JP7437985B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7437985B2
JP7437985B2 JP2020045381A JP2020045381A JP7437985B2 JP 7437985 B2 JP7437985 B2 JP 7437985B2 JP 2020045381 A JP2020045381 A JP 2020045381A JP 2020045381 A JP2020045381 A JP 2020045381A JP 7437985 B2 JP7437985 B2 JP 7437985B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wall
processing apparatus
area
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020045381A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021150319A (ja
Inventor
誠治 田中
悠 依田
健二 増澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020045381A priority Critical patent/JP7437985B2/ja
Priority to TW110107442A priority patent/TW202143302A/zh
Priority to KR1020210028941A priority patent/KR102519769B1/ko
Priority to CN202110250009.8A priority patent/CN113410161A/zh
Publication of JP2021150319A publication Critical patent/JP2021150319A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7437985B2 publication Critical patent/JP7437985B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
特許文献１は、基板が載置される載置台上に基板を囲むように整流壁を設けて、基板の露出表面上においてエッチングガスを滞留させる技術が開示されている。
特開２０１３－２４３１８４号公報
本開示は、基板に対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制する技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、処理容器と、載置台と、整流壁とを有する。載置台は、処理容器内に配置され、基板を載置する載置領域が画定される。整流壁は、載置台の載置領域を囲む周辺領域上に、載置領域側から載置台の外周側に貫通する間隙を設けて載置領域を囲むように配置される。
本開示によれば、基板に対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制できる。
図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成の一例を示す垂直断面図である。 図２は、実施形態に係る載置台の構成の一例を示す図である。 図３は、実施形態に係る載置の構成の一例を模式的に示した拡大図である。 図４Ａは、比較例１の構成の一例を概略的に示した図である。 図４Ｂは、比較例１の構成での処理特性の変化の一例を示す図である。 図５Ａは、比較例２の構成の一例を概略的に示した図である。 図５Ｂは、比較例２の構成での処理特性の変化の一例を示す図である。 図６Ａは、本実施形態の構成の一例を概略的に示した図である。 図６Ｂは、本実施形態の構成での処理特性の変化の一例を示す図である。 図７は、本実施形態に係る整流壁の寸法や配置位置を説明する図である。 図８は、実施形態に係るプラズマ処理装置に基板を搬送する流れを示す図である。
以下、図面を参照して本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。
液晶パネルや半導体装置の製造では、プラズマエッチングなどの基板処理が実施される。例えば、プラズマエッチングでは、プラズマを利用して基板や基板上に形成された薄膜等の食刻を行なう。
ところで、基板処理では、基板の中央付近と外縁付近で基板処理の不均一が発生する場合がある。例えば、プラズマエッチングでは、ローディング効果により、基板の周辺領域で中央付近よりもエッチングレートが高くなる。そこで、特許文献１の技術を用いて、基板が載置される載置台上に基板を囲むように整流壁を設けて、基板の露出表面上において処理室内のガスを滞留させることで、エッチングレートを均一化できる。
しかし、載置台上に基板を囲むように整流壁を設けた場合、整流壁にエッチング処理により発生した生成物が付着して徐々に堆積し、堆積した生成物がパーティクルの原因となる場合がある。このため、基板処理装置は、堆積した生成物を取り除くメンテナンスが定期的に必要となる。基板処理装置は、整流壁への生成物の堆積速度が速い場合、メンテナンスの周期が短くなり、生産性が低下する。そこで、基板に対するエッチングなどの基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制することが期待されている。
［装置の構成］
実施形態に係る基板処理装置について説明する。以下では、基板処理装置をプラズマ処理装置１０とし、基板処理としてプラズマエッチングなどのプラズマ処理を実施する場合を主な例に説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の概略構成の一例を示す垂直断面図である。本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、誘導結合プラズマを生成して、例えば、ＦＰＤ用ガラス基板のような矩形の基板に対しエッチング処理やアッシング処理等のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置として構成される。
