KR20090021097A - 처리 장치 - Google Patents

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KR20090021097A
KR20090021097A KR1020080082288A KR20080082288A KR20090021097A KR 20090021097 A KR20090021097 A KR 20090021097A KR 1020080082288 A KR1020080082288 A KR 1020080082288A KR 20080082288 A KR20080082288 A KR 20080082288A KR 20090021097 A KR20090021097 A KR 20090021097A
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gas
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도시히로 도조
가즈오 사사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 처리 용기 내에서 처리 가스를 흘려 보내면서 피처리체에 대하여 처리를 실행함에 있어서, 처리의 면내 균일성이 향상시키고, 피처리체로의 파티클의 부착을 억제하는 것에 관한 것이다. 본 발명의 과제를 해결하기 위해, 그 내벽부(21)에 셔터(23)에 의해 개폐되는 반입출구(22)를 구비한 처리 용기(20)에 있어서, 기판(S)의 탑재대(3)의 기판 영역을 둘러싸는 동시에, 그 상단이 기판(S)의 주위에 처리 가스의 가스 고임 영역을 형성하고, 기판(S)의 주연부에 있어서 상기 처리 가스의 유속을 늦게 하기 위한 정류용 구조체(5)를 마련한다. 이 정류용 구조체(5)의 상기 반입출구(22) 측은, 해당 반입출구(22)와 상기 탑재 영역단의 사이에 기판(S)의 반송 통로(P)를 구획 형성하기 위한 터널 부재(51)로서 구성되어 있다.

Description

처리 장치{PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 처리 용기 내에 있어서, 예를 들면 FPD(플랫 패널 디스플레이)기판 등의 피처리체에 대하여, 이 피처리체의 주위에 정류용 구조체를 마련한 상태로 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하고, 이 처리 가스에 의해 상기 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실행하는 기술에 관한 것이다.
LCD(액정 디스플레이) 기판 등의 피처리체의 제조공정에 있어서는, 피처리체 상에 형성된 알루미늄(Al) 막에 대하여 에칭 처리를 실시하는 공정이 있다. 이 공정을 실행하는 에칭 처리 장치의 일예를, 도 13에 근거해서 간단히 설명하면, 도면 중 부호 1은 진공 챔버이고, 이 진공 챔버(1)의 내부에는, 피처리체 예를 들면 FPD 기판(S)을 탑재하기 위한 탑재대(11)가 마련되는 동시에, 이 탑재대(11)에 대향하도록 플라즈마 발생용의 상부전극을 형성하는 처리 가스 공급부(12)가 마련되어 있다. 그리고 처리 가스 공급부(12)로부터 진공 챔버(1) 내로 염소(Cl2)계 가스로 이루어지는 에칭 가스를 공급하고, 배기로(13)를 통해 도시하지 않는 진공 펌프에 의해 진공 챔버(1) 내를 진공 흡인하는 한편, 고주파 전원(14)으로부터 상기 처리 가 스 공급부(12)에 고주파 전력을 인가하는 것에 의해, 기판(S)의 상방의 공간에 에칭 가스의 플라즈마가 형성되고, 이로써 기판(S)에 대한 에칭 처리가 실행되도록 되어 있다.
그런데, Al 막의 에칭에서는, 에칭 가스의 공급량과 에칭 량이 비례하기 때문에, 마이크로 로딩 효과에 의해, 기판(S)의 외주부의 에칭 레이트가 극단적으로 빨라져, 에칭 량이 많아져 버리는 현상이 발생한다. 즉, 도 14에 부호 15로 도시하는 기판(S)의 최외주 영역에서는, 에칭 종인 Cl 래디칼로부터 보면, 부호 16으로 도시하는 같은 면적의 중앙 영역에 비교하여 에칭 면적이 약 반이고, 이 때문에 중앙 영역(16)에 공급되는 유량과 같은 유량으로 에칭 가스가 공급되면, 최외주 영역(15)에서는 중앙 영역(16)에 비교하여 에칭 량이 약 2배가 되어버리는 것이다.
이 때문에, 도 13 및 도 15에 도시하는 바와 같이, 종래부터 기판(S)의 주위를 둘러싸도록, 높이 50mm∼150mm 정도의 정류 부재(17)를 마련하고, 기판(S)의 외주 영역 근방의 에칭 가스의 흐름을 상기 정류 부재(17)에 의해 차단하는 것에 의해 기판(S)의 주위에 가스 고임을 형성하고, 이로써 해당 영역에 있어서의 에칭 가스 유속을 저하시키고, 이렇게 해서 기판면 내에 있어서의 에칭 레이트의 균일성을 높이는 것이 실행되고 있다.
이 때, 정류 부재(17)의 상단이 상기 반입출구(11)로부터 상기 탑재대(3)의 상방측에 달하는 기판(S)의 반송 높이 위치보다도 높을 경우에는, 상기 정류 부재(17)를 승강 가능하게 구성하고, 도 15(b)에 도시하는 바와 같이, 기판(S)을 진공 챔버(1) 내에 반입할 때에는, 정류 부재(17)를 상승시킨 상태로 반입하고, 해당 기판(S)을 탑재대(11) 상에 탑재하고 나서, 정류 부재(17)를 기판(S)을 둘러싸는 위치까지 하강시키고, 한편 기판(S)을 진공 챔버(1)로부터 반출할 때에는, 우선 정류 부재(17)를 상승시키고나서 기판(S)을 반출하는 것이 실행되고 있다. 여기서, 상기 정류 부재(17)는, 예컨대 판형상체(17a)를 통해 탑재대(11) 상에 마련되고, 이 판형상체(17a)의 측면의 예컨대 4 개소로부터, 탑재대(11)의 외부로 신장하기 시작하도록 형성된 돌출부(17b)의 하면에 승강용 지지봉(18a)을 접속하고, 이 승강용 지지봉(18a)을 승강 기구(18)에 의해 승강시킴으로써, 정류 부재(17)가 승강할 수 있도록 되어 있다.
