CN110323119A - 等离子体处理装置和被处理体的输送方法 - Google Patents

等离子体处理装置和被处理体的输送方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。

Description

等离子体处理装置和被处理体的输送方法
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置和被处理体的输送方法。
背景技术
现有技术中，已知使用等离子体对半导体晶片等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内，具有用于载置被处理体的载置台。在载置台的内部收纳有升降销。在等离子体处理装置中，在输送被实施了等离子体处理的被处理体时，利用驱动机构使升降销从载置台突出，利用升降销使被处理体从载置台的载置面上升。此外，在等离子体处理装置中，有时在将载置台冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-207840号公报
专利文献2：日本特开2017-103388号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的技术。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的一方式的等离子体处理装置包括：载置台，其具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；相对于所述载置台的载置面使所述被处理体升降的升降机构；和升降控制部，其在从对所述被处理体的等离子体处理结束至开始输送所述被处理体的期间，控制所述升降机，来将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送所述被处理体时，控制所述升降机构，来使所述被处理体从所述被处理体被保持的所述位置上升。
发明效果
根据本发明，能够获得可以减少反应生成物对载置台的载置面的附着的效果。
附图说明
图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的结构的概略截面图。
图2是表示一实施方式的控制等离子体处理装置的控制部的概略结构的一例的框图。
图3是表示载置台的载置面与晶片之间的间隔和以晶片的端部为基准测量出的反应生成物对载置面的侵入范围的长度的关系的一例的图。
图4是表示使晶片从载置台的载置面上升的状态的一例的图。
图5是表示一实施方式的晶片的输送处理的流程的一例的流程图。
附图标记说明
1 处理容器
2 载置台
6 静电吸盘
6e 载置面
10 等离子体处理装置
61 升降销
62 升降机构
100 控制部
111 运算部
112 升降控制部
130 存储部
131 侵入范围信息
W 晶片。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明各种实施方式。另外，在各附图中对相同或相应的部分标注相同的附图标记。
现有技术中，已知使用等离子体对半导体晶片等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内中具有用于载置被处理体的载置台。在载置台的内部收纳有升降销。在等离子体处理装置中，在输送被实施了等离子体处理的被处理体时，利用驱动机构使升降销从载置台突出，用升降销使被处理体从载置台的载置面上升。此外，等离子体处理装置中，有时在将载置台冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理。
在等离子体处理装置中，对被处理体进行等离子体处理时，生成反应生成物，其附着并堆积于处理容器的内壁等。堆积于处理容器的内壁等的反应生成物的一部分从反应生成物挥发而以气体的形式悬浮在处理容器内，有时会再次附着在载置台的载置面。例如，在等离子体处理装置中，在输送被实施了等离子体处理的被处理体时，用升降销使被处理体从载置台的载置面上升，因此反应生成物可能侵入载置台的载置面与被处理体之间的间隙，而附着于载置台的载置面。特别是，在将载置台冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理时，容易发生以挥发性气体的形式悬浮的反应生成物冷凝的情况，因此反应生成物容易附着在载置台的载置面。反应生成物附着在载置台的载置面，是引起被处理体不佳地吸附到载置台的载置面等异常的主要原因，是不良的。
[等离子体处理装置的结构]