プラズマ処理装置１０は、導電性材料、例えば、内壁面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な本体容器１を有する。本体容器１は、分解可能に組み立てられており、接地線１ａにより接地されている。本体容器１は、誘電体壁２により上下にアンテナ室３および処理室４に区画されている。誘電体壁２は、処理室４の天井壁を構成している。誘電体壁２は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス、石英等で構成されている。
本体容器１におけるアンテナ室３の側壁３ａと処理室４の側壁４ａとの間には内側に突出する支持棚５が設けられている。支持棚５の上には、誘電体壁２が載置される。
誘電体壁２の下側部分には、処理ガス供給用のシャワー筐体１１が嵌め込まれている。シャワー筐体１１は、十字状に設けられており、誘電体壁２を下から支持する構造、例えば、梁構造となっている。なお、上記誘電体壁２を支持するシャワー筐体１１は、複数本のサスペンダ（図示せず）により本体容器１の天井に吊された状態となっている。支持棚５およびシャワー筐体１１は、誘電体部材で被覆されていてもよい。
シャワー筐体１１は、導電性材料、望ましくは金属、例えば汚染物が発生しないように内面または外面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。シャワー筐体１１には、水平に伸びるガス流路１２が形成されている。ガス流路１２には、下方に向かって延びる複数のガス吐出孔１２ａが連通している。一方、誘電体壁２の上面中央には、ガス流路１２に連通するようにガス供給管２０ａが設けられている。ガス供給管２０ａは、本体容器１の天井から外側へ貫通し、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理ガス供給系２０に接続されている。したがって、プラズマ処理において、処理ガス供給系２０から供給された処理ガスは、ガス供給管２０ａを介してシャワー筐体１１のガス流路１２に供給され、シャワー筐体１１の下面に形成されたガス吐出孔１２ａから処理室４内へ吐出される。
アンテナ室３内には、高周波（ＲＦ）アンテナ１３が配設されている。高周波アンテナ１３は、銅やアルミニウム等の良導電性の金属からなるアンテナ線１３ａを環状や渦巻状等の従来用いられる任意の形状に配置して構成される。高周波アンテナ１３は、複数のアンテナ部を有する多重アンテナであってもよい。
アンテナ線１３ａの端子１３ｂには、アンテナ室３の上方へ延びる給電部材１６が接続されている。給電部材１６の上端には、給電線１９より高周波電源１５が接続されている。また、給電線１９には、整合器１４が設けられている。さらに、高周波アンテナ１３は、絶縁部材からなるスペーサ１７により誘電体壁２から離間している。プラズマ処理の際、高周波アンテナ１３には、高周波電源１５から、例えば、周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、処理室４内には、誘導電界が形成され、誘導電界によりシャワー筐体１１から供給された処理ガスがプラズマ化されて、誘導結合プラズマが生成される。
処理室４内の底壁４ｂ上には、誘電体壁２を挟んで高周波アンテナ１３と対向するように、載置台２３が設けられている。載置台２３は、矩形状の基板Ｇを載置するための載置面２３ａを上面に有する。載置台２３は、導電性部材２２と絶縁体部材２４とを有する。導電性部材２２は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成され、平板状に形成されている。絶縁体部材２４は、導電性部材２２の側面から下面の周辺部分を覆うにように形成されている。載置台２３は、絶縁体部材２４を介して導電性部材２２が処理室４内に固定されている。載置台２３に載置された基板Ｇは、静電チャック（図示せず）により吸着保持される。
載置台２３は、載置面２３ａに基板Ｇを囲むように整流壁６０が配置されている。整流壁６０は、間隔を空けて載置面２３ａに設けられた後述する複数の支持部材６１（図２参照）により支持されており、載置面２３ａとの間に間隙６２を設けて配置されている。
載置台２３は、基板Ｇの搬入出のための後述するリフターピン５０（図８参照）が、本体容器１の底壁４ｂ、絶縁体部材２４を介して挿通されている。リフターピン５０は、本体容器１外に設けられた昇降機構（図示せず）により昇降駆動して基板Ｇの搬入出を行うようになっている。なお、載置台２３は、昇降機構により昇降可能な構造としてもよい。
載置台２３には、給電線２５により、整合器２６を介してバイアス用の高周波電源２７が接続されている。高周波電源２７は、プラズマ処理中に、高周波バイアス（バイアス用高周波電力）を載置台に印加する。高周波バイアスの周波数は、例えば３．２ＭＨｚである。処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンは、バイアス用の高周波電力により、効果的に基板Ｇに引き込まれる。
また、載置台２３内には、基板Ｇの温度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設けられている（いずれも図示せず）。
さらに、載置台２３は、基板Ｇが載置された際に、基板Ｇの裏面側に冷却空間（図示せず）が形成される。冷却空間には、例えばＨｅやＮ２などの熱伝達用ガスを所定の圧力で供給するためのガス流路２８が接続されている。このように、基板Ｇの裏面側に熱伝達用ガスを供給することにより、真空下において基板Ｇの温度制御性を良好にすることができる。
処理室４の底壁４ｂの底部中央には、開口部４ｃが形成されている。給電線２５、ガス流路２８、および温度制御機構の配管や配線は、開口部４ｃを通して本体容器１外に導出される。
