TWI701751B - 晶圓夾盤裝置、晶圓形變量的量測方法及半導體製造方法 - Google Patents

晶圓夾盤裝置、晶圓形變量的量測方法及半導體製造方法 Download PDF

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Abstract

一種晶圓形變量的量測方法，其包括以下步驟。放置晶圓 於晶圓夾盤裝置上。對晶圓夾盤裝置的通道對的進氣通道進行進氣程序。對晶圓夾盤裝置的通道對的出氣通道進行出氣程序。於晶圓放置於晶圓夾盤裝置的狀態下，且於進行進氣程序及出氣程序時，藉由控制單元量測各個通道對的洩漏率。藉由通道對的洩漏率估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓的晶圓形變量。

Description

晶圓夾盤裝置、晶圓形變量的量測方法及半導體 製造方法
本發明是有關於一種半導體裝置、半導體的量測方法及製造方法，且特別是有關於一種晶圓夾盤裝置、晶圓形變量的量測方法及半導體製造方法。
目前只能藉由抽測的方式量測晶圓的晶圓形變量(wafer bow value)。因為晶圓的晶圓形變量可能會造成產品膜厚異常，導致多片晶片良率不佳。因此，如何在降低影響產出的時間條件下，如何快速地估算出晶圓的晶圓形變量，就能即時或有效地提升製程良率，實已成目前亟欲解決的課題。
本發明提供一種晶圓夾盤裝置，其適於對放置於晶圓夾盤裝置上的晶圓進行晶圓形變量的量測。
本發明的晶圓夾盤裝置適於支持晶圓。晶圓夾盤裝置包 括、底座、多個通道對以及控制單元。底座具有支持表面，以適於支持晶圓。多個通道對配置於底座中。各個通道對具有進氣通道及出氣通道。控制單元包括多個感測器。多個感測器對應於各個通道對的進氣通道及出氣通道配置。
在本發明的一實施例中，各個通道對僅具有一個進氣通道及一個出氣通道。
在本發明的一實施例中，底座的形狀基本上為圓形，且圓形的其中一直徑為對應的各個通道對的進氣通道及出氣通道的連線線段的垂直平分線。
在本發明的一實施例中，底座的形狀基本上為圓形，且通道對的進氣通道及出氣通道不配置於底座的圓心上。
在本發明的一實施例中，底座的形狀基本上為圓形，且多個通道對中的其中兩個是以點對稱或線對稱的方式配置。
基於上述，本發明的晶圓夾盤裝置可以適於對放置於晶圓夾盤裝置上的晶圓進行氣體漏率的量測。
本發明提供一種藉由氣體漏率的量測換算晶圓形變量的量測方法，其較為簡單及迅速。
本發明的晶圓形變量的量測方法包括以下步驟。放置晶圓於前述之晶圓夾盤裝置上。對各個通道對的進氣通道進行進氣程序。對各個通道對的出氣通道進行出氣程序。於晶圓放置於晶圓夾盤裝置的狀態下，且於進行進氣程序及出氣程序時，藉由控制單元量測各個通道對的洩漏率。藉由各個通道對的洩漏率估算於晶 圓夾盤裝置上的晶圓的晶圓形變量。
在本發明的一實施例中，控制單元更包括資料庫。資料庫儲存洩漏率對晶圓形變量的對應資料。晶圓形變量的量測方法更包括以下步驟。藉由各個通道對的洩漏率的資料與資料庫中的洩漏率對晶圓形變量的對應資料進行比對，以估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓的晶圓形變量。
在本發明的一實施例中，估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓的晶圓形變量的步驟包括：根據資料庫中的洩漏率對晶圓形變量的對應資料的二次函數，以藉由各個通道對的洩漏率的資料與資料庫中的洩漏率對晶圓形變量的對應資料進行比對。
基於上述，在本發明的晶圓形變量的量測方法中，可以在製程中藉由多個通道對的洩漏率估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓的晶圓形變量。因此，可使量測方法較為簡單及迅速。
本發明提供一種半導體製造方法，其能降低不良品的風險或提升良率。
本發明的半導體製造方法包括以下程序。進行前述之晶圓形變量的量測方法。控制單元的資料庫更儲存半導體製程的對應晶圓形變量門檻值。依據半導體製程的對應晶圓形變量門檻值及晶圓形變量，進行以下程序的其中之一：進行半導體製程或不進行半導體製程。
