CN112951739A - 基板支撑架及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明作为一种基板支撑架，包括：基座，形成有上面凹陷形成的圆盘形状的多个口袋槽部，以在上面沿着周围方向安装基板；轴，连接于基座下部以旋转驱动基座；及附属件，安装在口袋槽部，并且在上面安装基板；其中，基座包括：升降气体孔部，为了漂浮附属件而形成在口袋槽部中心部分，并且喷射通过形成在基座内部的第一升降气体流道流进的升降气体；及运动气体孔部，为了旋转驱动在口袋槽部漂浮的附属件而形成在口袋槽部边缘部分，并且喷射通过形成在基座内部的第一运动气体流道流进的运动气体；轴包括：第二升降气体流道，将从外部供应的升降气体传递至第一升降气体流道；及第二运动气体流道，将从外部供应的运动气体传递至第一运动气体流道。

Description

基板支撑架及基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板支撑架及基板处理装置，更详细地说涉及用于在基板上沉积薄膜的基板支撑架及基板处理装置。
背景技术
通常，为了制造半导体元件或者显示元件、太阳能电池，在具有真空环境的工艺腔室的基板处理装置中执行各种工艺。例如，在工艺腔室内装载基板，在基板上沉积薄膜或者蚀刻薄膜等的工艺。此时，基板被设置在工艺腔室内的基板支撑架支撑，通过与基板支撑架相互面对地设置在基板支撑架上部的花洒头可向基板喷射工艺气体。
此时，为了在基板生长均匀的薄膜，不仅旋转安装有基板的基座本身，还有必要使安装在基座的基板也进行旋转。即，在基板暴露在反应气体的期间进行自转，进而可引导薄膜实际的均匀生长。为此，基板处理装置为在口袋槽部安装可上面支撑基板的附属件(Satellite)，在口袋槽部上面形成以中心轴为基准的半圆方向的气体沟槽，通过喷射的气体的流动来漂浮并旋转附属件，进而可旋转基板。
发明内容
(要解决的问题)
然而，这种现有的基板支撑架及基板处理装置存在在工艺之后附属件停止时难以稳定地控制升降和旋转的问题。对于附属件在工艺结束之后即使停止给予旋转力的气体供应，附属件也会因为旋转的惯性力而持续旋转预定时间期间，在进行旋转的同时漂浮的附属件安装在底面，由于是在附属件未停止的状态下附属件安装到底面的，因此存在产生颗粒的问题。
本发明是用于解决如上所述的问题包括在内的各种问题的，目的在于提供一种基板支撑架及基板处理装置，在基板处理工艺中将安装在基板支撑架的口袋槽部的附属件的升降和旋转运动分开控制，以使附属件稳定漂浮及旋转，并且形成沟槽以使在附属件和口袋槽部的底面之间施加与附属件自转方向相反的方向的气体流动压力，进而在附属件停止时因为逆向旋转方向的加压而更加快速停止，因此可减少颗粒。然而，该课题是示例性的，不得由此限定本发明的范围。
(解决问题的手段)
根据本发明的一实施例提供一种基板支撑架。所述基板支撑架可包括：基座，形成有多个口袋槽部，所述口袋槽部为圆盘形状并且上面凹陷形成，以在上面沿着周围方向安装基板；轴，连接于所述基座下部以旋转驱动所述基座；及附属件，安装在所述口袋槽部，并且在上面安装所述基板；其中，所述基座包括：升降气体孔部，为了漂浮所述附属件而形成在所述口袋槽部中心部分，并且喷射通过形成在所述基座内部的第一升降气体流道流进的升降气体；及运动气体孔部，为了旋转驱动在所述口袋槽部漂浮的所述附属件而形成在所述口袋槽部边缘部分，并且喷射通过形成在所述基座内部的第一运动气体流道流进的运动气体；所述轴包括：第二升降气体流道，将从外部供应的所述升降气体传递至所述第一升降气体流道；及第二运动气体流道，将从外部供应的所述运动气体传递至所述第一运动气体流道。
根据本发明的一实施例，所述基板支撑架为，各个第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接，所述各个第一升降气体流道与单一的所述第二升降气体流道连接。
根据本发明的一实施例，所述基板支撑架为，所述第二升降气体流道形成有多个，以分别与第一升降气体流道连接，所述第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接。
根据本发明的一实施例，所述基板支撑架为，所述基座在所述口袋槽部中心部形成定位凸起；所述升降气体孔部形成在所述定位凸起周边；所述附属件为在下面形成凸起槽部，以插入所述定位凸起的至少一部分。
根据本发明的一实施例，所述基板支撑架为，所述附属件可形成有旋转图形部，所述旋转图形部为通过沿着与所述运动气体孔部相对应的下面的边缘从所述运动气体孔部喷射的所述运动气体将旋转力传递于所述附属件。
根据本发明的一实施例，所述基板支撑架为，针对所述口袋槽部的底面可倾斜形成所述运动气体孔部。
根据本发明的一实施例，所述轴包括：多个轴环槽部，从所述轴侧面部形成预定深度的同时以所述轴的圆周方向切割形成为环形状的切割部，并且以所述轴的长度方向间隔配置；及多个轴龙头部，形成在所述多个轴环槽部的一侧；所述第二升降气体流道为在所述轴的上面与所述第一升降气体流道连通，以使升降气体供应于所述基座，并且从所述轴的上面贯通至下面而成；各个的所述第二运动气体流道为在所述轴的上面分别与所述第一运动气体流道连通，以使运动气体供应于所述基座，并且从所述轴的上面可分别连接至所述轴环槽部。
根据本发明的一实施例，包括磁性流体密封部，所述磁性流体密封部包围所述轴的周边，以密封转动所述轴；所述磁性流体密封部为形成有多个第三运动气体流道，所述多个第三运动气体流道从内侧面贯通至外侧面以分别与所述第二运动气体流道连通；各个所述第三运动气体流道通过排管可连接于运动气体供应部。
根据本发明的另一实施例，还可包括流动槽部，所述流动槽部形成在所述口袋槽部的底面，以使从所述升降气体孔部喷射的所述升降气体以与所述附属件旋转方向相反的方向流动。
根据本发明的另一实施例，所述流动槽部为可从所述升降气体孔部以所述口袋槽部边缘方向延伸成螺旋状。
根据本发明的另一实施例，所述流动槽部为可沿着所述升降气体的流动方向向上侧倾斜形成底面，进而剖面面积以所述升降气体的流动方向越来越小，以引导所述升降气体快速流动，增加传递于所述附属件的旋转力。
根据本发明的另一实施例，所述附属件可形成有旋转图形部，所述旋转图形部为通过沿着与所述运动气体孔部对应的下面的边缘从所述运动气体孔部喷射的所述运动气体将旋转力传递于所述附属件。
根据本发明的另一实施例，所述运动气体孔部为可针对所述口袋槽部的底面倾斜形成。
根据本发明的另一实施例，各个第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接，所述各个第一升降气体流道可与单一的所述第二升降气体流道连接。