图1是表示一实施方式的等离子体处理装置10的结构的概略截面图。等离子体处理装置10具有构成为气密的、成为电接地电位的处理容器1。该处理容器1为圆筒状，例如由铝等构成。处理容器1形成用于生成等离子体的处理空间。在处理容器1内，设置有水平地支承作为被处理体(work-piece)的半导体晶片(下面，简称为“晶片”。)W的载置台2。载置台2包括基材(基体)2a和静电吸盘(ESC：Electrostatic chuck)6。基材2a由导电性的金属例如铝等构成，具有作为下部电极的功能。静电吸盘6具有用于对晶片W进行静电吸附的功能。载置台2支承于支承台4。支承台4支承于例如包含石英等的支承部件3。此外，在载置台2的上方的外周，设置有例如由单晶硅形成的聚焦环5。进而，在处理容器1内，以包围载置台2和支承台4的周围的方式，设置有例如包含石英等的圆筒状的内壁部件3a。
基材2a经由第一匹配器11a与第一RF电源10a连接，并且经由第二匹配器11b与第二RF电源10b连接。第一RF电源10a用于产生等离子体，构成为能够从该第一RF电源10a将规定的频率的高频电力供给到载置台2的基材2a。此外，第二RF电源10b用于引入离子(偏置用)，构成为能够从该第二RF电源10b将比第一RF电源10a低的规定频率的高频电力供给到载置台2的基材2a。这样，载置台2构成为能够施加电压。另一方面，在载置台2的上方，以与载置台2平行地相对的方式，设置有具有作为上部电极的功能的喷淋头16。喷淋头16和载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)起作用。
静电吸盘6的上表面形成为平坦的圆盘状，该上表面成为能够载置晶片W的载置面6e。静电吸盘6以使电极6a设置于该绝缘体6b之间的方式构成，电极6a与直流电源12连接。于是，构成为从直流电源12对电极6a施加直流电压，由此能够利用库仑力吸附晶片W。
在载置台2的内部，形成有致冷剂流路2d，致冷剂流路2d与致冷剂入口配管2b、致冷剂出口配管2c连接。于是，构成为使适宜的致冷剂例如冷却水等在致冷剂流路2d中循环，能够将载置台2控制在规定的温度。此外，以贯通载置台2等的方式设置有用于向晶片W的背面供给氦气等冷热传导用气体(背侧气体)的气体供给管30，气体供给管30与未图示的气体供给源连接。利用该结构，将由静电吸盘6吸附保持于载置台2的上表面的晶片W控制在规定的温度。
在载置台2设置有多个例如3个销用贯通孔200(图1中仅示出了1个。)，在这些销用贯通孔200的内部分别配置有升降销61。升降销61与升降机构62连接。升降机构62使升降销61升降，使升降销61可出没于载置台2的载置面6e。在使升降销61上升了的状态下，升降销61的前端从载置台2的载置面6e突出，成为在载置台2的载置面6e的上方保持晶片W的状态。另一方面，在使升降销61下降了的状态下，升降销61的前端收纳在销用贯通孔200内，晶片W载置在载置台2的载置面6e。这样，升降机构62利用升降销61使晶片W相对于载置台2的载置面6e升降。此外，升降机构62在使升降销61上升了的状态下，由升降销61将晶片W保持在载置台2的载置面6e的上方。
上述喷淋头16设置于处理容器1的顶壁部分。喷淋头16具有主体部16a和构成电极板的上部顶板16b，经由绝缘性部件95支承于处理容器1的上部。主体部16a包含导电性材料例如表面进行了阳极氧化处理的铝，构成为能够在其下部可拆装地支承上部顶板16b。
主体部16a在内部设置有气体扩散室16c。此外，主体部16a以位于气体扩散室16c的下部的方式，在底部形成有多个气体通流孔16d。此外，上部顶板16b设置成在厚度方向贯通该上部顶板16b的气体导入孔16e与上述气体通流孔16d重叠。利用该结构，将供给到气体扩散室16c的处理气体经由气体通流孔16d和气体导入孔16e以喷淋状分散而供给至处理容器1内。
在主体部16a形成有用于向气体扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。气体导入口16g与气体供给配管15a的一端连接。该气体供给配管15a的另一端与供给处理气体的处理气体供给源(气体供给部)15连接。在气体供给配管15a，从上游侧起依次设置有质量流量控制器(MFC)15b和开闭阀V2。从处理气体供给源15经由气体供给配管15a对气体扩散室16c供给用于等离子体蚀刻的处理气体。从气体扩散室16c经由气体通流孔16d和气体导入孔16e以喷淋状分散地将处理气体供给到处理容器1内。
上述的作为上部电极的喷淋头16经由低通滤波器(LPF)71与可变直流电源72连接。该可变直流电源72构成为能够利用导通/断开开关73进行供电的导通/断开。可变直流电源72的电流、电压以及导通/断开开关73的导通/断开由后述的控制部100控制。另外，如后所述，从第一RF电源10a、第二RF电源10b对载置台2施加高频而在处理空间产生等离子体时，根据需要利用控制部100使导通/断开开关73导通，对作为上部电极的喷淋头16施加规定的直流电压。
