KR20080083956A - 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치 - Google Patents

반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치 Download PDF

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KR20080083956A
KR20080083956A KR1020070024873A KR20070024873A KR20080083956A KR 20080083956 A KR20080083956 A KR 20080083956A KR 1020070024873 A KR1020070024873 A KR 1020070024873A KR 20070024873 A KR20070024873 A KR 20070024873A KR 20080083956 A KR20080083956 A KR 20080083956A
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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치에 관한 것이다. 본 발명에서는, 진공 장치를 구성하는 배기라인의 꺽임부에 굴곡부를 형성함으로써 배기라인을 통해 배출되는 에어에 포함된 파티클이 상기 꺾임부에 정체되어 쌓이는 것을 방지한다. 그 결과, 배기라인에서의 에어 배기 효율이 향상되어 프로세스 챔버의 압력 조절이 보다 용이해지며 배기라인을 포함한 전체 반도체 디바이스 제조설비의 오염을 최소화할 수 있게 된다.
Figure P1020070024873
프로세스 챔버, 배기라인, 파티클

Description

반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치{vacuum apparatus of semiconductor device manufacturing equipment}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치를 나타낸다.
도 2는 상기 도 1에 도시된 배기라인의 내부 상태를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 진공 장치가 적용되는 반도체 디바이스 제조설비를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치를 나타낸다.
도 5는 상기 도 4에 도시된 배기라인의 굴곡부 내부 상태를 나타낸다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 프로세스 챔버 102: 상부전극
104: 샤워헤드 106: 버퍼공간
108: 가스분사홀 110: DTCU
112: 돔 114: 램프
116: RF 코일 118: 하부전극
120: 정전척 122: 클램프 링
124: 리프트 핀 126: 리프트
본 발명은 반도체 디바이스 제조설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버 내부의 에어가 원활히 배출될 수 있도록 하는 배기라인에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조설비에 있어서, 대기중의 오염물질 또는 공정을 진행하는 과정에서 발생된 폴리머를 비롯한 각종 파티클들은 반도체 디바이스의 신뢰성 및 수율에 매우 큰 영향을 미치게 된다. 따라서, 프로세스 챔버 내부의 진공압 유지를 위한 목적에서 뿐 아니라 청정도를 유지하기 위한 목적으로 프로세스 챔버 내부를 펌핑하게 된다. 통상적으로, 프로세스 챔버를 펌핑하기 위해서는 터보 펌프 및 드라이 펌프등과 같은 펌핑 장치 및 상기 터보 펌프에 의해 펌핑되어진 프로세스 챔버의 에어가 배출되는 배기라인으로 구성된 진공 장치가 적용된다.
도 1에는 종래 기술에 따른 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치가 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 프로세스 챔버(10)에 터보 펌프(12) 및 드라이 펌프(14)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 프로세스 챔버(10)와 터보 펌프(12) 및 드라이 펌프(14)는 포어라인(foreline)으로 불리우는 배기라인(16)을 통해 서로 연결되어 있 다.
그러나, 상기 프로세스 챔버(10)와 터보 펌프(12) 및 드라이 펌프(14)를 연결하는 배기라인(14)은 반도체 디바이스 제조설비상의 공간적 한계로 인하여 일직선으로 형성되지 못하고, 참조부호 A 또는 B로 나타낸 것과 같은 꺾임부위를 불가피하게 가지게 된다.
따라서, 상기 프로세스 챔버(10)로부터 일정 유속을 가지고 플로우되던 에어가 배기라인(16)상의 꺽임부(A,B)에 이르러서는 그 흐름이 순간적으로 방해를 받게 된다. 이처럼 흐름에 방해를 받은 에어는 상기 꺽임부(A,B) 영역에서 유속이 급감되고 흐름 방향이 혼잡해져 와류가 형성되기도 한다. 통상적으로 상기 프로세스 챔버로부터 펌핑되어진 에어속에는 폴리머등의 다양한 파티클이 포함되어 있다. 따라서, 에어가 플로우되는 배기라인 내벽에는 이러한 파티클이 응착되므로, 주기적으로 세정 공정을 실시하고, 배기라인을 교체하게 된다. 그러나, 배기라인의 꺾임부에서는 이러한 파티클의 응착이 더욱 심각하다.