그런데, Al 막의 염소계 가스에 의한 에칭 처리에서는, Al의 염화물이 생성하고, 이것이 정류 부재(17)의 내벽에도 부착되어 버리지만, 그 퇴적량이 많아지면, 정류 부재(17)를 승강시킬 때에, 이 퇴적된 Al의 염화물이 벗겨지기 쉬워, 파티클의 발생 요인이 되어버린다. 이 때문에 파티클을 제거하기 위한 유지 보수를 빈번하게 실행하지 않으면 안된다는 문제가 있다.
이 유지 보수 작업은, 진공 챔버(1) 내의 분위기를 대기 상태로 되돌리고나서, 해당 챔버(1)를 열어서 파티클의 제거 작업을 실행하고, 이어서 챔버(1)를 닫고나서 진공 흡인을 실행하는 공정으로 행하여진다. 그러나 최근의 기판(S)의 대형화에 따라서, 진공 챔버(1)도 대형화하고 있어, 진공 챔버(1) 내의 분위기를 대기 상태로 되돌리는 공정이나, 진공 흡인을 실행하는 공정에 꽤 긴 시간이 필요하게 된다. 따라서, 유지 보수 작업 전체에서의 작업 시간이 매우 길어져 버리므로, 이 유지 보수 작업을 빈번하게 실행하는 것은 스루풋의 향상을 저지하는 요인의 하 나가 되고 있다.
여기서 본 발명자들은, 정류 부재를 기판을 둘러싸도록 마련하는 동시에, 해당 정류 부재를 구동시키지 않고 탑재대 상에 기판을 탑재하고, 이로써 파티클의 발생을 억제하는 구성에 대해 검토하고 있다. 또한, 부재에 관한 특허 선행 문헌으로서, 특허 문헌 1에 하부 전극 상에 이동기구에 의해 돌출 가능하게 구성된 가동형의 링을 정류 부재로서 마련하는 구성이 기재되어 있고, 특허 문헌 2에는 기판의 외주부를 둘러싸도록, 가스 통류구를 제공하는 측벽을 정류 부재로서 마련하는 구성이 기재되어 있으며, 특허문헌 3에는 기판의 주연을 따라 마련된 복수의 측벽부에 의해 정류 부재를 구성하는 예가 기재되어 있지만, 어느 문헌에도, 정류 부재를 구동시키지 않고 탑재대 상에 기판을 탑재할 수 있는 구성에 대해서는 기재되어 있지 않으며, 이들의 문헌에 기재된 기술에 의해서도, 상술의 과제를 해결하는 것은 불가능하다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제 7-74155 호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제 3-243364 호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제 5-259989 호 공보
본 발명은 이러한 사정에 근거하여 행해진 것으로서, 그 목적은 처리 용기 내에서 처리 가스를 흘려 피처리체에 대하여 처리를 실행함에 있어서, 처리의 면내 균일성이 향상시켜, 피처리체로의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
이 때문에 본 발명의 처리 장치는, 처리 용기의 내부에 마련되고, 그 상부에 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대와,
상기 탑재대의 상방측으로부터 처리 가스를 공급하고, 상기 탑재대에 탑재된 피처리체에 대하여 처리를 실행하기 위한 처리 가스 공급 수단과,
상기 처리 용기의 내부를 배기하기 위한 배기 수단과,
상기 처리 용기의 측벽부에 형성되고, 개폐 부재에 의해 개폐되는 상기 피처리체의 반입출구와,
상기 탑재대 상의 피처리체 탑재 영역을 둘러싸도록 마련되고, 상기 탑재대에 탑재된 피처리체의 주위에 처리 가스의 가스 고임 영역을 형성하고, 해당 피처리체의 주연부에 있어서의 상기 처리 가스의 유속을 늦추기 위한 정류용 구조체, 를 구비하고,
상기 정류용 구조체의 상기 반입출구측은, 상기 반입출구로부터 상기 피처리체 탑재 영역으로 향하는 피처리체 반송 경로를 구획 형성하기 위한 통형상 부재로 서 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 정류용 구조체는, 그 상단이 상기 피처리체의 반송 높이 위치보다도 높게 되도록 상기 탑재대에 마련되는 것이라도 좋다. 또 상기 통형상 부재에 있어서의 반입출구측의 단부는 처리 용기 분위기에 연통하고 있지 않는 것이 바람직하다. 또 상기 정류용 구조체에 있어서의 상기 통형상 부재 이외의 부위는, 상기 탑재대로부터 상방으로 신장하는 정류벽으로서 구성되는 것이라도 좋고, 일단측이 상기 피처리체 탑재 영역을 향해서 개구되고, 그 타단측이 처리 용기의 측벽측에서 폐쇄하는 편평한 구조체로 구성되는 것이라도 좋다. 이때, 상기 피처리체가 각형 기판일 경우에는, 상기 통형상 부재는 상기 탑재대의 각형의 피처리체 탑재 영역의 하나의 변측에 마련되고, 상기 하나의 변 이외의 나머지 3 개의 다른 변측에서는, 상기 구조체에 있어서의 일단측이 상기 다른 변을 따라 개구되는 것이라도 좋으며, 상기 구조체에 있어서의 타단측은 처리 용기의 측벽에 의해 폐쇄되도록 구성해도 좋다.
또 본 발명에서는, 상기 탑재대의 피처리체 탑재 영역의 주연을 따라 마련되고, 상기 탑재대 상에 탑재된 피처리체의 주연부에 비처리 가스를 공급하기 위한 비처리 가스 공급부를 구비하도록 해도 좋다. 여기서 상기 피처리체에 대하여 실행되는 처리로서는 피처리체 표면에 형성된 알루미늄 막의 에칭 처리를 들 수 있다.
