JP2017183700A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
次に、図2に示した試料台101の変形例について図7を用いて説明する。図7は、図1に示すプラズマ処理装置の試料台の構成の概略を示す縦断面図である。
20…真空容器、
21…高周波電源、
26…温調ユニット、
31…処理室壁、
32…蓋部材、
33…処理室、
34…ガス導入管、
35…処理ガス、
36…排気口、
37…圧力調節バルブ、
38…ターボ分子ポンプ、
39…マイクロ波発振器、
40…マイクロ波、
41…導波管、
42…ソレノイドコイル、
43…プラズマ、
202…電極ブロック、
203…静電吸着層、
203−1…内部電極、
203−2…絶縁体、
204…伝熱ガス供給通路、
205…伝熱ガス、
206…流量制御弁、
207…直流電源、
208…リフトピン、
209…ズレ防止部材
209a…リングカバー、
210…シール部、
211…フレキシブル配管、
212…排気制御弁、
215…直流電源、
216…ガス溝、
217…排気溝、
218…排気穴、
218−1…空洞、
219…排気ライン、
220…フィードスルー、
221…真空ポンプ、
222…検出穴、
223…圧力計、
224…回転数制御器、
225…接着剤。
Claims (16)
- 真空容器内部に配置され内側でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置され上面に前記プラズマを用いて処理されるウエハが配置される試料台と、この試料台の内部に配置され当該試料台の温度を調節するための温度調節器と、前記試料台の前記上面を構成し内側に膜状の電極を備えた誘電体製の膜と、この誘電体製の膜の上面の外周側の領域に配置され当該上面の中央側の領域をリング状に囲んで配置された凸部と、前記誘電体製の膜の上面の中央側の領域に配置され前記ウエハが載せられた状態で当該ウエハとの間の隙間にガスを導入するための導入口と、前記誘電体製の膜内の前記電極に上方に配置された前記ウエハを吸着する静電気力を形成する電力を供給する電源と、前記電源からの電力と前記導入口からのガスの量とを調節して前記ウエハを前記誘電体製の膜上方で非接触に保持する制御器とを備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記ウエハの処理を実施する前または実施した後に前記ウエハが非接触に保持された状態で前記ウエハの温度を変更する工程を実施するプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記制御器は、前記ウエハの処理中に前記ウエハを非接触に保持するプラズマ処理装置。 - 請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、
前記誘電体製の膜の外周側にリング状に配置され前記ウエハが当該誘電体製の膜上に配置された状態でこのウエハを囲む誘電体製のリングと、このリング内で前記ウエハの外周を囲む位置に配置され前記ウエハの外周縁と同じ極性が付与されるリング状の電極とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項1乃至4の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、
前記ウエハを回転させつつ当該ウエハを非接触に保持するプラズマ処理装置。 - 請求項5に記載のプラズマ処理装置であって、
前記凸部の上面に前記誘電体膜の上面の周方向について円弧状に配置され内側を前記ガスが流れる溝を備えたプラズマ処理装置。 - 真空容器内部の処理室内に配置され内側に温度調節器を備えた試料台上に処理対象のウエハを配置し、前記処理室内にプラズマを形成して前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって、
前記ウエハが前記試料台上に配置された状態で、この試料台の上面を構成する誘電体製の膜の中央側の領域をリング状に囲んで配置された凸部の内側の前記中央側の領域でウエハとの間の隙間にガスを導入すると共に、前記誘電体製の膜の内部に配置された膜状の電極に電力を供給して前記ウエハを吸着する静電気力を形成して、前記電源からの電力と前記導入口からのガスの量とを調節して前記ウエハを前記誘電体製の膜上方で非接触に保持しつつ前記試料台の温度を所定の範囲内の値に調節するプラズマ処理方法。 - 請求項7に記載のプラズマ処理方法であって、
前記ウエハの処理を実施する前または実施した後に前記ウエハを非接触に保持した状態で前記ウエハの温度を変更する工程を実施するプラズマ処理方法。 - 請求項7に記載のプラズマ処理方法であって、
前記ウエハを非接触に保持した状態で当該ウエハの処理を実施するプラズマ処理方法。 - 請求項7乃至9の何れかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記ウエハを回転させつつ当該ウエハを非接触に保持するプラズマ処理方法。 - 請求項7乃至10の何れかに記載のプラズマ処理方法であって、
前記誘電体製の膜内の前記電極が異なる極性が付与される複数の膜状の電極を備え、前記プラズマを用いた前記ウエハの処理中にこれら複数の電極に同じ極性が付与され前記プラズマが形成されていない状態で異なる極性が付与されるプラズマ処理方法。 - 請求項12に記載のプラズマ処理方法であって、
前記プラズマを用いた前記ウエハの処理中に前記複数の電極に同じ値の電圧が印加されるプラズマ処理方法。 - 請求項5に記載のプラズマ処理装置であって、
前記誘電体製の膜上面の前記導入口の外周側に配置され前記ガスが排気される複数の第1の排気口と、前記誘電体製の膜上面の前記第1の排気口の外周側であって前記載せられて回転する前記ウエハの外周縁より中心側であって当該ウエハのノッチ部の中央側端部より外周側に配置されて前記処理室内のガスが排気される第2の排気口と、当該第2の排気口に連通した排気経路に連通して配置され前記排気経路内の圧力の変化を検知する圧力検知器とを備え、
前記制御器が前記圧力検知器からの出力を用いて検出したウエハの回転数を用いて前記ガスの供給を調節するプラズマ処理装置 - 請求項13に記載のプラズマ処理装置であって、
前記ウエハが前記誘電体製の膜上方で非接触に保持された状態で、前記処理室内の圧力が前記凸部の内側の前記誘電体製の膜と前記ウエハとの間の隙間の圧力より低く且つ前記凸部と前記ウエハとの隙間の圧力より高くされたプラズマ処理装置。 - 請求項13または14に記載のプラズマ処理装置であって、
各々の前記複数の第1の排気口が前記試料台の中心から半径方向の所定の距離で当該中心回りに等しい角度の位置に配置されたプラズマ処理装置。 - 請求項15に記載のプラズマ処理装置であって、
前記凸部上面に開口を有して前記中心回りにリング状に配置された溝部を備え、前記複数の第1の排気口が前記溝部内面に配置されたプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170037372A KR101995812B1 (ko) | 2016-03-28 | 2017-03-24 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016062978 | 2016-03-28 | ||
JP2016062978 | 2016-03-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017183700A true JP2017183700A (ja) | 2017-10-05 |
JP2017183700A5 JP2017183700A5 (ja) | 2020-01-30 |
JP6877133B2 JP6877133B2 (ja) | 2021-05-26 |
Family
ID=60006448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016241887A Active JP6877133B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-12-14 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6877133B2 (ja) |
KR (1) | KR101995812B1 (ja) |
TW (1) | TWI666679B (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW201801130A (zh) | 2018-01-01 |
KR101995812B1 (ko) | 2019-07-03 |
JP6877133B2 (ja) | 2021-05-26 |
KR20170113227A (ko) | 2017-10-12 |
TWI666679B (zh) | 2019-07-21 |
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