在本發明的一實施例中，控制單元的資料庫更儲存半導體製程的標準製程參數。進行半導體製程的程序包括：依據晶圓形 變量及半導體製程的標準製程參數，以調整半導體製程的至少部分製程參數，而進行半導體製程。
基於上述，在本發明的半導體製造方法中，可以藉由估算的晶圓形變量來判斷是否可以進行半導體製程。因此，半導體製造方法的良率可以被提升。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100:晶圓夾盤裝置
110:底座
110a:支持表面
110P:圓心
110R:直徑
120、130、120E、120W、120S、120N、130E、130W、130S、130N:通道對
121、131、121E、121W、121S、121N、131E、131W、131S、131N:進氣通道
122、132、122E、122W、122S、122N、132E、132W、132S、132N:出氣通道
140:控制單元
141:感測器
142:運算模組
143:資料庫
180:晶圓
S311、S313、S313、S320、S330:步驟
S300:晶圓形變量的量測方法
P501、P520、P530、P541、P542、P551:程序
圖1是依照本發明的一實施例的一種晶圓夾盤裝置的上視示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種晶圓形變量的量測方法的剖視示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例的一種晶圓形變量的量測方法的流程圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種通道對的洩漏率對晶圓形變量的比較圖。
圖5是依照本發明的一實施例的一種半導體製造流程的流程圖。
圖6是依照本發明的一實施例的一種半導體製造流程的參數調整的示意圖。
下文列舉一些實施例並配合所附圖式來進行詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。此外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。為了方便理解，下述說明中相同的元件將以相同之符號標示來說明。另外，關於文中所使用「包含」、「包括」、「具有」等等用語，均為開放性的用語；也就是指包含但不限於。另外，關於文中所使用「基本上」、「大致上」、「約」等等用語，可以是包含可接受的公差範圍(tolerance range)。而且，文中所提到的方向性用語，例如：「上」、「下」等，僅是用以參考圖式的方向。因此，使用的方向性用語是用來說明，而並非用來限制本發明。
圖1是依照本發明的一實施例的一種晶圓夾盤裝置的上視示意圖。
請參照圖1，晶圓夾盤裝置(wafer chuck apparatus)100包括底座(base)110、多個通道對(passageway pair)120、130以及控制單元140(繪示於圖2)。底座110具有支持表面(holding surface)110a。因此，底座110適於支持晶圓(如：繪示於圖2的晶圓180)。通道對120、130配置於底座110中。各個通道對120、130具有對應的進氣通道(gas inlet passageway)121、131及出氣通道(gas outlet passageway)122、132。控制單元140包括多個感測器141(繪示於圖2)。感測器141對應於各個通道對120、 130的進氣通道121、131及出氣通道122、132配置。
在本實施例中，各個通道對可以僅具有一個進氣通道及一個出氣通道。舉例而言，通道對120E具有進氣通道121E及出氣通道122E，通道對120S具有進氣通道121S及出氣通道122S，通道對120W具有進氣通道121W及出氣通道122W，通道對120N具有進氣通道121N及出氣通道122N，通道對130E具有進氣通道131E及出氣通道132E，通道對130S具有進氣通道131S及出氣通道132S，通道對130W具有進氣通道131W及出氣通道132W，通道對130N具有進氣通道131N及出氣通道132N，但本發明不限於此。
