CN113410161A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制对基片的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积的基片处理装置和基片处理方法。载置台配置在处理容器内，规定载置基片的载置区域。整流壁以形成从载置区域侧贯通至载置台的外周侧的间隙地包围载置区域的方式，配置在载置台的包围载置区域的周边区域上。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1公开了在载置基片的载置台上以包围基片的方式设置整流壁，使蚀刻气体滞留在基片的露出表面上的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-243184号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供抑制对基片的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括处理容器、载置台和整流壁。载置台配置在处理容器内，规定载置基片的载置区域。整流壁以形成从载置区域侧贯通至载置台的外周侧的间隙地包围载置区域的方式，配置在载置台的包围载置区域的周边区域上。
发明效果
依照本发明，能够抑制对基片的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积。
附图说明
图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概要结构的一个例子的垂直截面图。
图2是表示实施方式的载置台的结构的一个例子的图。
图3是示意地表示实施方式的载置结构的一个例子的放大图。
图4A是概要地表示比较例1的结构的一个例子的图。
图4B是表示比较例1的结构下的处理特性的变化的一个例子的图。
图5A是概要地表示比较例2的结构的一个例子的图。
图5B是表示比较例2的结构下的处理特性的变化的一个例子的图。
图6A是概要地表示本实施方式的结构的一个例子的图。
图6B是表示本实施方式的结构下的处理特性的变化的一个例子的图。
图7是说明本实施方式的整流壁的尺寸和配置位置的图。
图8是表示对实施方式的等离子体处理装置输送基片的流程的图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式详细地进行说明。此外，公开的基片处理装置和基片处理方法并不由本实施方式限定。
在液晶面板和半导体装置的制造中，实施等离子体蚀刻等基片处理。例如，在等离子体蚀刻中，利用等离子体进行基片、形成于基片上的薄膜等的蚀刻。
但是，在基片处理中，有时会在基片的中央附近和外缘附近发生基片处理的不均匀。例如，在等离子体蚀刻中，由于负载效应，在基片的周边区域，与中央附近相比蚀刻速率变高。因此，能够使用专利文献1的技术，在载置基片的载置台上以包围基片的方式设置整流壁，使处理室内的气体滞留在基片的露出表面上，由此使蚀刻速率均匀。
但是，当在载置台上以包围基片的方式设置了整流壁时，存在因蚀刻处理而产生的生成物附着在整流壁并逐渐沉积，所沉积的生成物成为颗粒的原因的情况。因此，基片处理装置需要定期地进行除去所沉积的生成物的维护。基片处理装置在生成物在整流壁的沉积速度快的情况下，维护的周期变短，生产率降低。因此，人们期望一种抑制对基片的蚀刻等基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积的技术。
[装置的结构]
对实施方式的基片处理装置进行说明。在下文中，以令基片处理装置为等离子体处理装置10，作为基片处理实施等离子体蚀刻等等离子体处理的情况为主要的例子进行说明。图1是表示实施方式的等离子体处理装置10的概要结构的一个例子的垂直截面图。本实施方式的等离子体处理装置10生成电感耦合等离子体，例如构成为对如FPD用玻璃基片那样的矩形基片进行蚀刻处理和灰化处理等等离子体处理的等离子体处理装置。
