JP5141520B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、処理容器内において、例えばＦＰＤ(フラットパネルディスプレイ)用のガラス基板や半導体ウエハなどの被処理体に対して処理ガスを供給し、この処理ガスにより前記被処理体に対して所定の処理を行う技術に関する。

ＬＣＤ（Liquid Crystal Display；液晶ディスプレイ）の製造工程においては、ガラス基板上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）膜に対してエッチング処理を施す工程がある。この工程を行うエッチング処理装置の一例を図９に基づいて簡単に説明すると、図中１は真空チャンバであり、この真空チャンバ１の内部には、下部電極をなし、被処理体である例えばＦＰＤ基板Ｓ（以下、基板Ｓと略記する）を載置するための載置台１１が設けられると共に、この載置台１１に対向するように上部電極をなす処理ガス供給部１２が設けられている。そして処理ガス供給部１２から真空チャンバ１内に例えば塩素（Ｃｌ_２）系ガスよりなるエッチングガスを供給し、排気路１３を介して図示しない真空ポンプにより真空チャンバ１内を真空引きする一方、高周波電源１４から前記載置台１１に高周波電力を印加することにより基板Ｓの上方の空間にエッチングガスのプラズマが形成され、これにより基板Ｓに対するエッチング処理が行われる。

ところでＡｌ膜のエッチングでは、供給律速、即ちエッチングガスの供給量とエッチング量とが比例しているため、ローディング効果により基板Ｓの周縁部のエッチング速度が極端に早くなり、エッチング量が多くなってしまうという現象が発生する。つまり図１０に符号１５で示す基板Ｓの周縁部では、エッチャントであるＣｌラジカルから見ると、符号１６にて示す同じ面積の中央領域に比べてエッチング面積が約半分であり、このため中央領域１６に供給される流量と同じ流量でエッチングガスが供給されると、周縁部１５では中央領域１６に比べてエッチング量が約２倍になってしまう。

このため従来、例えば図９及び図１１（ａ）に示すように基板Ｓを囲んで高さ１０ｍｍ〜１５０ｍｍ程度の整流壁１７を載置台１１上に設けることにより、基板Ｓの周縁部近傍のエッチングガスの流れを整流壁１７にて遮り、基板Ｓの周囲にガス溜まりを形成する対策が採られてきた。これにより当該領域におけるエッチングガス流速を低下させ、基板面内におけるエッチング速度の均一性を高めることができる。

この際、例えば真空チャンバ１の側壁部に設けられた搬入出口１０から載置台１１の上方側に至るまでの基板Ｓの搬送高さよりも整流壁１７の上端の位置の方が高い場合には、搬送中の基板Ｓと整流壁１７とが干渉してしまう。そこでこうした整流壁１７を備えたエッチング処理装置においては、例えば図９に示すように整流壁１７を昇降自在として整流壁１７を基板Ｓの搬送路から退避可能としたものがある。本例では、例えば整流壁１７の側面に載置台１１の外方に伸び出すように突出部１７１を設け、各々の突出部１７１の下面に昇降用の支持棒１８１を接続して、これら各支持棒１８１を昇降機１８にて昇降させることにより整流壁１７を昇降させることができる。

整流壁１７を昇降自在としたエッチング処理装置では、例えば図１１（ｂ）に示すように基板Ｓの搬入時には整流壁１７を載置台１１から上昇させた状態で載置台１１と整流壁１７との間の隙間を介して基板Ｓを搬入し、基板Ｓを載置台１１上に載置してから当該整流壁１７を下降させる一方、搬出時には整流壁１７を載置台１１より上昇させてから前記隙間を介して基板Ｓを搬出する動作が行われる。

ところでＡｌ膜の塩素系ガスによるエッチング処理では、Ａｌの塩化物が生成し、これが整流壁１７や載置台１１にも付着する（以下、付着物という）。特に、図１２（ａ）に示す載置台１１の上面と整流壁１７の内壁面とに挟まれて窪んだ状態となっている領域（以下、窪み部５００という）では、平坦な整流壁１７の壁面などと比べて付着物Ｄが次第に堆積していきやすい。

