JP2015095580A - 基板処理装置及び基板離脱方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の破損を防止できる基板処理装置を提供すること。【解決手段】チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックと、チャック電極に接続され、チャック電極に電圧を印加する直流電圧源と、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して排気する回転体を有する排気装置と、を有し、排気装置は、電力供給ラインを介して直流電圧源と接続され、排気装置に生じる回生電力を直流電圧源に供給する、基板処理装置が提供される。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置及び基板離脱方法に関する。
基板を静電吸着する静電チャックと、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスと、を有する基板処理装置において、静電チャック上に載置された基板を、静電チャックから離脱することが可能な制御方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
静電チャックには、チャック電極が設けられ、直流電圧源からチャック電極に電圧を印加することで、基板を載置台に静電吸着する。伝熱ガスは、基板全体の温度を均一にするために静電吸着された基板の裏面に供給される。
特開２０１３−１４９９３５号公報
しかしながら、基板を載置台から離脱させる際、停電等により、直流電圧源に供給される電力が停止した場合、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、静電チャック上に載置された基板が跳ね上がり、破損することがある。
そこで、本発明の一つの案では、基板の破損を防止できる基板処理装置を提供することを課題とする。
一つの案では、チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックと、チャック電極に接続され、チャック電極に電圧を印加する直流電圧源と、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して排気する回転体を有する排気装置と、を有し、排気装置は、電力供給ラインを介して直流電圧源と接続され、排気装置に生じる回生電力を直流電圧源に供給する、基板処理装置が提供される。
一態様によれば、基板の破損を防止できる基板処理装置を提供できる。
一実施形態に係る基板処理装置の全体構成図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の概略図である。 第１実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートである。 第２実施形態に係る基板処理装置の概略図である。 第２実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートである。 第２実施形態に係る基板処理装置の動作タイミングを示すタイミングチャートである。 第３実施形態に係る基板処理装置の概略図である。
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
（基板処理装置１の全体構成）
先ず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の全体構成について、図１を参照しながら説明する。
図１に示した基板処理装置１は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）型の基板処理装置１として構成されている。基板処理装置１は、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属製の円筒型チャンバ（処理容器１０）を有しており、処理容器１０は接地されている。処理容器１０内では、被処理体にエッチング処理等のプラズマ処理が施される。
処理容器１０内には、基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハＷと称呼する)を載置する載置台１２が設けられている。載置台１２は、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部１４を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１６に支持されている。筒状保持部１４の上面には、載置台１２の上面を環状に囲む、例えば、石英からなるフォーカスリング１８が配置されている。
処理容器１０の内側壁と筒状支持部１６の外側壁との間には排気路２０が形成されている。排気路２０には環状のバッフル板２２が取り付けられている。排気路２０の底部には排気口２４が設けられ、排気管２６を介して回転体を有する排気装置２８が接続されており、処理容器１０内を所定の真空度まで減圧する。