処理室４の四つの側壁４ａのうち１つには、基板Ｇを搬入出するための搬入出口２９ａおよびそれを開閉するゲートバルブ２９が設けられている。
処理室４の載置台２３の周囲には、排気口３０が設けられている。例えば、処理室４の底壁４ｂには、載置台２３の側面に沿って排気口３０が設けられている。排気口３０は、載置台２３の載置面２３ａよりも低い位置となるように、底壁４ｂに設けられている。排気口３０には、開口バッフル板３０ａが設けられている。開口バッフル板３０ａは、多数のスリットが形成された部材や、メッシュ部材、多数のパンチング孔を有する部材により形成されており、排気が通過可能とされると同時にプラズマが通過することを抑制している。
排気口３０には、排気部４０が接続されている。排気部４０は、排気口３０に接続された排気配管３１と、排気配管３１の開度を調整することにより処理室４内の圧力を制御する自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２と、排気配管３１を介して処理室４内を排気する真空ポンプ３３とを有している。そして、真空ポンプ３３により処理室４内が排気され、プラズマ処理中、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２の開度を調整して処理室４内を所定の真空雰囲気に設定、維持される。
実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなる制御部１００、ユーザーインターフェース１０１、記憶部１０２を有している。制御部１００は、プラズマ処理装置１０の各構成部、例えば、バルブ、高周波電源１５、高周波電源２７、真空ポンプ３３等に指令を送り、これらを制御する。また、ユーザーインターフェース１０１は、オペレータによるプラズマ処理装置１０を管理するためのコマンド入力等の入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有する。ユーザーインターフェース１０１は、制御部１００に接続されている。記憶部１０２は、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理を制御部１００の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置１０の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわち処理レシピが格納されている。記憶部１０２は、制御部１００に接続されている。処理レシピは、記憶部１０２の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、コンピュータに内蔵されたハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース１０１からの指示等にて任意の処理レシピを記憶部１０２から呼び出して制御部１００に実行させることで、制御部１００の制御下で、プラズマ処理装置１０での所望の処理が行われる。
次に、実施形態に係る整流壁６０の詳細について説明する。図２は、実施形態に係る載置台２３の構成の一例を示す図である。図２には、載置台２３を上方（シャワー筐体１１側）から見た図が示されている。載置台２３は、載置面２３ａの中央付近に基板Ｇを載置する載置領域２３ａａが画定されている。基板Ｇは、液晶パネルの製造に用いる場合、長方形に形成される。載置台２３は、基板Ｇに対応して載置面２３ａが短辺および長辺を有する矩形状に形成されている。載置領域２３ａａは、基板Ｇと同じように短辺および長辺を有する矩形状とされている。
載置台２３は、載置面２３ａの載置領域２３ａａを囲む周辺領域２３ａｂ上に、載置領域２３ａａを囲むように整流壁６０が配置される。本実施形態では、整流壁６０が、載置領域２３ａａの短辺に沿って配置された２つの短辺壁部７０と、載置領域２３ａａの長辺に沿って配置された２つの長辺辺壁部７１と、載置領域２３ａａの角部分に対応して配置された４つの角壁部７３ とにより構成されている。短辺壁部７０、長辺辺壁部７１および角壁部７３は、円柱状の複数の支持部材６１により支持されて周辺領域２３ａｂから離間して配置されている。支持部材６１は、必ずしも水平断面が円形であることに限られないが、少なくとも、通過するガス流が澱むことを避けるため角部を有しない形状であることが必要であり、円形の他は、例えば楕円形など凹部を有さない曲線により構成された形状であることが望ましい。
図３は、実施形態に係る載置台２３の構成の一例を模式的に示した拡大図である。載置台２３の載置面２３ａは、載置領域２３ａａが設けられ、載置領域２３ａａの外側に周辺領域２３ａｂが設けられている。載置台２３の載置面２３ａは、平坦な平面とされており、載置領域２３ａａと周辺領域２３ａｂが連続した平面を構成する。
載置台２３の周辺領域２３ａｂ上には、整流壁６０が配置される。整流壁６０は、断面形状が矩形とされており、上面６０ａ、２つの側面６０ｂ、６０ｃ、下面６０ｄがそれぞれ略平坦に形成されている。整流壁６０は、支持部材６１により周辺領域２３ａｂと離間させて配置されている。整流壁６０を周辺領域２３ａｂから離間させていることで、周辺領域２３ａｂと整流壁６０との間には、載置領域２３ａａ側から載置台２３の外周側に貫通する間隙６２が設けられている。本実施形態では、周辺領域２３ａｂの全周に間隙６２を設ける場合を例に説明するが、必ず周辺領域２３ａｂの全周に間隙６２を設ける必要はない。例えば、他の部品の配置領域を確保するため、周辺領域２３ａｂの一部で間隙６２がなくてもよい。
次に、以上のように構成されるプラズマ処理装置１０を用いて基板Ｇに対してプラズマ処理、例えばプラズマエッチングを施す際の処理動作について説明する。