在本實施例中，在上視的狀態下，底座110的外圍輪廓的形狀基本上可以為圓形，且圓形的底座110的其中一直徑可以是對應的通道對的進氣通道及出氣通道的連線線段的垂直平分線(perpendicular bisector)。舉例而言，底座110的其中一直徑110R可以是通道對120N的進氣通道121N及出氣通道122N的連線線段的垂直平分線，前述的直徑110R可以是通道對120S的進氣通道121S及出氣通道121S的連線線段的垂直平分線，前述的直徑110R可以是通道對130N的進氣通道131N及出氣通道132N的連線線段的垂直平分線，且前述的直徑110R可以是通道對130S的進氣通道131S及出氣通道132S的連線線段的垂直平分線，但本發明不限於此。
在本實施例中，在上視的狀態下，底座110的外圍輪廓 的形狀基本上可以為圓形，且通道對120、130的進氣通道121、131及出氣通道122、132可以不配置於底座110的圓心110P上，但本發明不限於此。
在本實施例中，在上視的狀態下，底座110的外圍輪廓的形狀基本上可以為圓形，且通道對中的其中兩個可以是以點對稱或線對稱的方式配置。舉例而言，通道對120E與通道對120W可以對稱於底座110的圓心110P(即，點對稱)或對稱於底座110的直徑110R(即，線對稱)，通道對130E與通道對130W可以對稱於底座110的圓心110P(即，點對稱)或對稱於底座110的直徑110R(即，線對稱)，通道對120N與通道對120S可以對稱於底座110的圓心110P(即，點對稱)或對稱於底座110的直徑(未直接繪示；即，線對稱)，通道對130N與通道對130S可以對稱於底座110的圓心110P(即，點對稱)或對稱於底座110的直徑(未直接繪示；即，線對稱)，但本發明不限於此。
在本實施例中，在上視的狀態下，底座110的外圍輪廓的形狀基本上可以為圓形，且通道對中的至少其中兩個與圓心110P的距離不同。舉例而言，通道對120E與圓心110P的距離不同於通道對130E與圓心110P的距離，通道對120S與圓心110P的距離不同於通道對130S與圓心110P的距離，通道對120W與圓心110P的距離不同於通道對130W與圓心110P的距離，通道對120N與圓心110P的距離不同於通道對130N與圓心110P的距離。
基於上述，在本實施例的晶圓夾盤裝置(如：晶圓夾盤裝置100)可以適於對放置於晶圓夾盤裝置上的晶圓(如：繪示於圖2的晶圓180)進行晶圓形變量(wafer bow value)的量測。
圖2是依照本發明的一實施例的一種晶圓形變量的量測方法的剖視示意圖。圖3是依照本發明的一實施例的一種晶圓形變量的量測方法的流程圖。圖4是依照本發明的一實施例的一種通道對的洩漏率對晶圓形變量的比較圖。
請參照圖2至圖4，晶圓形變量的量測方法S300可以包括以下步驟S311、步驟S312、步驟S313、步驟S320以及步驟S330。步驟S311：放置晶圓(如：晶圓180)於晶圓夾盤裝置(如：晶圓夾盤裝置100)上。步驟S312：對各個通道對(如：通道對120、130)的進氣通道(如：進氣通道121、131)進行進氣程序。步驟S313：對各個通道對(如：通道對120、130)的出氣通道(如：出氣通道122、132)進行出氣程序。步驟S320：於晶圓(如：晶圓180)放置於晶圓夾盤裝置(如：晶圓夾盤裝置100)的狀態下，且於進行進氣程序及出氣程序時，藉由控制單元(如：控制單元140)量測各個通道對(如：通道對120、130)的洩漏率(leak rate)。步驟S330：藉由各個通道對(如：通道對120、130)的洩漏率估算於晶圓夾盤裝置(如：晶圓夾盤裝置100)上的晶圓(如：晶圓180)的晶圓形變量。
在本實施例中，前述的進氣程序及/或前述的出氣程序可以是一般半導體製程中常用的進氣程序及/或出氣程序，故於此不 加以贅述。
在本實施例中，各個通道對的洩漏率例如是在各個通道對中，進氣通道的氣體流量與出氣通道的氣體流量之間的差值，但本發明不限於此。在一實施例中，各個通道對的洩漏率例如是在各個通道對中，進氣通道的氣體流量與出氣通道的氣體流量之間的比值，但本發明不限於此。在一實施例中，各個通道對的洩漏率可以是從前述差值及/或比值再進行延伸運算後的數值(如：換算為壓力差)。也就是說，控制單元140的感測器141可以是流量感測器(flow sensor)。