根据本发明的另一实施例，所述第二升降气体流道可形成有多个，以分别与所述第一升降气体流道连接，所述第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接。
根据本发明的另一实施例提供一种处理基板的装置。本发明的基板处理装置可包括：工艺腔室，形成有处理多个基板的处理空间；基板支撑架，配置在所述工艺腔室的所述处理空间，以支撑所述多个基板，并且以所述工艺腔室的中心轴为基准可旋转地设置；及气体喷射部，配置在所述工艺腔室上部以与所述基板支撑架相互面对，并且向所述基板支撑架喷射处理气体。
(发明的效果)
根据如上述构成的本发明的一实施例的基板支撑架及基板处理装置，在基板处理工艺时，用升降气体充分上升附属件之后用运动气体旋转附属件，进而根据运动气体流量可进行高速旋转，同时可减少颗粒的产生；形成沟槽，以使以与附属件自转方向相反的方向施加气体的流动压力施加于附属件和口袋槽部的底面之间，进而在附属件停止时因为逆向旋转方向的加压而更加快速停止，因此可减少颗粒产生。
据此，在基板处理工艺中，可使安装在基板支撑架的口袋槽部的基板的自转运动及附属件的停止稳定且快速实现，引导在基板生长更加均匀的薄膜，进而可实现具有提高基板的处理质量并且增加工艺产量的效果的基板支撑架及基板处理装置。当然，不得以这种效果限定本发明的范围。
附图说明
图1是概略示出本发明的一实施例的基板处理装置的剖面图。
图2是概略示出图1的基板处理装置的基板支撑架的立体图。
图3a是示出一实施例的从基板支撑架的口袋槽部延伸的第一升降气体流道的剖面图。
图3b是示出另一实施例的从基板支撑架的口袋槽部延伸的第一升降气体流道的剖面图。
图4是示出从图2的口袋槽部延伸的第一运动气体流道的剖面图。
图5是示出本发明的实施例的附属件的立体图。
图6是示出本发明的一实施例的基板支撑架的轴的立体图。
图7是概略示出本发明的一实施例的轴和磁性流体密封部的连接的剖面图。
图8是概略示出本发明的一实施例的基板支撑架的盘夹持件的剖面图。
图9是概略示出本发明的另一实施例的基板处理装置的剖面图。
图10a及图10b是示出现有技术的基板的旋转速度和升降高度变化的关系的曲线图。
图11a及图11b是示出本发明的基板的旋转速度和升降高速变化的关系的曲线图。
图12是概略示出本发明的另一实施例的基板处理装置的剖面图。
图13是概略示出图12的基板处理装置的基板支撑架的立体图。
图14示出本发明的另一实施例的基板支撑架的基板、附属件及基座的立体图。
图15是示出本发明的另一实施例的基板支撑架的基座组装附属件及基板的组装状态的剖面的剖面图。
图16是概略示出本发明的另一实施例的流动槽部的立体图。
图17是示出本发明的另一实施例的流动槽部的上面的图。
图18是概略示出沿着图17的VII-VII线截取的剖面的剖面图。
图19是示出本发明的一实施例的基板处理装置在驱动时的升降气体的流量和运动气体流量的图。
图20a及图20b是比较本发明和现有技术的基板的旋转速度和转数的关系的曲线图。
(附图标记说明)
A：垂直区间 B：倾斜区间
BS：底面 E：排气口
M：驱动部 S：基板
30：升降气体孔部 40：运动气体孔部
100：基座 110：基座主体
120：口袋槽部 130：第一升降气体流道
140：第一运动气体流道 150：升降气体通道
160：流动槽部 200：附属件
210：旋转图形部 300：盘夹持件
310：夹持件盖 320：凸台部
350：轴结合部 500：轴
510：轴环槽部 520：轴龙头部
530：第二升降气体流道 540：第二运动气体流道
600：磁性流体密封件 610：密封槽部
620：磁性流体 630：密封主体
640：第三运动气体流道 1000、1100：基板支撑架
2000：工艺腔室 2100：顶盖
2200：腔室主体 3000：气体喷射部
4000：升降气体供应部 5000：运动气体供应部
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的优选的各种实施例。
本发明的实施例是为了对在该技术领域具有常规知识的人更加完整的说明本发明而提供的，以下的实施例可变形成各种不同的形态，本发明的范围不限于以下的实施例。相反，这些实施例是为了使本发明的公开更加真实和完整并且对本领域技术人员完整地传达本发明的思想而提供的。另外，为了便于说明及明确性，在附图中夸张示出各层的厚度或者尺寸。
以下，参照概略示出本发明的理想的实施例的附图说明本发明的实施例。在附图中，根据制造技术及/或者公差(tolerance)可预测示出的形状的变形。从而，对于本发明思想的实施例不得限于在本说明书示出的区域的特定形状来解释，而是应该包括诸如制造引起的形状变化。
图1是概略示出本发明的一实施例的基板处理装置的剖面图；图2是概略示出图1的基板处理装置的基板支撑架1000的立体图；图3a、图3b及图4是示出从图2的口袋槽部120延伸的第一升降气体流道130及第一运动气体流道140的剖面图。
首先，如图1所示，本发明的一实施例的基板处理装置大致可包括基板支撑架1000、工艺腔室2000及气体喷射部3000。
如图1及图2所示，基板支撑架1000可包括基座100、附属件200、轴500及磁性流体密封部600，详细地说明将在下文中进行说明。
如图1所示，工艺腔室2000可包括腔室主体2200，所述腔室主体2200形成有可处理基板S的处理空间。腔室主体2200为在内部可形成圆形或者四边形的处理空间。在所述处理空间中，可进行在被设置在所述处理空间的基板支撑架1000支撑的基板S上沉积薄膜或者蚀刻薄膜等的工艺。
另外，在腔室主体2200的下侧能够以包围基板支撑架1000的形状设置多个排气口E。排气口E通过排气管可与设置在工艺腔室2000外部的主真空泵6000连接。另外，排气口E抽吸工艺腔室2000的处理空间内部的空气，进而排放处理空间内部的各种处理气体或者可在处理空间内部形成真空环境。
虽未示出，但是在腔室主体2200的侧面可形成闸门，即对所述处理空间可装载或者卸载基板S的通道。同时，上部开放的腔室主体2200的所述处理空间可被顶盖2100封闭。
如图1所示，基板支撑架1000配置在工艺腔室2000的所述处理空间可支撑基板S，并且可设置成能够以工艺腔室2000的中心轴为基准进行旋转。例如，基板支撑架1000可以是包括可支撑基板S的基座或者工作台等的基板支撑结构体。
此时，气体喷射部3000为形成在工艺腔室2000上部中心部，以与基板支撑架1000相互面对，并且可朝向下部的基板喷射所述工艺气体；另外，气体喷射部3000为形成在工艺腔室2000上部，以与基板支撑架1000相互面对，进而可使所述工艺气体掉落地向下部的多个基板S喷射所述工艺气体。
如图1所示，本发明的基板处理装置可通过升降气体流道连接升降气体供应部4000。升降气体供应部4000可供应升降气体，所述升降气体流进形成在基板支撑架1000的多个口袋槽部120，并且可控制供应于基板支撑架1000的升降气体流量。
