KR20220079616A

KR20220079616A - 기판 프로세싱 시스템들에서 로드 록들에 대한 자동 세정

Info

Publication number: KR20220079616A
Application number: KR1020227015244A
Authority: KR
Inventors: 아담 패트릭 베이트먼; 트래비스 알. 테일러
Original assignee: 램 리써치 코포레이션
Priority date: 2019-10-08
Filing date: 2020-10-05
Publication date: 2022-06-13
Also published as: CN114631173A; TW202129793A; JP2022552225A; WO2021071767A1; US20220375773A1

Abstract

기판 프로세싱 시스템에서 로드 록을 세정하기 위한 방법은 제 1 기간에서, 제 1 벤트를 통해 로드 록의 가스 볼륨 내로 가스를 공급하도록 가스 소스 (source) 와 유체로 연통하는 제 1 밸브를 개방하는 것을 포함한다. 가스는 로드 록의 표면들으로부터 입자들을 교란하기에 충분한 압력과 플로우 레이트 (flow rate) 로 공급된다. 방법은 제 1 기간에 후속하는 제 2 기간에서, 제 1 밸브 개방과 함께, 펌프와 유체로 연통하는 제 2 밸브 개방 단계 및 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 플러시하도록 (flush) 펌프를 턴온하는 (turn on) 단계, 그리고, 제 2 기간에 후속하는 제 3 기간에서, 제 2 밸브를 통해 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스와 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 제 1 밸브를 폐쇄하는 단계를 포함한다.

Description

기판 프로세싱 시스템들에서 로드 록들에 대한 자동 세정

본 개시는 기판 프로세싱 시스템 내의 컴포넌트들 (components) 을 세정하는 것에 관한 것이다.

본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시할 목적이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.

기판 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼들과 같은 기판을 처리하기 위해 사용될 수도 있다. 기판 상에서 수행될 수도 있는 예시적인 프로세스들은 이로 제한되지는 않지만 화학적 기상 증착 (CVD), 원자 층 증착 (ALD), 도체 에칭, 급속 열처리 (RTP), 이온 주입, 물리적 기상 증착 (PVD) 및/또는 다른 에칭, 증착 또는 세정 프로세스들을 포함한다. 기판은 기판 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버 내의 페데스탈, 정전 척 (ESC) 등과 같은 기판 지지부 상에 배치될 수도 있다. 프로세싱 동안 하나 이상의 전구체들을 포함하는 가스 혼합물들이 프로세싱 챔버 내로 도입될 수도 있으며 플라즈마는 화학 반응들을 개시하도록 사용될 수도 있다.

관련 출원에 대한 교차 참조

본 출원은 2019년 10월 8일에 출원된 미국 가출원 번호 제 62/912,584 호의 이익을 주장한다. 상기 참조된 출원의 전체 개시 내용은 참조로 본 명세서에 인용된다.

기판 프로세싱 시스템에서 로드 록을 세정하기 위한 방법은 제 1 기간에서, 제 1 벤트 (vent) 를 통해 로드 록의 가스 볼륨 내로 가스를 공급하도록 가스 소스 (source) 와 유체로 연통하는 (in fluid communication) 제 1 밸브를 개방하는 단계를 포함한다. 가스는 로드 록의 표면들로부터 입자들을 교란하기에 충분한 압력과 플로우 레이트 (flow rate) 로 공급된다. 방법은 제 1 기간에 후속하는 제 2 기간에, 그리고 제 1 밸브 개방과 함께, 펌프와 유체로 연통하는, 제 2 밸브를 개방하는 단계, 및 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 플러시하도록 (flush) 펌프를 턴온하는 (turning on) 단계, 및 제 2 기간에 후속하는 제 3 기간에, 제 2 밸브를 통해 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 제 1 밸브를 폐쇄하는 단계를 포함한다.

다른 특징들에서, 제 1 벤트는 로드 록의 외주 (outer perimeter) 를 둘러싸는 환형 벤트에 대응한다. 제 1 벤트는 상기 로드 록 하단부를 통한 하단 벤트에 대응한다. 제 1 벤트는 상기 로드 록의 리드 (lid) 를 통한 상단 벤트에 대응한다. 가스는 적어도 170 SLPM (standard liters per minute) 의 플로우 레이트로 제 1 벤트를 통해 공급된다. 제 1 기간은 0 초 내지 10 초이다. 제 1 기간은 1 초 미만이다. 제 2 기간은 1 초 내지 60 초이다. 제 2 기간은 10 초 미만이다. 제 3 기간은 0.5 초 내지 1.5 초이다. 방법은 제 1 밸브를 개방하는 단계, 제 2 밸브를 개방하는 단계 및 펌프를 턴온하는 단계, 및 제 1 밸브를 폐쇄하는 단계를 반복하는 것을 더 포함한다.

다른 특징들에서, 방법은 제 1 기간에서, 로드 록의 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 가스를 공급하도록 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하는 단계를 더 포함한다. 방법은 제 1 기간에서 제 1 밸브 및 제 3 밸브를 번갈아 개방하는 단계를 더 포함한다. 방법은 제 4 기간에서, 로드 록의 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 가스를 공급하도록 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하는 단계, 제 4 기간에 후속하는 제 5 기간에, 그리고 제 3 밸브 개방과 함께, 제 2 밸브를 개방하는 단계, 및 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 플러시하도록 펌프를 턴온하는 단계, 및 제 5 기간에 후속하는 제 6 기간에, 제 2 밸브를 통해 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 제 3 밸브를 폐쇄하는 단계를 더 포함한다.