等离子体处理装置10具有导电性材料，例如内壁面由阳极氧化处理了的铝构成的方筒形状的气密的主体容器1。主体容器1可分解地组装，通过接地线1a接地。主体容器1被电介质壁2上下划分为天线室3和处理室4。电介质壁2构成处理室4的顶壁。电介质壁2由Al2O3等陶瓷、石英等构成。
在主体容器1中的天线室3的侧壁3a与处理室4的侧壁4a之间设置有向内侧突出的支承架5。在支承架5上载置电介质壁2。
在电介质壁2的下侧部分，嵌入有处理气体供给用的喷淋壳体11。喷淋壳体11呈十字形设置，成为从下方支承电介质壁2的结构，例如梁结构。此外，支承上述电介质壁2的喷淋壳体11成为由多个悬挂件(未图示)吊在主体容器1的顶部的状态。支承架5和喷淋壳体11也可以被电介质部件覆盖。
喷淋壳体11由导电性材料构成，优选金属，例如内表面或外表面进行了阳极氧化处理使得不产生污染物的铝。在喷淋壳体11，形成有水平延伸的气体流路12。在气体流路12，连通有向下方延伸的多个气体释放孔12a。另一方面，在电介质壁2的上表面中央，以与气体流路12连通的方式设置有气体供给管20a。气体供给管20a从主体容器1的顶部向外侧贯通，连接到包含处理气体供给源和阀系统等的处理气体供给系统20。因此，在等离子体处理中，从处理气体供给系统20供给来的处理气体经气体供给管20a被供给至喷淋壳体11的气体流路12，从在喷淋壳体11的下表面形成的气体释放孔12a被释放到处理室4内。
在天线室3内，配置有高频(RF)天线13。高频天线13通过将由铜、铝等导电性良好的金属构成的天线导线13a呈环状或涡旋状等现有技术中使用的任意形状配置而构成。高频天线13也可以为具有多个天线部的多重天线。
在天线导线13a的端子13b，连接有向天线室3的上方延伸的供电部件16。在供电部件16的上端，自供电线19连接有高频电源15。此外，在供电线19设置有匹配器14。而且，高频天线13借助于由绝缘部件构成的间隔部件17与电介质壁2分离。进行等离子体处理时，从高频电源15对高频天线13供给例如频率为13.56MHz的高频电功率。由此，在处理室4内形成感应电场，从喷淋壳体11供给来的处理气体因感应电场而被等离子体化，生成电感耦合等离子体。
在处理室4内的底壁4b上，以隔着电介质壁2与高频天线13相对的方式设置有载置台23。载置台23在上表面具有用于载置矩形形状的基片G的载置面23a。载置台23具有导电性部件22和绝缘体部件24。导电性部件22由导电性材料构成，例如表面进行了阳极氧化处理的铝，并形成为平板状。绝缘体部件24以从导电性部件22的侧面覆盖下表面的周边部分的方式形成。载置台23借助于绝缘体部件24将导电性部件22固定于处理室4内。载置于载置台23的基片G由静电吸盘(未图示)吸附保持。
在载置台23的载置面23a以包围基片G的方式配置有整流壁60。整流壁60由隔开间隔地设置于载置面23a的后述多个支承部件61(参照图2)支承，与载置面23a之间形成有间隙62地配置。
用于基片G的送入送出的后述的升降销50经由主体容器1的底壁4b、绝缘体部件24插通于载置台23(参照图8)。升降销50由设置于主体容器1外的升降机构(未图示)升降驱动而进行基片G的送入送出。此外，载置台23也可以采用能够通过升降机构来升降的结构。
在载置台23，通过供电线25，经匹配器26连接有偏压用的高频电源27。高频电源27在等离子体处理中，对载置台施加高频偏压(偏压用高频电功率)。高频偏压的频率例如为3.2MHz。在处理室4内生成的等离子体中的离子通过偏压用的高频电功率被高效地吸引到基片G。
另外，在载置台23内，为了控制基片G的温度，设置有由陶瓷加热器等加热单元、致冷剂流路等构成的温度控制机构和温度传感器(均未图示)。
另外，载置台23在载置有基片G时，在基片G的背面侧形成冷却空间(未图示)。在冷却空间，连接有例如用于以规定的压力供给He或N2等传热用气体的气体流路28。这样，通过对基片G的背面侧供给传热用气体，能够在真空下优化基片G的温度控制性。
在处理室4的底壁4b的底部中央，形成有开口部4c。供电线25、气体流路28和温度控制机构的配管及配线，通过开口部4c被导出到主体容器1。
在处理室4的四个侧壁4a中的一个侧壁，设置有用于送入送出基片G的送入送出口29a和开闭该送入送出口的闸门29。
