CN101752172A - 等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够抑制等离子体处理时生成的附着物的扬起，降低被处理体的污染的等离子体处理装置。在将处理气体在阳极电极与阴极电极间等离子体化、向被处理体S进行处理的等离子体处理装置中，上侧整流壁(51)与下侧整流壁(52)在形成一方的电极的载置台(3)上上下堆积，包围载置在该载置台(3)上的被处理体(S)的周围，升降机构使上侧整流壁(51)在下侧整流壁(52)上的载置位置与在上方侧离开该下侧整流壁(52)的位置之间升降。

Description

等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及在处理容器内对例如FPD(平板显示器)用的玻璃基板、半导体晶片等被处理体供给处理气体，并利用该处理气体对上述被处理体进行规定处理的技术。

背景技术

在LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)的制造工序中，具有对形成在玻璃基板上的铝(Al)膜实施蚀刻处理的工序。基于图9对进行该工序的蚀刻处理装置的一例进行说明，图中1是真空腔室，在该真空腔室1的内部，设置有作为下部电极的、用于载置作为被处理体的例如FPD基板S(以下简称“基板S”)的载置台11，并且设置有作为上部电极的、与该载置台11相对的处理气体供给部12。然后，从处理气体供给部12对真空腔室1内供给由例如氯(Cl₂)气体构成的蚀刻气体，利用未图示的真空泵通过排气通路13对真空腔室1内进行抽真空，另一方面，从高频电源14对上述载置台11施加高频电力，由此在基板S的上方的空间形成蚀刻气体的等离子体，由此，对基板S进行蚀刻处理。

但是，在Al膜的蚀刻中，因为存在供给速率(supply rate controlling)，即蚀刻气体的供给量与蚀刻量成比例关系，由于负载效应(loading effect)，会发生基板S周缘部的蚀刻速度变得极快、蚀刻量变多的现象。即，从作为蚀刻剂的Cl自由基来看，图10中以符号15表示的基板S的周缘部与以符号16表示的相同面积的中央区域相比，蚀刻面积大约为一半，因此，以与供给至中央区域16的流量相同的流量进行蚀刻气体的供给时，周缘部15的蚀刻量为中央区域16的大约2倍。

因此，在现有技术中采用了以下对策：通过例如图9和图11(a)所示在载置台11上设置包围基板S、高度为10mm～150mm左右的整流壁17，使用整流壁17遮挡基板S周缘部附近的蚀刻气体的流动，在基板S的周围形成气体滞留。由此降低该区域的蚀刻气体的流速，能够提高基板面内蚀刻速度的均匀性。

这时，在例如与从设置在真空腔室1的侧壁部的搬入搬出口10到载置台11的上方侧为止的基板S的搬送高度相比，整流壁17上端的位置较高的情况下，搬送中的基板S与整流壁17会发生干涉。因此在具有这样的整流壁17的蚀刻处理装置中，例如，如图9所示，使整流壁17可自由升降，可从基板S的搬送路退避。在本例中，例如在整流壁17的侧面设置有向载置台11的外部伸出的突出部171，各个突出部171的下表面上连接有升降用支承棒181，通过利用升降机18使这些各个支承棒181进行升降，而能够使整流壁17进行升降。

在整流壁17可自由升降的蚀刻处理装置中，例如，如图11(b)所示，在基板S的搬入时，在使整流壁17从载置台11上升的状态下，介于载置台11与整流壁17之间的间隙进行基板S的搬入，将基板S载置在载置台11上后使该整流壁17下降，另一方面，在搬出时使整流壁17从载置面11上升后介于上述间隙进行搬出基板S的动作。

但是，在Al膜的利用氯气的蚀刻处理中，会产生Al的氯化物，它也会附着在整流壁17、载置台11上(以下称附着物)。特别是如图12(a)所示的在被载置台11的上表面与整流壁17的内表面夹着成为凹状的区域(以下称为凹部500)中，与平坦的整流壁17的壁面等相比，附着物D容易逐渐堆积。

但是，在现有的蚀刻处理装置中，使作为形成这种容易堆积附着物D的区域的一侧的部件的整流壁17进行升降来进行基板S的搬入搬出动作，因此在该升降动作时堆积在凹部500的附着物D会被扬起，污染基板S的可能性较高(图12(b))。

此处，专利文献1中虽然记载有具有用于使对基板的蚀刻处理均匀的整流壁的蚀刻处理装置，但没有涉及在载置台上载置基板、整流壁的动作，也没有着眼到上述凹部的附着物扬起的问题。