도 2에는 상기 도 1에 도시된 배기라인의 꺾임부(A,B)의 내부 상태가 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 상기 배기라인(16)의 꺾임부(A,B) 내부에 폴리머를 비롯한 다양한 파티클(18)이 다량으로 응착되어 있다.
도 2에 도시된 것과 같이, 상기 배기라인(16)의 꺾임부에 파티클(18)이 응착되어 있을 경우, 배기라인(16)을 통한 에어 흐름이 원활하지 못하게 되어 프로세스 챔버(10)에 대한 압력 조절이 어려워진다. 그로 인해 웨이퍼에 대한 프로세싱이 원 활히 진행되지 못하여 증착률, 식각률, 클린율등이 불균일해져 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성 저하를 야기시킨다.
또한, 상기 배기라인(16)의 꺾임부에 파티클(18)이 응착될 경우, 꺾임부의 반경이 좁아지게 되어 배기라인(16)을 통한 에어 흐름이 원활하지 못하게 된다. 그 결과, 배기라인(16) 자체의 오염은 물론 프로세스 챔버(10) 내부가 파티클에 의해 오염될 뿐더러、상기 배기라인(16)의 꺾임부에 응착된 파티클(18)은 주기적으로 실시하는 세정공정을 통해서도 제거하기 어려운 문제점이 있다. 그로 인해, 배기라인의 교체시기를 단축시키고, 더 나아가 전체 반도체 디바이스 제조설비의 공정 사이클을 단축시켜 유지 보수 비용을 증가시키게 된다.
상기와 같은 종래의 문제점들을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 배기라인 꺾임부에 파티클이 응착되는 문제점을 해소할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 프로세스 챔버로부터 펌핑된 에어를 원활히 배기시켜 프로세스 챔버의 압력을 보다 정확하고 정밀하게 조절할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 공정 설비의 라이프 사이클을 연장시켜 유지보수 비용을 감소시킬 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성 저하를 방지할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치를 제공함에 있다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치는, 단위 공정이 진행되는 프로세스 챔버 내부의 에어를 펌핑하는 펌프부; 및 상기 프로세스 챔버와 펌프부를 서로 연결시켜 상기 프로세스 챔버 내부로부터 펌핑된 에어의 플로우 경로가 되며, 수직 라인과 수평 라인이 만나는 지점이 완만한 경사면을 가지는 굴곡형상으로 이루어져 있는 배기라인부를 포함함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 수직 라인과 수평 라인이 만나는 굴곡형상 지점의 내부에는 세라믹 코팅처리되어 있음을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 디바잉스 제조설비의 진공 장치는, 단위 공정이 진행되는 프로세스 챔버 내부의 압력 조절 및 파티클 제거를 위하여 상기 프로세스 챔버 내부의 에어를 펌핑하는 펌프부; 상기 프로세스 챔버와 상기 펌프부를 서로 연결시켜 상기 프로세스 챔버 내부로부터 펌핑된 에어의 플로우 경로가 되며, 다수개의 수직 라인과 다수개의 수평 라인의 상호 연결로 이루어진 배기라인부; 및 상기 프로세스 챔버로부터 배출된 에어의 흐름을 방해하지 않기 위하여, 상기 배기라인부의 수직 라인과 수평 라인이 만나는 지점에 형성되어 있는 완만한 경사면을 가지는 굴곡부를 포함함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 굴곡부 내부에는 세라믹 코팅처리되어 있음을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 카테고리를 벗어나지 않는 범위내에서 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 절연막 또는 도전막등의 박막을 증착한 뒤, 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조하게 된다. 그리고, 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 반도체 기판 내부로 3B족(예컨대, B) 또는 5B(예컨대, P 또는 As)족의 불순물 이온을 주입하는 불순물 이온주입 공정, 반도체 기판 상에 물질막을 형성하는 박막 증착(deposition)공정, 반도체 기판 상의 물질막을 소정의 패턴으로 형성하는 식각 공정, 반도체 기판 상부에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 반도체 기판 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 비롯하여 웨이퍼 또는 챔버의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정등과 같은 여러 단위 공정들이 실시된다. 따라서, 상기와 같은 여러 단위 공정들을 여러 번 반복적으로 실시함으로써 반도체 디바이스를 제조하게 되며, 이러한 단위 공정은 각각의 반도체 디바이스 제조설비를 통해 이루어진다.