在处理室4的载置台23的周围设置有排气口30。例如，在处理室4的底壁4b，沿载置台23的侧面设置有排气口30。排气口30以成为低于载置台23的载置面23a的位置的方式设置于底壁4b。在排气口30设置有开口挡板30a。开口挡板30a由形成有大量隙缝的部件、网状部件、具有大量冲孔的部件形成，在能够供排气通过的同时抑制等离子体通过。
在排气口30连接有排气部40。排气部40具有：与排气口30连接的排气配管31；通过调整排气配管31的开度来控制处理室4内的压力的自动压力控制阀(APC)32；和经由排气配管31对处理室4内进行排气的真空泵33。而且，通过真空泵33对处理室4内进行排气，在等离子体处理中，调整自动压力控制阀(APC)32的开度，将处理室4内设定、维持为规定的真空气氛。
实施方式的等离子体处理装置10具有由微处理器(控制器)构成的控制部100、用户界面101、存储部102。控制部100向等离子体处理装置10的各结构部，例如阀、高频电源15、高频电源27、真空泵33等发送指令，对它们进行控制。此外，用户界面101具有：进行用于供操作员管理等离子体处理装置10的命令输入等输入操作的键盘；将等离子体处理装置10的工作状况可视化地显示的显示器等。用户界面101与控制部100连接。存储部102保存有：用于在控制部100的控制下实现由等离子体处理装置10执行的各种处理的控制程序；用于根据处理条件使等离子体处理装置10的各构成部执行处理的程序即处理方案。存储部102与控制部100连接。处理方案存储于存储部102中的存储介质。存储介质既可以是内置于控制器的硬盘、半导体存储器，也可以是CDROM、DVD、快闪存储器等移动式的存储介质。此外，也可以采用从其它装置通过例如专用线路适当地传送的处理方案。然后，根据需要，按照来自用户界面101的指示等将任意的处理方案从存储部102调出并使控制部100执行，由此在控制部100的控制下，进行等离子体处理装置10中的所希望的处理。
下面，对实施方式的整流壁60的详细情况进行说明。图2是表示实施方式的载置台23的结构的一个例子的图。图2中，表示从上方(喷淋壳体11侧)观察载置台23时的图。载置台23在载置面23a的中央附近规定了载置基片G的载置区域23aa。基片G在用于液晶面板的制造的情况下，形成为长方形。载置台23中，载置面23a与基片G对应地形成为具有短边和长边的矩形形状。载置区域23aa形成为以与基片G相同的方式具有短边和长边的矩形形状。
载置台23在载置面23a的包围载置区域23aa的周边区域23ab上，以包围载置区域23aa的方式配置整流壁60。在本实施方式中，整流壁60包括：沿载置区域23aa的短边配置的2个短边壁部70；沿载置区域23aa的长边配置的2个长边边壁部71；和与载置区域23aa的角部对应地配置的4个角壁部73。短边壁部70、长边边壁部71和角壁部73由圆柱状的多个支承部件61支承，与周边区域23ab隔开地配置。支承部件61并不限于水平截面为圆形的形状，不过为了避免通过的气流停滞而至少需要为不具有角部的形状，除圆形以外，例如优选椭圆形等由不具有凹部的曲线构成的形状。
图3是示意地表示实施方式的载置台23的结构的一个例子的放大图。载置台23的载置面23a设置有载置区域23aa，在载置区域23aa的外侧设置有周边区域23ab。载置台23的载置面23a为平坦的平面，构成载置区域23aa与周边区域23ab相连续的平面。
在载置台23的周边区域23ab上，配置整流壁60。整流壁60的截面形状为矩形，上表面60a、2个侧面60b、60c，下表面60d分别大致平坦地形成。整流壁60通过支承部件61与周边区域23ab隔开地配置。通过使整流壁60与周边区域23ab隔开，在周边区域23ab与整流壁60之间，形成有从载置区域23aa侧贯通至载置台23的外周侧的间隙62。在本实施方式中，以在周边区域23ab的整个形成间隙62的情况为例进行说明，不过并非一定要在周边区域23ab的整周形成间隙62。例如，为了确保其它部件的配置区域，也可以在周边区域23ab的一部分不形成间隙62。
下面，说明使用如上述那样构成的等离子体处理装置10对基片G实施等离子体处理，例如等离子体蚀刻时的处理动作。