排気装置２８は、停電等により、基板処理装置１への電力供給が停止した場合に、排気装置２８の回転体の減速時に生じる回転エネルギーを回生電力に変換することにより、基板処理装置１の各部に電力を供給する。排気装置２８は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：Turbo-Molecular Pump）等の回転体を有するものを用いることができる。
排気管２６には、圧力調整バルブ２７が設けられており、処理容器１０内を真空引きしながら所定の圧力に維持できるようになっている。
具体的には、圧力調整装置９２は、処理容器１０内に設けられた圧力センサ９１（後述の図４参照）によってモニタされた圧力の値を取得する。圧力調整装置９２は、取得した圧力の値を自動演算して、圧力調整バルブ２７を可変させることにより、処理容器１０内の圧力を所定の値に維持する。
圧力調整バルブ２７は、例えば、ゲートバルブ、バタフライバルブ等を用いることができる。圧力センサ９１は、例えば、キャパシタンスマノメータ等を用いることができる。圧力調整装置９２は、例えば、自動圧力制御装置（ＡＰＣ：Auto Pressure Controller）等を用いることができる。
処理容器１０の側壁には、ウエハＷの搬入時又は搬出時に開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。
載置台１２には、給電棒３６及び整合器３４を介してプラズマ生成用の高周波電源３２が接続されている。高周波電源３２は、例えば、６０ＭＨｚの高周波電力を載置台１２に供給する。このようにして載置台１２は下部電極としても機能する。
処理容器１０の天井部には、シャワーヘッド３８が接地電位の上部電極として設けられている。高周波電源３２からのプラズマ生成用の高周波電力は載置台１２とシャワーヘッド３８との間に容量的に供給される。
載置台１２の上面には、ウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック４０が設けられている。静電チャック４０は導電膜からなるシート状のチャック電極４０ａを一対の誘電部材である誘電層部４０ｂ，４０ｃの間に挟み込んだものである。
直流電圧源４２は、スイッチ４３を介してチャック電極４０ａに接続されている。静電チャック４０は、直流電圧源４２から電圧をオンされることにより、クーロン力でウエハＷをチャック上に吸着保持する。
また、チャック電極４０ａへの電圧をオフする場合にはスイッチ４３によって接地部４４へ接続された状態となっている。以下、チャック電極４０ａへの電圧のオフはチャック電極４０ａが接地された状態を意味する。
また、直流電圧源４２には、電力供給ライン４５を介して排気装置２８が接続されており、排気装置２８に生じる回生電力が供給される。
伝熱ガス供給源５２は、ＨｅガスやＡｒガス等の伝熱ガスをガス供給ライン５３に通して静電チャック４０上のウエハＷの裏面に供給する。ガス供給ライン５３は、排気ガスバルブ５５が配設された伝熱ガス排気配管５４を介して排気装置２８に接続されている。排気装置２８は、ガス供給ライン５３及び伝熱ガス排気配管５４を介してウエハＷの裏面に供給される伝熱ガスを排気する。
天井部のシャワーヘッド３８は、多数のガス通気孔５６ａを有する電極板５６と、この電極板５６を着脱可能に支持する電極支持体５８とを有する。電極支持体５８の内部にはバッファ室６０が設けられている。バッファ室６０のガス導入口６０ａにはガス供給配管６４を介してガス供給源６２が連結されている。係る構成により、シャワーヘッド３８から処理容器１０内に所望のガスが供給される。
載置台１２の内部には、外部の図示しない搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを昇降させる支持ピン８１が複数（例えば３本）設けられている。複数の支持ピン８１は、連結部材８２を介して伝えられるモータ８４の動力により上下動する。処理容器１０の外部へ向けて貫通する支持ピン８１の貫通孔には底部ベローズ８３が設けられ、処理容器１０内の真空側と大気側との間の気密を保持する。
処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延在する磁石６６が上下２段に配置されている。処理容器１０内において、シャワーヘッド３８と載置台１２との間のプラズマ生成空間には、高周波電源３２により鉛直方向のＲＦ電界が形成され、高周波の放電により、載置台１２の表面近傍に高密度のプラズマが生成される。
載置台１２の内部には冷媒管７０が設けられている。この冷媒管７０には、配管７２、７３を介してチラーユニット７１から所定温度の冷媒が循環供給される。また、静電チャック４０の内部にはヒータ７５が埋設されている。ヒータ７５には図示しない交流電源から所望の交流電圧がオンされる。