한편, 상기와 같은 단위 공정이 진행되는 프로세스 챔버 및 단위 공정이 진행되어질 웨이퍼가 대기하고 있는 로드락 챔버, 그리고 웨이퍼가 이송되는 경로인 트랜스퍼 챔버 내부가 일정 수준의 압력분위기로 정밀하게 유지될 것이 요구되고 있다. 또한, 상기와 같은 반도체 디바이스 제조설비에 있어서, 대기중의 오염물질 또는 공정을 진행하는 과정에서 발생된 폴리머를 비롯한 각종 파티클들은 반도체 디바이스의 신뢰성 및 수율에 매우 큰 영향을 미치게 된다. 따라서, 진공 펌프등의 펌핑 장치를 이용하여 챔버 내부를 펌핑함으로써, 단위 공정시 요구되는 청정도를 유지함과 동시에 공정시 요구되는 압력상태를 최상으로 유지하게 된다.
특히, 프로세스 챔버는 각종 단위 공정이 진행되는 메인 챔버로서, 프로세스 챔버 내부 공간을 진공상태로 만들기 위한 다양한 방식의 진공 장치가 사용되고 있다. 즉, 프로세스 챔버 내부로 단위 공정을 위한 공정가스가 투입되면, 프로세스 챔버의 내부의 압력은 일시적으로 상승된다. 따라서, 상승된 압력을 공정 조건으로 유지하기 위해 단위 공정이 진행되는 동안 계속해서 진공 장치가 가동된다. 따라서, 이러한 진공 장치에 의해 프로세스 챔버 내부는 단위 공정시 요구되는 압력을 유지할 수 있게 되며, 이와 동시에 프로세스 챔버 내부의 미반응 가스 및 단위 공정이 진행되는 동안 발생된 반응부산물 또한 외부로 배출된다.
하기 도 3에는 본 발명에 따른 진공 장치가 적용되는 반도체 디바이스 제조설비가 도시되어 있다.
도 3을 참조하면, 상기 반도체 디바이스 제조설비는 플라즈마 식각 공정을 위한 플라즈마 식각 설비로서, 웨이퍼 상에 형성된 피가공막을 전기적 특성을 가지는 패턴으로 식각하기 위한 식각 공정이 진행되는 프로세스 챔버(100)가 제공된다. 그리고, 상기 프로세스 챔버(100)는 일정 두께의 챔버 벽으로 이루어진 상부 챔버 및 하부 챔버로 구성된다.
먼저, 상기 프로세스 챔버(100)의 상부 챔버에는 RF 파워가 인가되는 상부전극(102) 및 샤워헤드(104)가 형성되어 있다. 상기 상부전극(102)을 통해 인가되는 RF 파워는 약 60MHz 이상의 고주파로서, 이러한 고주파수를 인가함으로써, 프로세스 챔버(100) 내부에 주입된 공정가스를 플라즈마화시킬 수 있게 되고, 10mT 이하의 저압조건하에서도 플라즈마에 의한 식각 공정이 가능하도록 하여 디자인룰 감소에 대응할 수 있도록 한다.
그리고, 상기 샤워헤드(104)에는 가스공급관을 통해 공급되는 가스를 그 내부에 일시적으로 저장시키는 버퍼공간(106)이 마련되어 있으며, 상기 버퍼공간(106)에 일시적으로 저장된 가스를 프로세스 챔버 내부로 분사시키기 위한 복수개의 가스분사홀(108)이 형성되어 있다.
또한, 상기 상부 챔버에는 RF 파워와 연결되어 RF 에너지가 공급되며, 프로세스 챔버 내부의 온도를 약 80℃의 적정온도로 유지시켜주는 보조 챔버로서 기능하는 DTCU(Dome Temp Control Unit:110)가 설치된다. 그리고, 상부 챔버의 천정을 커버하는 형성하는 돔(112)이 형성되어 있으며, 상기 돔(112)의 상측에는 프로세스 챔버(100)의 내부를 소정의 온도 조건으로 유지시키기 위한 다수개의 램프(114) 및 RF 코일(116)이 구비되어 있다. 또한, 도면상으로 도시되지는 않았으나, 상기 돔(112)의 천정에는 식각 종료 시점을 검출하도록 하는 식각 종말점 감지부가 형성되어 있다.
