JP2010040822A - 静電吸着装置の除電処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板を、ＥＳＣ電極からスムーズに取り外すことが可能な静電吸着装置の除電処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板への処理が終了した後、チャンバー内を真空処理し（ステップ３）、この真空処理の間、ＥＳＣ電極の電圧をチャック電圧と同じ極性の電圧で安定させ、ＥＳＣ電極の電圧が安定した後、チャンバー内に除電用ガスを供給し（ステップ４）、チャンバー内に供給された除電用ガスをプラズマ化し（ステップ５）、被処理基板をＥＳＣ電極から離脱させ、被処理基板がＥＳＣ電極から離脱した後、ＥＳＣ電極を基準電位にする（ステップ６）。
【選択図】図２

Description

この発明は、被処理基板を静電吸着する静電吸着装置に係わり、特に、静電吸着後に実施される除電処理に関する。

被処理基板である半導体ウェハやフラットパネルディスプレイ基板（以下ＦＰＤ基板という）のエッチングには、高真空下で行われるドライエッチングが採用されている。ドライエッチングは、例えば、チャンバー内に被処理基板を配置し、チャンバー内にプラズマを形成して、そのプラズマによりエッチングを行うものを挙げることができる。

ドライエッチング中、被処理基板は基板載置台上に固定する必要があり、例えば、特許文献１に記載されるように、被処理基板を、静電吸着力を利用して、載置台上に吸着させて支持する静電吸着装置が多用されている。

また、特許文献１には、ドライエッチングが終了した後、被処理基板を静電吸着装置の静電チャック電極（以下ＥＳＣ電極という）からスムーズに取り外すために、静電吸着後に除電処理を実施することが記載されている（例えば、段落００３３乃至００３４参照）。
特開平１１−１１１８３０号公報

しかしながら、除電処理を実施したとしても、被処理基板をＥＳＣ電極から取り外す際、希に、基板−ＥＳＣ電極間で吸着が起こることがあり、取り外しが困難になる、という事情がある。この原因は、基板を載置するＥＳＣ電極表面に残留した電荷が関係しているもの、と推測されている。

このような場合、被処理基板を、リフトピンなどを用いて強制的にＥＳＣ電極から離脱させると、位置ずれの発生、あるいは被処理基板の割れを招き、歩留り低下の原因となる。

この発明は、被処理基板を、ＥＳＣ電極からスムーズに取り外すことが可能な静電吸着装置の除電処理方法、このような除電処理方法が実行される静電吸着装置が搭載された基板処理装置、及びこのような基板処理装置を制御するプログラムを格納した記憶媒体を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、この発明の第１の態様に係る静電吸着装置の除電処理方法は、静電チャック電極上に静電吸着された被処理基板を取り外す際に実行される静電吸着装置の除電処理方法であって、静電吸着装置の静電チャック電極にチャック電圧を印加し、被処理基板を前記静電チャック電極に静電吸着させる工程と、前記被処理基板が前記静電チャック電極に静電吸着された状態で、前記被処理基板に処理を施す工程と、前記被処理基板への処理が終了した後、チャンバー内を真空排気する真空処理工程と、前記真空処理工程の間、前記静電チャック電極の電圧を前記チャック電圧と同じ極性の電圧で安定させる工程と、前記静電チャック電極の電圧が安定した後、前記チャンバー内に除電用ガスを供給する工程と、前記チャンバー内に供給された前記除電用ガスをプラズマ化する工程と、前記被処理基板を前記静電チャック電極から離脱させる工程と、前記被処理基板が前記静電チャック電極から離脱した後、前記静電チャック電極を基準電位にする工程と、を具備する。

また、この発明の第２の態様に係る基板処理装置は、被処理基板に処理を施す基板処理装置であって、前記被処理基板を載置する載置部に、上記第１の態様に係る除電処理方法が実行される静電吸着装置を用いる。

また、この発明の第３の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、静電吸着装置が搭載された基板処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第１の態様に係る除電処理方法が行われるように、コンピュータに前記静電吸着装置が搭載された基板処理装置を制御させる。

