JP3665672B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜装置及び成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスの一つとして、半導体ウエハ(以下ウエハという)の表面に処理ガスを供給して例えば熱により分解させ、気相反応により薄膜を生成するCVD処理がある。このような処理を行うための従来の枚葉式CVD装置を図7に示すと、この装置では、載置部11に載置されたウエハWを裏面側から例えば加熱ランプ12で透過窓12aを介して加熱し、真空チャンバ13内を排気管14を介して所定の真空度まで真空排気すると共に、ウエハWに対向するガス供給部15より処理ガスを供給して、処理ガスの反応による生成物をウエハW表面に堆積して薄膜を形成するようにしている。
【0003】
ところで枚葉CVD装置には真空チャンバ13の内壁面をウエハの処理温度程度に加熱するホットウオールタイプと前記内壁面を加熱しないコ−ルドウオ−ルタイプとがあるが、コ−ルドウオ−ルタイプの装置が主流である。その理由について述べると、成膜の高速化を図るためには処理温度を高くするかあるいは圧力を高くすることが挙げられるが、処理温度を高くすると、例えばリンをド−プしたポリシリコン膜を成膜する場合には低い抵抗値が得られないなどの不都合がある。
【0004】
一方圧力を例えば10Torr程度まで高くすると、ウエハ表面で起こった処理ガスの反応の中間種が対流の影響により逆拡散するが、このとき内壁面から熱エネルギ−を受けて高次反応が進行し、例えば10Torr程度もの圧力になると、高次反応の進行の度合いが大きく、分子量の大きい高次反応物が多量にウエハ表面に付着し、予定とする薄膜が得られない。
【0005】
これに対してコ−ルドウオ−ルタイプでは、圧力を高くしても中間種が内壁面から受ける熱エネルギ−は小さいのでホットウオ−ルタイプのような問題は起こらない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら真空チャンバ内の圧力を高くすると、対流の影響によりウエハWの熱が内壁面に伝熱して内壁面の温度が上昇する。このため逆拡散した反応中間種が内壁面から受ける熱が小さいとはいえ高次反応が進行し、ポリシリコンと共に高次反応物がウエハW上に堆積されるためステップカバレジ(凹部の埋め込み形状)が悪くなり、パターンの微細化が進んでいることからボイド(空隙)が発生し、歩留まりが低下するという問題がある。
【0007】
更にコ−ルドウオ−ルタイプの場合、ウエハWと内壁面との温度差が大きいため、ウエハエッジからの放熱によりウエハの温度面内均一性が低く、この傾向は処理温度が高い程顕著である。例えば800℃でHTO酸化膜を成膜する場合には、ウエハ面内の温度のばらつきは数十度にもなるため、膜厚の面内均一性が悪いという問題がある。
【0008】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、膜厚の面内均一性の高い技術を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、真空チャンバ内の載置部に載置された被処理基板を加熱しながら被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する成膜装置において、
真空チャンバに形成された開口部を気密に塞ぐ透過窓と、
この透過窓の外側に設けられ、前記被処理基板を加熱するための加熱ランプと、
前記被処理基板を囲むように設けられ、給電されて発熱する発熱体を備えた補助加熱部と、を備えたことを特徴とする。
【0010】
他の発明は、真空チャンバ内に載置された被処理基板を加熱しながら被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する成膜装置において、
抵抗発熱体を備え、被処理基板を載置するための載置部と、
この載置部に載置された被処理基板を囲むように設けられ、給電されて発熱する発熱体を内蔵する補助加熱部と、を備えたことを特徴とする。
【0011】
前記補助加熱部の上端は、例えば前記載置部に載置された被処理基板の表面よりも高く位置している。また本発明では、前記真空チャンバの壁部に形成された流体通路と、この流体通路内に冷却用流体を通流させるための冷却手段と、を備えた構成が好ましい。前記補助加熱部は、例えばセラミック体に抵抗発熱体を設けて構成される。また補助加熱部と被処理基板との間から排気口に連通する排気通路を設ける構成としてもよい。
【0012】
本発明の成膜方法は、真空チャンバ内の載置部に被処理基板を載置する工程と、
次いで真空チャンバに形成された開口部を気密に塞ぐ透過窓の外側から加熱ランプにより前記被処理基板を加熱する工程と、
被処理基板を加熱する工程を行っているときに、被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する工程と、
薄膜を生成する工程を行っているときに、前記被処理基板を囲むように設けられた補助加熱部の表面を、当該補助加熱部に設けられた発熱体を給電により発熱させることにより加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
【0013】
他の発明の成膜方法は、真空チャンバ内の載置部に被処理基板を載置する工程と、