以从处理容器1的侧壁延伸至比喷淋头16的高度位置靠上方的位置的方式设置有圆筒状的接地导体1a。该圆筒状的接地导体1a在其上部具有顶壁。
在处理容器1的底部形成有排气口81。排气口81经由排气管82与第一排气装置83连接。第一排气装置83具有真空泵，构成为能够通过使该真空泵动作而将处理容器1内减压至规定的真空度。另一方面，在处理容器1内的侧壁设置有晶片W的送入送出口84，在该送入送出口84设置有开闭该送入送出口84的闸阀85。
在处理容器1的侧部内侧沿着内壁面设置有沉积物屏蔽件86。沉积物屏蔽件86防止蚀刻副生成物(沉积物)附着在处理容器1。在该沉积物屏蔽件86的与晶片W大致相同高度的位置，设置有以能够控制对地的电位的方式连接的导电性部件(GND块)89，由此能够防止异常放电。此外，在沉积物屏蔽件86的下端部设置有沿内壁部件3a延伸的沉积物屏蔽件87。沉积物屏蔽件86、87可拆装。
上述结构的等离子体处理装置10由控制部100综合地控制其动作。控制部100例如是计算机，控制等离子体处理装置10的各部分。
图2是表示一实施方式的控制等离子体处理装置10的控制部100的概要结构的一例的框图。控制部100具有处理控制器110、用户接口120和存储部130。
处理控制器110具有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)，控制等离子体处理装置10的各部分。
用户接口120包括：工程管理者为了管理等离子体处理装置10而进行命令的输入操作的键盘；和将等离子体处理装置10的运转状况可视化显示的显示器等。
在存储部130存储有方案，该方案存储有利用处理控制器110的控制来实现由等离子体处理装置10执行的各种处理的控制程序(软件)和处理条件数据等。例如，在存储部130存储有侵入范围信息131。另外，控制程序、处理条件数据等方案也能够以存储于计算机可读取的计算机存储介质(例如硬盘或DVD等光盘、软盘、半导体存储器等)等的状态使用。或者，控制程序、处理条件数据等方案能够从其它装置经由例如专用线路随时传送，以在线的方式使用。
侵入范围信息131是按对晶片W的等离子体处理的每个处理条件，表示载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔和以晶片W的端部为基准测量出的反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度的关系的数据。图3是表示载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔和以晶片W的端部为基准测量出的反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度的关系的一例的图。图3是例如改变载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔，以晶片W的端部为基准测量反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度所得的结果。另外，在图3的测量中，制作用上下相对的平板模拟载置台2和晶片W的测量用样本，测量反应生成物对下侧的平板的表面的侵入范围的长度作为反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度。图3中，按对晶片W的等离子体处理的每个处理条件(处理条件A～C)，表示载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔和以晶片W的端部为基准测量出的反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度的关系。
对晶片W的等离子体处理的处理条件包括在等离子体处理中使用的处理气体的种类、载置台2的温度等条件。在一实施方式中，在等离子体处理中使用的处理气体例如是碳氟化合物气体、氢氟碳化物气体。此外，例如在将载置台2冷却至0℃以下的温度的状态下执行对晶片W的等离子体处理。
如图3所示，无论对晶片W的等离子体处理的处理条件如何不同，载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔越大，反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度越大。此外，按对晶片W的等离子体处理的每个处理条件，反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度相对于载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔的变化程度不同。