係る構成により、チラーユニット７１による冷却とヒータ７５による加熱によって静電チャック４０上のウエハＷの処理温度は所望の温度に調整される。
制御装置１００は、基板処理装置１に取り付けられた各部、例えば、ガス供給源６２、排気装置２８、ヒータ７５、直流電圧源４２、スイッチ４３、整合器３４、高周波電源３２、伝熱ガス供給源５２、モータ８４、チラーユニット７１、圧力センサ９１及び圧力調整装置９２を制御する。また、制御装置１００は、図示しないホストコンピュータ等とも接続されている。
制御装置１００は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）を有し、ＣＰＵはこれらの記憶領域に格納された各種レシピに従ってプラズマ処理を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、処理室内温度（上部電極温度、処理室の側壁温度、ＥＳＣ温度等）、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種プロセスガス流量、伝熱ガス流量等が記載されている。
係る構成の基板処理装置１において、エッチングを行なうには、先ず、ゲートバルブ３０を開口して搬送アーム上に保持されたウエハＷを処理容器１０内に搬入する。次に、静電チャック４０の表面から突出した支持ピン８１により搬送アームからウエハＷが持ち上げられ、支持ピン８１上にウエハＷが保持される。次いで、その搬送アームが処理容器１０外へ出た後に、支持ピン８１が静電チャック４０内に下ろされることでウエハＷが静電チャック４０上に載置される。
ウエハＷ搬入後、ゲートバルブ３０が閉じられ、ガス供給源６２からエッチングガスを所定の流量で処理容器１０内に導入し、排気装置２８により処理容器１０内の圧力を設定値に減圧する。さらに、高周波電源３２から所定のパワーの高周波電力を載置台１２に供給する。
また、直流電圧源４２から電圧を静電チャック４０のチャック電極４０ａにオンして、ウエハＷを静電チャック４０上に固定する。また、静電吸着されたウエハＷの裏面に伝熱ガスを供給する。
シャワーヘッド３８からシャワー状に導入されたエッチングガスは、高周波電源３２からの高周波電力によりプラズマ化され、これにより、上部電極（シャワーヘッド３８）と下部電極（載置台１２）との間のプラズマ生成空間にてプラズマが生成される。生成されたプラズマ中のラジカルやイオンによってウエハＷの主面がエッチングされる。
プラズマエッチング終了後、静電チャック４０からウエハＷを離脱させる際には、伝熱ガスの供給をオフし、不活性ガスを処理室内へ導入し処理室内を圧力センサ９１及び圧力調整装置９２を用いて所定の圧力に維持する。この状態で、プラズマ処理中にチャック電極４０ａへオンしていた電圧とは正負が逆の電圧を、チャック電極４０ａへオンした後に電圧をオフする。この処理により静電チャック４０及びウエハＷに存在する電荷を除電する除電処理が行われる。
その状態で、支持ピン８１を上昇させてウエハＷを静電チャック４０から持ち上げ、ウエハＷを静電チャック４０から離脱させる。ゲートバルブ３０を開口して搬送アームが処理室内１０内に搬入された後、支持ピン８１が下げられウエハＷが搬送アーム上に保持される。次いで、その搬送アームが処理容器１０外へ出て、次のウエハＷが搬送アームにより処理室内１０へ搬入される。この処理を繰り返すことで連続してウエハＷが処理される。
以上、本実施形態に係る基板処理装置１の全体構成について説明した。次に、停電等により、基板処理装置１への電力供給が停止した場合の基板処理装置１による基板離脱方法について、図２〜６を参照しながら説明する。
（基板処理装置１の動作）
＜第１実施形態＞
図２に、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略図を示す。図３に、第１実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートを示す。
図３に示すように、第１実施形態に係る基板離脱方法は、排気装置２８により排気可能な処理容器１０内で、チャック電極４０ａを有し、基板を静電吸着する静電チャック４０から基板を離脱させる。基板離脱方法は、排気装置２８に生じる回生電力を直流電圧源４２に供給することによりチャック電極４０ａに電圧を印加する工程（Ｓ１）と、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管５４を介して排気装置２８により排気する工程（Ｓ２）と、を含む。
各々の工程について、詳細に説明する。
例えば、停電等により、基板処理装置１への電力供給が停止（一次電源１１が停止）すると、一次電源１１から供給される電力で駆動している伝熱ガス供給源５２は閉止され、直流電圧源４２は停止する。また、排気装置２８は、回転体の回転を減速させながら停止する。
［Ｓ１］
このとき、排気装置２８は、減速時に生じる回転体の回転エネルギーを回生電力に変換し、電力供給ライン４５を介して直流電圧源４２に回生電力を供給する。直流電圧源４２は、排気装置２８により供給された回生電力を使用して、チャック電極４０ａに電圧を印加する。