기판 프로세싱 시스템에서 로드 록을 세정하기 위한 시스템은 가스 소스 및 로드 록의 가스 볼륨과 유체로 연통하는 제 1 밸브, 펌프 및 가스 볼륨과 유체로 연통하는 제 2 밸브, 및 제 1 기간에서, 로드 록의 가스 볼륨 내로 제 1 벤트를 통해 가스를 공급하도록 제 1 밸브를 개방하도록 구성된 제어기를 포함한다. 가스는 로드 록의 표면들로부터 입자들을 교란하기에 충분한 압력과 플로우 레이트로 공급된다. 제어기는 제 1 기간에 후속하는 제 2 기간에, 그리고 제 1 밸브 개방과 함께, 제 2 밸브를 개방하고 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 플러시하도록 펌프를 턴온하고, 그리고 제 2 기간에 후속하는 제 3 기간에, 제 2 밸브를 통해 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 제 1 밸브를 폐쇄하도록 더 구성된다.

다른 특징들에서, 제 1 벤트는 로드 록의 외주를 둘러싸는 환형 벤트에 대응한다. 제 1 벤트는 로드 록의 하단부를 통한 하단 벤트에 대응한다. 제 1 벤트는 로드 록의 리드를 통한 상단 벤트에 대응한다. 제어기는 적어도 170 SLPM의 플로우 레이트로 제 1 벤트를 통해 가스의 공급을 제어하도록 구성된다. 제 1 기간은 0 초 내지 10 초이다. 제 1 기간은 1 초 미만이다. 제 2 기간은 1 초 내지 60 초이다. 제 2 기간은 10 초 미만이다. 제 3 기간은 0.5 초 내지 1.5 초이다. 제어기는 제 1 밸브를 개방하는 단계, 제 2 밸브를 개방하는 단계 및 펌프를 턴온하는 단계, 및 제 1 밸브를 폐쇄하는 단계를 반복하도록 구성된다.

다른 특징들에서, 제 1 기간에서, 제어기는 로드 록의 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 가스를 공급하도록 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하도록 구성된다. 제어기는 제 1 기간에서 제 1 밸브 및 제 3 밸브를 번갈아 개방하도록 구성된다. 제어기는 제 4 기간에서, 로드 록의 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 가스를 공급하도록 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하고, 제 4 기간에 후속하는 제 5 기간에, 그리고 제 3 밸브 개방과 함께, 제 2 밸브를 개방하고 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 플러시하도록 펌프를 턴온하고, 그리고, 제 5 기간에 후속하는 제 6 기간에, 제 2 밸브를 통해 로드 록의 가스 볼륨으로부터 가스 및 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 제 3 밸브를 폐쇄하도록 더 구성된다.

본 개시의 적용 가능 영역은 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구항, 도면을 통해 분명해질 것이다. 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용과 구체적인 실시예는 오직 예시의 목적을 위함이며, 개시의 범위를 제한하려는 것이 아니다.

본 개시는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용과 첨부된 도면을 통해 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시의 원리들에 따른 예시적인 기판 프로세싱 시스템이다.
도 2는 본 개시의 원리들에 따른 예시적인 자동 세정 시스템이다.
도 3은 본 개시의 원리들에 따른 로드 록 상에서 자동 세정 프로세스를 수행하기 위한 예시적인 방법이다.
도 4a, 도 4b, 및 도 4c는 본 개시의 원리들에 따른 예시적인 구성이다.
도면들에서 참조 번호들은 유사한 그리고/또는 동일한 엘리먼트들 (elements) 을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.

기판 프로세싱 시스템에서 기판들은 이로 제한되지는 않지만 프론트 엔드 모듈 장비, 로드 록 및/또는 진공 이송 모듈을 포함하는, 각각의 부피를 정의하는 프로세싱 챔버로 그리고 챔버로부터 다양한 모듈 또는 챔버를 통하여 이송될 수도 있다. 기판들이 기판 프로세싱 시스템 전반에 걸쳐 이송될 때, 시간이 흐르면서 입자들은 다양한 챔버들 내에 축적된다. 예를 들어, 입자들은 챔버들의 컴포넌트들 (components) 사이, 챔버들의 컴포넌트들과 인입 기판 및/또는 프로세스 기판들 사이 등의 기계적 콘택트를 통하여 형성될 수도 있다.

통상적으로, 챔버들 및 각각의 컴포넌트들은 조립되기에 (assembled) 앞서 (예를 들어, 산, 염기, 초음파 처리, 세제 등을 포함한 다양한 프로세스를 사용하여) 정밀 세정된다. 조립 이후, 정밀 세정은 보다 어렵고 대부분의 기판 프로세싱 시스템들에서는 실현이 어려울 수도 있다. 예를 들어, 일부 컴포넌트들만 정밀 세정을 위해 비교적 쉽게 제거될 수도 있다. 챔버들의 벽들을 포함한 다른 컴포넌트들에서 정밀 세정을 수행하는 것은 분해 (disassembly), 세정 설비로의 이송 및 차후 재설치가 요구될 수도 있다. 따라서, 조립 후 (post-assembly) 정밀 세정은 시간 소모가 크고 동작 비용들을 증가시킨다.