这样，等离子体处理装置10中，根据载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔，反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度发生变化。此外，按对晶片W的等离子体处理的每个处理条件，反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度变化的程度不同。
于是，例如，通过实验等，按对晶片W的等离子体处理的每个处理条件，预先求取载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔和以晶片W的端部为基准测量出的反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度的关系。然后，按对晶片W的等离子体处理的每个处理条件，将载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔和以晶片W的端部为基准测量出的反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度的关系存储于侵入范围信息131中。例如，侵入范围信息131是，按对晶片W的等离子体处理的每个处理条件，将反应生成物对载置面6e的侵入范围的长度和载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔关联在一起的表。
回到图2的说明。处理控制器110具有用于存储程序、数据的内部存储器，读出存储于存储部130的控制程序，执行读出的控制程序的处理。处理控制器110通过控制程序的动作，作为各种处理部发挥作用。例如，处理控制器110具有运算部111和升降控制部112。
等离子体处理装置10中，在对晶片W进行等离子体处理时，生成反应生成物，其附着并堆积于处理容器1的内壁等。堆积于处理容器1的内壁等的反应生成物的一部分从反应生成物挥发而以气体的形式悬浮在处理容器1内，可能再次附着在载置台2的载置面6e。例如，等离子体处理装置10中，在输送实施了等离子体处理的晶片W时，用升降销61使晶片W从载置台2的载置面6e上升。因此，等离子体处理装置10中，在处理容器1内悬浮的反应生成物可能侵入载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隙，而附着在载置台2的载置面6e。反应生成物对载置台2的载置面6e的附着，成为晶片不佳地吸附在载置台2的载置面6e等异常的主要原因，是不良的。
图4是表示使晶片W从载置台2的载置面6e上升的状态的一例的图。如图4所示，等离子体处理装置10中，在输送被实施了等离子体处理的晶片W时，用升降销61使晶片W从载置台2的载置面6e上升。由此，在载置台2的载置面6e与晶片W之间形成间隙。堆积于处理容器1的内壁等的反应生成物的一部分以挥发性气体的形式悬浮在处理容器1内，侵入载置台2的载置面6e与晶片W之间，有时作为反应生成物161附着在载置台2的载置面6e。特别是，在将载置台2冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理时，作为挥发性气体悬浮的反应生成物容易发生凝结，因此反应生成物161容易附着在载置台2的载置面6e。例如，等离子体处理装置10中，当反应生成物161过多地附着在载置台2的载置面6e时，容易引起晶片不佳地吸附在载置台2的载置面6e等异常。
因此，等离子体处理装置10在从对晶片W的等离子体处理结束至晶片W的输送开始的期间，进行升降机构62的控制，使得载置台2的载置面6e和晶片W维持为能够抑制反应生成物的侵入的间隔。
回到图2的说明。运算部111参照侵入范围信息131，计算载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔，该间隔为与执行的等离子体处理的处理条件对应的反应生成物的侵入范围的长度是预先决定的允许长度以下的间隔。例如，运算部111参照预先存储于存储部130的侵入范围信息131，计算载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔。例如，设想如下情况：在侵入范围信息131中存储有图3所示的间隔与反应生成物的侵入范围的关系，而且执行的等离子体处理的处理条件为处理条件A。此时，运算部111例如参照侵入范围信息131，在与执行的等离子体处理的处理条件A对应的侵入范围的长度为预先决定的允许长度“2mm”以下时，计算出载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔“0.20mm”。预先决定的允许长度至少基于载置台2的载置面6e的外径与晶片W的外径之差来决定。例如，当载置台2的载置面6e的外径为296mm，晶片W的外径为300mm时，将预先决定的允许长度决定为载置台2的载置面6e的外径与晶片W的外径之差(300－296＝4mm)的1/2即“2mm”。此外，在决定允许长度时，也可以进一步考虑载置台2的载置面6e的外径的尺寸误差、晶片W的外径的尺寸误差等。此外，载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔的计算可以在从对晶片W的等离子体处理结束至晶片W的输送开始的期间进行，也可以在对晶片W的等离子体处理结束前进行。