另外，专利文献2中记载有下述方法：在用于进行半导体晶片的干式蚀刻的蚀刻处理装置中，通过从兼用作载置台的下部电极的半导体晶片的载置面使筒状环伸出或退回，在半导体晶片的周围配置整流壁控制处理气体和反应生成物的流动，使蚀刻处理均匀化。但是，在该蚀刻处理装置中，半导体晶片的载置面与筒状环的相交区域也存在凹部，因此，在从载置面使环进行伸出退回的动作时，附着物从该凹部扬起的可能性较高。

再者，专利文献3中记载有下述处理装置：为了调整等离子体处理时在电极间形成的电场的分布，具有与图9所示的整流壁17几乎相同的结构、利用升降机构可从下部电极(基板的载置台)进行升降的整流壁，但是，也没有着眼到使整流壁升降时堆积在凹部的附着物扬起的问题。

专利文献1：日本特开2003-243364号公报，第0041段第1行～第11行，第0046段第1行～第4行，图1，图3

专利文献2：日本特开平7-74155号公报，第0010段第6行～第19行，第0011段第8行～第11行，图1，图3

专利文献3：日本特开2007-42744号公报，第0032段，第0034段

发明内容

本发明鉴于这些情况完成，其目的在于提供一种控制等离子体处理时生成的附着物的扬起，能够降低被处理体的污染的等离子体处理装置。

本发所明涉及的等离子体处理装置，对互相相对设置在处理容器内的阳极电极与阴极电极之间施加高频电力从而使处理气体等离子体化，对被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：设置在上述处理容器内部、作为阳极电极与阴极电极中的一方并且用于载置被处理体的载置台；沿着载置在该载置台上的被处理体的周缘、以包围该被处理体的方式设置在该载置台上的下侧整流壁；和载置在该下侧整流壁之上、与该下侧整流壁一起包围上述载置台上的被处理体的上侧整流壁，该上侧整流壁构成为能够在从下侧整流壁上包围被处理体的位置退避。

优选等离子体处理装置包括使上述上侧整流壁升降的升降机构，利用该升降机构使上述上侧整流壁从上述下侧整流壁向离开至上方侧的位置上升，由此能够从包围被处理体的位置退避。此时，优选通过上述下侧整流壁与从上述下侧整流壁上升至向上方侧离开的位置的上侧整流壁之间的间隙，在上述处理容器与其外部间搬送被处理体。另外，上述下侧整流壁优选距离载置台上的被处理体的载置面的高度为10mm以上且50mm以下较合适，优选上述下侧整流壁的被处理体侧的壁面与上侧整流壁的被处理体侧的壁面跨过两整流壁的接触部形成为同一面。

而且，上述载置台还具有构成该载置台的一部分、以位于载置在该载置台上的被处理体的周缘部的方式设置的由绝缘体构成的聚焦环，上述下侧整流壁与该聚焦环形成为一体，从该聚焦环的上表面向上方突出也可以。

根据本发明，能够从包围被处理体的位置退避的上侧整流壁被配置在从载置台的上表面离开的位置，因此，与移动直接载置在载置台上的整流壁的情况相比，能够在附着物少的位置进行上侧整流壁的退避动作，能够抑制附着物伴随该动作而产生的扬起，能够降低被处理体的污染。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的蚀刻处理装置的结构的纵截面图。

图2是表示上述蚀刻处理装置的处理容器内部的结构的平面图。

图3是表示上述处理容器内部的结构的斜视图。

图4是表示上述蚀刻处理装置的作用的纵截面图。

图5是表示设置在上述蚀刻处理装置中的整流壁部的作用的放大纵截面图。

图6是表示上述整流壁部的其它例子的放大纵截面图。

图7是表示上述整流壁部的另外的其它例子的放大纵截面图。

图8是表示该其它的例子所涉及的整流壁部的变形例的放大纵截面图。

图9是表示现有的蚀刻处理装置的结构的纵截面图。

图10是表示以上述现有的蚀刻处理装置处理的基板的平面图。

图11是表示上述现有的蚀刻处理装置的处理容器内部的结构的斜视图。

图12量表示设置在上述现有的蚀刻处理装置内的整流壁的作用的放大纵截面图。

符号说明：

S：FPD基板(基板)；2：蚀刻处理装置；3：载置台；4：上部电极；5：整流壁；7：控制部；20：处理容器；33：聚焦环；40：气体喷淋头；51：上侧整流壁；52：下侧整流壁；53：支承部件；54：支承棒；61：升降机；500：凹部；