일부 예들에서, 다양한 세정 프로세스들이 수행될 수도 있다. 예를 들어, 미리 결정된 양의 입자 축적 이후 (예를 들어, 기판 상에서 측정된 입자 수가 미리 결정된 문턱 값을 초과할 때), 습식 세정 프로세스를 수행하기 위해 챔버들을 개방하느라 생산 (production) 은 중단될 수도 있다. 예를 들어, 챔버들의 내부는 클린 룸 티슈를 사용하여 습식 세정될 수도 있다. 그러나, 습식 세정을 수행하기 위한 생산 중단은 쓰루풋 (throughput) 을 감소시킨다. 추가로, 습식 세정은 모든 축적된 입자들을 효과적으로 제거하지 않는다.

다른 예들에서, 펌프 (pump) 와 벤트 (vent) 세정 프로세스가 수행될 수도 있다. 펌프/벤트 사이클들에서, 가스는 챔버 안으로 주입되며 그 뒤에 배기 된다 (vent). 그러나, 많은 펌프/벤트 사이클들을 사용하는 세정 효율은 매우 낮다. 예를 들어, (예를 들어, 9,000 이상) 수천 번의 펌프/벤트 사이클이 로드 록과 같은 챔버를 세정하는 데 필요할 수도 있다.

본 개시에 따른 자동 세정 시스템들 및 방법들은 효율적인 제거를 위해 챔버 내에 축적된 입자를 가스 볼륨으로 로프트하도록 구성된다. 축적된 입자의 교란을 예방하기 위해 로드 록들과 같은 종래의 챔버 내부의 배기 (venting) 는 플로우와 유속을 최소화한다. 따라서, 입자는 로프트되지 않으며 (즉 볼륨 내부에서 공기 중으로 떠다니게 되는) 입자들의 제거는 제한적이다. 반대로, 본 개시의 자동 세정 시스템 및 방법들은 입자 제거 레이트를 상승시키기 위해 하나 이상의 교번하는 로프트, 플러시 및 펌프 사이클들의 챔버들 내부에 증가된 플로우와 속도를 제공한다.

로드 록에 관하여 기술되었으나, 본 개시의 원리들은 또한 한정되지는 않지만 진공 이송 모듈 (VTMs), 프로세스 모듈 등을 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 다른 챔버들 내에서 구현될 수도 있다.

이제 도 1을 참조하면, 기판 프로세싱 시스템 (100) 이 도시된다. 단지 예를 들면, 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 RF 플라즈마 및/또는 다른 적절한 기판 프로세싱을 사용한 증착 및/또는 에칭을 수행하는 데 사용될 수도 있다. 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 기판 프로세싱 시스템 (100) 의 다른 컴포넌트들을 밀봉하고 (enclose) RF 플라즈마를 담는 프로세싱 챔버 (102) 를 포함한다. 프로세싱 챔버 (102) 는 상부 전극 (104) 및 정전 척 (ESC) 과 같은 기판 지지부 (106) 를 포함한다. 동작 동안, 기판 (108) 은 기판 지지부 (106) 위에 배치된다. 특정한 기판 프로세싱 시스템 (100) 과 프로세싱 챔버 (102) 가 예로서 도시되는 데 반하여, 본 개시의 원리들은 (예를 들어, 플라즈마 튜브, 마이크로파 튜브를 사용하여) 리모트 플라즈마 생성 및 전달 등을 구현하는 기판 프로세싱 시스템, 플라즈마를 인 시츄로 생성하는 기판 프로세싱 시스템 등과 같은 다른 유형의 기판 프로세싱 시스템들 및 챔버들에 적용될 수도 있다.

단지 예를 들면, 상부 전극 (104) 은 프로세스 가스를 도입하고 분산하는 샤워헤드 (109) 와 같은 가스 분산 디바이스를 포함할 수도 있다. 샤워헤드 (109) 는 일 단부가 프로세싱 챔버 (102) 의 상단 표면에 연결된 스템 부분을 포함할 수도 있다. 베이스 부분은 일반적으로 원통형이고 프로세싱 챔버 (102) 의 상단 표면으로부터 이격된 위치에서 스템 부분의 반대 단부로부터 방사상 외측으로 연장된다. 샤워헤드 (109) 의 베이스 부분의 기판-대면 표면 또는 대면 플레이트는 복수의 홀을 포함하고 이를 통해 프로세스 가스와 퍼지 가스가 흐른다. 대안적으로, 상부 전극 (104) 은 도전 플레이트를 포함할 수도 있고, 프로세스 가스들은 다른 방식으로 도입될 수도 있다.

기판 지지부 (106) 는 하부 전극으로서 작용하는 전도성 베이스 플레이트 (110) 를 포함한다. 베이스 플레이트 (110) 는 세라믹 층 (112) 을 지지한다. 일부 예들에서, 세라믹 층 (112) 은 세라믹 멀티-존 (multi-zone) 가열 플레이트와 같은 가열 층을 포함할 수도 있다. 내열층 (114) (예를 들어, 본딩층 (bond layer)) 은 세라믹 층 (112) 과 베이스 플레이트 (110) 사이에 배치될 수도 있다. 베이스 플레이트 (110) 는 베이스 플레이트 (110) 를 통해 냉각제를 흘리기 위한 하나 이상의 냉각제 채널들 (116) 을 포함할 수도 있다. 기판 지지부 (106) 는 기판 (108) 의 외주 (outer perimeter) 를 둘러싸도록 구성된 에지 링 (118) 을 포함할 수도 있다.