これにより、静電チャック４０に載置されているウエハＷは、静電チャック４０に吸着した状態を維持する。
［Ｓ２］
次に、排気装置２８は、回生電力を伝熱ガス排気配管５４に配設された排気ガスバルブ５５に供給することにより、排気ガスバルブを閉状態から開状態にする。これにより、排気装置２８は、静電吸着されたウエハＷの裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管５４を介して排気する。
なお、排気ガスバルブ５５を開状態にすることにより、伝熱ガスを排気装置２８により排気する形態を説明したが、これに限定されない。例えば、圧力調整機能を有する排気ガスバルブ５５を用いて、排気ガスバルブ５５を調整することにより、伝熱ガスを排気装置２８により排気しても良い。
次に、第１実施形態に係る基板処理装置１を用いた基板離脱方法の効果について、静電チャック４０の動作と共に説明する。
静電チャック４０は、導電膜からなるシート状のチャック電極４０ａの表裏を誘電部材にて挟んだ構成を有する。基板処理においては、直流電圧源４２からチャック電極４０ａに電圧をオンすることにより生じるクーロン力によって、基板を静電チャックに吸着させて基板処理を行う。その際には、静電吸着された基板の裏面に基板全体の温度を均一にするための伝熱ガスが供給されている。
また、基板処理後には、伝熱ガスの供給を停止し、所定の時間経過後に、チャック電極４０ａへの電圧をオフにする。
しかしながら、停電等により直流電圧源４２に供給される電力が停止した場合、伝熱ガスの供給停止とチャック電極４０ａへの電圧オフがほとんど同じタイミングで生じることになる。
このとき、ガス供給ライン５３には伝熱ガスが残存しており、（静電チャック４０による基板の吸着力）＜（基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力）となることにより、基板が静電チャック４０から跳ね上がり、破損することがある。すなわち、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が静電チャック４０から跳ね上がり、破損することがある。
一方、第１実施形態に係る基板離脱方法においては、停電等により直流電圧源４２に供給される電力が停止した場合、排気装置２８に生じる回生電力を直流電圧源４２に供給することによりチャック電極４０ａに電圧を印加する状態を継続できる。これにより、（静電チャック４０による基板の吸着力）＞（基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力）となるため、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が跳ね上がることがない。
また、静電吸着された基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管５４を介して排気装置２８により排気するため、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力を強制的に下げることができる。
以上に説明したように、第１実施形態に係る基板離脱方法によれば、停電等により直流電圧源４２に供給される電力が停止した場合でも、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板（ウエハＷ）が跳ね上がり、破損することを防止できる。
また、熱として排気されていた排気装置２８の回転体の回転エネルギーを回生電力として再利用しているため、無停電電源装置（ＵＰＳ：Uninterruptible Power Supply）等を用いて外部から電力供給する必要が無い。
なお、この基板離脱方法は一例であり、各工程（Ｓ１とＳ２）の順序を変更することも可能である。
また、一次電源１１から供給される電力が停止したことを受けて、第１実施形態に係る基板離脱方法による動作が実行される形態を説明したが、これに限定されない。
例えば、基板処理装置１は、排気装置２８に生じる回生電力の供給を受けて動作可能な制御装置１００を有し、制御装置１００からの信号により上述の基板離脱方法による動作を制御しても良い。
＜第２実施形態＞
図４に、第２実施形態に係る基板処理装置１の概略図を示す。図５に、第２実施形態に係る基板離脱方法を実行するためのフローチャートを示す。
図５に示すように、第２実施形態に係る基板離脱方法は、第１実施形態で説明した工程Ｓ１及びＳ２に加えて、処理容器１０内に不活性ガスを供給し、処理容器１０を所定の圧力に維持する工程（Ｓ３）と、Ｓ１でチャック電極４０ａに印加した電圧と正負が逆の電圧をチャック電極４０ａに印加することにより基板の除電処理を行う工程（Ｓ４）と、チャック電極４０ａに印加されている電圧をオフする工程（Ｓ５）と、基板を支持ピン８１で静電チャック４０から離脱させる工程（Ｓ６）と、を含む。