한편, 상기 프로세스 챔버(100)의 하부 챔버에는 RF 파워가 인가되는 하부전 극(118) 및 웨이퍼가 안착되는 정전척(120)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 하부전극(118)에 인가되는 RF 파워의 주파수는 약 2MHz로서, 웨이퍼 측으로 플라즈마 이온들을 유인하게 된다. 그리고, 상기 정전척(120)의 에지부에는 클램프 링(122)이 설치되어 있는데, 이러한 클램프 링(122)은 상기 척(120)에 안착된 웨이퍼의 에지부위를 에워싸는 환형으로 이루어져 있다. 이러한 클램프 링(122)에 의해 정전척(120) 상부에 안착된 웨이퍼는 소정의 위치에 고정될 수 있으며, 플라즈마 환경 영역을 웨이퍼의 외측 부위까지 확대시켜 웨이퍼 전체 영역이 플라즈마 작용을 받을 수 있도록 한다. 그리고, 웨이퍼를 상하 방향으로 수직운동시키기 위한 리프트 핀(124)을 포함한 리프트(126)가 형성되어 있다. 상기 리프트(126)는 구동수단을 이용하여 상기 리프트 핀(124)을 승하강시키며, 이러한 리프트 핀(124)의 승하강에 의해 웨이퍼의 수직 운동이 이루어지게 된다.
그리고, 상기 프로세스 챔버(100)의 하단에는 프로세스 챔버(100) 내부를 펌핑하기 위한 진공 장치(도시되지 않음)가 형성되어 있다. 상기 진공 장치는, 통상적으로 프로세스 챔버(100) 내부의 에어를 펌핑하는 터보 펌프 및 드라이 펌프, 그리고 상기 프로세스 챔버(100)와 터보 펌프 및 드라이 펌프를 서로 연결하는 배기라인으로 구성된다.
따라서, 상기 프로세스 챔버(100) 내부로 단위 공정을 위한 공정가스가 투입되면, 프로세스 챔버(100)의 내부의 압력은 일시적으로 상승된다. 그러면, 프로세스 챔버(100) 내부의 상승된 압력을 단위 공정에 적합한 수준으로 유지하기 위해 진공 장치의 터보 펌프가 가동된다. 그리고, 단위 공정이 진행되는 동안 발생되는 반응부산물 및 잔여 공정 가스 또한 이러한 터보 펌프의 펌핑 작용에 의해 프로세스 챔버(100) 외부로 배출된다.
이처럼, 상기와 같은 플라즈마 식각 설비에 있어서, 프로세스 챔버(100) 내부의 압력을 조절하고, 파티클을 외부로 배출하기 위하여 진공 장치를 구비하는 것이 필수적이다. 본 발명은 상기와 같이 프로세스 챔버 외부에 진공 장치를 형성함에 있어서, 프로세스 챔버로부터 배출된 파티클이 배기라인 내부에 적층되어 원활한 배기를 방해하는 종래의 문제점을 해소할 수 있는 개선된 구조의 진공 장치를 제공한다.
그러면, 하기 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치를 구체적으로 살펴보기로 하자.
도 4를 참조하면, 예컨대 플라즈마 식각 공정이 진행되는 프로세스 챔버(100) 외부에 진공 장치가 형성되어 있다. 상기 진공 장치는 프로세스 챔버(100) 내부의 압력을 조절하고, 파티클을 비롯한 잔류 공정가스를 외부로 배출하기 위한 것으로서, 터보 펌프(102), 드라이 펌프(104) 및 상기 프로세스 챔버(100)와 터보 펌프(102) 및 드라이 펌프(104)를 연결하기 위한 배기라인(106)으로 구성된다.
여기서, 상기 터보 펌프(102) 내부에는 배기용 블레이드(도시되지 않음)가 설치되며, 상기 배기용 블레이드는 보통 27,000rpm 이상으로 회전하면서 프로세스 챔버(100) 내부의 기압을 진공압 상태로 유지하게 된다. 보다 구체적으로, 상기 프로세스 챔버(100)는 균일한 플라즈마 발생을 위하여 파티클과 같은 오염물질의 유입을 최소화하는 것이 매우 중요하므로, 프로세스 챔버(100) 내부의 정전척 상부에 웨이퍼를 로딩한 뒤, 상기 터보 펌프(102)를 이용하여 1×10-6Torr정도의 고진공으로 펌핑시킨다. 그리고 나서, 플라즈마 반응을 유도하기 위한 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)과 같은 퍼지가스를 공급한 뒤, 약 1×10-3Torr 내지 약 1×10-1Torr 정도의 저진공 상태가 유지되도록 한다.