RF 생성 시스템 (120) 은 RF 전압을 생성하고 상부 전극 (104) 및 하부 전극 (예를 들어, 기판 지지부 (106) 의 베이스 플레이트 (110)) 중 하나에 RF 전압을 출력한다. 상부 전극 (104) 과 베이스 플레이트 (110) 중 다른 하나는 DC 접지, AC 접지 또는 플로팅될 수도 있다. 단지 예를 들면, RF 생성 시스템 (120) 은 매칭 및 분배 네트워크 (124) 에 의해 상부 전극 (104) 또는 베이스 플레이트 (110) 에 공급되는 RF 전압을 출력하는 RF 전압 생성기 (122) 를 포함할 수도 있다. 다른 예들에서, 플라즈마는 유도적으로 또는 리모트로 발생될 수도 있다. 예시적 목적들로 도시된 바와 같이, RF 생성 시스템 (120) 은 용량성 결합 플라즈마 (CCP) 에 대응하지만, 본 개시의 원리들은 변압기 결합 플라즈마 (TCP) 시스템, CCP 음극 시스템, 리모트 마이크로파 플라즈마 생성 및 전달 시스템 등 다른 적합한 시스템에서도 시행될 수도 있다.

가스 전달 시스템 (130) 은 하나 이상의 가스 소스들 (sources) (132-1, 132-2, …, 132-N) (집합적으로 가스 소스들 (132)) 을 포함하고, 여기서 N은 0보다 큰 정수이다. 가스 소스들은 하나 이상의 가스 혼합물들을 공급한다. 가스 소스들은 또한 퍼지 가스를 공급할 수도 있다. 기화된 전구체가 또한 사용될 수도 있다. 가스 소스들 (132) 은 밸브들 (134-1, 134-2, …, 및 134-N) (집합적으로 밸브들 (134)) 및 질량 유량 제어기들 (136-1, 136-2, …, 및 136-N) (집합적으로 질량 유량 제어기들 (136)) 에 의해 매니폴드 (manifold) (140) 에 연결된다. 매니폴드 (140) 의 출력은 프로세싱 챔버 (102) 에 의해 피딩된다 (feed). 단지 예를 들면, 매니폴드 (140) 의 출력은 샤워헤드 (109) 에 피딩된다.

온도 제어기 (142) 는 세라믹 층 (112) 에 배치된 열 제어 엘리먼트들 (thermal control elements; TCEs) (144) 과 같은 복수의 가열 엘리먼트들에 연결될 수도 있다. 예를 들어, 열 제어 엘리먼트들 (144) 은 멀티-존 가열 플레이트 내의 각각의 존들에 매칭하는 매크로 가열 엘리먼트들 및/또는 멀티-존 가열 플레이트의 복수의 존들 (multiple zones) 을 가로질러 배치된 마이크로 가열 엘리먼트들의 어레이 (array) 를 포함할 수도 있지만 이로 제한되지는 않는다. 온도 제어기 (142) 는 기판 지지부 (106) 및 기판 (108) 의 온도를 제어하기 위해 복수의 가열 엘리먼트들 (144) 을 제어하는 데 사용될 수도 있다.

온도 제어기 (142) 는 냉각제 채널들 (116) 을 통한 냉각제 플로우를 제어하기 위해 냉각제 어셈블리 (146) 와 연통할 수도 있다. 예를 들어, 냉각제 어셈블리 (146) 는 냉각제 펌프와 저장부를 포함할 수도 있다. 온도 제어기 (142) 는 선택적으로 냉각제 채널들 (116) 을 통해 냉각제를 흐르게 하여 기판 지지부 (106) 를 냉각하기 위해 냉각제 어셈블리 (146) 를 동작시킨다.

밸브 (150) 와 펌프 (152) 는 프로세싱 챔버 (102) 로부터의 반응 물질들을 배기하기 위해 사용될 수도 있다. 시스템 제어기 (160) 는 기판 프로세싱 시스템 (100) 의 컴포넌트들을 제어하기 위해 사용될 수도 있다. 하나 이상의 로봇들 (170) 은 기판 지지부 (106) 로 기판을 전달하고, 기판 지지부로부터 기판을 제거하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들어, 로봇들 (170) 은 EFEM (171) 과 로드 록 (172) 사이, 로드 록과 VTM (173) 사이, VTM (173) 과 기판 지지부 (106) 사이 등에서 기판을 이송할 수도 있다. 별도의 제어기들로 도시되지만, 온도 제어기 (142) 는 시스템 제어기 (160) 내에서 구현될 수도 있다. 일부 예들에서, 보호 시일 (seal) (176) 은 세라믹 층 (112) 과 베이스 플레이트 (110) 사이의 본딩 층 (114) 주위에 제공될 수도 있다.

본 개시의 원리들에 따르면 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 로드 록 (172) (및/또는 EFEM (171), VTM (173) 등과 같은 다른 챔버들) 로부터 입자들을 제거하기 위한 자동 세정 시스템들 및 방법들을 위해 구성되었다. 예를 들어, 시스템 제어기 (160) 는 가스 전달 시스템을 제어하도록 구성될 수도 있다.

이제 도 2를 참조하여, 로드 록 (204) 상에서의 자동 세정 (예를 들어, 펌프/벤팅) 프로세스를 수행하도록 구성된 예시적인 자동 세정 시스템 (200) 이 보다 상세히 기술된다. 자동 세정 프로세스 동안 로드 록 (204) 은 폐쇄된 (즉 대기로 개방되지 않은) 채로 남아 있다. 다시 말해, 자동 세정 프로세스는 인시츄로 수행된다.