図６は、停電等により、基板処理装置１への電力供給が停止（一次電源１１が停止）した場合の第２実施形態に係る基板処理装置１の各部の動作タイミングの一例を示すタイミングチャートである。
図６において、（Ａ）は排気装置２８の回転体回転数であり、（Ｂ）は排気装置２８から直流電圧源４２に供給される電力であり、（Ｃ）はチャック電極４０ａに印加される電圧であり、（Ｄ）は排気ガスバルブ５５の開閉状態であり、（Ｅ）はガス供給バルブ６５の開閉状態であり、（Ｆ）は処理容器１０内の圧力であり、（Ｇ）は支持ピン８１の上昇又は下降のいずれかの状態を示すものである。
以下、図４〜６を参照しながら、各々の工程について、詳細に説明する。
第１実施形態の場合と同様に、停電等により、基板処理装置１への電力供給が停止（一次電源１１が停止）すると、一次電源１１から供給される電力で駆動している伝熱ガス供給源５２は閉止され、直流電圧源４２は停止する。また、排気装置２８は、回転体の回転を減速させながら停止する（図６（Ａ））。
［Ｓ１］
このとき、排気装置２８は、減速時に生じる回転体の回転エネルギーを回生電力に変換し、電力供給ライン４５を介して直流電圧源４２に回生電力を供給する（図６（Ｂ））。直流電圧源４２は、排気装置２８により供給された回生電力を使用して、チャック電極４０ａへの電圧の印加を継続する（図６（Ｃ））。
これにより、静電チャック４０に載置されているウエハＷは、静電チャック４０に吸着した状態を維持する。
［Ｓ２］
次に、排気装置２８は、回生電力を伝熱ガス排気配管５４に配設された排気ガスバルブ５５に供給することにより、排気ガスバルブ５５を開状態にする（図６（Ｄ））。これにより、排気装置２８は、静電吸着されたウエハＷの裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管５４を介して排気する。
なお、排気ガスバルブ５５を開状態にすることにより、伝熱ガスを排気装置２８により排気する形態を説明したが、これに限定されない。例えば、圧力調整機能を有する排気ガスバルブ５５を用いて、排気ガスバルブ５５を調整することにより、伝熱ガスを排気装置２８により排気しても良い。
［Ｓ３］
次に、排気装置２８は、回生電力をガス供給バルブ６５に供給することにより、ガス供給バルブ６５を開状態にする（図６（Ｅ））。ガス供給源６２は、ガス供給バルブ６５が配設されたガス供給配管６４を介して、例えば、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを処理容器１０内に導入する。
また、排気装置２８は、回生電力を圧力センサ９１及び圧力調整装置９２に供給する。圧力調整装置９２は、処理容器１０内に設けられた圧力センサ９１によってモニタされた圧力の値を取得する。圧力調整装置９２は、取得した圧力の値を自動演算して、圧力調整バルブ２７を可変させることにより、処理容器１０内の圧力を所定の値に維持する（図６（Ｆ））。
なお、処理容器１０内の圧力は、１００ｍＴｏｒｒ〜４００ｍＴｏｒｒであることが好ましく、２００ｍＴｏｒｒ〜３００ｍＴｏｒｒであることが更に好ましい。これにより、後述する次工程（Ｓ４）での除電処理の効果が大きくなる。
［Ｓ４］
次に、排気装置２８は、回生電力を制御装置１００に供給する。処理容器１０内が所定の圧力になった後、制御装置１００は、Ｓ１でチャック電極４０ａに印加した電圧と正負が逆の電圧をチャック電極４０ａに印加するように、直流電圧源４２を制御する（図６（Ｃ））。これにより、静電チャック４０及びウエハＷに蓄積されている電荷が除去され、静電チャック４０からウエハＷが離脱されやすくなる。
［Ｓ５］
次に、制御装置１００は、スイッチ４３をオフにし、チャック電極４０ａに印加されている電圧をオフする（図６（Ｃ））。
［Ｓ６］
次に、排気装置２８は、回生電力をモータ８４に供給する。制御装置１００は、支持ピン８１を上昇させるようにモータ８４を駆動させる（図６（Ｇ））。これにより、ウエハＷは、静電チャック４０から持ち上げられ、静電チャック４０から離脱する。
以上に説明したように、第２実施形態に係る基板離脱方法によれば、停電等により、直流電圧源４２に供給される電力が停止した場合でも、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が跳ね上がり、破損することを防止できる。また、熱として排気されていた排気装置２８の回転体の回転エネルギーを回生電力として再利用しているため、ＵＰＳ等を用いて外部から電力供給する必要が無い。
更に、第２実施形態に係る基板離脱方法によれば、基板の除電処理及び基板の離脱までを自動処理によって行われるため、装置復旧時に必要となる手動操作を簡略化することができる。
なお、この基板離脱方法は一例であり、Ｓ１とＳ２との順序を変更することも可能である。
＜第３実施形態＞
図７に、第３実施形態に係る基板処理装置１の概略図を示す。
図７に示すように、第３実施形態に係る基板処理装置１は、第１実施形態で説明した基板処理装置１の構成に加えて、蓄電池ユニット２９を有する点で第１実施形態と異なる。