まず、プラズマ処理装置１０は、ゲートバルブ２９を開にした状態とする。基板Ｇは、搬送機構（図示せず）により搬入出口２９ａから処理室４内に搬入され、載置台２３の載置面２３ａに載置される。プラズマ処理装置１０は、静電チャック（図示せず）により基板Ｇを載置台２３上に固定する。次に、プラズマ処理装置１０は、処理ガス供給系２０からシャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して処理ガスを処理室４内に供給する。また、プラズマ処理装置１０は、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２により圧力を制御しつつ排気口３０から排気配管３１を介して真空ポンプ３３により処理室４内を真空排気することにより、処理室内を例えば０．６６～２６．６Ｐａ程度の圧力雰囲気に維持する。
また、このとき、プラズマ処理装置１０は、基板Ｇの温度上昇や温度変化を回避するために、ガス流路２８を介して、基板Ｇの裏面側の冷却空間に熱伝達用ガスを供給する。
次いで、プラズマ処理装置１０は、高周波電源１５から、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波を高周波アンテナ１３に印加し、これにより誘電体壁２を介して処理室４内に均一な誘導電界を形成する。このようにして形成された誘導電界により、処理室４内で処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。このプラズマにより、基板Ｇに対してプラズマ処理、例えば基板Ｇの所定の膜に対しプラズマエッチングが行われる。このとき同時に、プラズマ処理装置１０は、高周波電源２７から高周波バイアスとして、例えば周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を載置台２３に印加して、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Ｇに引き込まれるようにする。
ここで、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、載置台２３の周辺領域２３ａｂに整流壁６０を設けている。この整流壁６０が無い場合、プラズマ処理装置１０は、ローディング効果により、基板Ｇの周辺領域で中央付近よりもエッチングレートが高くなる。図４Ａは、比較例１の構成の一例を概略的に示した図である。図４Ａは、比較例１として、載置台２３の周辺領域２３ａｂに整流壁６０を配置していない場合を示している。比較例１の構成としたプラズマ処理装置１０は、載置面２３ａに載置された基板Ｇに対してプラズマ処理を実施した場合、基板Ｇの周辺領域でプラズマ処理の処理特性が変化する場合がある。例えば、比較例１のプラズマ処理装置１０は、載置面２３ａに載置された基板Ｇに対して、プラズマエッチングを実施した場合、基板Ｇの周辺領域では中心領域に対して処理室４の内部の処理室内ガスの排気速度が高く反応生成物などが基板Ｇの近傍から速やかに除去されるため、プラズマ中の未反応の反応種（反応に寄与するラジカルやイオンなど）の割合が多くなる。そのため、ローディング効果により、基板Ｇの周辺領域でエッチングレートが高くなり、基板Ｇの面内のエッチングの均一性が低下（不均一な割合の増加）する。図４Ｂは、比較例１の構成での処理特性の変化の一例を示す図である。図４Ｂには、処理特性として、基板Ｇに対するプラズマエッチングのエッチングレート（Ｅ／Ｒ）の変化を示す曲線Ｌ１が示されている。曲線Ｌ１に示すように、エッチングレートは、基板Ｇの周辺領域で中央付近よりも高くなる。
基板Ｇに対する基板処理の処理特性が中央付近と外縁付近で異なる場合、基板Ｇの上に形成されるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子などの特性が中央付近と外縁付近で変化してしまう。基板処理は、基板Ｇに対する処理の均一性が高いことが好ましい。例えば、高精細な液晶パネル向けに、基板Ｇ上のＴＡＴ（チタン・アルミ・チタン）膜を加工してＳＤ(ソース・ドレイン)を形成するプロセスのプラズマエッチングでは、高い均一性が求められる。しかし、ＴＡＴ膜のプラズマエッチングでは、外周部がローディング効果により周辺領域で中央付近よりもエッチングレートが高くなる。
そこで、例えば、特許文献１のように、基板が載置される載置台上に基板を囲むように整流壁を設けることが考えられる。図５Ａは、比較例２の構成の一例を概略的に示した図である。図５Ａは、比較例２として、載置台２３の周辺領域２３ａｂに整流壁６０を配置した場合を示している。比較例２では、周辺領域２３ａｂに間隙６２を設けず、整流壁６０を直接配置している。比較例２の構成としたプラズマ処理装置１０は、整流壁６０によって基板Ｇの露出表面上において処理室内ガスを滞留することで、エッチングレートを均一化できる。図５Ｂは、比較例２の構成での処理特性の変化の一例を示す図である。図５Ｂには、処理特性として、基板Ｇに対するプラズマエッチングのエッチングレート（Ｅ／Ｒ）の変化を示す曲線Ｌ２が示されている。曲線Ｌ２に示すように、エッチングレートは、図４Ｂに示した比較例１と比較して、基板Ｇの周辺領域と中央付近で均一化される。
しかし、比較例２のように間隙６２を設けず整流壁６０を周辺領域２３ａｂに直接配置した場合、整流壁６０に生成物が付着して徐々に堆積し、堆積した生成物がパーティクルの原因となる場合がある。例えば、整流壁６０は、処理室内ガスを滞留することで、基板Ｇ側の側面６０ｃや上面６０ａに生成物が堆積する。このため、プラズマ処理装置１０は、定期的に堆積した生成物を取り除くメンテナンスが必要となる。プラズマ処理装置１０は、整流壁６０への生成物の堆積速度が速い場合、メンテナンスの周期が短くなり、生産性が低下する。
そこで、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、載置台２３の周辺領域２３ａｂ上に、載置領域２３ａａ側から載置台２３の外周側に貫通する間隙６２を設けて整流壁６０を配置する。図６Ａは、本実施形態の構成の一例を概略的に示した図である。周辺領域２３ａｂ上に整流壁６０を配置した場合、整流壁６０によって基板Ｇの露出表面上において処理室内ガスが一時的に滞留することで、エッチングレートを均一化できる。図６Ｂは、本実施形態の構成での処理特性の変化の一例を示す図である。図６Ｂには、処理特性として、基板Ｇに対するプラズマエッチングのエッチングレート（Ｅ／Ｒ）の変化を示す曲線Ｌ３が示されている。曲線Ｌ３に示すように、エッチングレートは、図４Ｂに示した比較例１と比較して、基板Ｇの周辺領域と中央付近のエッチングレートが均一化される。