この発明によれば、被処理基板を、ＥＳＣ電極からスムーズに取り外すことが可能な静電吸着装置の除電処理方法、このような除電処理方法が実行される静電吸着装置が搭載された基板処理装置、及びこのような基板処理装置を制御するプログラムを格納した記憶媒体を提供することを提供できる。

以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。

図１は、この発明の一実施形態に係る静電吸着装置の除電処理方法が適用されるドライエッチング装置の一例を概略的に示す断面図である。本例では、被処理基板として絶縁性基板、例えば、ＦＰＤ基板を例示する。ＦＰＤ基板の一例は、液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板である。ただし、被処理基板はガラス基板に限られるものではない。

図１に示すように、ドライエッチング装置は、気密に構成されたチャンバー１を有している。チャンバー１の底部のほぼ中央には、絶縁部材７を介して被処理基板であるＦＰＤ基板Ｓを水平に支持するための載置台２が設けられている。

載置台２の上面には、ＦＰＤ基板Ｓを吸着させるための静電吸着装置１０が設けられている。静電吸着装置１０は、ＥＳＣ電極１１と、ＤＣ電源２１とを含んで構成される。ＥＳＣ電極１１は載置台２の上面に固定され、絶縁物、例えば、ポリイミド、セラミック等で構成される絶縁層１２と、この絶縁層１２の中に埋設され、導電物、例えば、銅等で構成される内部電極１３とを有する。ＤＣ電源２１は、内部電極１３にＤＣ電圧を印加する。ＤＣ電源２１はチャンバー１の外に設けられ、ケーブル２２を介して内部電極１３に接続される。ケーブル２２の接地側にはスイッチ２３が設けられている。スイッチ２３をＤＣ電源２１側の端子ａに接続すると、内部電極１３に給電され、反対にスイッチ２３を接地側の端子ｂへ接続すると、内部電極１３は接地され、基準電位（接地電位）となる。

載置台２及びＥＳＣ電極１１には、リフトピン３０が挿通される挿通孔３１が形成されている。リフトピン３０は挿通孔３１を上下動し、ＦＰＤ基板ＳをＥＳＣ電極１１の上面に載置し、また、ＦＰＤ基板ＳをＥＳＣ電極１１から取り外す。

チャンバー１の天壁近傍には、載置台２に対向するようにシャワーヘッド４が設けられている。シャワーヘッド４は、その下面に多数のガス吐出孔５が設けられており、かつその上部にガス導入部６を有している。そして、ガス導入部６がチャンバー１の天壁に取り付けられている。

ガス導入部６にはガス供給配管８が接続されており、このガス供給配管８の他端には、エッチング用の反応ガスおよび希釈ガスからなる処理ガスを供給する処理ガス供給系９が接続されている。反応ガスとしては、例えばＣＨＦ_３、ＣＦ_４等のハロゲン含有ガスが、希釈ガスとしては、Ａｒガス等の不活性ガスが用いられる。

また、チャンバー１の底壁には排気ポート１５が形成されており、この排気ポート１５には排気系１６が接続されている。そして、排気系１６の真空ポンプを作動させることにより、排気ポート１５を介してチャンバー１内を排気し、チャンバー１内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。

載置台２には、図示せぬマッチングボックスを介して高周波電源２４が接続されている。高周波電力が、高周波電源２４から載置台２に供給されることで、シャワーヘッド４と載置台２との間の空間に高周波電界が形成される。形成された高周波電界によって、上記空間には処理ガスのプラズマが形成され、ＦＰＤ基板Ｓに形成された膜、例えば、酸化膜等がエッチングされる。

制御部４０は、プロセスコントローラ４１と、ユーザーインターフェース４２と、記憶部４３と、を備えている。

プロセスコントローラ４１は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなる。

ユーザーインターフェース４２は、オペレータがドライエッチング装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システムの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。