具体实施方式

下面，参照图1～图3对本实施方式所涉及的作为等离子体处理装置的蚀刻处理装置2的结构进行说明。图1的纵截面图所示的蚀刻处理装置2构成为对被处理体例如在作为方形(矩形或四边形)的FPD基板的基板S的表面形成的铝(Al)膜进行蚀刻处理的装置。

蚀刻处理装置2具有作为真空腔室的处理容器20，该处理容器20用于在其内部对基板S实施蚀刻处理。本实施方式所涉及的蚀刻处理装置2为了能够处理例如至少长边在2m以上的大型的方形(矩形或四边形)的基板，处理容器20形成为：平面形状例如也为方形(矩形或四边形)，尺寸例如为水平截面的一边为3.5m、另一边为3.0m左右。处理容器20例如由铝等导热性和导电性良好的材料构成，并且该处理容器20被接地。另外，在处理容器20的一个侧壁21上形成有用于向处理容器20内搬入基板S的搬入搬出口22，该搬入搬出口22构成为为能够利用门阀23自由开关。

在处理容器20的内部配置有载置台主体3，该载置台主体3用于在其上表面载置基板S。载置台主体3与等离子体产生用的第一高频电源部311和吸引等离子体中的离子用的第二高频电源部312电连接，起到以下作用：在处理容器20内产生等离子体，将该等离子体中的离子吸引到基板S的表面。载置台主体3隔着绝缘部件32配置在处理容器20的底面上，由此，作为下部电极的载置台主体3成为从处理容器20电浮的状态(electrically floating condition)，起到在与后述的上部电极4之间产生等离子体的阴极电极的作用。

另外，利用例如由陶瓷材料构成的聚焦环33覆盖载置台主体3的周缘部和侧面，该聚焦环33用于在载置台主体3的上方均匀地形成等离子体。聚焦环33起到调整基板S周缘区域的等离子体状态的作用，例如起到使等离子体集中在基板S上从而使蚀刻速度提高的作用。在本实施方式中，载置台主体3与聚焦环33成为一体构成本发明的载置台，载置基板S的载置区域形成为：例如跨越(遍及)含有载置台主体3的上表面及其周围的聚焦环33的上表面的一部分的区域，当在载置区域载置基板S时，聚焦环33的位置是基板S的周缘部下方侧。

在载置台主体3上还设置有升降销34，该升降销34用于在设置于外部的未图示的搬送装置与该载置台主体3之间进行基板S的交接。升降销34与用于使其从载置台主体3的表面自由伸出退回的升降机构35相连接，能够在进行基板S的交接的位置与上述载置区域之间使基板S进行升降。

另一方面，在载置台主体3的上方，以与该载置台主体3的上表面相对的方式设置有平板状的上部电极4，该上部电极4由方板状(矩形或者多边形)的上部电极基座41支承。上部电极4和上部电极基座41例如由铝构成，上部电极基座41的上表面与处理容器20的顶部相连接。其结果为，上部电极4成为与被接地的处理容器20电导通的状态，与作为阴极电极的载置台主体3相对从而作为产生等离子体的阳极电极发挥功能。另外，由这些上部电极基座41和上部电极4包围的空间构成蚀刻气体的气体扩散空间42。以下，将这些上部电极4、气体扩散空间42统称为气体喷淋头40。

在处理容器20的顶部，以与上述气体扩散空间42连接的方式设置有处理气体供给通路43，该处理气体供给通路43的另一端侧连接在处理气体供给部44上。这样，若从处理气体供给部44向气体扩散空间42供给蚀刻气体，则能够通过在上部电极4上设置的气体供给孔45对基板S上方的处理空间供给该蚀刻气体，并使该蚀刻气体等离子体化，以对基板S进行蚀刻处理。另一方面，处理容器20的底壁与构成气体排气部的排气通路24的一端侧连接，在其另一侧上连接有例如未图示的真空泵，处理容器20内的蚀刻气体从该排气通路24而被排出。

另外，本实施方式所涉及的蚀刻处理装置2具有在背景技术中所说明的用于应对装载(loading)的整流壁部5，当该整流壁部5进行避开与在处理容器20内搬送的基板S的干涉的动作时，能够抑制伴随等离子体处理而生成的附着物的扬起，以降低基板S的污染。下面对该整流壁部5的细节进行说明。