본 발명에 의하면, 피처리체의 주위를 정류용 구조체로 둘러싼 상태로 피처 리체에 대하여 처리 가스를 공급하면서 처리를 실행하고 있으므로, 처리의 중에 피처리체의 주위에 가스 고임 영역이 형성된다. 이 때문에 피처리체의 외주위에 있어서는 처리 가스의 유속이 저하하므로, 피처리체의 면 내에 있어서 처리 속도를 고르게 할 수 있어서, 처리의 면내 균일성이 향상한다. 또 피처리체는, 처리 용기의 반입출구로부터 정류용 구조 부재의 일부를 형성하는 통형상 부재의 내부 공간을 통해서 반입되므로, 상기 정류용 구조체를 이동시키지 않고, 탑재대 상에 피처리체를 탑재할 수 있다. 이 때문에 정류용 구조체에 부착한 처리 생성물의 박리가 억제되어, 피처리체로의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 피처리체 예를 들면 FPD 기판의 표면에 형성된 알루미늄(Al) 막에 대하여 에칭 처리를 실행하기 위한 에칭 처리 장치에 본 발명의 처리 장치를 적용했을 경우를 예로 해서 설명한다. 도 1은 상기 에칭 처리 장치(2)의 종단면도이다. 이 에칭 처리 장치(2)는, 그 내부에 있어서 FPD 기판(S)에 대하여, 에칭 처리를 실시하기 위한 접지된 처리 용기(20)를 구비하고 있고, 이 처리 용기(20)는, 예를 들면 평면 형상이 사각 형상으로 형성되어 있다.
상기 FPD 기판(S)은 각형의 기판이고, 상기 처리 용기(20)는, 예를 들면 수평 단면의 한 변이 3.5m, 다른 변이 3.0m 정도의 크기로 설정되고, 예를 들면 알루미늄 등의 열전도성이 양호한 재질에 의해 구성되어 있다. 상기 처리 용기(20)의 하나의 측벽부(21)에는, 해당 처리 용기(20) 내로 기판을 반입하기 위한 반입출구(22)가 형성되어 있고, 이 반입출구(22)는 개폐 부재를 형성하는 셔터(23)에 의 해 개폐 가능하게 구성되어 있다.
상기 처리 용기(20)의 내부에는, 기판(S)을 그 위에 탑재하기 위한 탑재대(3)가 배치되어 있다. 이 탑재대(3)는, 플라즈마 발생용의 고주파 전원부(31)에 전기적으로 접속되어 있고, 처리 용기(20) 내로 플라즈마를 발생시키기 위한 하부전극으로서 기능하고 있다. 이 탑재대(3)는, 처리 용기(20)의 바닥면 상에 절연 부재(32)를 통해 배설되어 있고, 이로써 하부전극은 처리 용기(20)로부터 전기적으로 뜬 상태로 마련되는 것이 된다. 또 상기 탑재대(3) 표면의 주연 영역 및 측면에는, 플라즈마를 상기 탑재대(3) 상방에 균일하게 형성하기 위한, 세라믹 재료에 의해 구성된 실드 링(33)이 마련되어 있다. 더욱이 상기 탑재대(3)에는, 기판(S)을 해당 탑재대(3)에 수수하기 위한 승강 핀(34)이, 승강 기구(35)에 의해 도시하지 않는 외부의 반송 수단의 사이에서 기판(S)의 수수를 실행하는 위치와, 탑재대(3) 표면보다도 하방측의 위치의 사이에서 돌몰 가능하게 마련되어 있다.
한편, 처리 용기(20) 내부의 상기 탑재대(3)의 상방에는, 이 탑재대(3)의 표면과 대향하도록, 평판상의 상부전극(4)이 마련되어 있고, 이 상부전극(4)은 각판 형상의 상부전극 베이스(4l)에 지지 되어 있다. 이들 상부전극(4) 및 상부전극 베이스(41)는, 예를 들면 알루미늄에 의해 구성되어 있다. 또한, 상기 상부전극 베이스(41)의 상면은 처리 용기(20)의 천장부에 접속되어 있고, 이로써 상부전극(4)은 처리 용기(20)와 전기적으로 도통한 상태로 마련되는 동시에, 상부전극 베이스(41) 및 상부전극(4)에 의해 주위를 둘러싼 영역이 가스 확산 공간(42)으로 구성되어 있다.
또 처리 용기(20)의 천장부에는, 상기 가스 확산 공간(42)에 접속되도록, 처리 가스 공급로(43)가 마련되어 있고, 이 처리 가스 공급로(43)의 타단측은 처리 가스 공급부(44)에 접속되어 있다. 이 예에서는, 상부전극(4)과 상부전극 베이스(41)에 의해 처리 가스 공급 수단이 구성되어 있다.
이렇게 해서 처리 가스 공급부(44)로부터 가스 확산 공간(42)으로 처리 가스가 공급되면, 그 처리 가스는 상부전극(4)에 마련된 가스 공급 구멍(45)을 통해 상기 기판(S) 상의 처리 공간에 공급되고, 이로써 기판(S)에 대한 에칭 처리가 진행되도록 되어 있다. 한편, 처리 용기(20)의 저벽에는 배기로(24)가 접속되어 있고, 이 배기로(24)의 타단측에는 예를 들면 진공 펌프로 이루어지는 도시하지 않은 진공 배기 수단이 접속되어 있다.
더욱이 상기 탑재대(3)의 피처리체 탑재 영역의 주위에는, 이 탑재대(3)에 탑재된 기판(S)의 주위에 처리 가스의 가스 고임 영역을 형성하기 위한 정류용 구조체(5)가, 예를 들면 그 상단이 기판(S)의 반송 높이 위치보다도 높게 되도록 상기 탑재대(3)에 마련되어 있다. 여기서 상기 반송 높이 위치는, 외부의 반송 수단에 의해 기판(S)이 상기 반입출구(22)로부터 상기 탑재대(3)의 상방측까지 반송될 때의 높이 위치이다.
상기 정류용 구조체(5)의 상기 반입출구(22) 측은 통형상 부재를 형성하는 터널 부재(51)로서 구성되고, 상기 정류용 구조체(5)에 있어서의 상기 터널 부재(51) 이외의 부위는 정류벽(52)으로서 구성되어 있다. 상기 터널 부재(51)는, 상기 반입출구(22)로부터 상기 탑재대(3)의 피처리체 탑재 영역을 향하는 반송 통 로(P)(피처리체 반송 경로)를 구획 형성하기 위해서 통형상으로 구성되어 있고, 이 예에서는, 그 반입출구측의 단부(타단측)가 상기 반입출구(22)의 주위를 둘러싸도록 상기 측벽부(21)의 내벽에 접속되는 동시에, 일단측이 상기 탑재 영역측으로 개구되도록, 그 일단측의 하면이 탑재대(3)에 접속되도록 마련되어 있다. 또 터널 부재(51)의 내부에 형성된 반송 통로(P)의 반입출구측은, 반입출구(22)를 통해 상기 셔터(23)에 의해 폐쇄되도록 구성되고, 이렇게 해서 이 터널 부재(51)의 반입출구측의 단부는 처리 용기(20) 내의 분위기에 연통하지 않도록 마련되어 있다.