基板处理工艺时，可从升降气体供应部4000向一个第二升降气体流道530供应升降气体。接着，供应的所述升降气体通过多个第一升降气体流道130可供应于多个附属件200。从而，在多个附属件200旋转之前可充分漂浮安装在基座100上面的多个附属件200。
另外，如图1所示，本发明的基板处理装置通过运动气体流道可连接多个运动气体供应部5000。运动气体供应部5000可个别供应运动气体，所述运动气体流进形成在基板支撑架1000的多个口袋槽部120。据此，可个别控制供应于多个口袋槽部120的所述运动气体流量。
在针对多个基板S执行处理工艺时，若某一个附属件200脱离基座100的口袋槽部120，则能够以未影响在其他口袋槽部120正在旋转的附属件200的状态进行或者停止工艺。
即，本发明的气体处理装置为在供应升降气体来漂浮多个附属件200之后供应运动气体来旋转多个附属件200。本发明的气体处理装置为依次供应用于升降及旋转的单独的气体，进而可分别进行多个附属件200的漂浮和旋转运动，并且根据运动气体的流量可控制高速旋转，具有可减少颗粒产生的效果。
更加详细说明本发明的一实施例的基板处理装置的基板支撑架1000。
如图1及图2所示，基板支撑架1000可包括基座100、附属件200、轴500及磁性流体密封部600。
基座100形成为圆盘形状并设置在工艺腔室2000的处理空间，并且在上面可凹陷形成多个口袋槽部120，进而能够安装多个基板。
具体地说，基座100可形成有基座主体110和多个口袋槽部120，所述基座主体110为在上面以旋转轴与为中心多个口袋槽部120等角配置成放射状，进而能够一次性处理多个基板S，所述多个口袋槽部120为形成在基座主体110的上面以形成为与所述多个基板相对应的形状。
基座100形成有升降气体孔部30及运动气体孔部40，并且可形成第一升降气体流道130及第一运动气体流道140，所述升降气体孔部30及运动气体孔部40形成在口袋槽部120的底面，所述第一升降气体流道130及第一运动气体流道140为从升降气体孔部30向内部贯通至基座100下面。
升降气体孔部30分别形成在多个口袋槽部120的中心。此时，升降气体孔部30可针对基座100以垂直方向形成第一升降气体流道130的至少一区间，进而供应升降气体可漂浮多个附属件200。即，从第一升降气体流道130供应的升降气体为针对附属件200可分别以垂直方向供应。
例如，如图2及图3a所示，在基座主体110的上部以旋转轴为中心在相同的距离等角形成6个口袋槽部120。此时，在各个口袋槽部120的中心部可形成定位凸起31。
更详细地说，在口袋槽部120的中心部可凸出形成圆柱形状的定位凸起31。另外，在多个附属件200的下面中心轴可形成凸起槽部220，所述凸起槽部220至少插入定位凸起31的一部分。
各个定位凸起31可与安装在基座100内部的各个附属件200结合，在附属件200旋转时可固定附属件200的位置。
据此，多个附属件200以插入定位凸起31的凸起槽部220为中心漂浮及进行旋转运动，进而可引导多个附属件200进行稳定的旋转运动。
虽未示出，但是基座主体具有加热器，所述加热器为加热至工艺温度以加热安装在口袋槽部120的基板S，进而可将安装在口袋槽部120的基板S加热至可实现薄膜沉积工艺或者薄膜蚀刻工艺的工艺温度。
升降气体孔部30可形成在定位凸起31周边，为使附属件200漂浮在口袋槽部120中，升降气体孔部30可形成在口袋槽部120的中心部中接近定位凸起31的周边部。
各个升降气体孔部30可连接形成在基座100内部的第一升降气体流道130。
第一升降气体流道130可从基座100的下面向内部贯通至多个升降气体孔部30。此时，第一升降气体流道130结合从各个口袋槽部120底面的中心部延伸的多个流道可连通至基座100的下面中心部。
即，第一升降气体流道130作为从基座100下部分支成多条的流道，例如升降气体从形成在基座100下面的一个入口流进可分别供应到形成在多个口袋槽部120的多个升降气体孔部30。
另外，从升降气体孔部30至间隔预定长度的距离的垂直区间A可针对附属件200垂直形成。从而，所述升降气体从第一升降气体流道130垂直流进附属件200，进而可稳定漂浮附属件200。
所述升降气体通过轴500可全部流进各个第一升降气体流道130。流进的所述升降气体从各个升降气体孔部30向各个附属件200供应。
在此，所述升降气体作为提供压力可使附属件200漂浮的气体，可利用诸如氮气的惰性气体作为升降气体。
另外，如图3b所示，升降气体孔部30可与在定位凸起31的周边部具有预定的宽度形成的环形状的升降气体流道32连接。即，升降气体孔部30为可用在圆柱形状的定位凸起31周边形成管形状的升降气体流道32连接于从第一升降气体流道130的一部分至升降气体孔部30外部的预定区间。
据此，向升降气体流道32流进升降气体的情况下，多个附属件200的下部从升降气体结构以管形状接收压力进而可稳定地漂浮。
多个运动气体孔部40形成在多个口袋槽部120的一侧。此时，针对基座100可至少倾斜形成第一运动气体流道140的一部分，以使多个运动气体孔部40供应运动气体可旋转多个附属件200。即，第一运动气体流道140为从口袋槽部120底面到基座100内部的预定距离以与附属件200的切线平行的方向可倾斜形成，以使从口袋槽部120的底面喷射的所述运动气体以附属件200的切线方向流进进而可旋转附属件200。
例如，如图2及图4所示，在基座主体110的上部以旋转轴为中心可等角形成6个口袋槽部120。此时，运动气体孔部40可分别形成在从各个口袋槽部120的中心间隔预定距离的点。各个运动气体孔部40可分别连接于形成在基座100内部的多个第一运动气体流道140。
从多个运动气体孔部40可流进预定压力的气体。为使在口袋槽部120的上部因为升降气体而漂浮的附属件200不脱离口袋槽部120的同时能够进行旋转，可向附属件200的下部周边部流进运动气体。此时，因为流进的运动气体的压力可旋转漂浮状态的附属件200。
第一运动气体流道140从轴500的上面向基座100内部连接至多个运动气体孔部40。另外，从多个运动气体孔部40延伸至预定距离的倾斜区间B为可针对附属件200以切斜方向形成。从而，所述运动气体从第一运动气体流道140以切线方向流进附属件200，进而可旋转多个附属件200。
如图1及图2所示，附属件200为因为通过基座100供应的气体的压力而在漂浮状态下进行旋转，可形成为分别安装在口袋槽部120内部的圆盘形状，可使安装在上面的各个基板S自转。
如图2及图3a所示，附属件200为因为通过基座100供应的升降气体的压力而漂浮，并且通过运动气体进行旋转，进而可自转安装在上面的基板S。