ところが従来のエッチング処理装置では、こうした付着物Ｄの堆積しやすい領域を形成している一方側の部材である整流壁１７を昇降させて基板Ｓの搬入出動作を行っていることから、この昇降動作の際に窪み部５００に堆積した付着物Ｄを巻き上げ、基板Ｓを汚染してしまうおそれが高かった（図１２（ｂ））。

ここで特許文献１には、基板に対するエッチング処理を均一にするための整流壁を備えたエッチング処理装置が記載されているが、載置台上に基板や整流壁を載置する動作に関する記載は無く、上述の窪み部における付着物の巻き上げといった問題についても着目されていない。

また特許文献２には、半導体ウエハのドライエッチングを行うためのエッチング処理装置において、載置台を兼用する下部電極における半導体ウエハの載置面から筒状のリングを突没させることにより、半導体ウエハの周囲に整流壁を配置して処理ガスや反応生成物の流れを制御し、エッチング処理を均一化する方法が記載されている。しかし、このエッチング処理装置においても半導体ウエハの載置面と筒状のリングとの交差する領域に窪み部が存在しているので、リングを載置面から突没させる動作の際にこの窪み部から付着物が巻き上げられるおそれが高い。

さらに特許文献３にはプラズマ処理時に電極間に形成される電界の分布を調整するために、図９に示した整流壁１７とほぼ同様に構成され、昇降機構により下部電極（基板の載置台）から昇降可能に構成された整流壁を備えたエッチング処理装置が記載されているが、やはり整流壁を昇降させる際の窪み部に堆積した付着物の巻き上げといった問題には着目されていない。
特開２００３−２４３３６４号公報；第００４１段落第１行目〜第１１行目、第００４６段落第１行目〜第４行目、図１、図３ 特開平７−７４１５５号公報；第００１０段落第６行目〜第１９行目、第００１１段落第８行目〜第１１行目、図１、図３ 特開２００７−４２７４４号公報；第００３２段落、第００３４段落

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマ処理の際に生成する付着物の巻き上げを抑え、被処理体の汚染を低減することの可能なプラズマ処理装置を提供することにある。

本発明に係るプラズマ処理装置は、処理容器内に互いに対向して設けられたアノード電極及びカソード電極間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記処理容器の内部に設けられ、アノード電極及びカソード電極の一方をなすと共に、被処理体を載置するための載置台と、
この載置台上に載置された被処理体の周縁に沿って、この被処理体を囲むように当該載置台上に設けられた下側整流壁と、
この下側整流壁上に載置され、当該下側整流壁と共に前記載置台上の被処理体を囲む上側整流壁と、
前記上側整流壁を、下側整流壁上にて被処理体を囲む位置から退避するように移動させる移動機構と、
を備えることを特徴とする。

そして前記移動機構は例えば前記上側整流壁を昇降させる昇降機構により構成され、当該上側整流壁はこの昇降機構によって前記下側整流壁から上方側に離れた位置へと上昇することにより、被処理体を囲む位置から退避する。このとき被処理体は、前記下側整流壁と、この下側整流壁から上方側に離れた位置まで上昇させた上側整流壁との間の隙間を介して、前記処理容器とその外部との間を搬送するとよい。また前記下側整流壁は、載置台上における被処理体の載置面からの高さが１０ｍｍ以上、５０ｍｍ以下であることが好適であり、さらに前記下側整流壁における被処理体側の壁面と、上側整流壁における被処理体側壁面とは、両整流壁の接触部を跨いで面一になっていることが好ましい。

さらにまた前記載置台は、この載置台の一部を構成し、当該載置台上に載置される被処理体の周縁部に位置するように設けられた絶縁体からなるフォーカスリングを備え、前記下側整流壁は、このフォーカスリングと一体に形成され、当該フォーカスリングの上面から上方へと突出している構成となっていてもよい。

本発明によれば、被処理体を囲む位置から退避可能に構成された上側整流壁が載置台の上面から離れた位置に配置されているので、載置台上に直接載置された整流壁を動かす場合と比較して、付着物の少ない位置にて上側整流壁の退避動作を行うことが可能となり、当該動作に伴う付着物の巻き上げを抑え、被処理体の汚染を低減することができる。

以下、図１〜図３を参照しながら本実施の形態に係わるプラズマ処理装置であるエッチング処理装置２の構成について説明する。図１の縦断面図に示したエッチング処理装置２は、被処理体、例えば角型のＦＰＤ基板である基板Ｓの表面に形成されたアルミニウム（Ａｌ）膜に対してエッチング処理を行う装置として構成されている。