자동 세정 시스템 (200) 은 도 1에서 도시된 가스 전달 시스템 (130) 에 대응할 수도 있는 또는 개별 가스 전달 시스템에 대응할 수도 있는, 가스 전달 시스템 (208) 을 포함한다. 가스 전달 시스템 (208) 은 적어도 하나의 가스 소스 (212) 와 밸브 (216) 를 포함한다. 가스 소스 (212) 는 세정 가스 또는 퍼지 가스 (예를 들어, 분자 질소, 또는 N₂), 가스 혼합물 등을 저장한다. 가스 소스 (212) 는 가압될 수도 있다 (즉 압력 하에서 액체로 저장됨). (예를 들어, 시스템 제어기 (160) 에 대응하는) 제어기 (220) 는 로드 록 (204) 으로 가압된 가스를 흘리기 위해 선택적으로 밸브 (216) 를 개폐한다. 로드 록 (204) 으로 흐른 가스는 로드 록 (204) 내부 표면들 상에 축적된 입자들을 가스 볼륨 (224) 으로 로프트한다. 반대로, 제어기 (220) 는 로드 록 (204) 으로부터 가스 및 공기 중 입자들을 플러시 (즉, 배기) 하고 로드 록 (204) 을 진공압력으로 펌핑하기 위해 밸브 (228) 및 펌프 (232) 를 제어하도록 구성된다. 제어기 (220) 는 이로 제한되지는 않지만 사용자 입력들 및 각각의 센서들 (236) 로부터 수신된 신호들을 포함하는 입력들에 반응할 수도 있다.

단일 밸브 (216) 및 대응하는 벤트 위치 (250) 로 도시되지만, 일부 예들에서 로드 록 (204) 은 복수의 벤트 위치들과 대응하는 밸브들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 벤트 위치들은 로드 록 (204) 의 측면, 상단 표면, 및 하단 표면을 포함할 수도 있지만 이로 제한되지는 않는다.

이제 도 3을 참조하고 도 2를 계속해서 참조하면, 본 개시에 따르면 로드 록의 자동 세정 프로세스를 실행하기 위한 예시적인 방법 (300) 은 (304) 에서 시작한다. (308) 에서, 방법 (300) 이 자동 세정 프로세스를 실행할 지 여부를 결정한다. 예를 들어, 제어기 (220) 는 로드 록 (204) 내 특정 축적량을 나타내는 (예를 들어, 각각의 센서들 (236) 로부터) 하나 이상의 신호들에 응답하여, 주기적으로, 조건부, 등으로 자동 세정 프로세스를 개시할 수도 있다.

단지 예를 들면, 센서들 (236) 중 하나 이상의 센서는 센서 상 입자들 축적 (buildup of particles) 을 검출하는 입자 카운터로서 기능하도록 구성될 수도 있다. 제어기 (220) 는 로드 록 (204) 등 내부에서 프로세스 및/또는 전달된 미리 결정된 수의 기판에 대응하여 자동 세정 프로세스가 수행된 이전 예에 후속하여 미리 결정된 기간 동안 자동 세정 프로세스를 트리거하도록 구성될 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기 (220) 는 사용자 입력들에 응답하여 자동 세정 프로세스를 수행할 수도 있다.

(308) 의 결과가 참이라면, 방법 (300) 은 (312) 로 계속된다. 거짓이라면, 방법 (300) 은 (308) 로 돌아간다. (312) 에서, 방법 (300) 은 로프트 단계 또는 기간에서 로드 록 (204) 내의 입자들을 가스 볼륨 (224) 으로 로프트한다. 예를 들어, 제어기 (220) 는 로드 록 (204) 의 표면들로부터 입자들을 교란하고 공기 중에 떠다니게 하기에 충분한 플로우 레이트 (flow rate) 로 가압된 가스를 가스 소스 (212) 로부터 로드 록 (204) 에 제공하기 위해 밸브 (216) 를 개방한다. 밸브 (228) 는 로프트 기간 동안 폐쇄된 상태로 남는다.

단지 예를 들면, N₂ 또는 또 다른 가스 (또는 가스 혼합물) 는 적어도 170 SLM (standard liters per minute) 의 플로우 레이트를 달성하기 위해 약 70 psi (예를 들어, 65 내지 75 psi) 로 제공된다. 일부 예들에서, 가스 플로우 레이트는 180 SLM 내지 250 SLM 이다. 로프트 기간은 0 초 내지 10 초일 수도 있다. 일부 예들에서, 로프트 기간은 1 초 미만 (예를 들어, 0.5 초) 이다. 로프트 기간에 앞서, 로드 록 (204) 내의 압력은 진공 압력 (예를 들어, 1 torr 미만) 일 수도 있다. 로드 록 (204) 내의 압력은 로프트 기간 동안 상승할 수도 있다 (예를 들어, 700 내지 800 torr로).

로프트 기간에 후속하여, 방법 (300) 은 (316) 에서 플러시 단계 또는 기간에 로드 록 (204) 으로부터 교란되고, 로프트된 입자들을 플러시한다. 예를 들어, 밸브 (216) 는 개방된 채로 남아 있고 제어기 (200) 는 밸브 (228) 을 개방하고 펌프 (232) 를 턴온한다 (turn on). 단지 예를 들면, 펌프 (232) 는 적어도 1700 SLM의 펌프 속도로 동작된다. 밸브 (216) 및 밸브 (228) 가 개방되면, 밸브 (228) 를 통해 로드 록 (204) 으로부터 입자들과 가스를 모두 플러시하기 위해 가압된 가스는 밸브 (216) 를 통해 계속해서 로드 록으로 흐른다. 플러시 기간 동안 가스와 입자들의 플로우 레이트는 적어도 170 SLM (예를 들어, 180 내지 250 SLM) 이 될 수도 있다. 플러시 기간은 1 초 내지 60 초일 수도 있다. 일부 예들에서, 플러시 기간은 1 초 내지 10 초이다. 로드 록 (204) 내의 압력은 로프트 기간 동안 700 내지 800 torr로부터 1 torr 미만으로 감소할 수도 있다.