載置部に設けられた発熱体を給電して発熱させることにより前記被処理基板を加熱する工程と、
被処理基板を加熱する工程を行っているときに、被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する工程と、
薄膜を生成する工程を行っているときに、前記被処理基板を囲むように設けられた補助加熱部の表面を、当該補助加熱部に内蔵された発熱体を給電により発熱させることにより加熱する工程と、を含むことを特徴とする。本発明では、薄膜を生成する工程を行っているときに、真空チャンバの壁部内に冷却用流体を通流させることにより当該壁部を冷却することが好ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の実施の形態を示す図である。2は例えばアルミニウムよりなる円筒状の真空チャンバであり、この真空チャンバ2の底部中央は内方に突出した環状部21として形成されている。この環状部21には、その開口部を気密に塞ぐように石英製の透過窓22が設けられると共に、環状部21の上面には、図2に詳しく示すようにウエハWの周縁部4ヶ所を夫々保持する4本の保持アーム31(図1では保持アーム31の一部のみ記載してある)が昇降自在に設けられている。
【0018】
これら保持アーム31は、真空チャンバ2の内壁面付近に沿って配置されたリング体32から内方に伸び出しており、このリング体32は例えば真空チャンバ2の上部に設けられた図示しない昇降手段により、昇降できるようになっている。保持アーム31及びリング体32は、リフタをなすものであり、図示しない搬送アームとの間でウエハWを受け渡すときに前記環状部21より上方に位置し、成膜時には環状部21の上面に位置してウエハWを保持している。この例では4本の保持アーム31は、ウエハWの載置部をなすものである。
【0019】
前記透過窓22の下方側には、加熱手段例えば加熱ランプ23が設けられている。この加熱ランプ23はモータMにより回転されるターンテーブル24上に配設されている。
【0020】
前記環状部21の周縁部には、ウエハWを取り囲むようにリング状の補助加熱部4が設けられている。この補助加熱部4は、例えばリング状のセラミック体の中に、電源部41から給電されて発熱する抵抗発熱体を設けて構成され、上端が例えばプロセス時のウエハW表面と略同じ高さに設定されると共に、内周面がウエハWの外周縁から例えば5ミリメートル離れている。
【0021】
真空チャンバ2の上部には、環状部21と対向するようにシャワーヘッドなどと呼ばれているガス供給部51が設けられている。このガス供給部51は、多数のガス噴射孔52が形成されたガス拡散部50を備え、例えばガス供給管53、54から夫々送られる処理ガスをガス噴射孔52から別々に真空チャンバ2内に供給するように構成されている。前記ガス供給部51の側周部及びガス拡散部50には、温調用の流体を通流させるための流体通路25が形成されている。また真空チャンバ2の側壁と環状部21との間の底面には、真空ポンプ55が介設された排気管56が接続されている。
【0022】
前記真空チャンバ2の例えば上壁及び側壁の内部には、温調用の流体を通流させるための流体通路61が形成されると共に、この流体通路61内に例えばエチレングリコールを主剤とする温調用の流体を循環させるための循環供給路62が接続されている。温調用の流体を流体通路61内に循環させる具体的構成例としては、例えば流体通路61を側壁内に螺旋状に形成し、循環供給路62の一端側及び他端側を夫々流体通路61の上端及び下端に接続する構成などを挙げることができるが、図1では略解して記載してある。またこの循環供給路62は、ガス供給部51に設けられた流体通路25にも接続されており、流体通路25内に温調用の流体が循環するようになっている。
【0023】
前記循環供給路62には、冷却手段例えば熱交換器よりなる冷却器63が設けられており、この冷却器63は循環供給路62の入口側及び出口側に設けられた温度検出部64、65の検出値及び設定値に基づいて、コントローラ66を介して制御されるように構成されている。ただし温調用の流体により真空チャンバ2の壁部の温度を制御する構成としては、真空チャンバ2の壁部の外側に、流体通路を備えた例えば円筒状の通路ユニットを密着して接合してもよいし、流体としては液体に限らず気体であってもよい。
【0024】
次に上述実施の形態の作用について、例えばモノシランガス(SiH4 )及びフォスフィンガス(PH3 )により、リンがドープされたポリシリコン膜を成膜する場合について述べる。先ず図示しない搬送アームにより真空チャンバ2内にウエハWを搬入し、リフタ32の保持アーム31上に受け渡す。そして加熱ランプ23によりウエハWを、例えば640℃程度に加熱すると共に、真空ポンプ55により真空チャンバ2内を真空排気して例えば10Torrの圧力に維持しながらガス供給管53、54より、夫々SiH4 ガス及びPH3 ガスを例えば流量200cc/分及び10cc/分で処理ガス供給部51を介して真空チャンバ内に導入する。
【0025】
このとき補助加熱部4をその表面温度が例えば400℃以上になるように加熱すると共に冷却器63で冷却された冷却用流体を循環供給路62から真空チャンバ2の壁部内の流体通路61及びガス供給部51内の流体通路25内に通流させ、これにより真空チャンバ2の上部及び側部の内壁面を例えば100℃以下に冷却する。こうしてSiH4 が熱分解して、リンガードープされたポリシリコン膜が例えば500オングストローム/分の成膜速度で成膜され、ウエハW表面に例えば厚さ0.1μmの薄膜が形成される。