그리고, 상기 드라이 펌프(104)는 상기 터보 펌프(120)와 함께 플라즈마 식각 공정이 진행되는 프로세스 챔버(100) 내부의 공정 가스를 배출시키기 위한 기능을 수행하는 소위 보조 펌프로서, 상기 드라이 펌프(104) 자체에서 발생되는 열을 냉각시키기 위한 오일 시스템(도시되지 않음) 및 프로세스 쿨링 워터를 공급하는 워터 플로우 라인(도시되지 않음)이 구비되어 있다. 또한, 상기 드라이 펌프(104)는 일반적으로 프로세스 챔버(100) 및 버퍼 기능의 트랜스퍼 챔버의 압력을 진공상태로 유지하는 기능을 수행하기 위하여 항시 펌핑기능을 유지하고 있다.
한편, 상기와 같은 진공 장치에 있어서, 상기 배기라인(106)은 본 발명의 실시예에 따른 진공 장치의 핵심 구성으로서, 도 4에 도시된 것과 같이 배기라인(106)의 꺾임 부분에 굴곡부(108)가 형성되어 있는 것이 특징이다. 통상적으로, 상기 배기라인(106)은 전체적으로 수평으로 형성되어 있는 배기라인과 수직으로 형성되어 있는 배기라인이 서로 결합하여 이루어져 있다. 따라서, 상기 수평 배기라인과 수직 배기라인이 서로 연결되는 부분에 있어서는 불가피하게 직각의 꺾임 부분이 형성된다. 그러나, 본 발명에서와 같이, 상기 배기라인(106)의 꺾임 부분에 있어서의 급격한 경사면을 완만한 경사를 지닌 굴곡부(108)로 형성하게 되면, 상기 프로세스 챔버(100)로부터의 에어 흐름이 원활해져 종래의 문제점을 해소할 수 있게 된다. 즉, 종래에는 배기라인에서의 꺾임 부분이 거의 직각을 이루고 있었다. 그로 인해 프로세스 챔버로부터 일정 유속을 가지고 플로우되던 에어가 배기라인상의 직각으로 꺾인 영역에 이르러 그 흐름이 순간적으로 방해를 받게 되어 파티클이 증착되었다. 이처럼 배기라인 내부에 파티클이 증착될 경우, 배기라인의 반경이 좁아져 배기라인을 통한 에어 배출이 원활히 진행되지 못하고, 그로 인해 프로세스 챔버 내부의 압력 조절이 어려워지며, 배기라인 자체의 수명단축으로 인해 기료비 증가를 초래하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명에서는 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하고자, 상기 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 배기라인(106)의 꺾임 부분에 굴곡부(108)를 형성한 것이다. 본 발명에서와 같이, 상기 배기라인(106)의 꺾임 부분에 굴곡부(108)를 형성할 경우, 상기 프로세스 챔버(100)로부터 배출된 에어가 상기 굴곡부(108)의 곡선을 따라 부드럽게 플로우된다. 따라서, 종래에는 배기라인의 꺾임 부분에서 에어 흐름이 정체되거나 와류가 형성되어 파티클이 정체되는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 이러한 종래의 문제점을 최소화할 수 있게 된다. 이때, 상기 굴곡부(108)는 배기라인(106)의 휘어진 영역마다 형성할 수도 있고, 파티클 증착이 특히 우려되는 영역에 선택적으로 형성할 수도 있다. 그리고, 상기 굴곡부(108) 내부는 파티클 증착을 최대한 방지하기 위하여, 세라믹으로 코팅처리할 수도 있다.
한편, 상기 배기라인()에는 프로세스 챔버(100) 내부로부터 배출되는 에어 흐름을 제어하기 위한 아이솔레이션 밸브 또는 프로세스 챔버 내부의 압력을 조절 하기 위한 스로틀 밸브가 형성되어 있다.
도 5에는 상기 도 4에 도시된 배기라인(106)의 굴곡부(108) 내부의 상태가 도시되어 있다.
도 5를 참조하면, 상기 배기라인(106)의 굴곡부(108) 내부에 파티클이 증착되지 않아 깨끗한 상태를 유지하고 있다.