상기 피처리체 탑재 영역은, 도 1∼도 3에 도시하는 바와 같이, 탑재대(3) 상에 있어서의 기판(S)이 탑재되는 영역이고, 상기 터널 부재(51)의 일단측은, 이 예에서는 상기 탑재 영역에 탑재된 기판(S)의 외연로부터 예를 들면 5mm 정도 외측에 위치하도록 마련되어 있다. 또 터널 부재(51)의 높이는, 상기 기판(S)의 반송 통로(P)에 따라 설정되지만, 예를 들면 50mm∼150mm 정도로 하는 것이 바람직하다.
또 상기 정류벽(52)은, 상기 탑재대(3) 상에 탑재된 기판(S)에 있어서의 상기 반입출구측(22)을 제외한 측방을 둘러싸도록 상기 탑재대(3)로부터 상방으로 신장하도록 구성되고, 이 예에서는 상기 터널 부재(51)의 일단측에 접속되어 있다.또한 그 높이는 예를 들면 50mm∼150mm 정도로 설정되고, 상기 터널 부재(51)의 상단과 정류벽(52)의 상단의 높이 위치가 서로 일치되도록 구성되어 있고, 이들의 상단의 높이 위치는, 상기 반입출구(22)로부터 상기 탑재대(3)의 상방측에 달하는 기판(S)의 반송 높이 위치보다도 높게 되도록 설정되어 있다.
이들 터널 부재(51)와 정류벽(5)은 예를 들면 세라믹에 의해 구성되고, 그 내벽면의 표면은, 예를 들면 Ra(산술 평균 조도) 5μm정도의 조면에 의해 형성되어 있다. 이렇게 해서 탑재대(3) 상의 기판(S)으로부터 보면, 해당 기판(S)의 반입출구(22)측의 변에 있어서는, 반입출구(22)가 셔터(23)에 의해 폐쇄될 때에, 터널 부재(51)의 반입출구측의 단부가 상기 셔터(23)에 의해 막혀, 이 폐쇄된 터널 부재(51)에 의해 가스 고임 공간이 형성된다. 또한 해당 기판(S)의 반입출구(22)측 이외의 변에 있어서는, 처리 가스의 흐름이 정류벽(52)에 의해 차단되는 것에 의해 처리 가스의 유속이 저감하므로 이 정류벽(52)에 의해 가스 고임 공간이 형성된다. 이렇게 해서 탑재대(3) 상의 기판(S)의 주위에는 터널 부재(51)와 정류벽(52)에 의해 가스 고임 공간이 형성되게 된다.
또 상기 에칭 처리 장치(2)는 제어부(6)에 의해 제어되도록 구성되어 있다. 이 제어부(6)는 예를 들면 컴퓨터로 이루어지고, CPU, 프로그램, 메모리를 구비하고 있다. 상기 프로그램에는 제어부(6)로부터 에칭 처리 장치의 각 부에 제어 신호를 보내고, 소정의 에칭 처리를 진행시키도록 명령(각 단계)이 짜 넣어져 있다. 이 프로그램은, 컴퓨터 기억 매체 예를 들면 플렉서블 디스크, 컴팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 등의 기억부에 격납되어 제어부(6)에 인스톨 된다.
계속해서 본 발명의 에칭 처리 방법에 대해서 도 4를 이용하여 설명한다. 또한, 도 4에서는, 상부전극(4), 상부전극 베이스(41)를 합쳐서 부호 40으로 도시하고 있다. 우선 제어부(6)에 의해, 목적의 에칭 처리의 프로세스 레시피를 선택한다. 제어부(6)에서는, 이 프로세스 레시피에 근거하여, 에칭 처리 장치의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 이렇게 해서 기판에 대하여 소정의 에칭 처리가 실행되 는 것이 된다.
구체적으로는, 예를 들면 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 우선 셔터(23)를 열고, 표면에 A1 막이 형성된 기판(S)을, 도시하지 않은 외부의 반송 수단에 의해 터널 부재(51)를 거쳐서 처리 용기(20) 내로 반입하고, 탑재부(3) 상방측의 수수 위치까지 이동시킨다. 이 수수 위치는 상기 탑재부(3)의 탑재 영역의 상방측의 위치이다. 그리고 승강 핀(34)을 상승시키고, 이 수수 위치에서 상기 반송 수단으로부터 해당 승강 핀(34)에 의해 기판(S)을 수취한 후, 승강 핀(34)을 하강시켜서 웨이퍼(W)를 탑재부(3) 상에 수수한다. 한편 상기 반송 수단을 반입출구(22)를 거쳐서 퇴출시킨 후, 셔터(23)에 의해 반입출구(22)를 닫는다. 이로써 터널 부재(51)의 반입출구측의 개구부가, 반입출구(22)를 통해 셔터(23)에 의해 닫힌다.
이어서, 도 4(b)에 도시하는 바와 같이, 처리 가스 공급부(44)로부터 처리 가스로서 에칭 처리용의 처리 가스 예를 들면 염소 가스를 기판(S)을 향해서 토출 하는 동시에, 처리 용기(20)의 내부 공간을 소정의 압력까지 감압하는 한편, 고주파 전원부(31)로부터 탑재부(3)에 고주파 전력을 공급한다. 이렇게 해서 기판(S)의 상방측의 공간에 플라즈마를 형성하고, 기판(S)에 대한 에칭 처리를 진행시킨다.