图5是示出本发明的实施例的附属件200的立体图。
如图5所示，多个附属件200为可在多个附属件200的后面点的边缘部形成旋转图形部210，以碰撞从第一运动气体流道140流进的运动气体。此时，旋转图形部210可在附属件200的后面与形成在口袋槽部120内的运动气体孔部40相对应形成。
如图4及图5所示，旋转图形部210为从多个附属件200后面的中心轴间隔预定距离的点开始可形成风车形的凹槽。据此，因为通过第一运动气体流道140经过倾斜区间B从运动气体孔部40供应的气体碰撞于凹槽形状的凸台部的压力可旋转上部的附属件200。在此，所述凹槽形状的凸台部可以是旋转图形部210。
另一实施例的旋转图形部210可形成为从多个附属件200后面的中心轴间隔预定距离点开始以直径线方向凸出的壁体形状。另外，旋转图形部210可沿着多个附属件200的圆周形成有多个。从而，因为通过多个第一运动气体流道140经过倾斜区间B从多个运动气体孔部40供应的气体碰撞于凸出部的压力可旋转多个附属件200。
旋转图形部210不必局限于图5，而是根据多个附属件200所需的旋转力可形成非常多样的宽度或者形状。
图6是示出本发明的一实施例的基板支撑架的轴500的立体图。
如图6所示，轴500连接于基座100，并且可从驱动部M接收旋转力旋转基座100，以使多个基板S公转。轴500在基座100的下部形成为具有与旋转轴一致的中心轴，进而可支撑基座100，并且从驱动部M传递旋转基座100的动力可与基座100一同进行旋转。
另外，在内部可形成升降气体流道及运动气体流道。
轴500可包括多个轴环槽部510、多个轴龙头部520、第二升降气体流道530及多个第二运动气体流道540。
多个轴环槽部510为从轴500侧面部形成预定深度的同时以轴500的圆周方向切割成环形状的切割部，并且能够以轴500的长度方向间隔配置。
多个轴龙头部520可形成在多个轴环槽部510的一侧，以与多个第二运动气体流道540连接。
轴环槽部510为可在轴500的外侧面以内侧方向形成预定深度的同时在轴500的周围形成为凹槽。此时，为使形成在所述槽侧面的轴龙头部520可与多个口袋槽部120个别连接，能够形成与多个口袋槽部120的个数相当的多个轴环槽部510。
多个轴环槽部510的周边部被磁性流体密封部600密封，以作为由多个轴环槽部510包围轴500周围的流道可流动气体。
多个轴龙头部520全部形成在多个轴环槽部510，多个轴龙头部520可分别与多个口袋槽部120个别连通。
轴500形成有第二升降气体流道530，并且可包括第二运动气体流道540，所述第二升降气体流道530与第一升降气体流道130连通从上面向内部贯通至下面，所述第二运动气体流道540分别与第一运动气体流道140连通从上面向内部贯通至侧面。
第二升降气体流道530在轴500的上面与第一升降气体流道130连通，以使所述升降气体供应于基座100，并且可从轴的上面贯通至下面形成。
第二升降气体流道530形成在轴500内部的中心部，如图1所示可连接于形成在外部的升降气体供应部4000。即，第二升降气体流道530是将从升降气体供应部4000接收的气体传递于第一升降气体流道130的流道。
各个第二运动气体流道在轴500的上面分别与第一运动气体流道140连通，以将所述运动气体可供应于基座100，并且从轴500的上面可分别连接至轴环槽部510。
第二运动气体流道540为在轴500内部可形成有多个。多个第二运动气体流道540的一侧分别连接于多个第一运动气体流道140，而另一侧可连接于轴龙头部520。即，第二运动气体流道540是将从运动气体供应部5000通过轴龙头部520接收的气体传递于多个第一运动气体流道140的流道。
例如，如图2及6所示，第二运动气体流道540可包括第二-一运动气体流道541及第二-二运动气体流道542。此时，第二-一运动气体流道541为一侧与形成在基座100内部的多个第一运动气体流道140中的一个第一运动气体流道连接，而另一侧可与形成在第一轴环槽部511一侧的第一轴龙头部521连接。
接着，第二-二运动气体流道542可形成为一侧与形成在基座100内部的多个第一运动气体流道140中的另一个第一运动气体流道连接，而另一侧与形成在第二轴环槽部512另一侧的第二轴龙头部522连接。
此时，第二-一运动气体流道541和第二-二运动气体流道542连接于形成在相互不同的高度的多个轴环槽部510。具体地说，第二-一运动气体流道541可与从轴500的上面间隔第一间隔距离L1形成的第一轴环槽部511连接。另外，第二-二运动气体流道542可连接于从轴500的上面间隔第二间隔距离L2形成的第二轴环槽部512，其中所述第二间隔距离L2长度大于第一间隔距离L1。即，第二-二运动气体流道542可形成大于第二-一运动气体流道541的长度。
如上所述，可形成为可使在多个口袋槽部120和多个附属件200之间形成的内部空间个别连接于各个运动气体流道。
图7是概略示出本发明的一实施例的轴500和磁性流体密封部600的连接的剖面图。
如图1及图7所示，本发明的一实施例的基板处理装置可包括磁性流体密封部600，所述磁性流体密封部600包围并结合轴500的周边，以密封转动轴500。此时，第二运动气体流道540从轴500的侧部与形成在磁性流体密封部600(Magnetic Fluid Seal)内部的第三运动气体流道640进而所述排管可连接于运动气体供应部5000。
磁性流体密封部600可包括密封槽部610、磁性流体620、密封主体630及第三运动气体流道640。
磁性流体密封部600作为为了通过磁性流体620能够密封空间而形成的流体O型圈(O-ring)，磁性流体620为将磁性纳米颗粒分散于液体的形态。磁性流体620通常与其他液体一同静止不动，当施加磁场则出现只有在存在磁场的部分沿着磁力线急剧上升变得尖锐的现象，对包含这种磁性流体620的磁性流体密封部600施加磁场可密封密封内部的空间。
密封主体630为在内部形成有多个第三运动气体流道640，在第三运动气体流道640可流动诸如氮气的惰性气体。
密封槽部610为形成在磁性流体密封部600侧面，可使第二运动气体流道540和第三运动气体流道640连接。
多个第三运动气体流道640为从磁性流体密封部600的内侧面贯通至外侧面分别与多个第二运动气体流道540连通，各个第三运动气体流道640通过所述排管可连接于运动气体供应部5000。
磁性流体620形成在密封槽部610的上部及下部，以使第二运动气体流道540、第三运动气体流道640及连接第二运动气体流道540和第三运动气体流道640的密封槽部610可保持与外部隔绝的状态。
具体地说，在旋转的轴500的外侧周围形成有轴环槽部510，即使轴500旋转，形成为环形状的轴环槽部510可始终连通于磁性流体密封部600的密封槽部610。从而，可以是形成在旋转的轴500的第二运动气体流道540与固定状态的磁性流体密封部600的第三运动气体流道640连接的状态。