エッチング処理装置２は、その内部において基板Ｓにエッチング処理を施すための真空チャンバである処理容器２０を備えている。本実施の形態に係わるエッチング処理装置２は、例えば少なくとも長辺が２ｍ以上の大型の角型基板を処理することが可能なように、処理容器２０の平面形状についても例えば角型となっており、例えば水平断面の一辺が３．５ｍ、他辺が３．０ｍ程度の大きさに形成されている。処理容器２０は例えばアルミニウムなどの熱伝導性及び導電性の良好な材質により構成されていると共に当該処理容器２０は接地されている。また処理容器２０の一つの側壁部２１には、処理容器２０内に基板Ｓを搬入するための搬入出口２２が形成されており、この搬入出口２２はゲートバルブ２３により開閉自在に構成されている。

処理容器２０の内部には、その上面に基板Ｓを載置するための載置台本体３が配置されている。載置台本体３は、プラズマ発生用の第１の高周波電源部３１１及びプラズマ中のイオン引き込み用の第２の高周波電源部３１２と電気的に接続されており、処理容器２０内にプラズマを発生させ、また当該プラズマ中のイオンを基板Ｓ表面に引き込む役割を果たす。載置台本体３は、絶縁部材３２を介して処理容器２０の底面上に配置されており、これにより下部電極である載置台本体３は処理容器２０から電気的に浮いた状態となっていて、後述の上部電極４との間でプラズマを発生するカソード電極の役割を果たす。

また載置台本体３の周縁部及び側面は、載置台本体３上方にてプラズマを均一に形成するための、例えばセラミック材料により構成されたフォーカスリング３３により覆われている。フォーカスリング３３は基板Ｓの周縁の領域のプラズマ状態を調整する役割、例えば基板Ｓ上にプラズマを集中させてエッチング速度を向上させる役割を果たす。本実施の形態では、載置台本体３とフォーカスリング３３とが一体となって本発明の載置台を構成しており、基板Ｓが載置される載置領域は、例えば載置台本体３の上面と、その周囲のフォーカスリング３３の上面の一部とを含む領域にまたがって形成されていて、基板Ｓを載置領域に載置すると、フォーカスリング３３は基板Ｓの周縁部下方側に位置することとなる。

さらに載置台本体３には、外部に設けられた図示しない搬送装置と当該載置台本体３との間で基板Ｓの受け渡しを行うための昇降ピン３４が設けられている。昇降ピン３４は、載置台本体３の表面から自在に突没させるための昇降機構３５と接続されており、基板Ｓの受け渡しが行われる位置と、既述の載置領域との間で基板Ｓを昇降させることができる。

一方載置台本体３の上方には、この載置台本体３の上面と対向するように、平板状の上部電極４が設けられており、この上部電極４は角板状の上部電極ベース４１に支持されている。これら上部電極４及び上部電極ベース４１は、例えばアルミニウムにより構成され、上部電極ベース４１の上面が処理容器２０の天井部に接続されている。この結果、上部電極４は接地された処理容器２０と電気的に導通した状態となり、カソード電極である載置台本体３に対向してプラズマを発生するアノード電極として機能する。またさらにこれら上部電極ベース４１及び上部電極４により囲まれた空間はエッチングガスのガス拡散空間４２を構成している。以下、これら上部電極４、ガス拡散空間４２を纏めてガスシャワーヘッド４０と呼ぶ。

処理容器２０の天井部には、前記ガス拡散空間４２に接続されるように処理ガス供給路４３が設けられており、この処理ガス供給路４３の他端側は処理ガス供給部４４に接続されている。そして処理ガス供給部４４からガス拡散空間４２にエッチングガスが供給されると、そのエッチングガスは上部電極４に設けられたガス供給孔４５を介して基板Ｓ上方の処理空間に供給され、プラズマ化されて基板Ｓに対するエッチング処理を行うことができる。一方、処理容器２０の底壁にはガス排気部を成す排気路２４の一端側が接続されており、その他端側には例えば図示しない真空ポンプが接続されていて、処理容器２０内のエッチングガスはこの排気路２４から排気されることとなる。