일부 예들에서, 펌프 속도는 플러시 기간 동안 로드 록 (204) 내부에서 목표된 압력을 유지하도록 제어될 수도 있다. 예를 들어, 플러시 효율은 상이한 로드 록 또는 다른 챔버들의 압력에 따라 가변할 수도 있다. 따라서, 펌프 속도는 플러시 기간 동안 목표된 범위 내의 압력 (예를 들어, 10 내지 100 torr) 을 유지하도록 제어될 수도 있다. 단지 예를 들면, 센서들 (236) 은 로드 록 (204) 내의 압력을 나타내는 신호를 제공하도록 구성된 압력 센서를 포함할 수도 있다. 센서들 (236) 은 또한 이로 한정되지는 않지만 로드 록 (204) 내 다양한 위치들에서의 플로우 레이트들/유속들을 포함하는 로드 록 (204) 내의 다른 파라미터들을 측정하도록 구성된 각각의 센서들을 포함할 수도 있다. 이로써, 압력, 펌프 속도 등은 각각의 기간들에 대해 목표된 플로우 레이트들을 달성하도록 제어될 수도 있다.

플러시 기간에 후속하여, 방법 (300) 은 로드 록 (204) 으로부터 남아 있는 로프트된 입자들을 제거하고 (320) 에서 펌프 단계 또는 기간에 로드 록 (204) 을 목표된 진공압으로 펌핑 다운한다 (pump down). 예를 들어, 밸브 (228) 는 개방된 채로 남아 있고 제어기 (200) 는 밸브 (216) 를 폐쇄한다. 밸브 (228) 가 개방되면, 펌프가 온 (on) 되고 (예를 들어, 1700 SLM 이상으로), 그리고 밸브 (216) 가 폐쇄되고 남아 있는 가스와 교란된 입자들이 로드 록 (204) 으로부터 펌핑된다. 펌프 기간은 대략 1초 (예를 들어, 0.5 내지 1.5 초) 가 될 수도 있다. 로드 록 (204) 내의 압력은 펌프 기간 동안 1 torr 미만으로 유지된다. 일부 예들에서, 펌프 기간은 목표된 압력 (예를 들어, 40 mtorr 미만) 을 달성할 때까지 계속될 수도 있다.

플러시 기간에 후속하여, 방법 (300) 은 (324) 에서 부가적인 자동 세정 사이클을 수행할 지 여부를 결정한다. 예를 들어, 일 자동 세정 사이클은 일 로프트 기간, 일 플러시 기간 및 일 펌프 기간을 포함할 수도 있고 자동 세정 프로세스는 2 이상의 자동 세정 (로프트/플러시/펌프) 사이클들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서 미리 결정된 수의 자동 세정 사이클들 (예를 들어, 2 내지 1000 사이클들) 이 수행된다. 다른 예들에서, 자동 세정 사이클들은 (예를 들어, 센서 (236) 를 통해) 센싱된 (sense) 입자 레벨이 미리 결정된 문턱 값 미만일 때까지 반복될 수도 있다. (324) 의 결과가 참이라면, 방법 (300) 은 (312) 로 계속된다. 거짓이라면, 방법 (300) 은 (328) 에서 종료된다.

밸브 (216) 및 벤트 위치 (240) 의 제어에 대해 기술되었지만, 일부 예들에서 복수의 밸브들은 각각의 벤트 위치들을 통해 로드 록 (204) 으로 가스를 제공하도록 개별적으로 제어될 수도 있다. 예를 들어, 자동 세정 프로세스는 제 1 자동 세정 사이클의 로프트 및 플러시 기간들에 제 1 벤트 위치에 대응하는 제 1 밸브를 개방하는 단계, 제 2 자동 세정 사이클의 로프트 및 플러시 기간에 제 2 벤트 위치에 대응하는 제 2 밸브를 개방하는 단계, 제 3 자동 세정 사이클의 로프트 및 플러시 기간에 제 3 벤트 위치에 대응하는 제 3 밸브를 개방하는 단계 등을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 벤트 각각은 미리 결정된 수의 자동 세정 사이클들 동안 개방될 수도 있다. 동일한 벤트가 연속적인 자동 세정 사이클들에서 개방될 수도 있고 또는 개방된 벤트가 연속적인 자동 세정 사이클들에서 상이할 수도 있다 (즉 개방된 벤트가 교번할 수도 있다).

이제 도 4a, 도 4b 및 도 4c를 참조하면, 본 개시에 따른 로드 록 (404) 의 예시적인 구성들이 도시된다. 로드 록 (400) 은 각각의 기판들을 홀딩하도록 구성된 제 1 챔버 (404) 및 제 2 챔버 (408) 를 포함한다. 챔버 (404) 및 챔버 (408) 는 각각 가스 볼륨 (412 및 416) 을 규정한다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 로드 록 (404) 은 환형 벤트 (420) 를 포함한다. 예를 들어, 환형 벤트 (420) 는 로드 록 (400) 의 상부 영역의 외주를 둘러싸거나 또는 부분적으로 둘러싼다. 상기 기술된 바와 같이 로프트 기간에 가스 볼륨들 (412 및 416) 내의 입자들을 로프트하기 위해 가스는 환형 벤트 (420) 를 통해 챔버들 (404 및 408) 로 공급된다. 예를 들어, 가스는 환형 벤트 (420) 를 통해 내측으로 공급되고 챔버 (404 및 408) 의 내측 벽들 (424) 을 따라 하향 지향된다. 가스와 입자들은 일반적으로 점선 화살표들로 도시된 경로를 따른다. 따라서, 가스는 내측 벽들 (424) 에 축적된 입자들을 교란시키고 가스 볼륨들 (412 및 416) 로 입자들을 로프트한다. 가스와 입자들은 챔버 (404 및 408) 로부터 각각의 펌프 벤트들 (428 및 432) 을 통해 플러시 및/또는 펌핑된다.