記憶部４３は、ドライエッチング装置において実行される各種処理を、プロセスコントローラ４１の制御にて実現するための制御プログラムや、各種データ、及び処理条件に応じてドライエッチング装置に処理を実行させるためのプログラム（レシピ）が格納される。レシピは、記憶部４３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。任意のレシピはユーザーインターフェース４２からの指示等にて記憶部４３から呼び出され、プロセスコントローラ４１において実行されることで、プロセスコントローラ４１の制御のもと、ドライエッチング装置においてＦＰＤ基板Ｓに対する所定の処理が実施される。さらに、本例では、上記レシピに、次に説明する除電処理方法が組み込まれる。

図２は、この発明の一実施形態に係る除電処理方法が組み込まれた処理シーケンスの一例を示す図である。

まず、ＦＰＤ基板Ｓを、図示せぬ搬送アームを用いてチャンバー１内に搬入し、ＥＳＣ電極１１の上面から突出しているリフトピン３０上に載せる。ＦＰＤ基板Ｓが搬送アームからリフトピン３０に載せ替えられた後、リフトピン３０を下げ、ＦＰＤ基板ＳをＥＳＣ電極１１の基板載置面上に載置する。

次に、チャンバー１内を気密に保持した状態で、排気系１６に設けられた真空ポンプを作動させ、チャンバー１内の圧力を、例えば、０．５Ｐａ以下の高真空状態とする。

次に、処理ガス供給系９から、処理ガスをシャワーヘッド４のガス吐出孔５を介してチャンバー１内に供給する。このとき、供給される処理ガスの流量によって、チャンバー１内の圧力は、例えば、１３．３Ｐａに調整される（ステップ１：実処理調圧）。さらに、この実処理調圧時に、スイッチ２３を端子ａ側にセットし、ＤＣ電源２１からケーブル２２を通じて内部電極１３にチャック電圧を印加する。チャック電圧の一例は、正のＤＣ電圧であり、電圧値の一例は、３０００Ｖである。

次に、高周波電源２４から、所定の周波数、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を載置台２に供給し、シャワーヘッド４と載置台２との間の空間に高周波電界を形成する。この高周波電界によって、上記空間には処理ガスのプラズマが形成される（ステップ２：実処理放電）。チャンバー１内の圧力が、例えば、１３．３Ｐａ、かつ、プラズマが存在する状態で、内部電極１３にチャック電圧が印加されていると、ＦＰＤ基板Ｓの表面にはチャック電圧とは逆極性の電荷が生起される。本例では内部電極１３に正のＤＣ電圧が印加されているから、ＦＰＤ基板Ｓ上にはプラズマから負電荷が蓄積される。これにより、ＦＰＤ基板Ｓ上の負電荷と内部電極１３との間にクーロン力が発生し、ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極１１に静電吸着される。ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極１１に静電吸着された状態で、処理ガスの流量、及び高周波電力の条件を所定の値に設定すると、形成された処理ガスのプラズマにより、ＦＰＤ基板Ｓの所定の層に対して処理、本例ではエッチング処理が施される。

次に、処理ガスの供給を止め、排気系１６に設けられた真空ポンプを作動させて真空排気し、チャンバー１内の圧力を、例えば、０．５Ｐａ以下の高真空状態とする（ステップ３：真空処理）。さらに、この真空処理時に、スイッチ２３を端子ｂ側に切り換え、内部電極１３を接地する。これにより、ＤＣ電源２１からの電圧印加が停止されるとともに、内部電極１３は基準電位（本例では接地電位）となる。さらに、本例では、真空処理時に、再度、スイッチ２３を端子ａ側に戻し、ステップ１、２において印加したチャック電圧と同じ極性の電圧を、内部電極１３に再印加する。再印加する電圧の値の一例は、チャック電圧と同じ値、例えば、３０００Ｖである。ただし、再印加する電圧は、後述する試験結果から分かるように、チャック電圧と極性が同じであれば良く、電圧の値は任意である。