升降控制部112在从对晶片W的等离子体处理结束至晶片W的输送开始的期间，控制升降机构62，将晶片W保持在载置台2的载置面6e与晶片W隔开能够抑制反应生成物的侵入的间隔的位置。例如，升降控制部112在从对晶片W的等离子体处理结束至晶片W的输送开始的期间，控制升降机构62，将晶片W保持在载置台2的载置面6e与晶片W隔开由运算部111计算出的间隔的位置。例如在接收到开始输送被实施了等离子体处理的晶片W的指令的输送臂到达等离子体处理装置10(处理容器1)的时刻，开始输送晶片W。
然后，在开始输送晶片W输送时，升降控制部112控制升降机构62，使晶片W从晶片W被保持的位置上升。即，升降控制部112在接收到开始输送被实施了等离子体处理的晶片W的指令的输送臂到达处理容器1的时刻，使晶片W从晶片W被保持的位置上升至用于向输送臂交接晶片W的位置。
由此，等离子体处理装置10中，为了在输送被实施了等离子体处理的晶片W时，能够抑制反应生成物侵入载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隙，因此能够减少反应生成物对载置台2的载置面6e的附着。
[控制的流程]
接着，说明使用一实施方式的等离子体处理装置10的晶片W的输送处理。图5是表示一实施方式的晶片W的输送处理的流程的一例的流程图。例如在对晶片W的等离子体处理结束的时刻，执行该晶片W的输送处理。在一实施方式中，使对晶片W的等离子体处理在将载置台2冷却至0℃以下的温度的状态下执行。
如图5所示，当对晶片W的等离子体处理结束时(S101)，发送开始输送被实施了等离子体处理的晶片W的指令(S102)，接收到该指令的输送臂开始向等离子体处理装置10(处理容器1)移动(S103)。
运算部111参照侵入范围信息131，计算载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隔，该间隔为与执行的等离子体处理的处理条件对应的反应生成物的侵入范围的长度是预先决定的允许长度以下的间隔(S104)。
升降控制部112控制升降机构62，将晶片W保持在载置台2的载置面6e与晶片W隔开由运算部111计算出的间隔的位置(S105)。
升降控制部112在输送臂到达等离子体处理装置10(处理容器1)之前(S106，否(No))，以在载置台2的载置面6e与晶片W隔开由运算部111计算出的间隔的位置保持晶片W的状态待机。即，升降控制部112在从对晶片W的等离子体处理结束至开始输送晶片W的期间，进行升降机构62的控制，使得载置台2的载置面6e与晶片W维持能够抑制反应生成物侵入的间隔。
另一方面，升降控制部112在输送臂到达等离子体处理装置10(处理容器1)后(S107，是(Yes))，使晶片W从晶片W被保持的位置上升至用于向输送臂交接晶片W的位置(S108)。
之后，开始由输送臂输送晶片W(S109)。即，输送臂将晶片W送入处理容器1内，由升降控制部112使晶片W下降，由此晶片W被交接至输送臂。输送臂将接收到的晶片W输送到处理容器1之外。
如上所述，一实施方式的等离子体处理装置10包括载置台2、升降机构62和升降控制部112。载置台2具有用于载置作为等离子体处理的对象即晶片W的载置面6e。升降机构62使晶片W相对于载置台2的载置面6e升降。升降控制部112在从对晶片W的等离子体处理结束至开始输送晶片W的期间，控制升降控制部112，将晶片W保持在载置台2的载置面6e与晶片W隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置。然后，升降控制部112在开始输送晶片W时，控制升降机构62，使晶片W从晶片W被保持的位置上升。由此，等离子体处理装置10能够减少反应生成物对载置台2的载置面6e的附着。特别是，等离子体处理装置10在将载置台2冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理时，也能够抑制反应生成物侵入载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隙而减少反应生成物的附着。
以上说明了各种实施方式，但本发明的技术不限于上述实施方式而能够进行各种变形。例如，上述等离子体处理装置10是电容耦合型的等离子体处理装置10，但也能够采用任意的等离子体处理装置10。例如，等离子体处理装置10也可以是如感应耦合型的等离子体处理装置10、由微波等表面波激励气体的等离子体处理装置10等任意类型的等离子体处理装置10。