이처럼, 상기 배기라인(106)의 휘어진 부분에 형성되어 있는 굴곡부(108) 내부에 파티클이 증착되지 않음으로써, 프로세스 챔버(100)로부터 배출된 에어가 배기라인(106)을 통해 원활히 배출될 수 있게 된다.
그 결과, 상기 프로세스 챔버(100) 내부의 압력 조절이 용이해져 플라즈마 식각 공정이 원활히 진행됨으로써, 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 상기 배기라인(106)을 통해 프로세스 챔버(100) 내부의 파티클이 원활히 배출됨으로써, 상기 배기라인(106)은 물론 프로세스 챔버(100) 내부의 오염을 최소화하여 배기라인을 비롯한 전체 반도체 디바이스 제조설비의 공정 사이클을 연장시켜 유지 보수 비용을 감축시킬 수 있게 된다.
이상, 플라즈마 식각 설비를 참조하여 본 발명에 따른 진공 장치를 설명하였다. 그러나, 상기 플라즈마 식각 설비는 본 발명에 따른 진공 장치를 설명하기 위해 제시된 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 상기 플라즈마 식각 설비 이외에 펌핑 과정을 수반하는 모든 반도체 디바이스 제조설비에 본 발명에 따른 진공 장치를 적용할 수 있음은 물론이다.
상기한 바와 같이 본 발명에서는, 챔버 내부의 에어를 배출시키기 위한 진공 장치를 구현함에 있어서, 챔버와 펌핑 장치를 연결하는 배기라인의 꺾임 부위에 굴곡부를 형성한다. 그 결과, 상기 배기라인을 통해 플로우되는 에어 흐름이 원할해져 상기 굴곡부를 포함한 전체 배기라인에 파티클이 증착되는 문제점을 해소할 수 있게 되고, 그로 인해 전체 반도체 디바이스 제조설비의 유지 보수 비용을 감축시킬 수 있게 된다. 그리고, 상기 배기라인을 통한 에어 흐름이 원활해져 프로세스 챔버 내부에 대한 압력 조절이 용이해짐으로써, 결과적으로 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 얻게 된다.

Claims (8)

  1. 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치에 있어서:
    단위 공정이 진행되는 프로세스 챔버 내부의 에어를 펌핑하는 펌프부; 및
    상기 프로세스 챔버와 펌프부를 서로 연결시켜 상기 프로세스 챔버 내부로부터 펌핑된 에어의 플로우 경로가 되며, 수직 라인과 수평 라인이 만나는 지점이 완만한 경사면을 가지는 굴곡형상으로 이루어져 있는 배기라인부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 수직 라인과 수평 라인이 만나는 굴곡형상 지점의 내부는 세라믹 코팅처리되어 있음을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 펌프부는 상기 프로세스 챔버에 연결되어 있는 터보 펌프 및 상기 터보 펌프에 연결되어 상기 터보 펌프를 보조하는 드라이 펌프를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 배기라인부에는 에어 흐름을 제어하기 위한 아이솔레이션 밸브 또는 스로틀 밸브가 더 형성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
  5. 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치에 있어서:
    단위 공정이 진행되는 프로세스 챔버 내부의 압력 조절 및 파티클 제거를 위하여 상기 프로세스 챔버 내부의 에어를 펌핑하는 펌프부;
    상기 프로세스 챔버와 상기 펌프부를 서로 연결시켜 상기 프로세스 챔버 내부로부터 펌핑된 에어의 플로우 경로가 되며, 다수개의 수직 라인과 다수개의 수평 라인의 상호 연결로 이루어진 배기라인부; 및
    상기 프로세스 챔버로부터 배출된 에어의 흐름을 방해하지 않기 위하여, 상기 배기라인부의 수직 라인과 수평 라인이 만나는 지점에 형성되어 있는 완만한 경사면을 가지는 굴곡부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 굴곡부 내부는 세라믹 코팅처리되어 있음을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 펌프부는 상기 프로세스 챔버에 연결되어 있는 터보 펌프 및 상기 터보 펌프에 연결되어 상기 터보 펌프를 보조하는 드라이 펌프를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 배기라인부에는 에어 흐름을 제어하기 위한 아이솔레이션 밸브 또는 스로틀 밸브가 더 형성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 진공 장치.
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