首先，等离子体处理装置10成为闸门29已打开的状态。基片G由输送机构(未图示)从送入送出口29a送入处理室4内，载置在载置台23的载置面23a。等离子体处理装置10用静电吸盘(未图示)将基片G固定在载置台23上。接着，等离子体处理装置10从处理气体供给系统20经喷淋壳体11的气体释放孔12a将处理气体供给到处理室4内。此外，等离子体处理装置10通过自动压力控制阀(APC)32控制压力，并且从排气口30经排气配管31用真空泵33对处理室4内进行真空排气，由此，将处理室内例如维持在0.66～26.6Pa左右的压力气氛。
此外，此时，等离子体处理装置10为了避免基片G的温度上升和温度变化，经气体流路28对基片G的背面侧的冷却空间供给传热用气体。
接着，等离子体处理装置10从高频电源15将例如13.56MHz的高频施加到高频天线13，由此借助于电介质壁2在处理室4内形成均匀的感应电场。利用像这样形成的感应电场，在处理室4内处理气体等离子体化，生成高密度的电感耦合等离子体。利用该等离子体，对基片G进行等离子体处理，对例如基片G的规定的膜进行等离子体蚀刻。与此同时，等离子体处理装置10从高频电源27将作为高频偏压的例如频率为3.2MHz的高频电功率施加到载置台23，使得在处理室4内生成的等离子体中的离子被高效地吸引到基片G。
此处，本实施方式的等离子体处理装置10在载置台23的周边区域23ab设置有整流壁60。在没有该整流壁60的情况下，等离子体处理装置10因负载效应而蚀刻速率在基片G的周边区域比中央附近高。图4A是概要地表示比较例1的结构的一个例子的图。图4A作为比较例1表示在载置台23的周边区域23ab没有配置整流壁60的情况。采用比较例1的结构的等离子体处理装置10，在对载置于载置面23a的基片G实施了等离子体处理时，存在等离子体处理的处理特性在基片G的周边区域发生变化的情况。例如，比较例1的等离子体处理装置10在对载置于载置面23a的基片G实施了等离子体蚀刻时，相对于中心区域，在基片G的周边区域，处理室4的内部的处理室内气体的排气速度高，反应生成物等从基片G的附近被迅速除去，因此等离子体中的未反应的反应种(有助于反应进行的自由基和离子等)的比例变多。因此，由于负载效应，在基片G的周边区域蚀刻速率变高，基片G的面内的蚀刻均匀性降低(不均匀的比例的增加)。图4B是表示比较例1的结构下的处理特性的变化的一个例子的图。在图4B中，作为处理特性，示出了表示对基片G的等离子体蚀刻的蚀刻速率(E/R)的变化的曲线L1。如曲线L1所示，蚀刻速率在基片G的周边区域比中央附近高。
在对基片G的基片处理的处理特性在中央附近与外部边缘附近不同的情况下，在基片G的上形成的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)元件等的特性在中央附近与外部边缘附近发生变化。基片处理优选对基片G的处理的均匀性高。例如，在为了得到高精细的液晶面板，对基片G上的TAT(钛-铝-钛)膜进行加工而形成SD(源极-漏极)的工艺的等离子体蚀刻中，要求高均匀性。但是，在TAT膜的等离子体蚀刻中，外周部由于负载效应而蚀刻速率在周边区域比中央附近高。
因此，例如考虑如专利文献1那样，在载置基片的载置台上以包围基片的方式设置整流壁。图5A是概要地表示比较例2的结构的一个例子的图。图5A示出了作为比较例2的、在载置台23的周边区域23ab配置有整流壁60的情况。在比较例2中，不在周边区域23ab形成间隙62，而直接配置了整流壁60。采用比较例2的结构的等离子体处理装置10，通过用整流壁60使处理室内气体滞留在基片G的露出表面上，能够使蚀刻速率均匀化。图5B是表示比较例2的结构下的处理特性的变化的一个例子的图。在图5B中，作为处理特性，示出了表示对基片G的等离子体蚀刻的蚀刻速率(E/R)的变化的曲线L2。如曲线L2所示，蚀刻速率与图4B所示比较例1相比，在基片G的周边区域与中央附近被均匀化。
但是，在如比较例2那样不形成间隙62而将整流壁60直接配置于周边区域23ab的情况下，有时生成物附着在整流壁60并逐渐沉积，所沉积的生成物成为颗粒的原因。例如，在整流壁60，由于滞留处理室内气体而生成物沉积在基片G侧的侧面60c和上表面60a。因此，等离子体处理装置10需要定期地进行除去所沉积的生成物的维护。等离子体处理装置10在生成物在整流壁60的沉积速度快的情况下，维护的周期变短，生产率降低。