이 때, 예를 들면 도 5에 도시하는 바와 같이, 상부전극(4)으로부터 공급된 처리 가스는, 탑재대(3)와 처리 용기(20)의 내벽의 사이의 간극(61)을 통해 하방측으로 흘러 가고, 배기로(24)를 통해 배기된다. 이 때문에 탑재대(3) 상의 기판(S)의 표면에서는, 중앙측으로부터 외방측으로 향해 처리 가스가 흘러 간다. 또 상기 터널 부재(51)의 타단측은 탑재대(3)의 상면에 접속되어 있으므로, 기판(S)의 반입출구(22)에 대향하는 변측으로는 터널 부재(51)의 내부에 처리 가스가 통류하여 간다.
여기서, 터널 부재(51)의 반입출구측은 셔터(23)에 의해 닫혀 있으므로 배기 되기 어렵고, 처리 가스는 점차로 터널 부재(51)의 내부에 고여 가며, 이로써 터널 부재(51)의 내부가 가스 고임 공간이 되고, 처리 가스의 유속을 저감하는 역할을 하게 된다. 한편, 기판(S)의 반입출구(22)측 이외의 변에 있어서는, 처리 가스는 상기 기판(S)의 중앙측으로부터 외방측을 향해서 흐르므로, 처리 가스가 기판(S)의 주위에 마련된 정류벽(52)에 충돌하고, 정류벽(52)을 따라 흘러 간다. 따라서 처리 가스는 정류벽(52)을 넘어 흘러가므로, 정류벽(52)에 의해 배기 되기 어려운 상태가 형성되어, 그 유속이 극단적으로 저감된다. 이렇게 해서 처리 가스는 점차로 정류벽(52)의 내측 부근에 고여 가서, 가스 고임 공간이 형성된다.
이렇게 해서 정류용 구조체(5)에 의해 기판(S)의 주위에 가스 고임 공간이 형성되고, 이로써 기판(S)의 외주부에서는 처리 가스의 유속이 극단적으로 저하하므로, 처리 가스의 공급량이 중앙부에 비교하여 저감된다. 이 때문에 기판(S)의 중앙부와 외주부에 있어서의 에칭 레이트가 거의 일치되어서, 기판면 내에 있어서 높은 면내 균일성을 확보한 상태로 Al 막의 에칭 처리를 실행할 수 있다.
이렇게 상술의 예에서는, 반입출구(22)로부터 정류용 구조체(5)의 일부를 형성하는 터널 부재(51)를 통해 기판(S)이 반입되므로, 정류용 구조체(5)를 승강시키지 않고, 외부의 반송 수단과 탑재대(3)의 사이에서 기판(S)의 수수를 실행할 수 있다. 이 때문에 터널 부재(51)의 내벽이나 정류벽(52) 등에, 에칭 처리에 의해 발생하는 Al의 염화물이 부착하고, 퇴적했다고 해도, 이 퇴적한 부착물이 벗겨지기 어려워, 파티클의 발생이 억제된다. 이로써 장시간을 요하는 Al의 염화물 제거의 유지 보수를 실행하는 빈도가 저감하므로, 에칭 처리 장치(2)의 가동율이 향상하고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 터널 부재(51)의 내면과, 정류벽(52)의 내벽면을 기술한 바와 같이 조면에 의해 구성함으로써, 상기 부착물이 보다 강고하게 터널 부재(51)나 정류벽(52)에 부착하므로, 부착물의 박리를 보다 억제할 수 있다.
계속해서 정류용 구조체(5)의 다른 예에 대해서 도 6 및 도 7에 의해 설명한다. 이 예의 정류용 구조체(71)는, 그 반입출구(22)측은 상기 터널 부재(51)에 의해 구성되고, 이 터널 부재(51)는, 상기 탑재대(3)의 각형의 탑재 영역의 하나의 변측에 마련되어 있다. 그리고 상기 정류용 구조체(71)의 상기 하나의 변 이외의 나머지 3 개 다른 변측에서는, 그 일단측이 상기 다른 변을 따라 개구되고, 그 타단측이 처리 용기(20)의 측벽측에서 닫히는 편평한 구조체를 형성하는 통형상 부재(72)로서 구성되어 있다. 또한 이 예에서는, 상기 통형상 부재(72)의 일단측의 하면이 상기 탑재대(3)에 접속되고, 상기 통형상 부재(72)의 타단측은, 해당 타변과 대향하는 처리 용기(20)의 내벽부에 접속되도록 구성되어 있으며, 해당 타단측은 처리 용기(20)의 측벽에 의해 닫혀 있다. 상기 터널 부재(51)와 통형상 부재(72)는, 이들에 의해 탑재대(3) 상의 기판(S)의 주위 전체를 둘러싸도록 서로 접속되어 있다.
상기 통형상 부재(72)는, 그 일단측이 예를 들면 상기 탑재 영역에 탑재된 기판(S)의 외연으로부터 예를 들면 5mm 정도 외측에 위치하도록 마련되어 있다. 또 통형상 부재(72)의 높이는, 예를 들면 50mm∼150mm 정도로 하는 것이 바람직하고, 상기 터널 부재(51)의 상단과 통형상 부재(72)의 상단의 높이 위치가 서로 일치되도록 구성되어 있고, 이들의 상단의 높이 위치는, 상기 기판(S)의 반송 높이 위치보다도 높게 되도록 설정되어 있다.
이 예에 있어서는, 처리 가스 공급부(44)로부터 공급된 처리 가스는, 도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 탑재대(3)의 각부와 처리 용기(20)의 내벽의 각부의 사이에 형성된 간극(62)을 통해 하방측으로 흘러 가고, 배기로(24)를 통해 배기된다. 그리고 기판(S) 근방의 처리 가스는, 기술한 바와 같이 중앙측에서 외방측으로 흘러가므로, 예를 들면 도 7에 도시하는 바와 같이, 터널 부재(51)와 통형상 부재(72)의 내부로 흘러들어간다. 이렇게 해서 상기 통형상 부재(72)의 내부는 처리 가스의 통기 공간이 되지만, 이들 통형상 부재(72)의 타단측은, 기술한 바와 같이 처리 용기(20)의 내벽에 접속되어 있어서 닫혀 있으므로 배기되기 어렵고, 처리 가스는 점차로 통형상 부재(72)의 내부에 고여 가고, 이로써 통형상 부재(72)의 내부가 가스 고임 공간이 되고, 처리 가스의 유속을 저감하는 역할을 다하게 된다. 이렇게 터널 부재(51) 및 통형상 부재(72)의 내부가 가스 고임 공간으로서 기능하므로, 기판(S)의 외주위에서는 에칭 가스의 유속이 저하하고, 에칭 처리의 면내 균일성이 향상한다.