次に、内部電極１３に再印加した電圧が安定した後（電圧安定）、処理ガス供給系９から、例えば、除電用ガスをシャワーヘッド４のガス吐出孔５を介してチャンバー１内に供給する。このとき、供給される除電用ガスの流量によって、チャンバー１内の圧力は、例えば、６．７乃至２６．７Ｐａ、本例では１３．３Ｐａに調整される（ステップ４：除電調圧）。除電用ガスの例は、Ａｒガス、又はＯ_２ガス、又はＨｅガスなどを挙げることができる。

次に、高周波電源２４から、所定の周波数、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を載置台２に供給する。これにより、シャワーヘッド４と載置台２との間の空間に除電用ガスのプラズマが形成される（ステップ５：除電放電）。プラズマが形成されることによって、ＦＰＤ基板Ｓ上に蓄積されていた電荷、本例では負電荷がプラズマ中の正イオンと結合して中和される。これにより、ＦＰＤ基板Ｓが除電される。

次に、載置台２に高周波電力が供給されている状態、即ち、除電放電が行われている状態で、リフトピン３０を上昇させ、ＦＰＤ基板ＳをＥＳＣ電極１１から離脱させる。ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極１１から完全に離脱した後（リフトアップ完了）、スイッチ２３を端子ｂ側に切り換え、内部電極１３を再接地し、基準電位（接地電位）とする。さらに、内部電極１３が再接地された状態で、シャワーヘッド４に高周波電力を、数秒間供給する（ステップ６：リフトアップ＋除電放電）。

次に、除電用ガスの供給を止め、排気系１６に設けられた真空ポンプを作動させ、チャンバー１内の圧力を、例えば、０．５Ｐａ以下の高真空状態とする（ステップ７：真空処理）。

この後、ＦＰＤ基板Ｓをリフトピン３０から図示せぬ搬送アームに載せ替え、チャンバー１外へ搬出することで処理が終了する（ステップ８：処理終了）。

図３に、一実施形態に係る除電処理方法の試験結果を示す。

この試験は、ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極に吸着してしまう現象を再現して行った。本試験においては、ＦＰＤ基板Ｓは、次のようにしてＥＳＣ電極１１に吸着させた。図４Ａ及び図４Ｂは、吸着プロセスを模式的に示した断面図である。

まず、図４Ａに示すように、内部電極１３に正電圧を一時的に印加することにより、ＥＳＣ電極１１の基板載置面１１ａ上に負電荷を蓄積させる。次いで、図４ＢにＥＳＣ電極１１の基板載置面１１ａが負に帯電した状態で、ＦＰＤ基板Ｓを載置する。

このように表面が帯電したＥＳＣ電極１１上にＦＰＤ基板Ｓを載置すると、図２中に示すチャック電圧印加シーケンス（参考例：通常の除電処理）では、リフトアップ時、ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極１１に吸着したまま、となった（評価Ｎｏ．０）。

対して、一実施形態に係る除電処理では、評価Ｎｏ．１〜６に示すように、リフトアップ時、ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極１１に吸着することはなかった。

しかも、内部電極１３に再印加する電圧は、チャック電圧と同じ極性で、＋５００Ｖ、＋１０００Ｖ、…、＋３０００Ｖと、＋５００Ｖずつ変えてみたが、結果は全て同じであり、いずれも吸着することはなかった。ただし、図３には示していないが、再印加する電圧の極性を、チャック電圧とは反対の極性、即ち、“マイナス（−）”とすると、リフトアップ時、ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極１１に吸着したまま、となった。

このような試験結果から、除電時に内部電極１３に再印加する電圧は、チャック電圧と極性が同じであれば良く、電圧の値は任意であることがわかった。

さらに、評価Ｎｏ．７、８に示すように、表面が帯電していないＥＳＣ電極１１にＦＰＤ基板Ｓを載置した場合でも、一実施形態に係る除電処理方法によれば、リフトアップ時、ＦＰＤ基板ＳがＥＳＣ電極１１に吸着することはなかった。