また、本実施形態の構成の場合、図６Ａに示すように、一時的に滞留した処理室内ガスは、間隙６２を通り、載置台２３の外側へ排気される。これにより、整流壁６０への生成物の堆積が抑制され、整流壁６０の側面６０ｃや上面６０ａの生成物の堆積速度が低下する。これにより、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、堆積した生成物を取り除くメンテナンスの周期を長くでき、生産性の低下を抑制できる。
このように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、基板Ｇに対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制できる。
整流壁６０の寸法や配置位置は、基板Ｇの周辺領域でのエッチングレートの状況や生成物の堆積の状況に応じて、適宜定めればよい。図７は、本実施形態に係る整流壁６０の寸法や配置位置を説明する図である。図７には、整流壁６０の基板Ｇ側の側面６０ｃと基板Ｇを載置する載置領域２３ａａとの間隔が、間隔Ａと示されている。また、整流壁６０の上面６０ａの載置台２３の載置面２３ａから高さが、全高Ｂと示されている。整流壁６０の下面６０ｄと周辺領域２３ａｂとの間隙６２の距離が、間隔Ｃと示されている。整流壁６０の幅が、幅Ｄと示されている。
例えば、整流壁６０は、間隔Ａが５―１５ｍｍで配置される。また、整流壁６０は、間隔Ｃが１―１０ｍｍとなり、全高Ｂが２０―５０ｍｍとなるように形成される。また、整流壁６０は、幅Ｄが８ｍｍ以上で形成される。なお、整流壁６０は、図７に示すように、載置台２３に配置した場合に外側の側面６０ｂと載置台２３の側面２３ｂとに段差が無いフラットな状態となる幅で形成することが好ましい。ここで、例えば、載置台２３の側面６０ｂを載置台２３の側面２３ｂよりも基板Ｇ側に配置して、側面６０ｂと側面２３ｂに段差を設けた場合、エッチングガスが整流壁６０を超えて排気口３０に排気される際に、排気の流れが側面６０ｂと側面２３ｂの段差で屈曲する。この場合、段差となる載置台２３の載置面２３ａの外縁に生成物が堆積する。プラズマ処理装置１０は、載置台２３の側面６０ｂと載置台２３の側面２３ｂを段差が無いフラットな状態にすると、排気の流れが屈曲せずにスムーズになるため、載置台２３の載置面２３ａの外縁での生成物の堆積を抑制できる。
間隔Ａ、全高Ｂ、間隔Ｃおよび幅Ｄは、基板Ｇのサイズ等に応じて適切な値に設計される。例えば、実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、基板Ｇのサイズを第６世代のサイズ（例えば、１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）とした場合、間隔Ａを８ｍｍとし、全高Ｂを３０ｍｍとし、間隔Ｃを１０ｍｍとする。
本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、載置台２３の周辺領域２３ａｂに間隙６２を設けて整流壁６０を固定配置する。整流壁６０は、他の部材と干渉ないように配置すること必要がある。例えば、処理室４は、基板Ｇを搬入出する搬入出口２９ａが少なくとも１つの側壁４ａに設けられる。整流壁６０は、基板Ｇや基板Ｇを搬送するアームなどの搬送機構と干渉しないように上面６０ａが搬入出口２９ａよりも低い位置となるようにする。図８は、実施形態に係るプラズマ処理装置１０に基板Ｇを搬送する流れを示す図である。基板Ｇは、アーム９０により搬入出口２９ａから処理室４内に搬入される（図８（Ａ））。プラズマ処理装置１０は、載置台２３のリフターピン５０を上昇させてアーム９０から基板Ｇを受け取る（図８（Ｂ））。アーム９０が搬入出口２９ａから退出した後、プラズマ処理装置１０は、リフターピン５０を下降させて基板Ｇが載置台２３に載置する。本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、整流壁６０を上面６０ａが搬入出口２９ａよりも低い位置となるように形成および配置することで、基板Ｇを搬入出する際に整流壁６０と基板Ｇやアーム９０との干渉を防止できる。より詳細には、少なくとも、整流壁６０の上面６０ａは搬入出口２９ａの上端よりは低い位置にあることが必要であるが、アーム９０の動作経路に干渉しない位置であれば搬入出口２９ａの下端よりも高い位置であってもよい。
ここで、整流壁６０と他の部材と干渉を防止しようとした場合、整流壁６０を移動させる移動機構を設けて干渉が発生する際に整流壁６０を移動させる構成が考えられる。例えば、基板Ｇを搬送する際に、整流壁６０を昇降する移動機構を設けて、基板Ｇやアーム９０と干渉ない位置まで整流壁６０を上昇させることが考えられる。しかし、移動機構は、パーティクルの発生源となる虞があり、処理室４内に設けることが好ましくない。
一方、本実施形態では、載置台２３に間隙６２を設けて整流壁６０を固定配置することで、処理室４内に昇降機構を設ける必要が無いため、パーティクルの発生を抑制できる。
なお、上記実施形態では、基板処理装置をプラズマ処理装置１０とし、基板処理としてプラズマエッチングなどのプラズマ処理を実施する場合を例に説明した。しかし、開示の技術は、これに限られず、プラズマを用いる成膜や改質など各種の基板処理に適用することができる。すなわち、基板処理装置は、プラズマを用いて成膜を行う成膜装置や、改質装置等であってもよい。また、上記の実施形態では、アンテナ室３と処理室４の間に誘電体による誘電体壁２を設けたが、誘電体の代わりに金属壁を設けた誘導結合プラズマ装置であてもよい。
また、上記実施形態では、基板ＧとしてＦＰＤ用の矩形基板を用いた例を示したが、他の矩形基板を処理する場合にも適用可能である。また、基板Ｇは、矩形に限らず例えば半導体ウエハ等の円形の基板にも適用可能である。