또한, 이 예에서는, 예를 들면 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 예를 들 면 처리 용기(20)에, 처리 용기(20) 내의 기판(S)의 설치 상황을 확인하기 위한 엿보기 창(25)이 형성되어 있을 경우에는, 통형상 부재(72)의 개구부를 거쳐서 상기 설치 상황을 육안에 의해 확인할 수 있거나, EPD(End Point Detector: 종점 검출기)에 의해, 처리의 종점을 검출할 수 있다는 메리트가 있다.
더욱이 정류용 구조체(71)를 구성하는 통형상 부재(72)로서는, 도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 그 타단측이 처리 용기(20)의 측벽부 이외의 부재로 닫히는 것이라도 좋다. 이 예의 통형상 부재(73)는, 예를 들면 도 9에 도시하는 바와 같이, 단면 형상이 「C」자형으로 마련되고, 탑재대(3)의 기판(S)의 탑재 영역의 외측에 마련된 바닥부(73a)와, 이 바닥부(73a)로부터 상방으로 신장하도록 마련된 벽부(73b)와, 이 벽부(73b)의 상단에서 기판(S)의 탑재 영역측으로 대략 수평으로 신장하는 덮개부(73c)를 구비하고 있다. 상기 바닥부(73a)의 내단은, 상기 기판(S)의 탑재 영역보다도 예를 들면 5mm 정도 외측에 위치하고, 상기 바닥부(73a)의 외단은 상기 기판(S)의 탑재 영역보다도 예를 들면 150mm 정도 외측에 위치하도록 마련되고, 덮개부(73c)의 내단은 기판(S)의 탑재 영역의 외측에 위치하도록 마련되어 있다. 또 예컨대 벽부(73b)의 높이는 50mm∼150mm 정도, 덮개부(73c)의 폭은 150mm 정도로 설정되는 것이 바람직하고, 상기 터널 부재(51)의 상단과 통형상 부재(73)의 상단[덮개부(73c)]의 높이 위치가 서로 일치되도록 구성되어 있으며, 이들의 상단의 높이 위치는, 상기 기판(S)의 반송 높이 위치보다도 높게 설정되어 있다.
이 예에 있어서는, 처리 가스 공급부(44)로부터 공급된 처리 가스는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 탑재대(3)에 마련된 통형상 부재(73)와 처리 용기(20)의 내벽의 사이에 형성된 간극(63)을 거쳐서 하방측으로 흘러 가고, 배기로(24)를 거쳐서 배기된다. 그리고 기판(S) 근방의 처리 가스는, 기술한 바와 같이 중앙측으로부터 외방측으로 흘러가므로, 터널 부재(51)의 내부에 흘러들어오는 동시에, 통형상 부재(73)의 내부로 흘러들어간다.
여기서 통형상 부재(73)는 벽부(73b)에 의해 닫혀 있으므로, 처리 가스는 점차로 통형상 부재(73)의 내부로 고여 가고, 이로써 통형상 부재(73)의 내부가 가스 고임 공간이 되고, 처리 가스의 유속을 저감하는 역활을 다하게 된다. 이로써 터널 부재(51) 및 통형상 부재(73)의 내부가 가스 고임 공간으로서 기능하므로, 기판(S)의 외주위에서는 에칭 가스의 유속이 저하하고, 에칭 처리의 면내 균일성이 향상한다.
또한, 상기 정류용 구조체(71)의 터널 부재(51)가 마련된 변 이외의 나머지 3 개 다른 변측에 통형상의 구조체(통형상 부재)를 마련했지만, 이러한 구조체 대신에, 그 일단측이 상기 다른 변을 따라 개구되고, 그 타단측이 처리 용기(20)의 측벽측에서 닫히는 편평한 구조체로서 터널 부재(51)가 마련된 변 이외의 나머지 3 개 다른 변측의 주위 전체를 둘러싸도록, 평면 형상이 「C」자형상으로 형성된 구조체를 이용하도록 해도 좋다. 이렇게 상기 3 변의 주위를 연통한 상태로 둘러싸는 구조체이여도 구조체의 내부가 가스 고임 공간으로서 기능하므로, 에칭 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
더욱이 본 발명의 다른 예에 대해서 도 10을 이용하여 설명한다. 이 예는, 상기 탑재대(3) 상에 탑재된 기판(S)의 주연부에 비처리 가스를 공급하기 위한 비처리 가스 공급부(8)를, 상기 탑재대(3)의 피처리체 탑재 영역의 주연에 따라 마련한 것이다. 구체적으로 예컨대 도 8에 도시하는 통형상 부재(73)와 비처리 가스 공급부(8)를 조합해서 마련한 예를 이용하여 설명하면, 상기 통형상 부재(73)의 바닥부(73a)의 두께를, 탑재대(3) 상의 기판(S)의 두께보다도 커지도록 설정하고, 상기 바닥부(73a)에, 해당 바닥부(73a)의 내벽면으로부터 탑재대(3) 상의 기판(S)의 주연부를 향해서 비처리 가스를 공급하도록, 상기 비처리 가스 공급로(81)를 내장하여 구성된다.
또 터널 부재(51)의 바닥부(51a)의 두께도, 탑재대(3) 상의 기판(S)의 두께보다도 크게 설정되고, 이 바닥부(51a)에, 해당 바닥부(51a)의 내면으로부터 탑재대(3) 상의 기판(S)의 주연부를 향해서 비처리 가스를 공급하도록, 상기 비처리 가스 공급로(81)를 내장하여 구성되고 있다. 이들 통형상 부재(73)나 터널 부재(51)의 내부에 형성된 비처리 가스 공급로(81)는, 예를 들면 통형상 부재(73)나 터널 부재(51)의 내부에 있어서, 상기 각형의 피처리체 탑재 영역의 변을 따라 형성되어 있고, 비처리 가스 공급관(81a)을 거쳐서 그 내부에 비처리 가스가 공급되도록 구성되어 있다. 도면 중 82는, 상기 통형상 부재(73)의 바닥부(73a)나 터널 부재(51)의 바닥부(51a)의 내벽에, 상기 각형의 탑재 영역의 변을 따라 형성된 다수의 비처리 가스 공급 구멍이고, 이들 비처리 가스 공급 구멍(82)은 상기 비처리 가스 공급로(81)에 접속되어 있다.