对于整流壁部5，例如如图1～图3所示，使以包围载置于载置台主体3上的基板S的方式而配置的方形(矩形或者四边形)的框架状部件成为上下分割成上侧整流壁51和下侧整流壁52的结构。下侧整流壁52连接例如4个沿着基板S的各边伸出的细长的板状部件，形成为包围该基板的方形的框架状，并且配置在载置台上例如构成载置台的一部分的聚焦环33上。下侧整流壁52例如由氧化铝等烧结体等电介质构成，该下侧整流壁52距离构成基板S的载置面的聚焦环33的上表面为例如10mm以上且50mm以下的范围，例如30mm，其厚度为例如10mm。

另一方面，上侧整流壁51例如是具有与上述下侧整流壁52大致相同尺寸的平面形状的方形(矩形或者四边形)的框架状部件，上侧整流壁51也与下侧整流壁52相同，例如由氧化铝烧结体等电介质构成。上侧整流壁51的高度为例如10mm以上且100mm以下的范围，例如70mm，其厚度为例如与下侧整流壁52相同的10mm，通过使上侧整流壁51载置在下侧整流壁52上，在载置台主体3上的基板S的周围形成上侧整流壁51与下侧整流壁52成为一体的、整体高度为20mm～150mm的范围(例如100mm)的整流壁(整流壁部5)。

通过这样在下侧整流壁52上载置上侧整流壁51，例如如图5(a)所示，这些上侧整流壁51与下侧整流壁52的接触部位于比载置台的表面(在本例中为聚焦环33的表面)高的位置。另外，本实施方式所涉及的上侧整流壁51与下侧整流壁52在与基板S相对的内壁面侧的各边的长度相同，例如以在上侧整流壁51与下侧整流壁52的接触部，两整流壁51、52的内壁面跨越该接触部成为同一面的方式上下堆积。

具有该结构的整流壁部5的上侧整流壁51成为能够以不干扰基板S搬送时的搬送路线的方式进行上下升降而从搬送路线退避的结构。即，上侧整流壁51例如在方形的框架状的四角的下部边缘处设置有例如从搬入搬出口22观察向左右两侧水平突出的例如氧化铝烧结体等陶瓷制成的板状的支承部件53，在这些支承部件53的前端部连接有用于通过该支承部件53使上侧整流壁51升降的支承棒54。各支承棒54贯通处理容器20的底面，隔着升降板62与设置在处理容器20的外部的升降机61连接。然后，通过利用这些升降机61使各支承棒54同步地进行升降，由此，能够在下侧整流壁52的上表面(载置位置)与其上方的位置之间升降上侧整流壁51。此处，在各个支承棒54贯通处理容器20的部位，例如设置有连接该处理容器20与升降板62、覆盖支承棒54的波纹管63，使得能够维持处理容器20内的真空度。在本例中，支承部件53、支承棒54和升降机61构成上侧整流壁51的升降机构。

经由使上侧整流壁51上升而形成的与下侧整流壁52之间的间隙，对从搬入搬出口22搬入搬出的基板S进行搬送，升降上侧整流壁51的支承棒54由于支承部件53的存在，从搬入搬出口22观察，从上侧整流壁51向左右分离设置，由此，能够不与这些支承棒54发生干扰(干涉)地搬送基板S。另外，在图1中，为了方便起见，图中表示在与搬入搬出口22相对的面的上侧整流壁51上设置有支承部件53和支承棒54等，但是事实上，其结构为如图2、图3所示将它们设置在不与搬入搬出口22相对的面的上侧整流壁51上。

返回到蚀刻处理装置2的整体的说明，如图1所示，蚀刻处理装置2与控制部7连接。控制部7由例如具有未图示的CPU与存储部的计算机构成，存储部存储有下述程序：涉及该蚀刻处理装置2的动作，即向处理容器20内搬入基板S、对载置在载置台主体3上的基板S实施蚀刻处理直至将其搬出为止的动作的控制等的步骤(命令)群组成的程序。该程序贮存在例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等的存储介质中，然后安装在计算机上。

下面，对本实施方式所涉及的蚀刻处理装置2的动作进行说明。首先，通过未图示的操作部，用户对控制部7选择目标蚀刻处理的处理方案时，控制部基于该处理方案对蚀刻处理装置2的各部输出控制信号，这样对基板进行规定的蚀刻处理。另外，以下说明中使用的图4(a)、图4(b)中，为方便图示，适当省略支承部件53、支承棒54、升降销34的记载。