此时，除了第二运动气体流道540和第三运动气体流道640连接的部分以外，在轴500和磁性流体密封部600接触而摩擦的部分可形成有磁性流体620。磁性流体620在轴500旋转时接收磁场施加进而可密封运动气体流道。从而，因为磁性流体620可减少轴500在旋转时因为摩擦而发生磨损、发热及振动等，据此可针对基板可更加有效地执行处理工艺。
图8是概略示出本发明的一实施例的基板支撑架1000的盘夹持件300的剖面图。
基板支撑架1000可包括盘夹持件300及夹持件盖310。
盘夹持件300为在上部外侧形成有凸台部320的圆柱形，在凸台部320可安装并结合基座100的中心部。盘夹持件300的下部可形成有与轴500结合的轴结合部350。
夹持件盖310为可形成在盘夹持件300的上部，进而可固定结合于凸台部320的基座100。
具体地说，在盘夹持件300的上部形成有凸台部320，进而可安装基座100。接着，可用夹持件盖310可固定安装在凸台部320的基座100。在盘夹持件300的下部形成有轴结合部350，可使得基座100和轴500的组装及固定更加容易。
盘夹持件300为在内部可形成有多个升降气体连接流道330。具体地说，升降气体连接流道330可形成为使形成在轴500的第二升降气体流道530和形成在基座100的第一升降气体流道130连接。即，升降气体连接流道330可以是从形成在下侧的一条流道分支成在上侧形成的多条流道。
盘夹持件300为可在内部形成有多个运动气体连接流道340。具体地说，运动气体连接流道340可形成为使形成在轴500的多个第二运动气体流道540和形成在基座100的第一运动气体流道140连接。
即，如图1所示，包括多个升降气体孔部30、第一升降气体流道130、升降气体连接流道330、第二升降气体流道530及第三升降气体流道的升降气体流道相互连通，并且与升降气体供应部4000连接。此时，将升降气体从升降气体供应部4000通过所述升降气体流道从口袋槽部120的底面喷射至附属件200的下面，进而可漂浮附属件200。
另外，如图1所示，包括多个运动气体孔部40、第一运动气体流道140、运动气体连接流道340、第二运动气体流道540及第三运动气体流道640的运动气体流道相互连通，并且与运动气体供应部5000连接。此时，将运动气体从运动气体供应部5000通过所述运动气体流道从口袋槽部120的底面以附属件200下面的切线方向喷射，进而可使各个附属件200进行旋转。
此时，可控制成多个口袋槽部120与各个运动气体供应部5000可个别供应运动气体。
图10a、图10b、图11a及图11b是示出各种现有技术及本发明的基板的旋转速度和升降高度变化的关系的曲线图。
在现有技术的实验中，用一条气体流入执行升降和旋转运动的情况下，随时间经过测量了基板的旋转速度及漂浮高度。如图10a所示，现有技术的基板处理装置表现出即使经过预定时间基板的旋转速度未能稳定地保持恒定而是持续增加。
另外，如图10b所示，现有技术的基板处理装置为在最初的4秒钟内仅执行旋转运动没有高度变化，因此在基板(或者，附属件)与基座之间发生摩擦可导致颗粒产生，无法在保持基板的转速(RPM)的同时调节漂浮高度。
在本发明的基板处理装置的实验中，供应独立控制升降和旋转运动的气体的情况下，随时间进过测量了基板的旋转速度及漂浮高度。如图11a所示，本发明的基板处理装置表现出基板的旋转速度(12RPM、14RPM、19RPM)在经过预定时间之后(24.4s、27.6s、79.2s)基板的转速趋于稳定化。另外，如图11b所示，随着增加气体流量基板的漂浮高度逐渐升高，进而在处理基板时根据工艺控制升降气体的流量进而可调节基板的最佳高度。
即，多个附属件200因为从多个升降气体孔部30供应的升降气体的压力而漂浮，以及因为从多个运动气体孔部40供应的运动气体的压力可进行旋转。据此，可以了解到多个附属件200在漂浮稳定之后可进行旋转，并且在旋转时根据运动气体的流量可控制RPM。
同时，在本实施例中说明了在轴500内部形成有一个第二升降气体流道530，但是不必局限于此，而是如图9所示，形成多个第二升降气体流道531、532，以使所述多个第二升降气体流道531、532个别连接于各个口袋槽部120。
另外，第二升降气体流道531、532形成有多个，进而可个别控制从多个升降气体供应部4100、4200流进的气体流量。
例如，可由各个升降气体供应部4100、4200供应可个别漂浮在多个口袋槽部120中安装有多个基板S的多个附属件200的升降气体。据此，在对多个基板S执行处理工艺中，可具有即使一个附属件200脱离基座100的口袋槽部120也不会影响在其他口袋槽部120正在漂浮的多个附属件200的效果。
因此，本发明的各种实施例的基板支撑架1000及包括此的基板处理装置为在基板处理工艺时利用升降气体通过多个升降气体孔部30可充分上升多个附属件200。之后，利用运动气体通过多个运动气体孔部40旋转多个附属件200，在基板充分浮起而稳定之后进行旋转，而且根据运动气体流量可高速旋转，并且在旋转时可减少颗粒产生。
另外，可个别控制供应于口袋槽部120的运动气体流量，因此即使一个附属件200脱离口袋槽部120也能够实时感应，并且也可不影响在其他口袋槽部120正在漂浮并旋转的多个附属件200。
据此，在基板S能够更加均匀地实现薄膜生长，因此可具有提高基板S处理质量并提高工艺产量的效果。另外，将加工困难的基座100的形状简单化来提高加工性，据此可具有降低成本的效果。
本发明的利用一部分实施例的基板处理装置的基板处理方法利用上述的基板处理装置，可包括如下的步骤：将安装各个基板S的各个附属件200装载并安装在工艺腔室2000内基板支撑架1000；将由升降气体供应部4000供应的升降气体从形成在基座100的多个口袋槽部120喷射，以在安装多个基板S的状态下从多个口袋槽部120漂浮多个附属件200；将由运动气体供应部5000供应的运动气体从形成在基座100的多个口袋槽部120喷射至多个附属件200，以在基座100上旋转为使多个基板S在基座100上自转而处于漂浮状态的多个附属件200；及通过气体喷射部3000将处理气体喷射于工艺腔室2000内以进行用于处理所述多个基板S的工艺。
例如，基板处理方法为在执行多个基板S的处理工艺时，用升降气体将多个附属件200充分上升之后用运动气体旋转多个附属件200，进而可根据运动气体流量进行高速旋转。另外，在基板处理工艺中，可使在基板支撑架1000的多个口袋槽部120安装的多个基板S稳定地进行自转运动。
此时，在基座100上旋转漂浮状态的多个附属件200的步骤之后，可包括对于安装有多个附属件200的基板支撑架1000从驱动部M接收旋转力通过轴500来旋转基板支撑架1000的步骤。即，旋转基板支撑架1000的步骤为，旋转基板支撑架1000，进而可公转在形成在基板支撑架1000的多个口袋槽部120漂浮并旋转状态的多个附属件200。
