KR101619096B1 - 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 웨이퍼가 로딩되면, 로딩된 웨이퍼의 서클 엣지 정보를 획득하는 단계; 상기 서클 엣지 정보에 대하여 라인 히스토그램 처리하여, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 획득하는 단계; 및 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판상에 박막 필름을 증착하는 동안에, 웨이퍼가 그러한 웨이퍼를 정위치에서 유지하기 위해 사용되는 지지 구조물상에 적절하게 부착되지 않는다면, 박막 필름의 증착 중에 생성되는 응력(stresses)으로 인해 웨이퍼가 휘어질 수 있다. 박막 필름 증착 프로세스에서, 반도체 기판은 진공 척/히터(vacuum chuck/heater) 조립체의 표면상에서 정위치에 유지되는 동안에 프로세싱되는 것이 일반적이다. 예를 들어, 진공 척/히터 조립체상에서의 반도체 웨이퍼 오정렬로 인해 웨이퍼의 엣지(edge) 주변에서 유동 가스의 불균일한 누설이 초래될 수 있다. 불균일한 누설은 불균일한 필름 증착을 유발할 수 있고, 이는 웨이퍼의 휘어짐을 초래할 수 있다. 웨이퍼의 휘어짐은 웨이퍼의 엣지가 히터와 접촉되지 않게 할 수 있으며, 그러한 웨이퍼의 엣지는 웨이퍼의 중심부보다 더 냉각될 수 있을 것이다. 이는, 필름 증착 불균일성을 증대시킨다. 몇몇 경우에, 휘어짐이 심각하여 필름 증착 프로세스를 중단하여야 할 수도 있다.
따라서, 최초에 실리콘 웨이퍼가 정위치에 정렬되어 있는지를 확인하는 것은 제조 수율에 매우 중요한 요소가 될 것이다.
본 발명은, 웨이퍼 제조 공정에 있어서, 웨이퍼가 정위치에 있는지를 보다 정확하게 파악할 수 있는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일실시예인, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법은, 웨이퍼가 로딩되면, 로딩된 웨이퍼의 서클 엣지 정보를 획득하는 단계; 상기 서클 엣지 정보에 대하여 라인 히스토그램 처리하여, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 획득하는 단계; 및 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼가 로딩되면, 로딩된 웨이퍼의 서클 엣지 정보를 획득하는 단계는, 비전 감사 장치로 상기 웨이퍼의 이미지 정보를 획득하는 단계; 및 상기 이미지 정보를 분석하여 원조 서클 엣지 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼가 로딩되면, 로딩된 웨이퍼의 서클 엣지 정보를 획득하는 단계는, 상기 원조 서클 엣지 정보를 이용하여 엣지 선분 정보와 중심 선분 정보를 획득하는 단계; 상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인하는 단계; 및 상기 원조 서클 엣지 정보 중 상기 에러 서클 엣지 정보를 삭제하여 상기 서클 엣지 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인하는 단계는, 상기 엣지 선분 정보 중 상기 중심 선분 정보와 수직이 아닌 엣지 선분 정보에 대응하는 정보를 에러 서클 엣지 정보로 확인하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계는, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 곡선으로 형성되면, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단하는 단계를 포함할수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계는, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 편차를 갖는 경우, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계는, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 단절이 나타나면, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예인 웨이퍼 정위치 감지 장치는, 웨이퍼 장착부에 설치되어서 상기 웨이퍼가 웨이퍼 장착부에 올려지는지를 감지하는 웨이퍼 감지 센서; 상기 웨이퍼 이미지를 획득하는 카메라; 및 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 장착부에 로딩되어서 상기 웨이퍼 감지 센서로부터의 웨이퍼 감지 신호가 수신되면, 상기 카메라를 통해 획득되는 웨이퍼 이미지를 분석하여, 서클 엣지 정보를 획득하고, 이에 대하여 라인 히스토그램 처리하여, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 획득한 후, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 제어부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제어부는, 상기 웨이퍼 이미지로부터 상기 원조 서클 엣지 정보를 획득한 후 이를 이용하여 엣지 선분 정보와 중심 선분 정보를 획득하고, 상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인한 후, 상기 원조 서클 엣지 정보 중 상기 에러 서클 엣지 정보를 삭제하여 상기 서클 엣지 정보를 획득할 수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼 정위치 감지 장치는, 기준 라인 정보가 저장되는 기준 설정부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 라인 히스토그램이 상기 기준 라인 정보의 소정 범위 밖이면, 상기 웨이퍼가 정위치하지 않는 것으로 판단할 수 있다.