一実施形態に係る除電処理方法において、ＥＳＣ電極１１の表面が帯電していたとしても、ＦＰＤ基板Ｓの吸着が発生しない原理はいくつか考えることができる。考えられる原理の一つを簡単に説明しておく。

図５Ａ乃至図５Ｃは、ＦＰＤ基板Ｓが吸着する原理を模式的に示した断面図である。

負に帯電したＥＳＣ電極１１表面に、ＦＰＤ基板Ｓが載置された状態を図５Ａに示す。この状態でプラズマを形成すると、図５Ｂに示すように、表面が負に帯電したＥＳＣ電極１１に、プラズマ中の正電荷が引き寄せられ、ＦＰＤ基板Ｓの表面に蓄積される。蓄積された正電荷は、ＦＰＤ基板Ｓを挟んでＥＳＣ電極１１表面上の負電荷と互いに引き合う（クーロン力）ため、図５Ｃに示すように、ＦＰＤ基板ＳはＥＳＣ電極１１に吸着されたまま、となる。

図６Ａ乃至図６Ｃは、一実施形態に係る除電処理方法により、ＦＰＤ基板Ｓが吸着しない原理の一例を示す断面図である。

一実施形態に係る除電処理方法では、真空処理中に、内部電極１３にチャック電圧と同じ極性の電圧、本例では正の電圧を再印加し、かつ、再印加した電圧を安定させる。本例ではこの状態を図６Ａに示す。図６Ａに示すように、表面が負に帯電したＥＳＣ電極１１の内部電極１３に正の電圧を印加すると、内部電極１３に正電荷が蓄積される。蓄積された正電荷は、ＥＳＣ電極１１表面上の負電荷と互いに引き合う（クーロン力）。この状態で、プラズマを形成しても、ＥＳＣ電極１１表面上の負電荷は内部電極１３の正電荷と既に引き合っているので、ＦＰＤ基板Ｓの表面には正電荷は蓄積されない。従って、図６Ｃに示すように、リフトピン３０を上昇させることで、ＦＰＤ基板Ｓは、ＥＳＣ電極１１に吸着されることなく、リフトアップされる。

このように、一実施形態に係る静電吸着装置の除電処理方法によれば、たとえ、ＥＳＣ電極１１の表面が帯電していたとしても、被処理基板を、ＥＳＣ電極１１からスムーズに取り外すことが可能となる。

なお、この発明は上記一実施形態に限定されることなく種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。

例えば、被処理体の絶縁基板としてはＦＰＤ基板に限らず、他の絶縁性基板であってもよい。また、プラズマ形成についても上記一実施形態に限らず、例えば、シャワーヘッド４に高周波電力を供給することにより行ってもよいし、マイクロ波等他の手段でプラズマを形成してもよい。さらに、静電吸着装置１０が搭載される装置としては、ドライエッチング装置に限らず、他の成膜装置等、他のプラズマ処理装置に適用することができる。

また、上記一実施形態では、内部電極１３へ電圧を再印加する際、一旦、スイッチ２１を接地側に切り換えてから電圧を再印加するようにしたが、図７に示すように、チャック電圧から、このチャック電圧と同じ極性の所定の電圧まで降下させるようにしても良い。電圧を降下させる場合においても、内部電極１３の電圧が安定した後、ステップ４に示す除電調圧工程に入る。

ただし、電圧を降下させる場合には、内部電極１３の放電が遅くなる傾向があり、内部電極１３の電圧が安定するまで時間がかかることがある。時間を短縮したい場合には、上記一実施形態のように、一旦、内部電極１３を接地し、内部電極１３を基準電位（接地電位）にしてから、内部電極１３に電圧を、再印加するようにすると良い。

また、図８に示すように、チャック電圧を維持したまま真空処理工程に入り、チャック電圧を維持したまま除電調圧工程に入るようにしても良い。このようにチャック電圧を維持したままでも、上記一実施形態と同様に、ＥＳＣ電極１１表面が帯電していた、としても、リフトアップ時には、ＦＰＤ基板Ｓの吸着が発生することはない。