因此，本实施方式的等离子体处理装置10，在载置台23的周边区域23ab上以形成从载置区域23aa侧贯通至载置台23的外周侧的间隙62的方式配置整流壁60。图6A是概要地表示本实施方式的结构的一个例子的图。在周边区域23ab上配置有整流壁60的情况下，由于整流壁60而处理室内气体在基片G的露出表面上暂时滞留，由此能够使蚀刻速率均匀化。图6B是表示本实施方式的结构下的处理特性的变化的一个例子的图。在图6B中，作为处理特性，示出了表示对基片G的等离子体蚀刻的蚀刻速率(E/R)的变化的曲线L3。如曲线L3所示，蚀刻速率与图4B所示的比较例1相比，在基片G的周边区域与中央附近的蚀刻速率被均匀化。
另外，在本实施方式的结构的情况下，如图6A所示，暂时滞留的处理室内气体通过间隙62被排出到载置台23的外侧。由此，抑制生成物在整流壁60的沉积，整流壁60的侧面60c和上表面60a的生成物的沉积速度降低。由此，本实施方式的等离子体处理装置10能够延长除去所沉积的生成物的维护的周期，能够抑制生产率的降低。
如上所述，本实施方式的等离子体处理装置10能够抑制对基片G的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积。
整流壁60的尺寸和配置位置根据基片G的周边区域的蚀刻速率的状况和生成物的沉积的状况，适当地确定即可。图7是说明本实施方式的整流壁60的尺寸和配置位置的图。在图7中，整流壁60的基片G侧的侧面60c与载置基片G的载置区域23aa的间隔表示为间隔A。此外，整流壁60的上表面60a的从载置台23的载置面23a起的高度表示为全高B。整流壁60的下表面60d与周边区域23ab的间隙62的距离表示为间隔C。整流壁60的宽度表示为宽度D。
例如，整流壁60的间隔A按5-15mm配置。此外，整流壁60以间隔C成为1-10mm、全高B成为20-50mm的方式形成。此外，整流壁60的宽度D按8mm以上形成。此外，整流壁60优选如图7所示，按在配置于载置台23的情况下成为在外侧的侧面60b与载置台23的侧面23b没有落差的平坦状态的幅度而形成。此处，例如，在将载置台23的侧面60b配置在比载置台23的侧面23b靠基片G侧的位置，在侧面60b与侧面23b形成了落差的情况下，蚀刻气体越过整流壁60被排出到排气口30时，排气的气流随着侧面60b与侧面23b的落差弯曲。在这种情况下，生成物在成为落差的载置台23的载置面23a的外部边缘沉积。等离子体处理装置10在令载置台23的侧面60b与载置台23的侧面23b为没有落差的平坦状态时，排气的气流不弯曲而变得流畅，因此能够抑制生成物在载置台23的载置面23a的外部边缘的沉积。
间隔A、全高B、间隔C和宽度D根据基片G的尺寸等而被设计成恰当的值。例如，实施方式的等离子体处理装置10在使基片G的尺寸为第6代的尺寸(例如，1500mm×1850mm)的情况下，令间隔A为8mm，全高B为30mm，间隔C为10mm。
本实施方式的等离子体处理装置10以在载置台23的周边区域23ab形成间隙62的方式对整流壁60进行固定配置。整流壁60需要以不与其它部件相干扰的方式配置。例如，处理室4在至少1个侧壁4a设置送入送出基片G的送入送出口29a。整流壁60使得上表面60a处在比送入送出口29a低的位置，以不与基片G和输送基片G的机械臂等输送机构相干扰。图8是表示向实施方式的等离子体处理装置10输送基片G的流程的图。基片G由机械臂90从送入送出口29a送入处理室4内(图8的(A))。等离子体处理装置10使载置台23的升降销50上升而从机械臂90接受基片G(图8的(B))。机械臂90从送入送出口29a退出后，等离子体处理装置10使升降销50下降，基片G载置在载置台23。本实施方式的等离子体处理装置10通过将整流壁60以上表面60a处在比送入送出口29a低的位置的方式形成和配置，能够防止在送入送出基片G时整流壁60与基片G、机械臂90的干扰。更详细而言，至少需要使得整流壁60的上表面60a处在比送入送出口29a的上端低的位置，只要是不干扰机械臂90的动作路径的位置即可，也可以是比送入送出口29a的下端高的位置。