도 4b에 도시된 바와 같이, 로드 록 (400) 은 (예를 들어, 로드 록 (400) 의 리드 (444) 를 통해) 각각의 챔버들 (404 및 408) 로 가스를 공급하도록 구성된 상단 벤트들 (436 및 440) 을 포함한다. 상기 기술된 로프트 기간에 가스 볼륨들 (412 및 416) 내로 입자들을 로프트하기 위해 가스는 상단 벤트들 (436 및 440) 을 통해 챔버들 (404 및 408) 로 공급된다. 예를 들어, 가스는 상단 벤트들 (436 및 440) 을 통해 아래로 공급되고 하단 표면들 (448) 을 따라 방사상 외측으로 지향되며 그 다음에 챔버들 (404 및 408) 의 내측 벽들 (424) 을 따라 상향 지향된다. 가스와 입자들은 일반적으로 점선 화살표들로 도시된 경로를 따른다.

도 4c에 도시된 바와 같이, 로드 록 (400) 은 (예를 들어, 로드 록 (400) 의 리드 (444) 를 통해) 각각의 챔버들 (404 및 408) 로 가스를 공급하도록 구성된 하단 벤트들 (452 및 456) 을 포함한다. 상기 기술된 로프트 기간에 가스 볼륨들 (412 및 416) 내의 입자들을 로프트하기 위해 가스는 하단 벤트들 (452 및 456) 을 통해 챔버들 (404 및 408) 내로 공급된다. 예를 들어, 가스는 하단 벤트들 (452 및 456) 을 통해 위로 공급되고 상단 표면들 (460) 을 따라 방사상 외측으로 지향되며 그 다음에 챔버들 (404 및 408) 의 내측 벽들 (424) 을 따라 하향 지향된다. 가스와 입자들은 일반적으로 점선 화살표들로 도시된 경로를 따른다.

도 4a, 도 4b 및 도 4c에서 로드 록 (400) 의 개별 구성들이 도시되었지만, 다른 예들에서 로드 록 (400) 은 2 이상의 위치들에 벤트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 로드 록 (400) 은 2 이상의 환형 벤트 (420), 상단 벤트들 (436 및 440), 그리고 하단 벤트들 (452 및 456) 을 포함할 수도 있다. 따라서, 입자들은 각각의 벤트들을 통해 가스를 공급함으로써 챔버들 (404 및 408) 의 내측 벽들 (424), 하단 표면들 (448), 및 상단 표면들 (460) 로부터 교란되거나 로프트될 수도 있다. 예를 들어, 환형 벤트 (420), 상단 벤트들 (436 및 440), 그리고 하단 벤트들 (452 및 456) 에 대응하는 각각의 밸브들은 각각의 자동 세정 사이클들에서 순차적으로 동일한 로프트 기간에 개방될 수도 있고, 상이한 로프트 기간 등에 개방될 수도 있다.

전술한 기술은 본질적으로 단지 예시이고, 어떠한 방식으로도 본 개시, 이의 적용 예, 또는 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시가 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 다른 수정들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들의 연구 시 자명해질 것이기 때문에 이렇게 제한되지 않아야 한다. 방법의 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시 예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시 예에 대해 기술된 이들 피처들 중 임의의 하나 이상의 피처들은, 조합이 명시적으로 기술되지 않더라도 임의의 다른 실시 예들의 피처들에서 그리고/또는 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시 예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시 예들의 다른 실시 예들과의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.

엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 및 기능적 관계들은, “연결된 (connected)”, “인게이지된 (engaged)”, “커플링된 (coupled)”, “인접한 (adjacent)”, “옆에 (next to)”, “~의 상단에 (on top of)”, “위에 (above)”, “아래에 (below)”, 및 “배치된 (disposed)”을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. “직접적 (direct)”인 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트들이 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 구 A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, “적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C”를 의미하는 것으로 해석되지 않아야 한다.

일부 구현 예들에서, 제어기는 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에, 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치와 통합될 수도 있다. 전자장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부분들을 제어할 수도 있는 “제어기”로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드 록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그래밍될 수도 있다.

일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고 (enable), 엔드포인트 측정들을 인에이블하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSPs), ASICs (Application Specific Integrated Circuits) 로서 규정되는 칩들, 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.

제어기는, 일부 구현 예들에서, 시스템과 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 그렇지 않으면 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 “클라우드” 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하거나, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하거나, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하거나, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하거나, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하거나, 새로운 프로세스를 시작하기 위해서, 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 가 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안 수행될 프로세싱 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성되는 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들과 같은, 공동의 목적을 향해 함께 네트워킹되고 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는 (예컨대 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.

비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (Physical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (Chemical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, ALD (Atomic Layer Deposition) 챔버 또는 모듈, ALE (Atomic Layer Etch) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.

상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로드 포트들로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기, 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.