另外，多个在附属件200安装并装载的步骤之后，可包括对于安装有多个附属件200的基板支撑架1000从驱动部M接收旋转力以通过轴500旋转基板支撑架1000的步骤。即，在旋转基板支撑架1000的步骤中，可公转安装在多个附属件200的多个基板S；在漂浮的步骤及旋转的步骤中，可自转多个基板S。即，旋转基板支撑架1000的步骤、漂浮多个附属件200的步骤及旋转多个附属件200的步骤可根据工艺的特性选择性改变顺序。
图12是概略示出本发明的另一实施例的基板处理装置的剖面图；图13是概略示出图12的基板支撑架1000的立体图；图14是示出基板支撑架1000的基板S、附属件200及基座100的立体图；图15是示出基板支撑架1000的基座100组装附属件200及基板S的组装状态的剖面的剖面图。
如图12所示，本发明的另一实施例的基板处理装置大致可包括基板支撑架1100、工艺腔室2000及气体喷射部3000。
工艺腔室2000、气体喷射部3000与本发明的一实施例的基板处理装置的结构和作用相同，因此省略说明。
如图12至图14所示，本发明的另一实施例的基板处理装置的基板支撑架1100可包括基座100、轴500及附属件200。
基座100形成为圆盘形状，设置在工艺腔室2000的处理空间，并且在上面凹陷形成至少一个口袋槽部120，进而可至少安装一个基板S，并且可形成有从各个口袋槽部120的底面向内部贯通至下面的第一升降气体流道130及第一运动气体流道140。
具体地说，基座100可形成有基座主体110和多个口袋槽部120，所述基座主体110为在上面以旋转轴为中心将多个口袋槽部120等角配置成放射状，进而能够一次性处理多个基板S，所述多个口袋槽部120为形成在基座主体110的上面形成与所述多个基板相对应的形状。
基座100形成有在口袋槽部120底面形成的升降气体孔部30及运动气体孔部40，并且可形成有从升降气体孔部30向内部贯通至基座100下面的第一升降气体流道130及第一运动气体流道140。
升降气体孔部30分别形成在从多个口袋槽部120的中心间隔预定距离的点。此时，升降气体孔部30可形成为供应升降气体可使附属件200漂浮。
例如，如图13及图14所示，在基座主体110的上部以旋转轴为中心在相同的距离可等角形成6个口袋槽部120。此时，在从各个口袋槽部120的中心部间隔预定距离的点形成有升降气体孔部30。各个升降气体孔部30可连接形成在基座100内部的第一升降气体流道130。
第一升降气体流道130可从基座100的下面向内部贯通至多个升降气体孔部30。此时，第一升降气体流道130结合从各个口袋槽部120底面的中心部延伸的多个流道可连通至基座100的下面中心部。
即，第一升降气体流道130作为从基座100下部分支成多条的流道，例如升降气体从形成在基座100下面的一个入口流进，可分别供应至形成在多个口袋槽部120的多个升降气体孔部30。
所述升降气体通过轴500可全部流进各个第一升降气体流道130。流进的所述升降气体从各个升降气体孔部30向各个附属件200供应。
在此，所述升降气体作为提供压力可使附属件200漂浮的气体，可利用诸如氮气的惰性气体作为升降气体。
多个运动气体孔部40形成在多个口袋槽部120的一侧。此时，多个运动气体孔部40为可针对基座100至少倾斜形成第一运动气体流道140的一部分，以供应运动气体可使多个附属件200进行旋转。即，第一运动气体流道140为从口袋槽部120底面至基座100内部的预定距离以与附属件200的切线平行的方向倾斜形成，进而从口袋槽部120底面喷射的所述运动气体以附属件200的切线方向流进，可使附属件200进行旋转。
例如，如图13及图14所示，在基座主体110的上部以旋转轴为中心可等角形成6个口袋槽部120。此时，运动气体孔部40可分别形成在从各个口袋槽部120的中心间隔预定距离的点。各个运动气体孔部40可分别连接于形成在基座100内部的多个第一运动气体流道140。
在多个运动气体孔部40可流进预定压力的气体。为使在口袋槽部120的上部因升降气体而漂浮的附属件200不脱离口袋槽部120的同时进行旋转，可向附属件200的下部周边部流进运动气体。此时，因为流进的运动气体的压力可旋转漂浮状态的附属件200。
第一运动气体流道140可从轴500的上面向基座100内部连接至多个运动气体孔部40。另外，从多个运动气体孔部40延伸至预定距离的倾斜区间B可针对附属件200以切线方向形成。从而，所述运动气体从第一运动气体流道140以切线方向流进附属件200，进而可旋转多个附属件200。
如图12所示，轴500形成为在基座100的下部具有与旋转轴一致的中心轴，可支撑基座100，并且从驱动部M传递旋转基座100的动力可与基座100一同进行旋转。
轴500为形成有第二升降气体流道530，所述第二升降气体流道530与第一升降气体流道130连通从上面向内部贯通至下面，并且可形成第二运动气体流道540，所述第二运动气体流道540分别与第一运动气体流道140连通从上面向内部贯通至侧面。
第二升降气体流道530为在轴500的上面与第一升降气体流道130连通，可使所述升降气体供应于基座100，并且可以是从轴500的上面贯通至下面而成。
第二升降气体流道530形成在轴500内部的中心部，如图12所示，可连接于形成在外部的升降气体供应部4000。即，第二升降气体流道530是将从升降气体供应部4000接收的气体传递于第一升降气体流道130的流道。
各个第二运动气体流道540可在轴500的上面可分别与第一运动气体流道140连通，进而可使所述运动气体供应于基座100。
第二运动气体流道540可在轴500内部形成有多个。多个第二运动气体流道540的一侧分别连接于多个第一运动气体流道140，而另一侧可连接于轴500的侧部。即，第二运动气体流道540是将通过轴500从运动气体供应部5000接收的气体传递于多个第一运动气体流道140的流道。
图16是概略示出本发明的另一实施例的流动槽部160的立体图；图17是示出本发明的另一实施例的流动槽部160的上面的图；图18是概略示出沿着图17的VII-VII线截取的剖面的剖面图。
如图16至图18所示，流动槽部160可形成有将通过第一升降气体流道130供应的所述升降气体从口袋槽部120的中心区域以圆周方向扩散的槽部。
而且，可形成在口袋槽部120的上面，以通过流动槽部160扩散的所述升降气体以与附属件200的自转方向相反的方向流动，进而可漂浮附属件200或者可停止附属件200自转。
具体地说，在基座100的口袋槽部120可形成有升降气体流道150、流动槽部160及旋转凸起。