首先，如图4(a)所示，在向处理容器20内搬入基板S之前，使各升降机61动作从而使支承棒54上升，当上侧整流壁51的下端提升至不与基板S的搬送路线发生干扰的高度位置的状态下，使该上侧整流壁51待机在从下侧整流壁52离开至上方侧的位置。接着，打开门阀23，利用未图示的外部的搬送单元，向处理容器20内搬入表面形成有Al膜的基板S，将其搬送至载置台主体3的载置区域的上方侧的交接位置为止。

在基板S到达交接位置后，使升降销34上升，从搬送单元将基板S交接至该升降销34，交接完基板S的搬送单元向处理容器20外退出，然后使升降销34下降从而使基板S载置在载置区域上。之后，使门阀23上升来关闭搬入搬出口22，另一方面，如图4(b)所示，使各升降机61动作，使下侧整流壁51下降至载置位置，在该上侧整流壁51载置在下侧整流壁52上的状态下停止。

在完成基板S的搬入后，使真空泵动作，将处理容器20的内部空间调整至规定的压力，从上述处理气体供给部44向基板S喷出蚀刻处理用的蚀刻气体、例如氯气。然后，从第一、第二高频电源部311、312向载置台主体3供给高频电力，在基板S的上方侧的空间形成等离子体，利用下述公式(1)所示的主要反应对基板S实行蚀刻处理。

3Cl^*+Al→AlCl₃……(1)

从气体喷淋头40供给的蚀刻气体在处理容器20内下降而到达基板S，并在其表面进行蚀刻处理。这样，蚀刻气体在沿着基板S的表面传递的同时向周缘部侧流动，到达以包围基板S的方式载置的整流壁部5时流动被阻挡。通过使用整流壁部5阻挡流动，在该整流壁部5的内侧的区域即基板S的周缘部形成蚀刻气体的流速变慢的气体积存区域，能够使基板S周缘部的蚀刻速度变慢。其结果为，与基板S的中央侧的蚀刻速度之差变小，抑制负载效应(loading effect)。

在整流壁部5的内侧形成的气体积存不久便会越过上下堆积的上侧整流壁51和下侧整流壁52，向整流壁部5的外侧溢出，通过聚焦环33与处理容器20之间的空间流入排气通路24，向处理容器20外排出。这样基于处理方案进行规定时间蚀刻处理后，停止蚀刻气体、高频电力的供给，使处理容器20内的压力恢复为原来的状态，之后，以与搬入时的顺序相反的顺序从载置台主体3将基板S向外部的搬送单元进行交接，从而将其从蚀刻处理装置2搬出，完成一系列的蚀刻处理。

在以上说明的本实施方式所涉及的蚀刻处理装置2的一系列动作中，通过下侧整流壁52与从该下侧整流壁52上升到离开至上方侧位置的上侧整流壁51之间所形成的间隙，对基板S进行搬入搬出时，对于这些整流壁51、52的接触部，例如如图5(a)所示，位于比背景技术中所说明的凹部500高出下侧整流壁52的高度，例如10mm～50mm范围(例如30mm)的较高位置。如背景技术所述，在凹部500容易堆积附着物D。

与此相对，因为上述上侧整流壁51与下侧整流壁52的接触部存在的位置比凹部500远离载置台主体3，所以与凹部500相比，难以堆积附着物D，例如如图5(b)所示，在向处理容器20内搬入搬出基板S时，即使进行上侧整流壁51的升降动作也几乎不会发生从该接触部扬起附着物D的情况，因此难以引起基板S的污染。

另外，在本实施方式中，如图5(b)所示，因为作为构成凹部500的一方侧的部件的下侧整流壁52保持被放置在载置台(聚焦环33)上的状态不进行升降，所以即使附着物D堆积在该凹部500内，伴随基板S的搬入搬出动作这些附着物D扬起的可能性变小，在这一点上也难以引起基板S的污染。

这里，若下侧整流壁52的高度比10mm低，则上侧整流壁51与下侧整流壁52的接触部的位置离凹部500变近，附着物D附着在该壁面上，此外例如在凹部500形成的附着物D堆积至接触部的位置到达两整流壁51、52的接触部，引起基板S的污染的可能性变高。另一方面，若下侧整流壁52的高度比50mm高，则下侧整流壁52的上端会阻挡基板S的搬送路线，成为基板S搬入搬出时的障碍。

根据本实施方式，有以下效果。因为构成为能够升降的上侧整流壁51隔着下侧整流壁52配置在远离载置台(例如本例中为聚焦环33)的上表面的位置，所以与例如使直接载置在载置台上的整流壁升降的情况(例如相当于本例中使下侧整流壁52升降的情况)相比，能够在附着物D少的位置升降上侧整流壁51，能够抑制伴随升降动作引起的附着物的扬起，降低被处理体的污染。