以上のように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０（基板処理装置）は、処理室４（処理容器）と、載置台２３と、整流壁６０とを有する。載置台２３は、処理室４内に配置され、基板Ｇを載置する載置領域２３ａａが画定される。整流壁６０は、載置台２３の載置領域２３ａａを囲む周辺領域２３ａｂ上に、載置領域２３ａａ側から載置台２３の外周側に貫通する間隙６２を設けて載置領域２３ａａを囲むように配置される。これにより、プラズマ処理装置１０は、基板Ｇに対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制できる。
また、整流壁６０は、周辺領域２３ａｂと整流壁６０との間に設けられた支持部材６１により支持されることで間隙６２が設けられている。これにより、プラズマ処理装置１０は、載置台２３の周辺領域２３ａｂとの間に間隙６２を設けて整流壁６０を安定して配置できる。
また、載置台２３は、載置領域２３ａａと周辺領域２３ａｂが連続した平面を構成する。整流壁６０は、下面６０ｄが平坦とされている。これにより、プラズマ処理装置１０は、周辺領域２３ａｂに平行な間隙６２を載置領域２３ａａから直線的に形成でき、処理室内ガスが間隙６２をスムーズに通過するため、生成物の堆積を抑制できる。
また、整流壁６０は、上面６０ａの周辺領域２３ａｂからの高さが２０ｍｍ以上であり、間隙６２の間隔が１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。これにより、プラズマ処理装置１０は、基板Ｇに対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制できる。
また、処理室４は、基板Ｇを搬入出する搬入出口２９ａが少なくとも１つの側壁４ａに設けられている。整流壁６０は、上面６０ａが搬入出口２９ａよりも低い位置とされている。これにより、プラズマ処理装置１０は、搬入出口２９ａから基板Ｇを搬入出する際に整流壁６０と基板Ｇや基板Ｇを搬送するアーム９０との干渉を防止できる。
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、上記実施形態では、周辺領域２３ａｂと整流壁６０との間に設けられた支持部材６１により間隙６２を設けて整流壁６０を支持する場合を例に説明した。しかし、開示の技術は、これに限られない。整流壁６０は、処理室４の側壁４ａと整流壁６０との間に支持部材により間隙６２が設けて支持されてもよい。例えば、整流壁６０は、処理室４の側壁４ａに支持部材を設け、側壁４ａから支持部材により、間隙６２を設けて整流壁６０を支持してもよい。
また、上記実施形態では、間隙６２を周辺領域２３ａｂの全周に設ける場合を例に説明した。しかし、開示の技術は、これに限られない。間隙６２は、載置面２３ａの周辺領域２３ａｂに部分的に設けてもよい。間隙６２は、生成物の堆積が多い部分に少なくとも設ければよい。例えば、間隙６２は、載置面２３ａの周辺領域２３ａｂの短辺、長辺、角部分の何れで生成物の堆積が多い場合、短辺、長辺、角部分の何れに設けてもよい。例えば、短辺壁部７０のみを支持部材６１により間隙６２を設けて支持させることで短辺にのみ間隙６２を設けることができる。また、長辺辺壁部７１のみを支持部材６１により間隙６２を設けて支持させることで長辺にのみ間隙６２を設けることができる。また、角壁部７３のみを支持部材６１により間隙６２を設けて支持させることで角部分にのみ間隙６２を設けることができる。なお、間隙６２を部分的に設ける壁部が軽量の場合は、間隙６２を設ける壁部を隣接する壁部により支持することも考えられるが、間隙６２を部分的に設ける壁部が軽量でない場合には支持部材６１により壁部を支持して間隙６２を設けることが望ましい。
また、上記実施形態では、間隙６２の間隔Ｃを載置領域２３ａａ側から載置台２３の外周側に一定とした場合を例に説明した。しかし、開示の技術は、これに限られない。間隙６２の間隔Ｃが１―１０ｍｍであれば、間隔Ｃが必ずしも一定でなくてもよい。例えば、間隙６２は、間隔Ｃが載置領域２３ａａ側から載置台２３の外周側に徐々に狭くなるようにしてもよい。例えば、整流壁６０の下面６０ｄを載置台２３の外周側に傾斜するように形成して、間隙６２の形状を間隔Ｃが載置台２３の外周側に徐々に狭くなるテーパ状にしてもよい。このような構成の場合、間隙６２に生成物が若干堆積しやすくなるが、間隔Ｃが狭くなる外周側に生成物が主に堆積するため、パーティクルとなる生成物の堆積位置を基板Ｇから離すことができる。このため、このような構成の場合でも、プラズマ処理装置１０は、堆積した生成物を取り除くメンテナンスの周期を長くでき、生産性の低下を抑制できる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１０ プラズマ処理装置
４ 処理室
４ａ 側壁
２３ 載置台
２３ａ 載置面
２３ａａ 載置領域
２３ａｂ 周辺領域
２９ａ 搬入出口
６０ 整流壁
６０ａ 上面
６０ｂ、６０ｃ 側面
６０ｄ 下面
６１ 支持部材
６２ 間隙
７０ 短辺壁部
７１ 長辺辺壁部
７３ 角壁部
９０ アーム
Ｇ 基板

Claims (5)

  1. 基板を搬入出する搬入出口が少なくとも１つの側壁に設けられた処理容器と、
    前記処理容器内に配置され、前記基板を載置する載置領域が画定された載置台と、
    前記載置台の前記載置領域を囲む周辺領域上に、前記載置領域側から前記載置台の外周側に貫通する間隙を設けて前記載置領域を囲むように配置された整流壁と、を有し、
    前記整流壁は、上面が前記搬入出口よりも低い位置とされ、且つ、前記上面の前記周辺領域からの高さが２０ｍｍ以上であり、前記間隙の間隔が１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である
    基板処理装置。
  2. 前記整流壁は、前記周辺領域と前記整流壁との間に設けられた支持部材により支持されることで前記間隙が設けられた
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記整流壁は、前記処理容器の側壁と前記整流壁との間に設けられた支持部材により支持されることで前記間隙が設けられた