升降气体流道150可漂浮安装在口袋槽部120的所述安装面的附属件200，并且可形成为环形状，可连接多个流动槽部160，进而可扩散通过升降气体孔部30排放的所述升降气体。
流动槽部160形成有多个沟槽，所述沟槽从口袋槽部120的上面的中心部一部分以曲线延伸至边缘部一部分，并且可流动所述升降气体，以使所述升降气体以与附属件200所述自转方向相反的方向进行旋转。
从而，流进形成在基座100内部的第一升降气体流道130的所述升降气体通过升降气体流道150，经过流动槽部160，以与附属件200自转方向相反的方向或者与自转方向相反的切线方向喷射，进而产生与附属件200的旋转相反的气体流动，可使附属件200更加快速停止。
另外，流动槽部160为以所述升降气体的流动方向越来越缩小剖面面积，以引导所述升降气体快速流动，而且向附属件200下面喷射所述升降气体，进而为使所述升降气体的旋转力能够更加有效传递于附属件200，底面BS可沿着所述升降气体的喷射方向向上侧倾斜形成。此时，流动槽部160的底面BS的倾斜角度优选为可以是0.1度至0.2度，更加优选为可以是0.15度。
此时，所述升降气体的流动方向可以是与所述运动气体的流动方向及附属件200的自转方向相反的方向。
即，若以低压供应所述升降气体，则可起到漂浮附属件200的作用；另外，若以高压供应所述升降气体，则所述升降气体通过流动槽部160能够以与附属件200自转方向相反的方向形成气体流动压力。从而，在附属件200停止时，是因为逆向旋转方向的气体流动压而停止，进而可减少颗粒产生。
如图12至图15所示，附属件200为设置在口袋槽部120，在上面安装基板S，并且因为通过第一升降气体流道130供应的升降气体的压力而漂浮，以及因为通过第一运动气体流道140供应的运动气体的压力而进行旋转，进而可自转安装在上面的所述基板S。
具体地说，附属件200因为通过基座100供应的气体的压力而以漂浮的状态进行旋转，而且为使安装在上面的各个基板S自转，附属件200可形成为分别安装在口袋槽部120内部的圆盘形状。
附属件200为在上面安装基板S，并且因为通过基座100供应的所述流动气体的压力而在漂浮的状态下进旋转，进而可自转安装在上面的基板S。
此时，从口袋槽部120的底面的中心轴凸出形成圆柱形状的旋转凸起170，在附属件200的下面中心轴可形成凸起槽部220，进而可容纳凸出的旋转凸起170的至少一部分。
据此，附属件200以插入旋转凸起170的凸起槽部220为中心进行旋转运动，进而可引导附属件200稳定地进行旋转运动。
与在图4及图5示出的本发明的一实施例相同，多个附属件200为可在附属件200的后面点的边缘部形成旋转图形部210，可使从第一运动气体流道140流进的运动气体碰撞。此时，旋转图形部210为在附属件200的下面与形成在口袋槽部120内的运动气体孔部40相对应形成。
与在图4及图5示出的本发明的一实施例相同，转图形部210为从附属件200下面的中心轴间隔预定距离的点开始可形成风车形的凹槽。据此，因为通过第一运动气体流道140经过倾斜区间B从运动气体孔部40供应的所述运动气体碰撞凹槽形状的凸台部的压力可旋转上部的附属件200。在此，所述凹槽形状的凸台部可以是旋转图形部210。
旋转图形部210不必局限于图5，而是根据附属件200所需的旋转力可形成非常多样的宽度或者形状。
图19是示出本发明的一实施例的基板处理装置在驱动时的升降气体的流量和运动气体流量的图。
利用本发明的一部分实施例的基板处理装置的基板处理方法为利用上述的基板处理装置，包括：装载步骤；漂浮步骤，从口袋槽部120漂浮附属件200；旋转步骤，在基座100上旋转附属件200；工艺步骤，进行工艺；及停止步骤，停止附属件200自转。
装载步骤是在工艺腔室2000中的基板支撑架1000上装载基板S的步骤。
漂浮步骤是从所述升降气体孔部30喷射所述升降气体以从口袋槽部120漂浮安装有基板S的状态的附属件200的步骤。
即，漂浮步骤作为从形成在基座100的口袋槽部120喷射从升降气体供应部4000供应的升降气体以在安装基板S的状态下从口袋槽部120漂浮附属件200的步骤，不供应所述运动气体，而是供应所述升降气体，而且所述升降气体为可增加至预定流量之后保持的同时供应。
例如，所述漂浮步骤是在图19示出的开始步骤。在所述开始步骤，将升降气体的流量设定为30至50sccm进行供应，而运动气体是被阻断的状态。从而，附属件200为从0漂浮约0.2mm，同时附属件200不进行旋转。
旋转步骤是从运动气体孔部40喷射所述运动气体以旋转漂浮的附属件200的步骤。
即，所述旋转步骤如下：从形成在基座100的口袋槽部120向附属件200喷射从运动气体供应部5000供应的运动气体，以在基座100上旋转为使基板S在基座100上自转而处于漂浮状态的附属件200。
在所述旋转步骤中，为使附属件200能够持续旋转，所述升降气体及所述运动气体分别以预定的流量供应。
所述工艺步骤是喷射所述运动气体及所述升降气体并且通过气体喷射部3000将处理气体喷射于工艺腔室2000内以进行用于处理基板S的工艺的步骤。
所述工艺步骤为以比所述升降气体更多的流量供应所述运动气体，因此因为所述运动气体而产生的所述附属件200的旋转力可更大于因为所述升降气体而产生的所述附属件200的旋转力。
即，在所述工艺步骤中，为使附属件200能够持续旋转，所述升降气体及所述运动气体可分别以预定的流量供应。
例如，所述旋转步骤及所述工艺步骤为在图19示出的旋转步骤。在所述旋转步骤中，以30至300sccm的流量供应升降气体，而运动气体能够以提前设定的流量供应。从而，附属件200可持续约0.2mm的漂浮状态，同时可通过供应运动气体进行旋转。
所述停止步骤是喷射所述升降气体并且阻断所述运动气体的供应以停止附属件200的旋转的步骤。
即，所述停止步骤为通过流动槽部160以与附属件200的自转方向相反的方向供应所述升降气体以停止在基座100上因为惯性而处于自转状态的附属件200的自转的步骤。
所述停止步骤中的所述升降气体的流量至少在一部分区域可比所述工艺步骤的所述升降气体的流量更多来进行供应，所述停止步骤中的所述升降气体的流量可逐渐减少。
在所述停止步骤中，为使附属件200能够停止旋转，阻断从运动气体供应部5000供应的运动气体，暂时增加从升降气体供应部4000供应的升降气体，之后可在预定时间期间逐渐减少。
例如，所述停止步骤是在图19示出的停止步骤。在所述停止步骤中，将升降气体的流量暂时从提前设定的最大值降低至0的同时进行供应，而运动气体则处于被阻断的状态。从而，附属件200根据暂时增加的升降气体的流量漂浮约0.3mm，但是逐渐降低至0mm来安装在口袋槽部，同时不供应运动气体，然而附属件200可因为惯性而进行旋转。然而，升降气体通过流动槽部160以与附属件200自转方向相反的方向起到流动压作用，进而可逐渐停止附属件200。