【0026】
このような実施の形態によれば、ウエハWの表面温度を約620℃にて成膜してもアモルフォス状態にできるため低い抵抗値のリンドープポリシリコン膜が得られ、一方真空チャンバ2内を10Torrの高い圧力にしているため成膜速度が早く、高いスループットが得られる。そして真空チャンバ2内を高い圧力にすると対流の影響でウエハWから真空チャンバ2の内壁面やガス供給部51への伝熱が大きくなるが、真空チャンバ2の壁部及びガス供給部51を冷却しているため、これらの部分の昇温を抑えることができる。このため、ウエハW表面付近でSiH4 の熱分解により中間種が生成され、この中間種が逆拡散していっても真空チャンバ2の壁部やガス供給部51から受ける熱エネルギーは少なく、この結果高次反応の進行が抑制され、良好なステップカバレジ(埋め込み特性)が得られる。
【0027】
このように真空チャンバ2の壁部を冷却するとウエハWと壁部との温度差が大きくなるが、ウエハWの側周面を囲むように補助加熱部4を設けているため、ウエハWから壁部に放熱する熱量が少なくなってウエハWの周縁部の温度低下が抑えられるので、ウエハWの温度面内均一性が高く、従って膜厚について高い面内均一性が得られる。
【0028】
またウエハWの周りには未反応ガスや反応中間種が拡散するが、補助加熱部4の表面を処理ガスの反応が起こる温度以上に加熱しているため、未反応ガスや反応中間種が消費されて薄膜化され、補助加熱部4の表面に付着する。この点からも高次反応が抑制され、ステップカバレジが良好になり、更に薄膜化されることからパーティクルの発生が防止される。またこれらの効果に加え、補助加熱部4を設けることにより加熱ランプ23に要する電力(主電力)が少なくなり、トータルとしての電力を少なくできる利点もある。
【0029】
以上において本発明では、ジクロルシラン(SiH2 Cl2)とアンモニア(NH3 )とを用いてシリコンナイトライド膜(Si3 N4 )を生成するプロセスにも適用できる。このプロセスでは、圧力を例えば10Torrとし、ウエハW表面の温度を例えば650℃〜760℃とし、補助加熱部4の表面温度を例えば500℃とする。この反応では、塩化アンモニウム(NH4 Cl)が副生成物として生成されるので、真空チャンバ2の内壁面及びガス供給部51の表面の温度は、塩化アンモニウムが気化する温度以上であることが必要であり、例えば150℃に設定される。
【0030】
また本発明では、Ta(OC2 H5 )4 とO2 とからTa2 O5 膜を生成するプロセスにも適用できる。このプロセスでは、圧力を例えば10Torrとし、ウエハW表面の温度を例えば450℃とし、真空チャンバ2の内壁面及びガス供給部51の表面温度を200℃とし、補助加熱部4の表面温度を例えば200℃とする。
【0031】
ここで図3及び図4に夫々本発明の他の実施の形態の要部を示す。図3の実施の形態では、補助加熱部4の高さをウエハW表面よりも例えば1ミリメートル高くし、かつ補助加熱部4の底部付近に横方向に貫通する排気路42を、例えばほぼ全周に亘って形成している。図4の実施例では環状部21における補助加熱部4とウエハWとの間と、環状部21の外周部との間を連通する排気路43を例えばほぼ全周に亘って形成している。
【0032】
このような実施の形態によれば、補助加熱部4をウエハW表面よりも高くしているので、ウエハWの周縁部からの放熱がより一層少なくなると共に、ウエハWの近傍のみならず補助加熱部4で囲まれた領域内に気相反応空間を形成できるので、未反応ガスや中間種の逆拡散量が少なくなり、従って高次反応防止効果が大きいので良好なステップのカバレジが得られる。そして補助加熱部4の内側から排気口へ抜ける排気路42、43を形成しているので、ガスの滞留を防止でき、膜厚の面内均一性に対する悪影響を避けることができる。
【0033】
更にまた本発明では、ウエハWを加熱ランプで加熱するタイプの装置に限らず図5に示すように加熱部をなす抵抗発熱体71を埋設した載置台(載置部)72の上に突起73により若干浮かせてウエハWを載せ、抵抗発熱体71よりの伝熱によってウエハWを加熱するタイプの装置に適用してもよい。
【0034】
そしてまた本発明は、図6に示すように構成してもよい。この実施の形態が図1の実施例と異なる点は、補助加熱部の代りに断熱部材8を設けた点、及び温調用の流体の循環供給路62中に加熱手段67を設けた点にある。断熱部材8は、例えばセラミックよりなり、ウエハWの周囲を取り囲むようにリング状に形成されている。また断熱部材8の上端は例えばウエハWの表面よりも高く位置し、断熱部材8の下部には排気通路81が形成されている。このように断熱部材8を設けた場合にも、ウエハWから真空チャンバ2の壁部へ放熱される熱量が少なくなり、真空チャンバ2の壁部の温度をウエハWの表面温度より低くしてもウエハWの温度面内均一性が高いという効果が得られる。
【0035】
また加熱手段67を備えていることで次のような利点がある。即ちリンドープポリシリコン膜を成膜する場合でも、ウエハWの表面における凹部の幅が大きいため、ステップカバレジの悪化がそれ程問題とならない場合や凹部のない表面を成膜する場合には、加熱手段67により温調用の流体を加熱して加熱用流体とし、真空チャンバ2の壁部の温度を成膜が起こらない範囲において高い温度に設定してウエハWの周縁部からの放熱をより一層抑え、ウエハWの温度について極めて高い面内均一性を確保することができる。