이 예에서는, 비처리 가스 공급부(8)는, 비처리 가스 공급로(81)와 비처리 가스 공급관(81a)과 비처리 가스 공급 구멍(82)에 의해 구성되고, 비처리 가스 공급관(81a)으로부터 비처리 가스 공급로(81)에 공급된 비처리 가스가 비처리 가스 공급 구멍(82)을 거쳐서, 탑재대(3) 상의 기판(S)의 주연부에 공급되도록 되어 있다. 상기 비처리 가스로서는, 헬륨(He) 가스, 네온(Ne) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 희토류 가스나, 질소(N2) 가스, 산소(O2) 가스 등을 이용할 수 있다. 여기서 기판(S)의 주연부에 대해서는, 상기 비처리 가스 공급 구멍(82)으로부터 대략 수평으로 비처리 가스가 공급될 경우나, 조금 하향으로 비처리 가스가 공급될 경우가 있다.
이 예에서는, 기판(S)의 주연부에 비처리 가스가 공급되므로, 해당 주연부에 있어서 처리 가스가 비처리 가스에 의해 희석된다. 이 때문에 상기 기판(S)의 주연부에 있어서의 에칭 레이트가 저하하고, 에칭 처리의 면내 균일성이 향상한다.
또 비처리 가스 공급부(8)는, 예를 들면 도 11에 도시하는 바와 같이, 상기 탑재대(3)의 탑재 영역의 외측에, 상기 기판(S)의 두께보다도 큰 높이를 갖는 환상의 정류체(83)를 기판(S)을 둘러싸도록 마련함과 동시에, 해당 정류체(83)의 내벽면에 다수의 비처리 가스 공급 구멍(84)을 기판(S)의 변에 따라 마련하고, 여기에서부터 탑재대(3) 상의 기판(S)의 주연부의 대략 측방이나 또는 조금 하방측을 향해서 비처리 가스를 공급하도록, 상기 정류체(83)에 상기 비처리 가스 공급로(도시하지 않음)를 내장하도록 구성해도 좋다.
이 경우와 같이, 반입출구(22)의 하단보다도 탑재대(3) 상면이 하방측이 되 도록 배치하고, 정류체(83)를 탑재대(3) 상에 마련했다고 해도, 외부의 반송 수단과 탑재대(3)의 수수 핀(34)의 사이의 기판(S)의 수수를 정류체(83)의 상방측에서 실행하고, 상기 정류체(83)가 상기 반송 수단과 수수 핀(34)의 사이의 기판(S)의 수수를 방해하지 않을 경우에는, 상기 터널 부재(51)는 마련할 필요가 없다. 또 상기 비처리 가스 공급부(8)는, 전술한 도 1이나 도 6에 도시하는 정류용 구조체(5, 71)와 조합해서 마련하도록 해도 좋다. 더욱이 터널 부재(51)에는 비처리 가스 공급로(81)나 비처리 가스 공급 구멍(82)을 마련하지 않는 구성으로 해도 좋고, 비처리 가스 공급 구멍(82)의 형상은, 피처리체 탑재 영역의 주연부에 따라 마련되는 것이면 슬릿 형상이여도 좋다.
상술의 예에서는, 터널 부재(51)의 일단측의 하면이 탑재대(3)의 상면에 접속되도록 구성했지만, 예를 들면 도 12(a)에 도시하는 바와 같이, 터널 부재(51)의 일단측의 하단측 단면을 탑재대(3)의 측부에 접속하고, 터널 부재(51)의 내부에, 탑재대(3) 상의 기판(S)의 측방으로부터 반입출구(22)에 달하는 높이 조정 부재(85)를 마련하도록 해도 좋다. 또 예컨대 도 12(b)에 도시하는 바와 같이, 탑재대(3)를, 그 상면이 반입출구(22)의 하단보다도 하방측에 위치하도록 마련하고, 터널 부재(51)와 탑재대(3) 상면의 사이에 높이 조정 부재(85)를 개재시켜서, 터널 부재(51)와 탑재대(3)를 접속하도록 해도 좋다. 이 경우도 정류용 구조체(5)가 탑재대(3)에 마련되어 있을 경우에 포함된다.
더욱이 상기 터널 부재(51)는, 그 반입출구측의 단부가 상기 반입출구(22)가 형성된 상기 측벽부(21)에 접속되도록 마련해도 좋고, 예를 들면 도 12(c)에 도시 하는 바와 같이, 상기 반입출구(22) 내부로 개구되도록 구성해도 좋으며, 이 경우에는 터널 부재(51)의 반입출구측의 개구부가 셔터(23)에 의해 예컨대 탄성 부재(도시하지 않음)를 거쳐서 닫히도록 구성된다. 또 터널 부재(51)를 마련하는 것에 의해 컨덕턴스(전도성)가 커지고, 그 내부에는 가스 고임 공간이 형성되므로, 상기 터널 부재(51)의 반입출구측의 단부는 반드시 닫힐 필요는 없다. 더욱이 또 정류용 구조체(5, 71, 73)를 도시하지 않는 가열 수단에 의해 가열하고, 상기 처리에 있어서의 반응 생성물의 부착을 억제하도록 해도 좋다.
[실험예]
이하에 본 발명의 효과를 확인하기 위해서 실행한 실시예에 대해서 설명한다. 이하의 실험에 있어서는, 도 1에 도시하는 에칭 처리 장치를 이용하고, 정류용 구조체로서, 도 8에 도시하는 바와 같이, 터널 부재(51)와 통형상 부재(73)를 이용하는 구성(실시예 1), 도 10에 도시하는 바와 같이, 터널 부재(51)와 비처리 가스 공급부(8)를 구비한 통형상 부재(73)를 이용하는 구성(실시예 2), 정류용 구조체를 마련하지 않는 구성(비교예 1)을 이용하여, 표면에 Ti 막과 Al 막을 적층한 기판(S)에 대하여 에칭 처리를 실행하고, 이때의 에칭 레이트를 기판(S)의 면 내의 22 개소에 대해서 측정하고, (최대치-최소치)/(최대치+최소치)에 의해 상기 에칭 레이트의 면내 균일성을 산출했다. 여기서 상기 최대치는 에칭 레이트의 최대치, 상기 최소치는 에칭 레이트의 최소치를 각기 도시하고 있다.