여기서, 상기 기준 라인 정보는, 엣지 분포 편차 정보, 엣지 라인 직선 편차 정보를 포함할 수 있다.
상술한 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따르면, 웨이퍼 정위치 파악에 있어서, 그 정확성을 매우 높일 수 있기 때문에 추후 웨이퍼 제작 공정에서 제작 수율을 높일 수 있게 된다.
도 1은, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 웨이퍼 정위치 장치를 설명하기 위한 개념도.
도 2는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 웨이퍼 정위치 장치의 전자적인 구성을 설명하기 위한 블록 구성도.
도 3은, 본 발명의 다른 실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법을 설명하기 위한 순서도.
도 4는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 중 에러 서클 정보를 확인하는 단계를 설명하기 위한 개념도.
도 5는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 중 처리된 라인히스토그램을 분석하는 예를 설명하기 위한 개념도.
도 2는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 웨이퍼 정위치 장치의 전자적인 구성을 설명하기 위한 블록 구성도.
도 3은, 본 발명의 다른 실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법을 설명하기 위한 순서도.
도 4는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 중 에러 서클 정보를 확인하는 단계를 설명하기 위한 개념도.
도 5는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 중 처리된 라인히스토그램을 분석하는 예를 설명하기 위한 개념도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.
도 1은, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 웨이퍼 정위치 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 도시된 바와 같이, 카메라(120:비전 검사 장치)는 웨이퍼(W)가 웨이퍼 장착부에 정위치에 위치하는 지를 확인한다. 이와 같이 웨이퍼(W)가 웨이퍼 장착부에 정위치하게 되면, 세정액 또는 약액 등의 토출액(G)이 웨이퍼(W)의 측면에 설치된 노즐(N)을 통해 웨이퍼(W) 상으로 토출되게 된다. 이 때, 상기 토출액(G)은 이동식 노즐을 통해 토출될 수도 있다.
이와 같이, 웨이퍼에 대한 작업을 진행할 때, 웨이퍼가 웨이퍼 장착부에 정위치하는 것은 매우 중요하다. 이하에서는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 웨이퍼 정위치 장치의 전자적인 구성을 도 2를 참조하여 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 웨이퍼 정위치 장치의 전자적인 구성을 설명하기 위한 블록 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서의 웨이퍼 정위치 장치(100)는, 웨이퍼 감지 센서(110), 카메라(120), 기준 설정부(130) 및 제어부(140)를 포함하여 구성될 수 있다.
웨이퍼 감지 센서(110)는 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부에 설치되어서, 웨이퍼가 웨이퍼 장착부에 안착되는지를 감지하는 기능을 한다. 이와 같은 웨이퍼 감지 센서(110)로는 광센서, 중량 센서, 초음파 센서등이 이용될 수 있다.
카메라(120)는 웨이퍼 장착부를 향해 설치되어서, 웨이퍼 장착부에 설치된 웨이퍼의 이미지를 획득하는 기능을 한다.
기준 설정부(130)는, 카메라(120)로부터 획득되는 웨이퍼 이미지를 분석하여 획득된 라인히스토그램 정보에 대한 기준 정보를 저장하는 기능을 한다. 예컨대, 기준 설정부(130)는, 엣지 분포 편차 정보, 엣지 라인 직선 편차 정보와 같은 기준 라인 정보를 저장하는 기능을 한다.