此外，在上述实施方式中，说明了在载置台2的载置面6e与晶片W隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置保持晶片W的例子，但并不限定于此。例如，等离子体处理装置10也可以一边对在载置台2的载置面6e与晶片W之间形成的间隙供给非活性气体，一边在载置台2的载置面6e与晶片W隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置保持晶片W。由此，等离子体处理装置10能够利用非活性气体抑制反应生成物侵入载置台2的载置面6e与晶片W之间的间隙而进一步减少反应生成物的附着。非活性气体例如是N2气体、O2气体或稀有气体。此外，例如使用用于对晶片W的背面供给氦气等冷热传递用气体(背侧气体)的气体供给管30，来供给非活性气体。
此外，等离子体处理装置10也可以在用输送臂将晶片W输送到处理容器1之外后，进行除去因等离子体处理而堆积于处理容器1的内壁等的反应生成物的干清洁。由此，等离子体处理装置10能够抑制从堆积于处理容器1的内壁等的反应生成物以挥发性气体的形式释放至处理容器1内的成分，能够减少反应生成物对未载置晶片W的载置台2的载置面6e的附着。
此外，等离子体处理装置10可以在用输送臂将晶片W输送至处理容器1之外后，将不是等离子体处理的对象的仿真晶片载置在载置台2的载置面6e上。由此，等离子体处理装置10利用伪晶片保护载置台2的载置面6e，能够进一步减少反应生成物对载置台2的载置面6e的附着。另外，考虑从等离子体处理结束至从堆积于处理容器1的内壁等的反应生成物挥发而释放至处理容器1内的成分耗尽的时间，来适当决定持续载置伪晶片的时间。

Claims (6)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
载置台，其具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；
使所述被处理体相对于所述载置台的载置面升降的升降机构；和
升降控制部，其在从对所述被处理体的等离子体处理结束至开始输送所述被处理体的期间，控制所述升降机构来将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送所述被处理体时，控制所述升降机构来使所述被处理体从所述被处理体被保持的所述位置上升。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在将所述载置台冷却至0℃以下的温度的状态下，对所述被处理体执行等离子体处理。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：
存储部，其按所述等离子体处理的每个处理条件存储侵入范围信息，该侵入范围信息表示所述载置台的载置面与所述被处理体之间的间隔和以所述被处理体的端部为基准而测量出的反应生成物对所述载置台的载置面的侵入范围的长度的关系；和
运算部，其参照所述侵入范围信息，计算所述载置台的载置面与所述被处理体之间的间隔，该间隔是与执行的所述等离子体处理的处理条件对应的所述反应生成物的侵入范围的长度为预先决定的允许长度以下的间隔，
所述升降控制部在从对所述被处理体的等离子体处理结束至开始输送所述被处理体的期间，控制所述升降机构来将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开所述计算出的间隔的位置。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
至少基于所述载置台的载置面的外径与所述被处理体的外径之差，来决定所述预先决定的允许长度。
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述升降控制部一边对在所述载置台的载置面与所述被处理体之间形成的间隙供给非活性气体，一边将所述被处理体保持在所述位置。
6.一种被处理体的输送方法，其特征在于，计算机执行下述处理：
在从对载置于载置台的载置面的被处理体的等离子体处理结束至所述被处理体的输送开始的期间，控制使所述被处理体相对于所述载置台的载置面升降的升降机构，而将所述被处理体保持在所述载置台的载置面与所述被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，
在开始输送所述被处理体时，控制所述升降机构来使所述被处理体从所述被处理体被保持的所述位置上升。
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