JP2022058790A - プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置10の構成を示す概略断面図である。プラズマ処理装置10は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器1を有している。この処理容器1は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器1は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器1内には、被処理体(work-piece)である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wを水平に支持する載置台2が設けられている。載置台2は、基材(ベース)2a及び静電チャック(ESC:Electrostatic chuck)6を含んで構成されている。基材2aは、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。静電チャック6は、ウエハWを静電吸着するための機能を有する。載置台2は、支持台4に支持されている。支持台4は、例えば石英等からなる支持部材3に支持されている。また、載置台2の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング5が設けられている。さらに、処理容器1内には、載置台2及び支持台4の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材3aが設けられている。
次に、一実施形態に係るプラズマ処理装置10を用いたウエハWの搬送処理について説明する。図5は、一実施形態に係るウエハWの搬送処理の流れの一例を示すフローチャートである。このウエハWの搬送処理は、例えば、ウエハWに対するプラズマ処理が終了するタイミングで実行される。一実施形態では、ウエハWに対するプラズマ処理は、載置台2が0℃以下の温度まで冷却された状態で実行されたものとする。
プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面を有する載置台と、
前記載置台の載置面に対して前記被処理体を昇降させる昇降機構と、
前記被処理体に対するプラズマ処理が終了してから前記被処理体の搬送が開始されるまでの期間に、前記昇降機構を制御して前記載置台の載置面と前記被処理体とが反応生成物の侵入を抑制する間隔だけ離れる位置に前記被処理体を保持し、前記被処理体の搬送が開始される際に、前記昇降機構を制御して前記被処理体が保持される前記位置から前記被処理体を上昇させる昇降制御部と、
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
前記被処理体に対するプラズマ処理は、前記載置台が0℃以下の温度まで冷却された状態で実行されることを特徴とする付記1に記載のプラズマ処理装置。
前記プラズマ処理の処理条件ごとに、前記載置台の載置面と前記被処理体との間の間隔と、前記被処理体の端部を基準として測定された前記載置台の載置面への反応生成物の侵入範囲の長さとの関係を示す侵入範囲情報を記憶する記憶部と、
前記侵入範囲情報を参照して、実行された前記プラズマ処理の処理条件に対応する前記反応生成物の侵入範囲の長さが予め定められた許容長さ以下となる前記載置台の載置面と前記被処理体との間の間隔を算出する算出部と、
をさらに有し、
前記昇降制御部は、前記被処理体に対するプラズマ処理が終了してから前記被処理体の搬送が開始されるまでの期間に、前記昇降機構を制御して前記載置台の載置面と前記被処理体とが前記算出された間隔だけ離れる位置に前記被処理体を保持することを特徴とする付記1又は2に記載のプラズマ処理装置。
前記予め定められた許容長さは、少なくとも前記載置台の載置面の外径と前記被処理体の外径との差に基づいて、決定されることを特徴とする付記3に記載のプラズマ処理装置。
前記昇降制御部は、前記載置台の載置面と前記被処理体との間に形成される隙間に不活性ガスを供給しながら、前記位置に前記被処理体を保持することを特徴とする付記1~4のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
載置台の載置面に載置された被処理体に対するプラズマ処理が終了してから前記被処理体の搬送が開始されるまでの期間に、前記載置台の載置面に対して前記被処理体を昇降させる昇降機構を制御して前記載置台の載置面と前記被処理体とが反応生成物の侵入を抑制する間隔だけ離れる位置に前記被処理体を保持し、
前記被処理体の搬送が開始される際に、前記昇降機構を制御して前記被処理体が保持される前記位置から前記被処理体を上昇させる、
処理をコンピュータが実行することを特徴とする被処理体の搬送方法。
2 載置台
6 静電チャック
6e 載置面
10 プラズマ処理装置
61 リフターピン
62 昇降機構
100 制御部
111 算出部
112 昇降制御部
130 記憶部
131 侵入範囲情報
W ウエハ
Claims (10)
- 被処理体が載置される載置面を有する載置台と、
前記載置面に対して前記被処理体を昇降させる昇降機構と、
を有し、
前記昇降機構は、前記載置面と前記被処理体とが付着物の侵入を抑制する間隔だけ離れる位置に前記被処理体を保持する、
処理装置。 - 前記付着物の侵入を抑制する間隔は、前記被処理体に対するプラズマ処理の処理条件ごとに、前記載置面と前記被処理体との間の間隔と、前記被処理体の端部を基準として測定された前記載置面への前記付着物の侵入範囲の長さとの関係を示す侵入範囲情報に基づき、設定される、請求項1に記載の処理装置。
- 前記付着物の侵入を抑制する間隔は、実行された前記プラズマ処理の処理条件に対応する前記付着物の侵入範囲の長さが予め定められた許容長さ以下となる前記載置台の載置面と前記被処理体との間の間隔である、請求項2に記載の処理装置。
- 前記予め定められた許容長さは、少なくとも前記載置面の外径と前記被処理体の外径との差に基づいて、決定される、請求項3に記載の処理装置。
- 前記付着物の侵入を抑制する間隔は、0.20mm以上0.70mm以下である、請求項1~4のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記昇降機構は、前記被処理体に対するプラズマ処理が終了した後に、前記位置に前記被処理体を保持する、請求項1~5のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記位置は、プラズマ処理が施された前記被処理体を搬送装置へ受け渡すための他の位置よりも低い、請求項1~6のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記被処理体に対するプラズマ処理は、前記載置台が0℃以下の温度まで冷却された状態で実行される、請求項1~7のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記昇降機構は、前記載置面と前記被処理体との間に形成される隙間に不活性ガスが供給された状態で、前記位置に前記被処理体を保持する、請求項1~8のいずれか一つに記載の処理装置。
- 載置台の載置面に載置された被処理体に対するプラズマ処理が終了してから前記被処理体の搬送が開始されるまでの期間に、前記載置面に対して前記被処理体を昇降させる昇降機構を制御して前記載置面と前記被処理体とが付着物の侵入を抑制する間隔だけ離れる位置に前記被処理体を保持する、
被処理体の搬送方法。
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