その他、この発明は種々変形することができる。

ドライエッチング装置の一例を概略的に示す断面図 一実施形態に係る除電処理方法が組み込まれた処理シーケンスの一例を示す図 一実施形態に係る除電処理方法の試験結果を示す図 吸着プロセスを模式的に示した断面図 ＦＰＤ基板が吸着する原理を模式的に示す断面図 一実施形態に係る除電処理方法により、ＦＰＤ基板が吸着しない原理の一例を示す断面図 一実施形態に係る除電処理方法が組み込まれた処理シーケンスの他の例を示す図 一実施形態に係る除電処理方法が組み込まれた処理シーケンスのさらに別の例を示す図

符号の説明

１…チャンバー、２…載置台、４…シャワーヘッド、９…処理ガス供給系、１０…静電吸着装置、１１…ＥＳＣ電極、１２…絶縁層、１３…内部電極、１６…排気系、２１…ＤＣ電源、２４…高周波電源、３０…リフトピン。

Claims (10)

1. 静電チャック電極上に静電吸着された被処理基板を取り外す際に実行される静電吸着装置の除電処理方法であって、
   静電吸着装置の静電チャック電極にチャック電圧を印加し、被処理基板を前記静電チャック電極に静電吸着させる工程と、
   前記被処理基板が前記静電チャック電極に静電吸着された状態で、前記被処理基板に処理を施す工程と、
   前記被処理基板への処理が終了した後、チャンバー内を真空排気する真空処理工程と、
   前記真空処理工程の間、前記静電チャック電極の電圧を前記チャック電圧と同じ極性の電圧で安定させる工程と、
   前記静電チャック電極の電圧が安定した後、前記チャンバー内に除電用ガスを供給する工程と、
   前記チャンバー内に供給された前記除電用ガスをプラズマ化する工程と、
   前記被処理基板を前記静電チャック電極から離脱させる工程と、
   前記被処理基板が前記静電チャック電極から離脱した後、前記静電チャック電極を基準電位にする工程と、
   を具備することを特徴とする静電吸着装置の除電処理方法。
2. 前記真空処理の間、前記静電チャック電極を基準電位にしてから、前記静電チャック電極の電圧を前記チャック電圧と同じ極性の電圧で安定させることを特徴とする請求項１に記載の静電吸着装置の除電処理方法。
3. 前記静電チャック電極の電圧を前記チャック電圧に維持したまま、前記チャンバー内を真空処理し、
   前記静電チャック電極の電圧を前記チャック電圧に維持したまま、前記真空処理されたチャンバー内に前記除電用ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載の静電吸着装置の除電処理方法。
4. 前記基準電位は、接地電位であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の静電吸着装置の除電処理方法。
5. 前記被処理基板が前記静電チャック電極から離脱した状態で、前記被処理基板を、前記プラズマ化された前記除電用ガスにさらすことを特徴とする請求項１乃至請求項４いずれか一項に記載の静電吸着装置の除電処理方法。
6. 前記真空処理工程が、前記チャンバー内の圧力を０．５Ｐａ以下とする工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項５いずれか一項に記載の静電吸着装置の除電処理方法。
7. 前記チャンバー内に除電用ガスを供給する工程が、前記チャンバー内の圧力を、前記除電用ガス雰囲気下で６．７乃至２６．７Ｐａとする工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項６いずれか一項に記載の静電吸着装置の除電処理方法。
8. 前記被処理基板が絶縁性基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項７いずれか一項に記載の静電吸着装置の除電処理方法。
9. 被処理基板に処理を施す基板処理装置であって、
   前記被処理基板を載置する載置部に、請求項１乃至請求項８いずれか一項に記載の除電処理方法が実行される静電吸着装置を用いたことを特徴とする基板処理装置。
10. コンピュータ上で動作し、静電吸着装置が搭載された基板処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記プログラムは、実行時に、前記請求項１乃至請求項８いずれか一項に記載の除電処理方法が行われるように、コンピュータに前記静電吸着装置が搭載された基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。

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