さらに本実施の形態に係わるエッチング処理装置２は、背景技術にて説明したローディング対策用の整流壁部５を備えており、この整流壁部５は処理容器２０内を搬送される基板Ｓとの干渉を避ける動作を行う際に、プラズマ処理に伴って生成する付着物の巻き上げを抑え、基板Ｓの汚染を低減することが可能な構成となっている。以下、当該整流壁部５の詳細について説明する。

整流壁部５は、例えば図１〜図３に示すように、載置台本体３上に載置された基板Ｓを囲むように配置される角型の枠組み状の部材を、上側整流壁５１と下側整流壁５２とに上下に分割した構造となっている。下側整流壁５２は、基板Ｓの各辺に沿って伸びる細長い板状の部材を例えば４枚連結して、当該基板を囲む角型の枠組み状に形成されると共に、載置台上、例えば載置台の一部を構成するフォーカスリング３３上に配置されている。下側整流壁５２は例えばアルミナ焼結体などの誘電体からなり、この下側整流壁５２は基板Ｓの載置面を構成するフォーカスリング３３の上面からの高さが例えば１０ｍｍ以上、５０ｍｍ以下の範囲の例えば３０ｍｍ、厚さは例えば１０ｍｍとなっている。

一方、上側整流壁５１は、例えば既述の下側整流壁５２とほぼ同サイズの平面形状を備えた角型の枠組み状の部材であり、上側整流壁５１についても下側整流壁５２と同様に例えばアルミナ焼結体などの誘電体から構成されている。そして、上側整流壁５１の高さは例えば１０ｍｍ以上、１００ｍｍ以下の範囲の例えば７０ｍｍ、その厚さは例えば下側整流壁５２と同じ１０ｍｍとなっており、上側整流壁５１が下側整流壁５２上に載置されることにより、載置台本体３上の基板Ｓの周囲には、上側整流壁５１と下側整流壁５２とが一体となった、全体の高さが２０ｍｍ〜１５０ｍｍの範囲の例えば１００ｍｍの整流壁（整流壁部５）が形成される。

このように下側整流壁５２上に上側整流壁５１を載置することにより、例えば図５（ａ）に示すように載置台の表面（本例においてはフォーカスリング３３の表面）よりも高い位置にこれら上側整流壁５１と下側整流壁５２との接触部が位置することとなる。また本実施の形態に係る上側整流壁５１及び下側整流壁５２は、基板Ｓに対向する内壁面側の各辺の長さが等しくなっており、例えば上側整流壁５１と下側整流壁５２との接触部においてこれら両整流壁５１、２の内壁面がその接触部を跨いで面一となるように上下に積み上げられている。

かかる構成を備えた整流壁部５の上側整流壁５１は、基板Ｓ搬送時の搬送経路と干渉しないように上下に昇降させて搬送経路から退避させることが可能な構成となっている。即ち上側整流壁５１は、例えば角型の枠組み形状の四隅の下縁部に、例えば搬入出口２２から見て左右両側に水平に突出する例えばアルミナ焼結体などセラミック製の板状の支持部材５３が設けられており、これらの支持部材５３の先端部には、当該支持部材５３を介して上側整流壁５１を昇降させるための支持棒５４が接続されている。各支持棒５４は処理容器２０の底面を貫通しており、昇降板６２を介して処理容器２０の外部に設けられた昇降機６１と接続されている。そしてこれら昇降機６１により各支持棒５４を同期させながら昇降させることにより、下側整流壁５２の上面（載置位置）とその上方の位置との間で上側整流壁５１を昇降させることができる。ここで各支持棒５４が処理容器２０を貫通している部位には、例えば当該処理容器２０と昇降板６２とを接続し、支持棒５４を覆うベローズ６３が設けられており処理容器２０内の真空度を維持できるようになっている。本例において支持部材５３、支持棒５４及び昇降機６１は上側整流壁５１の昇降機構を構成している。

搬入出口２２から搬入出される基板Ｓは、上側整流壁５１を上昇させて形成される下側整流壁５２との間の隙間を介して搬送されることになるが、上側整流壁５１を昇降させる支持棒５４が支持部材５３の介在により搬入出口２２から見て上側整流壁５１から左右に離れて設けられていることにより、これらの支持棒５４と干渉せずに基板Ｓを搬送することができる。なお図１においては、便宜上搬入出口２２に対向する面の上側整流壁５１に支持部材５３や支持棒５４などを設けてあるように図示してあるが、実際には図２、図３に示すように搬入出口２２とは対向していない面の上側整流壁５１にこれらを設けた構成となっている。