    請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記載置台は、前記載置領域と前記周辺領域が連続した平面を構成し、
    前記整流壁は、下面が平坦とされた
    請求項１～３の何れか１つに記載の基板処理装置。
  5. 基板を搬入出する搬入出口が少なくとも１つの側壁に設けられ、前記基板を載置する載置領域が画定された載置台が内部に配置された処理容器を有する基板処理装置により前記基板を処理する基板処理方法であって、
    前記載置台の前記載置領域を囲む周辺領域上に、前記載置領域側から前記載置台の外周側に貫通する間隙が設けられ、上面が前記搬入出口よりも低い位置とされ、且つ、前記上面の前記周辺領域からの高さが２０ｍｍ以上であり、前記間隙の間隔が１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である整流壁を前記載置領域を囲むように配置し、
    前記基板を処理する処理ガスを前記処理容器内に導入する
    基板処理方法。
JP2020045381A 2020-03-16 2020-03-16 基板処理装置および基板処理方法 Active JP7437985B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020045381A JP7437985B2 (ja) 2020-03-16 2020-03-16 基板処理装置および基板処理方法
TW110107442A TW202143302A (zh) 2020-03-16 2021-03-03 基板處理裝置及基板處理方法
KR1020210028941A KR102519769B1 (ko) 2020-03-16 2021-03-04 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN202110250009.8A CN113410161A (zh) 2020-03-16 2021-03-08 基片处理装置和基片处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020045381A JP7437985B2 (ja) 2020-03-16 2020-03-16 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021150319A JP2021150319A (ja) 2021-09-27
JP7437985B2 true JP7437985B2 (ja) 2024-02-26

Family

ID=77691423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020045381A Active JP7437985B2 (ja) 2020-03-16 2020-03-16 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7437985B2 (ja)
KR (1) KR102519769B1 (ja)
CN (1) CN113410161A (ja)
TW (1) TW202143302A (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243364A (ja) 2002-02-15 2003-08-29 Seiko Epson Corp 整流ウォール及びドライエッチング装置並びに該装置を用いた電気光学装置の製造方法
JP2005033062A (ja) 2003-07-08 2005-02-03 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法
JP2003503840A5 (ja) 2000-06-29 2007-11-15
JP2012222235A (ja) 2011-04-12 2012-11-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2013149634A (ja) 2010-05-11 2013-08-01 Sharp Corp ドライエッチング装置
JP2018186221A (ja) 2017-04-27 2018-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316625A (ja) * 1986-07-09 1988-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング用電極
US5173336A (en) * 1991-01-22 1992-12-22 Santa Barbara Research Center Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor with recirculation suppressing flow guide
JP2638443B2 (ja) * 1993-08-31 1997-08-06 日本電気株式会社 ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
JP3665672B2 (ja) * 1995-11-01 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US6257168B1 (en) * 1999-06-30 2001-07-10 Lam Research Corporation Elevated stationary uniformity ring design
KR20020024620A (ko) * 2000-09-26 2002-04-01 윤종용 반도체 제조를 위한 식각 장치
JP4025030B2 (ja) * 2001-04-17 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置及び搬送アーム