在本實施例中，對於放置晶圓於晶圓夾盤裝置上的步驟S311、對各個通道對的進氣通道進行進氣程序的步驟S312以及對各個通道對的出氣通道進行出氣程序的步驟S313的順序並不加以限制。一般而言，可以是在完成放置晶圓於晶圓夾盤裝置上的步驟S311之後，再幾乎同時地進行對各個通道對的進氣通道進行進氣程序的步驟S312以及對各個通道對的出氣通道進行出氣程序的步驟S313，但本發明不限於此。
在本實施例中，控制單元140可以更包括運算模組142及資料庫(data base)143。運算模組142可以包括對應的硬體及/或軟體，以對感測器141所接收到的電子訊號及/或資料庫143內的資料進行暫存、運算及/或產生對應的輸出電子訊號。舉例而言，控制單元140可以是電腦系統，但本發明不限於此。
在本實施例中，資料庫143可以儲存洩漏率對晶圓形變 量的對應資料。舉例而言，如果將儲存洩漏率對晶圓形變量的對應資料圖形化，則洩漏率對晶圓形變量的數值可以繪示為如圖4所示的比較圖。在圖4中，橫軸為相對洩漏率，縱軸為相對晶圓形變量。
在本實施例中，在資料庫143中的洩漏率對晶圓形變量的對應資料可以是藉由實際量測的方式所獲得而儲存。舉例而言，可以藉由雷射的方式實際量測晶圓180上各點的對應形變量，且實際量測各個通道對120、130的洩漏率之後，所得到的實際量測值。當然，就統計上而言，實際量測值可以具有參數分布(Parametric Distribution)。換句話說，一個洩漏率值所對應的晶圓形變量的值可以包括平均值和在本領域普通技術人員可接受的偏差值。前述的偏差值可以是基於量測方式(如：晶圓180於量測時的振動)、測量相關的誤差及/或計算上的誤差傳遞(Error Propagation)所產生。舉例而言，在圖4中，圓形的點可以是實際量測值，實線可以是實際量測值經迴歸分析(Regression Analysis)後，所得到的洩漏率值對晶圓形變量的多項式迴歸曲線，虛線可以是前述的多項式迴歸曲線加上本領域普通技術人員可接受的偏差值的上限，虛點線可以是前述的多項式迴歸曲線減去本領域普通技術人員可接受的偏差值的下限。有時候，虛線與虛點線之間的區間在統計上可以被稱為信賴區間(Confidence Interval，CI)。
在圖4中，前述的多項式迴歸曲線(即，在圖4中的實線)大致上可以是二次函數曲線(quadratic function curve)。實際 量測值(即，在圖4中圓形的點)對前述的二次函數(即，在圖4中實線的函數)的決定係數(Coefficient of Determination；R2)約為0.8512。換句話說，各個通道對(如：通道對120、130)的洩漏率與所對應的晶圓(如：晶圓180)的各點的晶圓形變量形變量可以藉由二次函數表示。因此，縱使在量測各個通道對(如：通道對120、130)的洩漏率的步驟S320之後，所得到的洩漏率的數值並不在曾經量測過的實際量測值的範圍內(例如：圖4中的實線線段的延伸後的範圍)，也可以在步驟S330中藉由前述的二次函數進行估算對應的晶圓形變量。
基於上述，在本實施例的晶圓形變量的量測方法中，可以藉由多個通道對的洩漏率估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓的晶圓形變量。並且，可以是藉由控制單元的資料庫來估算的晶圓形變量。因此，可使量測方法較為簡單及迅速。進一步，由於資料庫的數據是以實際量測值所建立。因此，量測方法可較為準確且可在本領域普通技術人員可接受的偏差值範圍內。
圖5是依照本發明的一實施例的一種半導體製造流程的流程圖。圖6是依照本發明的一實施例的一種半導體製造流程的參數調整的示意圖。
請參照圖5，半導體製造流程(semiconductor process flow)可以包括以下程序(procedure)。在用語上，「半導體製造流程」可以被稱為「半導體製造方法」。