에칭 처리 조건은, 어느 것이나 다음과 같다.
기판 사이즈: 730mm×920mm
처리 압력: 3.99Pa(30mTorr)
에칭 가스: Cl2+N2
(결과)
이 결과, 에칭 레이트의 면내 균일성은, 아래와 같다.
실시예 1: ±16.5%
실시예 2: ±10.1%
비교예 1: ±23.3%
이로써, 실시예 1 및 실시예 2와 같이 본 발명의 정류용 구조체를 이용했을 경우에는 어느 것도, 비교 예 1의 정류용 구조체를 이용하지 않을 경우보다도, 에칭 레이트의 면내 균일성이 높은 것이 인정받아, 본 발명의 정류용 구조체의 유용성이 이해된다. 또 본 발명의 처리 장치는 에칭 처리뿐만 아니라, 애싱이나 CVD등, 다른 처리 가스를 이용하여 피처리체에 대하여 처리를 실행하는 처리에 적용할 수 있다. 또 처리는, 반드시 플라즈마 처리에 한정되는 것은 아니고, 다른 가스 처리라도 좋다. 더욱이 또 피처리체로서는 각형의 기판에는 한정되지 않고, FPD 기판 이외에, 반도체 웨이퍼(W) 등이라도 좋다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따라서 에칭 처리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 2는 상기 에칭 처리 장치에 마련되는 정류용 구조체를 도시하는 구성도이다.
도 3은 상기 에칭 처리 장치에 마련되는 정류용 구조체를 도시하는 평면도이다.
도 4는 상기 에칭 처리 장치의 작용을 도시하는 단면도이다.
도 5는 상기 에칭 처리 장치의 작용을 도시하는 단면도이다.
도 6은 상기 에칭 처리 장치의 다른 예를 도시하는 사시도와 평면도이다.
도 7은 상기 에칭 처리 장치의 작용을 도시하는 단면도이다.
도 8은 상기 에칭 처리 장치의 더욱이 다른 예를 도시하는 사시도와 평면도이다.
도 9는 상기 에칭 처리 장치의 작용을 도시하는 단면도이다.
도 10은 상기 에칭 처리 장치의 더 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 11은 상기 에칭 처리 장치의 더 다른 예를 도시하는 사시도이다.
도 l2는 상기 에칭 처리 장치의 더 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 13은 종래의 에칭 처리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 14는 기판(S)의 평면도이다.
도 15는 종래의 에칭 처리 장치를 도시하는 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
2 : 에칭 처리 장치 20 : 처리 용기
21 : 측벽부 22 : 반입출구
23 : 셔터 24 : 배기로
3 : 탑재대 4 : 상부전극
31 : 고주파 전원부 47 : 처리 가스 공급부
5, 71 : 정류용 구조체 51 : 터널 부재
52 : 정류벽 72 , 73 : 통형상 부재
8 : 비처리 가스 공급부 81 : 비처리 가스 공급로
82 : 비처리 가스 공급 구멍 83 : 정류체
S : FPD 기판

Claims (9)

  1. 처리 용기의 내부에 마련되고, 그 상부에 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대와,
    상기 탑재대의 상방측으로부터 처리 가스를 공급하고, 상기 탑재대에 탑재된 피처리체에 대하여 처리를 실행하기 위한 처리 가스 공급 수단과,
    상기 처리 용기의 내부를 배기하기 위한 배기 수단과,
    상기 처리 용기의 측벽부에 형성되고, 개폐 부재에 의해 개폐되는 상기 피처리체의 반입출구와,
    상기 탑재대 상의 피처리 탑재 영역을 둘러싸도록 마련되고, 상기 탑재대에 탑재된 피처리체의 주위에 처리 가스의 가스 고임 영역을 형성하고, 상기 피처리체의 주연부에 있어서의 상기 처리 가스의 유속을 늦추기 위한 정류용 구조체를 구비하고,
    상기 정류용 구조체의 상기 반입출구측은, 상기 반입출구로부터 상기 피처리체 탑재 영역을 향하는 피처리체 반송 경로를 구획 형성하기 위한 통형상 부재로서 구성되는 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 정류용 구조체는, 그 상단이 상기 피처리체의 반송 높이 위치보다도 높 게 되도록 상기 탑재대에 마련되는 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 통형상 부재에 있어서의 반입출구측의 단부는 처리 용기의 분위기에 연통하고 있지 않은 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 정류용 구조체에 있어서의 상기 통형상 부재 이외의 부위는, 상기 탑재대로부터 상방으로 신장하는 정류벽으로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 정류용 구조체에 있어서의 상기 통형상 부재 이외의 부위는, 일단측이 상기 피처리체 탑재 영역을 향해서 개구되고, 그 타단측이 처리 용기의 측벽측에서 폐쇄되는 편평한 구조체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 피처리체는 각형 기판이고,
    상기 통형상 부재는 상기 탑재대의 각형의 피처리체 탑재 영역의 하나의 변측에 마련되고, 상기 하나의 변 이외의 나머지 3개 다른 변측에서는, 상기 구조체에 있어서의 일단측이 상기 다른 변을 따라 개구되는 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 구조체에 있어서의 타단측은 처리 용기의 측벽에 의해 폐쇄되어 있는 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 탑재대의 피처리체 탑재 영역의 주연을 따라 마련되고, 상기 탑재대 상에 탑재된 피처리체의 주연부에 비처리 가스를 공급하기 위한 비처리 가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 피처리체에 대하여 실행되는 처리는, 피처리체 표면에 형성된 알루미늄 막의 에칭 처리인 것을 특징으로 하는
    처리 장치.
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