한편 제어부(140)는, 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 장착부에 로딩되어서 상기 웨이퍼 감지 센서(110)로부터의 웨이퍼 감지 신호가 수신되면, 상기 카메라(120)를 제어하여 획득되는 웨이퍼 이미지를 분석하여, 서클 엣지 정보를 획득하고, 이에 대하여 라인 히스토그램 처리하여, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 획득한 후, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 기능을 한다. 보다 구체적으로, 상기 제어부(140)는, 상기 웨이퍼 이미지로부터 상기 원조 서클 엣지 정보를 획득한 후 이를 이용하여 엣지 선분 정보와 중심 선분 정보를 획득하고, 상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인한 후, 상기 원조 서클 엣지 정보 중 상기 에러 서클 엣지 정보를 삭제하여 상기 서클 엣지 정보를 획득할 수 있다. 즉, 제어부(140)는 상기 라인 히스토그램이 상기 기준 라인 정보의 소정 범위 밖이면, 상기 웨이퍼가 정위치하지 않는 것으로 판단한다. 이에 대해서는 도 4 및 도 5를 참조하여 보다 상세하게 설명하도록 한다.
이상과 같은 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따르면, 웨이퍼 정위치 파악에 있어서, 그 정확성을 매우 높일 수 있기 때문에 추후 웨이퍼 제작 공정에서 제작 수율을 높일 수 있게 된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 웨이퍼 정위치 파악에 있어서, 그 정확성을 매우 높일 수 있기 때문에 추후 웨이퍼 제작 공정에서 제작 수율을 높일 수 있게 된다.
이하에서는 상술한 구성을 가진 웨이퍼 정위치 감지장치에서의 웨이퍼 정위치 확인 방법을 도 3 내지 도 5를 참조하여 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 3은, 본 발명의 다른 실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼는 우선 웨이퍼 장착부에 위치한다. 그러면, 웨이퍼 장착부에 설치된 웨이퍼 감지 센서가 이를 감지하여 웨이퍼 감지 신호를 제어부에 전송하게 되고, 이에 따라, 카메라는 웨이퍼 이미지를 획득하게 된다(S2). 그 다음, 제어부는, 웨이퍼 이미지를 분석하여 원조 서클 엣지 정보를 획득한다(S3). 원조 서클 엣지 정보란 상기 카메라를 통해 획득된 웨이퍼 이미지 중 웨이퍼의 엔드라인에 대한 정보를 의미한다. 그 다음, 제어부는 서클 엣지 정보를 분석하여 중심 선분 정보와, 엣지 선분 정보를 획득하게 된다(S4). 여기서, 상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인하고, 상기 원조 서클 엣지 정보 중 상기 에러 서클 엣지 정보를 삭제하여 상기 서클 엣지 정보를 획득함으로써, 정위치 판단의 정확성을 높이게 된다(S5). 즉, 상기 엣지 선분 정보 중 상기 중심 선분 정보와 수직이 아닌 엣지 선분 정보에 대응하는 정보를 에러 서클 엣지 정보로 확인하여, 웨이퍼의 정위치 여부의 정확성을 높이게 된다. 이에 대해서는 도 4에서 보다 상세하게 설명하도록 한다.