程序P510：開始或前一流程。程序P520：對晶圓(如： 晶圓180)進行晶圓形變量的量測。在程序P520中，對晶圓進行晶圓形變量的量測可以包括前述的晶圓形變量的量測方法S300。程序P530：判斷晶圓形變量是否大於半導體製程的對應晶圓形變量門檻值(threshold of bow value)。若依據程序P530的結果，晶圓形變量小於或等於半導體製程的對應晶圓形變量門檻值，則執行程序P541：進行半導體製程。於程序P541之後，執行程序P551：結束半導體製程或進行後一流程。若依據程序P530的結果，晶圓形變量大於半導體製程的對應晶圓形變量門檻值，則執行程序P542：不進行半導體製程或進行檢測流程。
舉例而言，以圖4中所對應的數值為例，假設在一半導體製程中，可以接受的晶圓形變量門檻值為YT。若藉由控制單元(如：控制單元140)量測各個通道對(如：通道對120、130)的洩漏率的最大值為X1，則可藉由洩漏率估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓(如：晶圓180)的最大晶圓形變量的值為Y1。若最大晶圓形變量的值Y1小於晶圓形變量門檻值為YT，則可以執行程序P541：進行半導體製程。
舉例而言，以圖4中所對應的數值為例，假設在一半導體製程中，可以接受的晶圓形變量門檻值為YT。若藉由控制單元(如：控制單元140)量測各個通道對(如：通道對120、130)的洩漏率的最大值為X2，則可藉由洩漏率估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓(如：晶圓180)的最大晶圓形變量的值為Y2。若最大晶圓形變量的值Y2大於晶圓形變量門檻值為YT，則可以執行程序P542： 不進行半導體製程或進行檢測流程。
在本實施例中，程序P530中所指的半導體製程、程序P541中所指的半導體製程、程序P551中所指的半導體製程及程序P542中所指的半導體製程為相同的製程，其中半導體製程例如為沉積製程、烘烤製程、研磨製程或是其他可能的半導體製程。在進行前述的半導體製程之前及/或進行前述的半導體製程時，可能會使晶圓(如：晶圓180)產生形變(如：翹曲(warpage))或是晶圓(如：晶圓180)已具有形變的半導體製程。另外，前述的晶圓形變量門檻值(如：圖4中的晶圓形變量門檻值YT)可以依據對應的半導體製程而調整。
於程序P510中所指的前一流程可以是在進行前述的半導體製程之前任何可能的流程(如：晶圓傳送)，故於此不加以贅述。
於程序P551中所指的後一流程可以是在完成前述的半導體製程之後任何可能的流程(如：晶圓傳送)，故於此不加以贅述。
於程序P542中所指的檢測流程可以是對晶圓夾盤裝置(如：晶圓夾盤裝置100)、晶圓(如：晶圓180)或其他可能的裝置及/或元件進行檢測的流程，故於此不加以贅述。
在本實施例中，於進行半導體製程的程序P541中，可以依據晶圓形變量及半導體製程的標準製程參數(standard recipe)，以調整半導體製程的至少部分製程參數，而進行半導體製程。被調整的製程參數例如是時間值、溫度、電壓、電流、位置、氣體流量、液體流量及/或其他半導體製程中可能的參數值，於本發明並不加 以限制。
在本實施例中，標準製程參數可以儲存在控制單元的資料庫(如：控制單元140的資料庫143)中，但本發明不限於此。
請參照圖4至圖6，半導體製程的標準製程參數至少包括參數A、參數B、參數C及參數D。若藉由控制單元(如：控制單元140)量測各個通道對(如：通道對120、130)的洩漏率的最大值為X1，則可藉由洩漏率估算於晶圓夾盤裝置(如：晶圓夾盤裝置100)上的晶圓(如：晶圓180)的最大晶圓形變量的值為Y1。並且，可以用晶圓形變量的值Y1作為輸入值，則可藉由對應的函數f產生對應於參數B的調整值f(Y1)，或是可藉由對應的函數g產生對應於參數C的調整值g(Y1)。換句話說，標準製程參數中的參數A及參數D可以不被調整，而標準製程參數中的參數B及參數C可以被調整。前述的函數f及前述的函數g可以相同或不同，於本發明並不加以限制。前述的函數f及前述的函數g可以包括線性函數、多項式函數、指數函數、對數函數、三角函數、階梯函數及/或適宜的數學函數，於本發明並不加以限制。另外，由對應的函數所產生的對應調整值可以為0或趨近於0。也就是說，縱使調整後的製程參數的值與標準製程參數的值縱使相同，但若是為經由輸入晶圓形變量後的結果，亦可被「依據晶圓形變量及半導體製程的標準製程參數，以調整半導體製程的至少部分製程參數」的範圍所涵蓋。