Claims

기판 프로세싱 시스템에서 로드 록을 세정하기 위한 방법에 있어서,
(a) 제 1 기간에서, 제 1 벤트 (vent) 를 통해 로드 록의 가스 볼륨 내로 가스를 공급하도록 가스 소스 (source) 와 유체로 연통하는 (in fluid communication) 제 1 밸브를 개방하는 단계로서, 상기 가스는 상기 로드 록의 표면들로부터 입자들을 교란하기에 (disturb) 충분한 압력과 플로우 레이트 (flow rate) 로 공급되는, 상기 제 1 밸브 개방 단계;
(b) 상기 제 1 기간에 후속하는 제 2 기간에, 그리고 상기 제 1 밸브 개방과 함께, (i) 펌프와 유체로 연통하는, 제 2 밸브를 개방하는 단계, 및 (ii) 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 플러시하도록 (flush) 상기 펌프를 턴온하는 (turn on) 단계; 및
(c) 상기 제 2 기간에 후속하는 제 3 기간에, 상기 제 2 밸브를 통해 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 상기 제 1 밸브를 폐쇄하는 단계를 포함하는, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 벤트는 상기 로드 록의 외주 (outer perimeter) 를 둘러싸는 환형 벤트에 대응하는, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 벤트는 상기 로드 록 하단부를 통한 하단 벤트에 대응하는, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 벤트는 상기 로드 록의 리드 (lid) 를 통한 상단 벤트에 대응하는, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 가스는 적어도 170 SLPM (standard liters per minute) 의 플로우 레이트로 상기 제 1 벤트를 통해 공급되는, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기간은 0 초 내지 10 초인, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기간은 1 초 미만인, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 기간은 1 초 내지 60 초인, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 기간은 10 초 미만인, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 3 기간은 0.5 초 내지 1.5 초인, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 단계 (a), 상기 단계 (b), 및 상기 단계 (c) 를 반복하는 단계를 더 포함하는, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기간에서, 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하는 단계를 더 포함하는, 로드 록 세정 방법.
제 12 항에 있어서,
상기 제 1 기간에서 상기 제 1 밸브 및 상기 제 3 밸브를 번갈아 개방하는 단계를 더 포함하는, 로드 록 세정 방법.
제 1 항에 있어서,
(d) 제 4 기간에서, 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하는 단계;
(e) 상기 제 4 기간에 후속하는 제 5 기간에, 그리고 제 3 밸브 개방과 함께, (i) 상기 제 2 밸브를 개방하는 단계, 및 (ii) 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 플러시하도록 펌프를 턴온하는 단계; 및
(f) 상기 제 5 기간에 후속하는 제 6 기간에, 상기 제 2 밸브를 통해 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 상기 제 3 밸브를 폐쇄하는 단계를 더 포함하는, 로드 록 세정 방법.
기판 프로세싱 시스템에서 로드 록을 세정하기 위한 시스템에 있어서,
가스 소스 및 로드 록의 가스 볼륨과 유체로 연통하는 제 1 밸브;
펌프 및 상기 가스 볼륨과 유체로 연통하는 제 2 밸브; 및
제어기로서,
(a) 제 1 기간에서, 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨 내로 제 1 벤트를 통해 가스를 공급하도록 상기제 1 밸브를 개방하고―상기 가스는 상기 로드 록의 표면들로부터 입자들을 교란하기에 충분한 압력과 플로우 레이트로 공급됨―;
(b) 상기 제 1 기간에 후속하는 제 2 기간에, 그리고 상기 제 1 밸브 개방과 함께, (i) 상기 제 2 밸브를 개방하고 (ii) 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 플러시하도록 펌프를 턴온하고, 그리고;
(c) 상기 제 2 기간에 후속하는 제 3 기간에, 상기 제 2 밸브를 통해 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 상기 제 1 밸브를 폐쇄하도록 구성된, 상기 제어기를 포함하는, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 벤트는 상기 로드 록의 외주를 둘러싸는 환형 벤트에 대응하는, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 벤트는 상기 로드 록의 하단부를 통한 하단 벤트에 대응하는, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 벤트는 상기 로드 록의 리드를 통한 상단 벤트에 대응하는, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제어기는 적어도 170 SLPM의 플로우 레이트로 상기 제 1 벤트를 통해 상기 가스의 공급을 제어하도록 구성되는, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 기간은 0 초 내지 10 초인, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 기간은 1 초 미만인, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 2 기간은 1 초 내지 60 초인, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 2 기간은 10 초 미만인, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 3 기간은 0.5 초 내지 1.5 초인, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 동작 (a), 상기 동작 (b), 및 상기 동작 (c) 를 반복하도록 구성되는, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 기간에서, 상기 제어기는 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하도록 구성되는, 로드 록 세정 시스템.
제 26 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제 1 기간에서 상기 제 1 밸브 및 상기 제 3 밸브를 번갈아 개방하도록 구성되는, 로드 록 세정 시스템.
제 15 항에 있어서,
상기 제어기는
(d) 제 4 기간에서, 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨 내로 제 3 벤트를 통해 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 소스와 유체로 연통하는 제 3 밸브를 개방하고;
(e) 상기 제 4 기간에 후속하는 제 5 기간에, 그리고 상기 제 3 밸브 개방과 함께, (i) 상기 제 2 밸브를 개방하고 (ii) 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 플러시하도록 상기 펌프를 턴온하고; 그리고
(f) 상기 제 5 기간에 후속하는 제 6 기간에, 상기 제 2 밸브를 통해 상기 로드 록의 상기 가스 볼륨으로부터 상기 가스 및 상기 입자들을 계속해서 펌핑하는 동안 상기 제 3 밸브를 폐쇄하도록 더 구성되는, 로드 록 세정 시스템.