图20a及图20b是比较本发明和现有技术的基板的旋转速度和转数的关系的曲线图。
如图20a及图20b所示，对于根据升降气体流量的停止时间，在现有技术(图20a)表现出在12RPM的情况下是242s、在14RPM的情况下是283s、在19RPM的情况下是330s；然而，在本发明(图20b)中表现出根据升降气体流量在300sccm的情况(A)下RPM保持在约6且停止时间为40s、在500sccm的情况下(B)RPM保持在约8且停止时间为55s、在700sccm的情况下(C)RPM保持在约9且停止时间为60s、在1000sccm的情况(D)下RPM保持在11且停止时间为70s。
即，可确认到相比于用现有技术供应升降气体并供应运动气体来旋转附属件的情况，将升降气体通过气体流动槽部以与附属件的旋转相反的方向施加流动压的情况下，可在更短的时间内停止附属件。
从而，升降气体通过流动槽部160以与附属件200的自转方向相反的方向形成气体流动压力，在附属件200停止时因为逆向旋转方向的气体流动压而停止，因此可具有减少颗粒产生的效果。
参照在附图示出的实施例说明了本发明，但是这仅是示例的，在该技术领域中具有常规知识的人应该理解为可从此能够实现各种变形及同等的其他实施例。从而，本发明的真正的技术保护范围应该由权利要求书的范围的技术思想定义。

Claims (16)

1.一种基板支撑架，所述基板支撑架包括：基座，形成有多个口袋槽部，所述口袋槽部为圆盘形状并且上面凹陷形成，以在上面沿着周围方向安装基板；轴，连接于所述基座下部以旋转驱动所述基座；及附属件，安装在所述口袋槽部，并且在上面安装所述基板；
其中，所述基座包括：
升降气体孔部，为了漂浮所述附属件而形成在所述口袋槽部中心部分，并且喷射通过形成在所述基座内部的第一升降气体流道流进的升降气体；及
运动气体孔部，为了旋转驱动在所述口袋槽部漂浮的所述附属件而形成在所述口袋槽部边缘部分，并且喷射通过形成在所述基座内部的第一运动气体流道流进的运动气体；
所述轴包括：
第二升降气体流道，将从外部供应的所述升降气体传递至所述第一升降气体流道；及
第二运动气体流道，将从外部供应的所述运动气体传递至所述第一运动气体流道。
2.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，
各个第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接，所述各个第一升降气体流道与单一的所述第二升降气体流道连接。
3.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，
所述第二升降气体流道形成有多个，以分别与第一升降气体流道连接，所述第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接。
4.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，
所述基座在所述口袋槽部中心部形成定位凸起；
所述升降气体孔部形成在所述定位凸起周边；
所述附属件为在下面形成凸起槽部，以插入所述定位凸起的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，
所述附属件形成有旋转图形部，所述旋转图形部为通过沿着与所述运动气体孔部相对应的下面的边缘从所述运动气体孔部喷射的所述运动气体将旋转力传递于所述附属件。
6.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，
针对所述口袋槽部的底面倾斜形成所述运动气体孔部。
7.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，
所述轴包括：
多个轴环槽部，从所述轴侧面部形成预定深度的同时以所述轴的圆周方向切割形成为环形状的切割部，并且以所述轴的长度方向间隔配置；及
多个轴龙头部，形成在所述多个轴环槽部的一侧；
所述第二升降气体流道为，
在所述轴的上面与所述第一升降气体流道连通，以使升降气体供应于所述基座，并且从所述轴的上面贯通至下面而成；
各个的所述第二运动气体流道为，
在所述轴的上面分别与所述第一运动气体流道连通，以使运动气体供应于所述基座，并且从所述轴的上面分别连接至所述轴环槽部。
8.根据权利要求7所述的基板支撑架，其特征在于，包括：
磁性流体密封部，包围所述轴的周边，以密封转动所述轴；
所述磁性流体密封部为，
形成有多个第三运动气体流道，所述多个第三运动气体流道从内侧面贯通至外侧面以分别与所述第二运动气体流道连通；
各个所述第三运动气体流道通过排管连接于运动气体供应部。
9.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，还包括：
流动槽部，形成在所述口袋槽部的底面，以使从所述升降气体孔部喷射的所述升降气体以与所述附属件旋转方向相反的方向流动。
10.根据权利要求9所述的基板支撑架，其特征在于，
所述流动槽部为，
从所述升降气体孔部以所述口袋槽部边缘方向延伸成螺旋状。
11.根据权利要求10所述的基板支撑架，其特征在于，
所述流动槽部为，
沿着所述升降气体的流动方向向上侧倾斜形成底面，进而剖面面积以所述升降气体的流动方向越来越小，以引导所述升降气体快速流动，增加传递于所述附属件的旋转力。
12.根据权利要求9所述的基板支撑架，其特征在于，
所述附属件形成有旋转图形部，
所述旋转图形部为通过沿着与所述运动气体孔部对应的下面的边缘从所述运动气体孔部喷射的所述运动气体将旋转力传递于所述附属件。
13.根据权利要求9所述的基板支撑架，其特征在于，
所述运动气体孔部为针对所述口袋槽部的底面倾斜形成。
14.根据权利要求9所述的基板支撑架，其特征在于，
各个第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接，所述各个第一升降气体流道与单一的所述第二升降气体流道连接。
15.根据权利要求9所述的基板支撑架，其特征在于，
所述第二升降气体流道形成有多个，以分别与所述第一升降气体流道连接，所述第一升降气体流道与分别形成在所述多个口袋槽部的所述升降气体孔部连接。
16.一种处理基板的装置，包括：
工艺腔室，形成有处理多个基板的处理空间；
基板支撑架，权利要求1至15中的任意一项的基板支撑架，配置在所述工艺腔室的所述处理空间，以支撑所述多个基板，并且以所述工艺腔室的中心轴为基准可旋转地设置；及
气体喷射部，配置在所述工艺腔室上部以与所述基板支撑架相互面对，并且向所述基板支撑架喷射处理气体。
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