基於上述，在本實施例的半導體製造流程中，可以藉由估 算的晶圓形變量來判斷是否可以進行半導體製程。進一步，若要進行半導體製程，也可以藉由估算的晶圓形變量來調整部分的製程參數。因此，半導體製造流程的良率可以被提升。
綜上所述，本發明的晶圓夾盤裝置可以適於對放置於晶圓夾盤裝置上的晶圓進行晶圓形變量的量測。並且，在本發明的晶圓形變量的量測方法中，可以藉由多個通道對的洩漏率估算於晶圓夾盤裝置上的晶圓的晶圓形變量。因此，可使量測方法較為簡單及迅速。另外，在本發明的半導體製造流程中，可以藉由估算的晶圓形變量來判斷是否可以進行半導體製程。因此，半導體製造流程的良率可以被提升。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S300:晶圓形變量的量測方法
S311、S312、S313、S320、S330:步驟

Claims (8)

  1. 一種晶圓夾盤裝置，適於支持晶圓，包括：底座，具有支持表面，以適於支持所述晶圓；多個通道對，配置於所述底座中，其中各個所述多個通道對具有進氣通道及出氣通道；以及控制單元，包括多個感測器，其中所述多個感測器對應於各個所述多個通道對的所述進氣通道及所述出氣通道配置，其中：各個所述多個通道對僅具有一個所述進氣通道及一個所述出氣通道；所述底座的形狀基本上為圓形；且所述圓形的其中一直徑為對應的各個所述多個通道對的所述進氣通道及所述出氣通道的連線線段的垂直平分線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓夾盤裝置，其中：所述多個通道對的所述進氣通道及所述出氣通道不配置於所述底座的圓心上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓夾盤裝置，其中：所述多個通道對中的其中兩個是以點對稱或線對稱的方式配置。
  4. 一種晶圓形變量的量測方法，包括：放置晶圓於晶圓夾盤裝置上，其中所述晶圓夾盤裝置包括：底座，具有支持表面，以適於支持所述晶圓；多個通道對，配置於所述底座中，其中各個所述多個通道 對具有進氣通道及出氣通道；以及控制單元，包括多個感測器，其中所述多個感測器對應於各個所述多個通道對的所述進氣通道及所述出氣通道配置；對各個所述多個通道對的所述進氣通道進行進氣程序；對各個所述多個通道對的所述出氣通道進行出氣程序；於所述晶圓放置於所述晶圓夾盤裝置的狀態下，且於進行所述進氣程序及所述出氣程序時，藉由所述控制單元量測各個所述多個通道對的洩漏率；以及藉由各個所述多個通道對的洩漏率估算於所述晶圓夾盤裝置上的所述晶圓的所述晶圓形變量。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓形變量的量測方法，其中所述控制單元更包括資料庫，儲存洩漏率對晶圓形變量的對應資料，且所述的晶圓形變量的量測方法更包括：藉由各個所述多個通道對的洩漏率的資料與所述資料庫中的所述洩漏率對晶圓形變量的對應資料進行比對，以估算於所述晶圓夾盤裝置上的所述晶圓的所述晶圓形變量。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的晶圓形變量的量測方法，其中估算於所述晶圓夾盤裝置上的所述晶圓的所述晶圓形變量的步驟包括：根據所述資料庫中的所述洩漏率對晶圓形變量的對應資料的二次函數，以藉由各個所述多個通道對的洩漏率的資料與所述資料庫中的所述洩漏率對晶圓形變量的對應資料進行比對。
  7. 一種半導體製造方法，包括：進行如請求項4之晶圓形變量的量測方法，其中所述控制單元的所述資料庫更儲存半導體製程的對應晶圓形變量門檻值；依據所述半導體製程的所述對應晶圓形變量門檻值及所述晶圓形變量，進行以下程序的其中之一：進行所述半導體製程；或不進行所述半導體製程。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體製造方法，其中所述控制單元的所述資料庫更儲存所述半導體製程的標準製程參數，且進行所述半導體製程的程序包括：依據所述晶圓形變量及所述半導體製程的標準製程參數，以調整所述半導體製程的至少部分製程參數，而進行所述半導體製程。
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