エッチング処理装置２の全体の説明に戻ると、図１に示すように、エッチング処理装置２は制御部７と接続されている。制御部７は例えば図示しないＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータからなり、記憶部には当該エッチング処理装置２の動作、つまり、処理容器２０内に基板Ｓを搬入し、載置台本体３上に載置された基板Ｓにエッチング処理を施してから搬出するまでの動作に係わる制御などについてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記憶されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。

以下、本実施の形態に係わるエッチング処理装置２の動作について説明する。初めに不図示の操作部を介し、ユーザが制御部７に対して目的のエッチング処理のプロセスレシピを選択すると、制御部７ではこのプロセスレシピに基づいてエッチング処理装置２の各部に制御信号を出力し、こうして基板に対して所定のエッチング処理が行われる。なお、以下の説明に用いる図４（ａ）、図４（ｂ）では、図示の便宜上、支持部材５３や支持棒５４、昇降ピン３４などの記載を適宜省略してある。

先ず図４（ａ）に示すように、処理容器２０内への基板Ｓの搬入に先立って各昇降機６１を作動させて支持棒５４を上昇させ、上側整流壁５１の下端が基板Ｓの搬送経路と干渉しない高さ位置まで上側整流壁５１を持ち上げた状態で、当該上側整流壁５１を下側整流壁５２から上方側に離れた位置にて待機させる。次いでゲートバルブ２３を開き、図示しない外部の搬送手段により、表面にＡｌ膜が形成された基板Ｓを処理容器２０内に搬入し、載置台本体３の載置領域の上方側の受け渡し位置まで搬送する。

基板Ｓが受け渡し位置に到達したら、昇降ピン３４を上昇させて搬送手段から当該昇降ピン３４に基板Ｓを受け渡し、基板Ｓを受け渡した搬送手段は処理容器２０外に退出し、昇降ピン３４を下降させて基板Ｓを載置領域に載置する。その後ゲートバルブ２３を上昇させて搬入出口２２を閉じる一方、図４（ｂ）に示すように各昇降機６１を作動させて上側整流壁５１を載置位置まで降下させ、下側整流壁５２上に当該上側整流壁５１を載置した状態で停止する。

基板のＳ搬入を終えたら、真空ポンプを稼動させて処理容器２０の内部空間を所定の圧力に調整し、既述の処理ガス供給部４４からエッチング処理用のエッチングガス、例えば塩素ガスを基板Ｓに向けて吐出する。そして第１、第２の高周波電源部３１１、３１２から載置台本体３に高周波電力を供給して基板Ｓの上方側の空間にプラズマを形成し、下記（１）式に示す主要な反応に基づいて基板Ｓに対するエッチング処理を実行する。
３Ｃｌ^＊＋Ａｌ→ＡｌＣｌ_３ …（１）

ガスシャワーヘッド４０から供給されたエッチングガスは、処理容器２０内を降下して基板Ｓに到達し、その表面にてエッチング処理が進行する。そして、エッチングガスは基板Ｓの表面を伝いながら周縁部側へと流れ、基板Ｓを取り囲むように載置された整流壁部５に到達したところで流れが遮られる。整流壁部５にて流れが遮られることにより、当該整流壁部５の内側の領域、即ち基板Ｓの周縁部にはエッチングガスの流速が遅くなるガス溜まり領域が形成されて、基板Ｓ周縁部のエッチング速度を遅くすることができる。この結果、基板Ｓの中央側とのエッチング速度の差が小さくなって、ローディング効果が抑制されることとなる。

整流壁部５の内側にできたガス溜まりは、やがて上下に積み上げられた上側整流壁５１及び下側整流壁５２を越えて整流壁部５の外側へ溢流し、フォーカスリング３３と処理容器２０との間の空間を通って排気路２４に流れ込み、処理容器２０の外へと排気される。このようにしてプロセスレシピに基づいて所定時間エッチング処理を行ったら、エッチングガスや高周波電力の供給を停止し、処理容器２０内の圧力を元の状態に戻した後、搬入時とは逆の順序で基板Ｓを載置台本体３から外部の搬送手段に受け渡してエッチング処理装置２から搬出し、一連のエッチング処理を終了する。