그 다음 이와 같이 에러 서클 엣지 정보를 삭제된 상태의 서클 엣지 정보에 대하여 라인 히스토그램 처리를 진행하게 된다(S6). 웨이퍼 라인 히스트로그램 정보를 분석하여 웨이퍼가 정위치에 있는지 여부를 결정한다(S7). 예컨대, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 곡선으로 형성되면, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단하는 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인한다. 또는, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 편차를 갖는 경우, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단한다. 이에 대해서는 도 5에서 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 4는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 중 에러 서클 정보를 확인하는 단계를 설명하기 위한 개념도이다. 웨이퍼 이미지로부터 원조 엣지 서클 정보를 획득하게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 전체적으로 웨이퍼와 동일한 형상인 원형의 배치를 갖는 포인트들(P1, P2, P3)이 획득되게 된다.이 들 각각의 포인트(P1, P2, P3)가 원조 엣지 서클 정보에 해당한다. 전체적인 포인트의 형상은 웨이퍼와 동일한 원형을 가지게 되므로, 이를 이용하여 중심점(R)을 얻을 수 있게 된다. 그 다음, 각 포인트와 이에 대응되는 포인트간의 선분 정보인 엣지 선분 정보(b, b')와, 엣지 선분 정보의 중앙점(R)과 상기 중심점을 연결하는 중심 선분 정보(a)를 획득하게 된다. 전체적인 형상이 원형이므로, 엣지 선분 정보와 중심 선분 정보는 수직이어야 하는데, b' 선분 정보는 a 선분 정보와 수직이 아니다. 따라서, b'에 해당하는 포인트인 P3는 에러 서클 엣지 정보에 해당한다.
도 5는, 본 발명의 일실시예인 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 중 처리된 라인히스토그램을 분석하는 예를 설명하기 위한 개념도이다. 도 4에서 에러서클 엣지 정보가 삭제된후, 획득된 서클 엣지 정보에 대하여 라인 히스토그램 처리하면, 도 5와 같은, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 표시된다.
만약, 웨이퍼가 정위치에 놓여진다면, 웨이퍼 라인 히스토그램은 상하 편차가 없으며, 일정한 분포를 가질 뿐 아니라, 중간 중간에 절단 부분이 없게 된다.
그런데, 만약 웨이퍼가 정위치에서 이격되어진다면, 웨이퍼 라인 히스토그램은 도 5에 도시된 바와 같이, 약간의 곡선을 가지게 되며, 히스토그램 분포가 일정치 않고, 중간 중간에 절단 부분이 발생하게 된다.
제어부는, 기준 설정부에 엣지 분포 편차 정보, 엣지 라인 직선 편차 정보를 미리 저장해 두고, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램에서 상하 편차(h)가, 상기 엣지 라인 직선 편차 정보의 범위 내인 경우, 웨이퍼가 정위치한 것으로 판단하고, 만약, 상하 편차(h)가 상기 라인 직선 편차 정보 범위 밖이라고 판단되면, 웨이퍼가 정위치에 있지 않은 것으로 판단한다.
또한, 웨이퍼 라인 히스토그램에 만약 중간 중간에 절단부분이 있다면, 이는 웨이퍼가 정위치하고 있지 않음을 알리는 것이다.
상술한 구성을 가지는 본 발명의 일실시예에 따르면, 웨이퍼 정위치 파악에 있어서, 그 정확성을 매우 높일 수 있기 때문에 추후 웨이퍼 제작 공정에서 제작 수율을 높일 수 있게 된다.
상기와 같은 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
100 : 웨이퍼 정위치 확인 장치
110 : 웨이퍼 감지 센서
120 : 카메라
130 : 기준 설정부
140 : 제어부
W : 웨이퍼
N : 노즐
G : 토출액
110 : 웨이퍼 감지 센서
120 : 카메라
130 : 기준 설정부
140 : 제어부
W : 웨이퍼
N : 노즐
G : 토출액
Claims (11)
- 삭제
- 웨이퍼가 로딩되면, 로딩된 웨이퍼의 서클 엣지 정보를 획득하는 단계;
상기 서클 엣지 정보에 대하여 라인 히스토그램 처리하여, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 획득하는 단계; 및
상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계를 포함하고,
상기 웨이퍼가 로딩되면, 로딩된 웨이퍼의 서클 엣지 정보를 획득하는 단계는,
비전 감사 장치로 상기 웨이퍼의 이미지 정보를 획득하는 단계; 및
상기 이미지 정보를 분석하여 원조 서클 엣지 정보를 획득하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 웨이퍼가 로딩되면, 로딩된 웨이퍼의 서클 엣지 정보를 획득하는 단계는,
상기 원조 서클 엣지 정보를 이용하여 엣지 선분 정보와 중심 선분 정보를 획득하는 단계;
상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인하는 단계; 및
상기 원조 서클 엣지 정보 중 상기 에러 서클 엣지 정보를 삭제하여 상기 서클 엣지 정보를 획득하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법.