这里，上侧整流壁51与下侧整流壁52的接触面并不限定为水平，也可以倾斜，也可以为台阶状。另外，也并不限定于上侧整流壁51和下侧整流壁56的厚度形成为相同厚度的情况，例如，如图6(a)、图6(b)所示，也可以例如使下侧整流壁52构成为延伸至与载置台(在本例中为聚焦环33)的周缘部大致相同的位置的扁平部件，使上侧整流壁51载置在该扁平的下侧整流壁52的上表面。像这样以扁平的部件构成下侧整流壁52的情况下等，例如如图7所示，使下侧整流壁52与聚焦环33一体构成，例如使下侧整流壁52从聚焦环33的上表面向上方突出，包围基板S也可以。

另外，与基板S相对的上侧整流壁51和下侧整流壁52的内壁面并不限于成为同一面的情况，此外也可以如图8所示，将下侧整流壁52的上端的外周部切出缺口，使上侧整流壁51的下端嵌入在该缺口部分，使气体较难从接合部外泄。

除此之外，为避开与基板S的搬送路线的干扰，使上侧整流壁51退避的方法并不限定于使用升降机构使上侧整流壁51进行升降的情况。也可以构成为例如使与搬入搬出口22相对的位置设置的面的上侧整流壁51能够向该搬入搬出口22倾倒，在基板S的搬入搬出时通过使该面的上侧整流壁51倾倒来进行退避。另外，与其相反，也可以将与搬入搬出口22相对的位置设置的面的上侧整流壁51的上端进行轴支承，在基板S的搬入搬出时通过弹起(抬起)该面的上侧整流壁51来进行退避。在这些情况下，例如也可以仅使搬入搬出口22侧的整流壁部5分割为上侧整流壁51与下侧整流壁52，对剩余3面的整流壁部5不进行上下分割。

另外，蚀刻处理装置2并不限定于以载置台主体3作为阴极电极的情况，也可以为下述情况：在上部电极4从被接地的处理容器20电浮起的状态下与等离子体产生用的第一高频电源部311连接，另一方面，使载置台主体3为接地侧，由此，使上部电极4作为阴极电极、使载置台主体3作为阳极电极。另外，也可以不在载置台主体3上设置聚焦环33。

另外，本发明的处理装置并不仅限于铝膜的蚀刻处理，也适用于铝合金、钛、钛合金等的金属膜或绝缘膜、半导体膜的蚀刻以及它们的层叠膜(层积膜)。另外，能够适用于蚀刻处理之外的例如灰化、CVD(Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积))等使用其它处理气体对被处理体进行处理的处理。再者，作为被处理体并不限于方形(矩形或者四边形)基板，也可以为FPD基板之外的例如圆形半导体晶片等。

Claims (6)

1.一种等离子体处理装置，对互相相对设置在处理容器内的阳极电极与阴极电极之间施加高频电力从而使处理气体等离子体化，对被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：

设置在所述处理容器内部、作为阳极电极与阴极电极中的一方并且用于载置被处理体的载置台；

沿着载置在该载置台上的被处理体的周缘、以包围该被处理体的方式设置在该载置台上的下侧整流壁；和

载置在该下侧整流壁上、与该下侧整流壁一起包围所述载置台上的被处理体的上侧整流壁，

该上侧整流壁构成为能够从在下侧整流壁上包围被处理体的位置退避。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

该等离子体处理装置包括使所述上侧整流壁升降的升降机构，利用该升降机构使该上侧整流壁从所述下侧整流壁朝着离开至上方侧的位置上升，由此从包围被处理体的位置退避。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

通过所述下侧整流壁与从所述下侧整流壁上升至向上方侧离开的位置的上侧整流壁之间的间隙，在所述处理容器与其外部之间搬送被处理体。

4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述下侧整流壁距离载置台上的被处理体的载置面的高度为10mm以上且50mm以下。

5.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述下侧整流壁的被处理体侧的壁面与上侧整流壁的被处理体侧的壁面跨越两个整流壁的接触部形成为同一面。

6.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述载置台具有构成该载置台的一部分、以位于载置在该载置台上的被处理体的周缘部的方式所设置的由绝缘体构成的聚焦环，所述下侧整流壁与该聚焦环形成为一体，从该聚焦环的上表面向上方突出。

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