以上に説明した本実施の形態に係るエッチング処理装置２の一連の動作において、基板Ｓは下側整流壁５２と、この下側整流壁５２から上方側に離れた位置まで上昇させた上側整流壁５１との間に形成される隙間を介して搬入出されるところ、これらの整流壁５１、５２の接触部は、例えば図５（ａ）に示すように背景技術にて説明した窪み部５００よりも下側整流壁５２の高さ分、例えば１０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲の例えば３０ｍｍだけ高い位置にある。背景技術にて説明したように窪み部５００は付着物Ｄが堆積しやすい。

これに対して上述の上側整流壁５１と下側整流壁５２との接触部が存在する位置は、窪み部５００よりも載置台本体３から離れているため窪み部５００と比較して付着物Ｄが堆積しにくく、例えば図５（ｂ）に示すように処理容器２０内に基板Ｓを搬入出する際に上側整流壁５１の昇降動作を行っても当該接触部からは付着物Ｄの巻き上げが殆どなく、基板Ｓの汚染を引き起こしにくい構成となっている。

さらに本実施の形態では、図５（ｂ）に示すように窪み部５００を構成する一方側の部材である下側整流壁５２が載置台（フォーカスリング３３）上に置かれたまま昇降しないため、付着物Ｄがこの窪み部５００内に堆積していたとしても、基板Ｓの搬入出動作に付随してこれらの付着物Ｄが巻き上げられるといったおそれが少なく、この点においても基板Ｓの汚染を引き起こしにくい。

ここで下側整流壁５２の高さが１０ｍｍよりも低いと、上側整流壁５１と下側整流壁５２との接触部の位置が窪み部５００に近くなって当該壁面に付着物Ｄが付着し、また例えば窪み部５００にて形成された付着物Ｄが接触部の位置まで堆積して両整流壁５１、５２の接触部に到達してしまい基板Ｓの汚染を引き起こすおそれが高くなる。一方、下側整流壁５２の高さが５０ｍｍよりも高いと、下側整流壁５２の上端が基板Ｓの搬送経路を遮り、基板Ｓ搬入出時の障害となる。

本実施の形態によれば以下の効果がある。昇降可能に構成された上側整流壁５１が下側整流壁５２を介して載置台（例えば本例ではフォーカスリング３３）の上面から離れた位置に配置されているので、例えば載置台上に直接載置された整流壁を昇降させる場合（例えば本例における下側整流壁５２を昇降させる場合に相当する）と比較して、付着物Ｄの少ない位置にて上側清流壁部５１を昇降させることが可能となり、昇降動作に伴う付着物の巻き上げを抑え、被処理体の汚染を低減することができる。

ここで上側整流壁５１と下側整流壁５２の接触面は水平に限定されるものではなく、斜めでも、階段状になっていてもよい。さらに上側整流壁５１及び下側整流壁５６の厚みも同じ厚さに形成される場合に限定されるものではなく、例えば図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、例えば下側整流壁５２を載置台（本例ではフォーカスリング３３）の周縁部とほぼ同じ位置まで伸びだす扁平な部材にて構成し、この扁平な下側整流壁５２の上面に上側整流壁５１が載置されるようにしてもよい。このように下側整流壁５２を扁平な部材として構成する場合などには、例えば図７に示すように下側整流壁５２をフォーカスリング３３と一体に構成し、例えば下側整流壁５２がフォーカスリング３３の上面から上方へと突出させて、基板Ｓを囲むようにしてもよい。

このほか、基板Ｓに対向する上側整流壁５１と下側整流壁５２との内壁面は面一となっている場合に限定されず、また例えば図８に示すように下側整流壁５２の上端の外周部を切り欠いて、この切り欠いた部分に上側整流壁５１の下端を嵌合させ、接合部からガスを洩れにくくした構成としてもよい。