蓄電池ユニット２９は、一次電源１１、排気装置２８及び直流電圧源４２と接続されており、一次電源１１から供給される電力を貯蔵（蓄電）し、必要に応じて放電することで、直流電圧源４２に電力を供給する。
また、停電等により、基板処理装置１への電力供給が停止（一次電源１１が停止）した場合、排気装置２８に生じる回生電力は、蓄電池ユニット２９を介して直流電圧源４２に供給される。
蓄電池ユニット２９としては、例えば、リチウムイオン電池、鉛蓄電池、ＮａＳ蓄電池、ニッケル水素電池等のバッテリを含むＵＰＳ等を用いることができる。
第３実施形態における基板離脱方法は、停電等により、基板処理装置１への電力供給が停止（一次電源１１が停止）した場合に、直流電圧源４２に供給される電力が、排気装置２８に生じる回生電力と蓄電池ユニット２９に貯蔵されている電力とである点を除いて第１実施形態の場合と同様であるため、説明は省略する。
以上に説明したように、第３実施形態に係る基板離脱方法によれば、停電等により、直流電圧源４２に供給される電力が停止した場合でも、基板の裏面に残存する伝熱ガスの圧力により、基板が跳ね上がり、破損することを防止できる。
更に、第３実施形態に係る基板離脱方法によれば、一次電源１１から供給される電力を蓄電池ユニット２９に安定的に貯蔵することができる。これにより、基板処理装置１への電力供給が停止（一次電源１１が停止）した際、排気装置２８に生じる回生電力に加えて、蓄電池ユニット２９に貯蔵された電力を供給することができるため、より長時間電力供給が可能となる。
なお、第３実施形態では、蓄電池ユニット２９は、排気装置２８と別に設けられている形態を説明したが、これに限定されず、蓄電池ユニット２９は、排気装置２８に組み込まれていても良い。
以上、基板処理装置１及び基板離脱方法を実施形態により説明したが、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
本発明に係る基板処理装置１は、上述した容量結合型プラズマ処理装置に限られず、例えば、真空蒸着装置、スパッタリング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等、回転体を有する排気装置を含む構成であれば良い。
また、本発明において処理される基板は、半導体ウエハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）用の大型基板、ＥＬ素子又は太陽電池用の基板であっても良い。
１ 基板処理装置
１０ 処理容器
２８ 排気装置
４０ 静電チャック
４０ａ チャック電極
４２ 直流電圧源
４５ 電力供給ライン
５４ 伝熱ガス排気配管
５５ 排気ガスバルブ
８１ 支持ピン
Ｗ ウエハ

Claims (6)

  1. チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックと、
    前記チャック電極に接続され、前記チャック電極に電圧を印加する直流電圧源と、
    静電吸着された前記基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して排気する回転体を有する排気装置と、
    を有し、
    前記排気装置は、電力供給ラインを介して前記直流電圧源と接続され、前記排気装置に生じる回生電力を前記直流電圧源に供給する、
    基板処理装置。
  2. 前記直流電圧源に供給される電力が停止した場合に、
    前記排気装置に生じる前記回生電力を前記直流電圧源に供給する、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記直流電圧源に供給される電力が停止した場合に、
    前記排気装置に生じる前記回生電力を、蓄電池ユニットを介して前記直流電圧源に供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記伝熱ガス排気配管には排気ガスバルブが配設され、
    前記排気ガスバルブを調整することにより前記伝熱ガスを排気する、
    請求項２又は３に記載の基板処理装置。
  5. 前記排気装置は、ターボ分子ポンプを含む、
    請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板処理装置。
  6. 回転体を有する排気装置により排気可能な処理容器内で、チャック電極を有し、基板を静電吸着する静電チャックから基板を離脱させるための基板離脱方法であって、
    前記排気装置に生じる回生電力を直流電圧源に供給することによりチャック電極に電圧を印加する工程と、
    静電吸着された前記基板の裏面に供給される伝熱ガスを、伝熱ガス排気配管を介して前記排気装置により排気する工程と、
    を含む基板離脱方法。
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