此处，在要防止整流壁60与其它部件相干扰的情况下，考虑设置使整流壁60移动的移动机构以在发生干扰时使整流壁60移动的结构。例如，考虑设置在输送基片G时使整流壁60升降的移动机构，使整流壁60上升至不与基片G和机械臂90相干扰的位置。但是，移动机构有成为颗粒的产生源的风险，不优选设置在处理室4内。
另一方面，在本实施方式中，以在载置台23形成间隙62的方式对整流壁60进行固定配置，由此不需要在处理室4内设置升降机构，所以能够抑制颗粒的产生。
另外，在上述实施方式中，以令基片处理装置为等离子体处理装置10，作为基片处理实施等离子体蚀刻等等离子体处理的情况为例进行了说明。但是，本发明公开的技术并不限定于此，能够应用于使用等离子体的成膜、改性等各种基片处理。即，基片处理装置也可以为使用等离子体进行成膜的成膜装置、改性装置等。此外，在上述的实施方式中，在天线室3与处理室4之间设置有由电介质形成的电介质壁2，不过也可以为取代电介质而设置有金属壁的电感耦合等离子体装置。
另外，在上述实施方式中，例示了作为基片G使用FPD用的矩形基片的例子，不过在处理其它矩形基片的情况下也能够应用。此外，基片G并不限定于矩形，例如还能够应用于半导体晶片等圆形的基片。
如上所述，本实施方式的等离子体处理装置10(基片处理装置)具有处理室4(处理容器)、载置台23和整流壁60。载置台23配置在处理室4内，规定载置基片G的载置区域23aa。整流壁60以形成从载置区域23aa侧贯通至载置台23的外周侧的间隙62地包围载置区域23aa的方式，配置在载置台23的包围载置区域23aa的周边区域23ab上。由此，等离子体处理装置10能够抑制对基片G的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积。
另外，整流壁60通过由设置于周边区域23ab与整流壁60之间的支承部件61支承而形成有间隙62。由此，等离子体处理装置10以在与载置台23的周边区域23ab之间形成间隙62的方式稳定地配置整流壁60。
另外，载置台23的载置区域23aa与周边区域23ab构成连续的平面。整流壁60的下表面60d平坦。由此，等离子体处理装置10能够将与周边区域23ab平行的间隙62从载置区域23aa起直线地形成，处理室内气体顺畅地通过间隙62，因此能够抑制生成物的沉积。
另外，整流壁60的上表面60a的从周边区域23ab起的高度为20mm以上，间隙62的间隔为1mm以上10mm以下。由此，等离子体处理装置10能够抑制对基片G的基片处理的不均匀，抑制生成物的沉积。
另外，处理室4至少在1个侧壁4a设置有送入送出基片G的送入送出口29a。整流壁60的上表面60a位于比送入送出口29a低的位置。由此，等离子体处理装置10在从送入送出口29a送入送出基片G时，能够防止整流壁60与基片G、输送基片G的机械臂90的干扰。
以上，对实施方式进行了说明，不过应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均为例示而不并非限制性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式实现。此外，上述的实施方式也可以不脱离权利要求的范围及其思想地以各种各样的方式省略、替换、改变。
例如，在上述实施方式中，以由设置于周边区域23ab与整流壁60之间的支承部件61形成间隙62地支承整流壁60的情况为例进行了说明。但是，本发明公开的技术并不限定于此。整流壁60也可以在处理室4的侧壁4a与整流壁60之间由支承部件形成间隙62地支承。例如，整流壁60也可以在处理室4的侧壁4a设置支承部件，从侧壁4a用支承部件形成间隙62地支承整流壁60。