【0036】
更に真空チャンバ2の壁部を冷却することも加熱することもできるように構成すれば、プロセスの種類によって気相反応を起こす温度が例えば150℃から900℃程度と広い範囲に亘っているため、各プロセスにおいて温度面内均一性やステップカバレジの優先性に応じて内壁面の温度を設定できるため、種々のプロセスに適用できる適用範囲の広い成膜装置になる。なお、循環供給路62に冷却手段63及び加熱手段67を設け、ウエハWの周囲に補助加熱部4や断熱部材8を設けない成膜装置も本発明の範囲に含まれるものである。
【0037】
【発明の効果】
本発明によれば、膜厚について面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図2】図1の実施の形態における要部を示す斜視図である。
【図3】本発明の他の実施の形態を示す断面図である。
【図4】本発明の更に他の実施の形態を示す断面図である。
【図5】本発明の更にまた他の実施の形態を示す断面図である。
【図6】本発明の上記以外の実施の形態を示す断面図である。
【図7】従来の成膜装置を示す断面図である。
【符号の説明】
2 真空チャンバ
21 環状部
23 加熱ランプ
31 保持アーム
4 補助加熱部
42、43 排気路
51 ガス供給部
61、25 流体通路
62 循環供給路
63 冷却器
67 加熱手段
71 抵抗発熱体
72 載置台
Claims (9)
- 真空チャンバ内の載置部に載置された被処理基板を加熱しながら被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する成膜装置において、
真空チャンバに形成された開口部を気密に塞ぐ透過窓と、
この透過窓の外側に設けられ、前記被処理基板を加熱するための加熱ランプと、
前記被処理基板を囲むように設けられ、給電されて発熱する発熱体を備えた補助加熱部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 真空チャンバ内に載置された被処理基板を加熱しながら被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する成膜装置において、
抵抗発熱体を備え、被処理基板を載置するための載置部と、
この載置部に載置された被処理基板を囲むように設けられ、給電されて発熱する発熱体を内蔵する補助加熱部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記補助加熱部の上端は、前記載置部に載置された被処理基板の表面よりも高く位置していることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。
- 前記真空チャンバの壁部に形成された流体通路と、
この流体通路内に冷却用流体を通流させるための冷却手段と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに一つに記載の成膜装置。 - 前記補助加熱部は、セラミック体に抵抗発熱体を設けて構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに一つに記載の成膜装置。。
- 補助加熱部と被処理基板との間から排気口に連通する排気通路を設けたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに一つに記載の成膜装置。。
- 真空チャンバ内の載置部に被処理基板を載置する工程と、
次いで真空チャンバに形成された開口部を気密に塞ぐ透過窓の外側から加熱ランプにより前記被処理基板を加熱する工程と、
被処理基板を加熱する工程を行っているときに、被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する工程と、
薄膜を生成する工程を行っているときに、前記被処理基板を囲むように設けられた補助加熱部の表面を、当該補助加熱部に設けられた発熱体を給電により発熱させることにより加熱する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 真空チャンバ内の載置部に被処理基板を載置する工程と、
載置部に設けられた発熱体を給電して発熱させることにより前記被処理基板を加熱する工程と、
被処理基板を加熱する工程を行っているときに、被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する工程と、
薄膜を生成する工程を行っているときに、前記被処理基板を囲むように設けられた補助加熱部の表面を、当該補助加熱部に内蔵された発熱体を給電により発熱させることにより加熱する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 薄膜を生成する工程を行っているときに、真空チャンバの壁部内に冷却用流体を通流させることにより当該壁部を冷却する工程を含むことを特徴とする請求項7または8記載の成膜方法。
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