CN100576438C (zh) * 2006-11-15 2009-12-30 应用材料股份有限公司 增强磁控制等离子体径向分布的约束挡板和流动均衡器
JP2009054720A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP5256866B2 (ja) * 2008-02-05 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP5113016B2 (ja) * 2008-04-07 2013-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5120089B2 (ja) * 2008-06-17 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP5141520B2 (ja) * 2008-12-02 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2013149635A (ja) * 2010-05-11 2013-08-01 Sharp Corp ドライエッチング装置
JP2013243184A (ja) 2012-05-18 2013-12-05 Sharp Corp ドライエッチング装置
JP6305825B2 (ja) * 2014-05-12 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造
CN109037019B (zh) * 2018-07-03 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 干蚀刻设备
CN209708946U (zh) * 2018-12-07 2019-11-29 北京北方华创微电子装备有限公司 用于反应腔室的整流件及反应腔室

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003503840A5 (ja) 2000-06-29 2007-11-15
JP2003243364A (ja) 2002-02-15 2003-08-29 Seiko Epson Corp 整流ウォール及びドライエッチング装置並びに該装置を用いた電気光学装置の製造方法
JP2005033062A (ja) 2003-07-08 2005-02-03 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法
JP2013149634A (ja) 2010-05-11 2013-08-01 Sharp Corp ドライエッチング装置
JP2012222235A (ja) 2011-04-12 2012-11-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2018186221A (ja) 2017-04-27 2018-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113410161A (zh) 2021-09-17
KR102519769B1 (ko) 2023-04-10
KR20210116259A (ko) 2021-09-27
TW202143302A (zh) 2021-11-16
JP2021150319A (ja) 2021-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101891445B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 배기 구조
KR102002216B1 (ko) 기판 승강 기구, 기판 탑재대 및 기판 처리 장치
KR101124754B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치
KR101925972B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 이에 이용되는 배기 구조
KR102061969B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2016225018A (ja) ガス処理装置およびそれに用いる多分割シャワーヘッド
JP2004055895A (ja) 誘導結合プラズマ処理装置
US9859145B2 (en) Cooled pin lifter paddle for semiconductor substrate processing apparatus
JP7437985B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2007042744A (ja) プラズマ処理装置
KR102485714B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR102310388B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2023017479A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20240093834A (ko) 안정적인 섀도우 프레임을 위한 노치형 서셉터 설계
KR20190106694A (ko) 기판 적재 구조체 및 플라스마 처리 장치
JP2020080395A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231019

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240116

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7437985

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150