これらに加え、基板Ｓの搬送経路との干渉を避けるため上側整流壁５１を退避させる手法は、昇降機構を用いて上側整流壁５１を昇降させる場合に限定されない。例えば搬入出口２２に対向する位置に設けられた面の上側整流壁５１を当該搬入出口２２に向けて傾倒可能に構成し、基板Ｓの搬入出時には当該面の上側整流壁５１を倒すことにより退避させてもよい。またこれとは反対に、搬入出口２２に対向する位置に設けられた面の上側整流壁５１の上端を軸支して、基板Ｓの搬入出時には当該面の上側整流壁５１を撥ね上げることにより退避させてもよい。これらの場合には、例えば搬入出側口２２側の整流壁部５のみを上側整流壁５１と下側整流壁５２とに分割し、残る３面の整流壁部５は上下に分割しない構成としてもよい。

なおエッチング処理装置２は、載置台本体３をカソード電極とする場合に限定されず、上部電極４を接地された処理容器２０から電気的に浮いた状態としてプラズマ発生用の第１の高周波電源部３１１に接続する一方、載置台本体３を接地側とすることにより、上部電極４をカソード電極、載置台本体３をアノード電極としてもよい。また、載置台本体３にフォーカスリング３３が設けられていなくてもよい。

さらにまた本発明の処理装置はアルミニウム膜のエッチング処理のみならず、アルミニウム合金、チタン、チタン合金などの金属膜や絶縁膜、半導体膜のエッチングやこれらの積層膜にも適用される。またエッチング処理以外の例えばアッシングやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）など、他の処理ガスを用いて被処理体に対して処理を行う処理に適用することができる。さらにまた被処理体としては角型の基板には限られず、ＦＰＤ基板の他、例えば円形の半導体ウエハなどであってもよい。

実施の形態に係わるエッチング処理装置の構成を示す縦断面図である。 前記エッチンング処理装置の処理容器内部の構造を示す平面図である。 前記処理容器内部の構造を示す斜視図である。 前記エッチング処理装置の作用を示す縦断側面図である。 前記エッチング処理装置に設けられている整流壁部の作用を示す拡大縦断面図である。 前記整流壁部の他の例を示す拡大縦断面図である。 前記整流壁部のさらに他の例を示す拡大縦断面図である。 前記この他の例に係る整流壁部の変形例を示す拡大縦断面図である。 従来のエッチング処理装置の構成を示す縦断面図である。 前記従来のエッチング処理装置で処理される基板の平面図である。 前記従来のエッチング処理装置の処理容器内部の構造を示す斜視図である。 前記従来のエッチング処理装置に設けられている整流壁部の作用を示す拡大縦断面図である。

符号の説明

Ｓ ＦＰＤ基板（基板）
２ エッチング処理装置
３ 載置台
４ 上部電極
５ 整流壁
７ 制御部
２０ 処理容器
３３ フォーカスリング
４０ ガスシャワーヘッド
５１ 上側整流壁
５２ 下側整流壁
５３ 支持部材
５４ 支持棒
６１ 昇降機
５００ 窪み部

Claims (6)

1. 処理容器内に互いに対向して設けられたアノード電極及びカソード電極間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
   前記処理容器の内部に設けられ、アノード電極及びカソード電極の一方をなすと共に、被処理体を載置するための載置台と、
   この載置台上に載置された被処理体の周縁に沿って、この被処理体を囲むように当該載置台上に設けられた下側整流壁と、
   この下側整流壁上に載置され、当該下側整流壁と共に前記載置台上の被処理体を囲む上側整流壁と、
   前記上側整流壁を、下側整流壁上にて被処理体を囲む位置から退避するように移動させる移動機構と、
   を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記移動機構は前記上側整流壁を昇降させる昇降機構により構成され、当該上側整流壁はこの昇降機構によって前記下側整流壁から上方側に離れた位置へと上昇することにより、被処理体を囲む位置から退避することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 被処理体は、前記下側整流壁と、この下側整流壁から上方側に離れた位置まで上昇させた上側整流壁との間の隙間を介して、前記処理容器とその外部との間を搬送されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記下側整流壁は、載置台上における被処理体の載置面からの高さが１０ｍｍ以上、５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記下側整流壁における被処理体側の壁面と、上側整流壁における被処理体側壁面とは、両整流壁の接触部を跨いで面一になっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記載置台は、この載置台の一部を構成し、当該載置台上に載置される被処理体の周縁部に位置するように設けられた絶縁体からなるフォーカスリングを備え、前記下側整流壁は、このフォーカスリングと一体に形成され、当該フォーカスリングの上面から上方へと突出していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。

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