另外，在上述实施方式中，以在周边区域23ab的整周形成间隙62的情况为例进行了说明。但是，本发明公开的技术并不限定于此。间隙62也可以在载置面23a的周边区域23ab部分地形成。间隙62只要至少在生成物的沉积多的部分形成即可。例如，间隙62也可以在载置面23a的周边区域23ab的短边、长边、角部中的任何部分生成物的沉积多的情况下，在短边、长边、角部中的任何部分形成。例如，能够通过用支承部件61形成间隙62地仅支承短边壁部70，而仅在短边形成间隙62。此外，能够通过用支承部件61形成间隙62地仅支承长边边壁部71，而仅在长边形成间隙62。此外，能够通过用支承部件61形成间隙62地仅支承角壁部73，而仅在角部形成间隙62。另外，在部分地形成间隙62的壁部质量轻的情况下，还考虑用相邻的壁部来支承形成间隙62的壁部，不过在部分地形成间隙62的壁部质量不轻的情况下，优选用支承部件61支承壁部而形成间隙62。
此外，在上述实施方式中，以令间隙62的间隔C从载置区域23aa侧至载置台23的外周侧是一定的情况为例进行了说明。但是，本发明公开的技术并不限定于此。只要间隙62的间隔C为1-10mm即可，间隔C也可以不为一定的。例如，间隙62也可以以间隔C随着从载置区域23aa侧去往载置台23的外周侧而逐渐变窄的方式形成。例如，也可以以使整流壁60的下表面60d向载置台23的外周侧倾斜的方式形成，使间隙62的形状成为间隔C随着去往载置台23的外周侧而逐渐变窄的锥形。在这样的结构的情况下，容易在间隙62沉积若干生成物，不过由于生成物主要沉积在间隔C变窄的外周侧，所以能够使成为颗粒的生成物的沉积位置远离基片G。因此，在这样的结构的情况下，等离子体处理装置10也能够延长除去所沉积的生成物的维护的周期，能够抑制生产率的降低。
另外，应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均为例示而并非限制性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式实现。此外，上述的实施方式也可以不脱离所附的权利要求的范围及其思想地以各种各样的方式省略、替换、改变。
附图标记说明
10 等离子体处理装置
4 处理室
4a 侧壁
23 载置台
23a 载置面
23aa 载置区域
23ab 周边区域
29a 送入送出口
60 整流壁
60a 上表面
60b、60c 侧面
60d 下表面
61 支承部件
62 间隙
70 短边壁部
71 长边边壁部
73 角壁部
90 机械臂
G 基片。

Claims (7)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
处理容器；
载置台，其配置在所述处理容器内，规定了载置基片的载置区域；和
整流壁，其以形成从所述载置区域侧贯通至所述载置台的外周侧的间隙地包围所述载置区域的方式，配置在所述载置台的包围所述载置区域的周边区域上。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述整流壁通过由设置于所述周边区域与所述整流壁之间的支承部件支承而形成所述间隙。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述整流壁通过由设置于所述处理容器的侧壁与所述整流壁之间的支承部件支承而形成所述间隙。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述载置台的所述载置区域与所述周边区域构成连续的平面，
所述整流壁的下表面平坦。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述整流壁的上表面的从所述周边区域起的高度为20mm以上，所述间隙的间隔为1mm以上10mm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理容器至少在1个侧壁设置送入送出所述基片的送入送出口，
所述整流壁的上表面处于比所述送入送出口低的位置。
7.一种基片处理方法，其特征在于：
用具有处理容器的基片处理装置对基片进行处理，其中，所述处理容器在内部配置有规定了载置所述基片的载置区域的载置台，
在所述载置台的包围所述载置区域的周边区域上，以形成从所述载置区域侧贯通至所述载置台的外周侧的间隙地包围所述载置区域的方式配置整流壁，
将处理所述基片的处理气体导入所述处理容器内。
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