- 제 3 항에 있어서,
상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인하는 단계는,
상기 엣지 선분 정보 중 상기 중심 선분 정보와 수직이 아닌 엣지 선분 정보에 대응하는 정보를 에러 서클 엣지 정보로 확인하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계는,
상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 곡선으로 형성되면, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계는,
상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 편차를 갖는 경우, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 단계는,
상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보가 기준 이상의 단절이 나타나면, 상기 웨이퍼가 정위치에 위치하지 않은 것으로 판단하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법.
- 삭제
- 웨이퍼 장착부에 설치되어서 상기 웨이퍼가 웨이퍼 장착부에 올려지는지를 감지하는 웨이퍼 감지 센서;
상기 웨이퍼 이미지를 획득하는 카메라; 및
상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 장착부에 로딩되어서 상기 웨이퍼 감지 센서로부터의 웨이퍼 감지 신호가 수신되면, 상기 카메라를 통해 획득되는 웨이퍼 이미지를 분석하여, 서클 엣지 정보를 획득하고, 이에 대하여 라인 히스토그램 처리하여, 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 획득한 후, 상기 웨이퍼 라인 히스토그램 정보를 분석하여, 상기 웨이퍼가 정위치에 있는지를 확인하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 웨이퍼 이미지로부터 원조 서클 엣지 정보를 획득한 후 이를 이용하여 엣지 선분 정보와 중심 선분 정보를 획득하고, 상기 엣지 선분 정보와 상기 중심 선분 정보를 이용하여 에러 서클 엣지 정보를 확인한 후, 상기 원조 서클 엣지 정보 중 상기 에러 서클 엣지 정보를 삭제하여 상기 서클 엣지 정보를 획득하는, 웨이퍼 정위치 감지 장치.
- 제 9 항에 있어서,
기준 라인 정보가 저장되는 기준 설정부를 더 포함하고,
상기 제어부는,
상기 라인 히스토그램이 상기 기준 라인 정보의 소정 범위 밖이면, 상기 웨이퍼가 정위치하지 않는 것으로 판단하는, 웨이퍼 정위치 감지 장치.
- 제 10 항에 있어서,
상기 기준 라인 정보는,
엣지 분포 편차 정보, 엣지 라인 직선 편차 정보를 포함하는, 웨이퍼 정위치 감지 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150069796A KR101619096B1 (ko) | 2015-05-19 | 2015-05-19 | 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150069796A KR101619096B1 (ko) | 2015-05-19 | 2015-05-19 | 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101619096B1 true KR101619096B1 (ko) | 2016-05-10 |
Family
ID=56021128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150069796A KR101619096B1 (ko) | 2015-05-19 | 2015-05-19 | 반도체 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼 정위치 확인 방법 및 웨이퍼 정위치 감지 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR101619096B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117197247A (zh) * | 2023-11-08 | 2023-12-08 | 湖南才道半导体科技有限公司 | 基于人工智能的晶圆切割道视觉定位方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100936506B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2010-01-13 | 주식회사 엠에스비전 | 웨이퍼 위치 오차 인식 시스템 및 이의 웨이퍼 위치 오차 인식방법 |
KR101367193B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2014-02-26 | (주)코셈 | 콜렛의 수평도 및 압력 검사 방법 |
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2015
- 2015-05-19 KR KR1020150069796A patent/KR101619096B1/ko active IP Right Grant
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CN117197247B (zh) * | 2023-11-08 | 2024-03-29 | 湖南才道半导体科技有限公司 | 基于人工智能的晶圆切割道视觉定位方法 |
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