 이탈시키는 공정과,

상기 피처리 기판이 상기 정전척 전극으로부터 이탈한 후, 상기 정전척 전극을 기준 전위로 하는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 진공 처리의 사이, 상기 정전척 전극을 기준 전위로 하고 나서, 상기 정전척 전극의 전압을 상기 척 전압과 동일한 극성의 전압으로 안정시키는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 정전척 전극의 전압을 상기 척 전압으로 유지한 채로, 상기 챔버 내를 진공 처리하고,

상기 정전척 전극의 전압을 상기 척 전압으로 유지한 채로, 상기 진공 처리된 챔버 내에 상기 제전용 가스를 공급하는

것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 기준 전위는 접지 전위인 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 피처리 기판이 상기 정전척 전극으로부터 이탈한 상태에서, 상기 피처리 기판을, 상기 플라즈마화된 상기 제전용 가스에 노출시키는 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 진공 처리 공정은 상기 챔버 내의 압력을 0.5Pa 이하로 하는 공정인 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 챔버 내에 제전용 가스를 공급하는 공정은 상기 챔버 내의 압력을 상기 제전용 가스분위기 하에서 6.7 내지 26.7Pa로 하는 공정인 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제전 처리 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 피처리 기판은 절연성 기판인 것을 특징으로 하는 정전 흡착 장치의 제 전 처리 방법.
피처리 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,

상기 피처리 기판을 탑재하는 탑재부에, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 제전 처리 방법이 실행되는 정전 흡착 장치를 이용한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
컴퓨터 상에서 동작하여, 정전 흡착 장치가 탑재된 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램이 기억된 기억 매체로서,

상기 프로그램은, 실행시에, 상기 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 제전 처리 방법이 행하여지도록, 컴퓨터에 상기 정전 흡착 장치가 탑재된 기판 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 기억 매체.