200929356 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在處理容器內，對例如FPD (平面顯示 器）基板等之被處理體，在該被處理體之周圍設置整流用 構造體之狀態下，供給處理氣體至上述處理容器內，並藉 由該處理氣體對上述被處理體執行特定處理之技術。 © 【先前技術】 在LCD (液晶顯示器）基板等之被處理體之製造工程 . 中’具有對被形成在被處理體上之鋁（A1)膜施予蝕刻處 理之工程。當根據第13圖簡單說明執行該工程之鈾刻處 理裝置之一例時，圖中1爲真空腔室，在該真空腔室1之 內部設置有用以載置被處理體例如FPD基板S之載置台 11’並且以與該載置台11對向之方式設置有構成電漿產 生用之上部電極的處理氣體供給部12。然後，自處理氣體 ® 供給部1 2供給由氯（C12 )系氣體所構成之蝕刻氣體至真 空腔室1內’經排氣路13藉由無圖示之真空泵對真空腔 .室1內抽真空，另外，藉由自高頻電源14對上述處理氣 體供給部12施加高頻電力，在基板S之上方之空間形成 蝕刻氣體之電漿，依此對基板S執行蝕刻處理。 然而，A1膜之鈾刻中’因鈾刻氣體之供給量和餓刻量 呈比例’故由於微負載效果，則有基板S之外周部之触刻 率極端變快’鈾刻量變多之現象。即是當自屬於蝕刻種之 C1自由基觀看時，第14圖以符號15所示之基板S之最外 -4- 200929356 周區域的蝕刻面積大約爲以符號16所示之相同面積之中 央區域的一半，因此當以與被供給至中央區域16之流量 相同之流量供給鈾刻氣體時，最外周區域1 5之蝕刻量則 大約爲中央區域16之兩倍。 因此，如第13圖及第15圖所示般’自以往包圍基板 S之周圍之方式，設置高度50mm〜150mm左右之整流構 件17，依據藉由上述整流構件17遮斷基板S之外圍區域 Q 附近之鈾刻氣體之流動，在基板S之周圍形成氣體存留’ 依此降低該區域之餽刻氣體流速，如此一來執行提高基板 ^ 面內之餓刻率之均勻性。 此時，於整流構件17之上端高於基板S從上述搬入 搬出口 11搬運至上述載置台3之上方側之搬運高度位置 時，則構成上述整流構件17升降自如，如第1 5圖（b ) 所示般，於將基板S搬入至真空腔室1內時，則在使整流 構件17上升之狀態下搬入，在將該基板S載置於載置台 〇 11上之後，使整流構件17下降至包圍基板S的位置，另 外於將基板S自真空腔室1搬出之時’首先使整流構件 17上升後執行基板S之搬出。在此，上述整流構件17經 例如板狀體17a被設置在載置台11上’於被形成自該板 狀體17a之側面之例如4處伸出至載置台11外部的突出 部17b之下面連接升降用支撐棒18a’藉由升降機構18 使該升降用支撐棒18a升降，依此整流構件17可以升降 〇 然而，在藉由A1膜之氯系氣體的蝕刻處理中，生成 -5- 200929356 A1之氯化物，該也附著於整流構件17之內壁’當其堆積 量變多，使整流構件17升降時，該堆積之A1之氯化物則 容易剝落，成爲產生顆粒之要因。因此’有必須頻繁執行 用以除去顆粒之維護保養的問題。 該維修作業係執行如下述般之工程，即是藉由如使真 空腔室1內之環境返回大氣狀態後，打開該腔室1而執行 顆粒之除去作業，接著關閉腔室1後執行抽真空之工程。 0 但是，隨著近年來基板S之大型化，真空腔室1也大型化 ，真空腔室1內之環境返回至大氣狀態之工程’或執行抽 . 真空之工程則需較長時間。因此，因所有維護保養作業之 作業時間非常長，故頻繁執彳了該維護保養則成爲阻礙提高 產量之要因。 在此，本發明者針對下述構成予以硏究’該構成係以 包圍基板之方式設置整流構件，並且不使該整流構件驅動 將基板載置在載置台上，依此抑制顆粒之產生。就以整流 ❹ 構件有關之專利先前文獻而言，於專利文獻1上記載有設 置構成可藉由移動機構突出於下部電極上之可動型之環以 當作整流構件的構成’於專利文獻2上記載有以包圍基板 之外周部之方式，設置供作氣體流通口之側壁以當作整流 構件，於專利文獻3上記載有藉由沿著基板之周緣設置之 多數側壁部，構成整流構件之例’該些中之任一文獻針對 不使整流構件驅動’可以將基板載置在載置台上之構成皆 無記載，即使藉由該些文獻所記載之技術也無法解決上述 問題。 -6- 200929356 [專利文獻1]日本特開平7-74155號公報 [專利文獻2]日本特開2003-243364號公報 [專利文獻3]日本特開200 5-25 9989號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 本發明係鑑於如此之情形而所創作出者，其目的係提 © 供在處理容器內一面使處理氣體流動一面對被處理體執行 處理之時，可以提高處理之面內均勻性，並抑制顆粒附著 於被處理體的技術。 (用以解決課題之手段） 因此本發明之處理裝置具備有：載置台，係被設置在 處理容器之內部，用以在其上部載置被處理體；和 處理氣體供給手段，用以自上述載置台之上方側供給 ❹ 處理氣體，對被載置在上述載置台之被處理體執行處理； 和 排氣手段，用以排氣上述處理容器之內部；和 上述被處理體之搬入搬出口，係被形成在上述處理容 器之側壁部，藉由開關構件來開關；和 整流用構造體，係被設置成包圍上述載置台上之被處 理體載置區域，在被載置於上述載置台之被處理體周圍形 成處理氣體之氣體積存區域，用以使在該被處理體之周緣 部之上述處理氣體流速變慢， 200929356 上述整流用構造體之上述搬入搬出口側係當作用以區· 劃形成自該搬入搬出口朝向上述被處理體載置區域之被處 理體搬運路徑的筒狀構件而被構成。 在此，上述整流用構造體係以其上端高於上述被處理 體之搬運高度位置之方式，被設置在上述載置台。再者， 上述筒狀構件中之搬入搬出口側之端部係以不連通於處理 容器之環境爲佳。再者，上述整流用構造體中之上述筒狀 © 構件以外之部位即使當作自上述載置台延伸至上方之整流 壁而被構成亦可，即使一端側朝向上述被處理體載置區域 開口，其另一端側當作藉由處理容器之側壁側被關閉之扁 平構造體而被構成亦可。此時，上述被處理體爲角型基板 之時，上述筒狀構件即使被設置在上述載置台之角型之被 處理體載置區域之一邊側，在該一邊以外之剩下的3個其 他邊側中，上述構造體中之一端側沿著該其他邊而開口亦 可。上述構造體中之另一端側即使構成藉由處理容器之側 © 壁而被關閉亦可。 再者，在本發明中，即使具備非處理氣體供給部亦可 ’該係沿著上述載置台之被處理體載置區域之周緣而被設 置’用以對被載置在上述載置台上之被處理體之周緣部供 給非處理氣體。在此，作爲對上述被處理體所執行之處理 ’可舉出被形成在被處理體表面之鋁膜之蝕刻處理。 [發明效果] 若藉由本發明，因在以整流用構造體包圍被處理體之 -8 - 200929356 周圍之狀態下，一面對被處理體供給處理氣體一面執行處 理，故處理期間在被處理體之周圍形成氣體積存區域。因 此，在被處理體之外周圍，因處理氣體之流速下降，故在 被處理體之面內處理速度一致，提高處理之面內均勻性。 再者，被處理體因從處理容器之搬入搬出口通過構成整流 用構造構件之一部份的筒狀構件之內部空間而被搬入，故 可以不使上述整流用構造體移動，將被處理體載置於載置 Φ 台上。因此，可以抑制附著於整流用構造體之處理生成物 剝落，並抑制顆粒附著於被處理體上。 1 式 方 施 以下，針對本發明之實施型態，以對於被形成於被處 理體例如FPD基板表面之鋁（A1 )膜執行蝕刻處理之蝕刻 處理裝置適用本發明之處理裝置之情形爲例予以說明。第 1圖爲上述蝕刻處理裝置2之縱斷剖面圖。該蝕刻處理裝 Ο 置2係在其內部具備用以對FPD基板S，施予蝕刻處理之 被接地的處理容器20，該處理容器20係被形成例如平面 形狀爲四角形狀。 上述FPD基板S爲角型之基板，上述處理容器20係 被設定成例如水平剖面之一邊爲3.5m，另一邊爲3.0m左 右之大小，藉由例如鋁等之熱傳導性良好之材質所構成。 在上述處理容器20之一個側壁部21，.形成用以將基板搬 入至該處理容器20內之搬入搬出口 22，該搬入搬出口 22 藉由構成開關構件之快門23形成開關自如。 -9- 200929356 在上述處理容器20之內部配置有用以將基板S載置 在其上方之載置台3。該載置台3係電性被連接於電漿產 生用之高頻電源部31，當作用以使處理容器20內產生電 漿之下部電極而發揮機能。該載置台3係經絕緣構件32 而被配置在處理容器20之底面上，依此下部電極係在自 處理容器20電性浮起之狀態下被設置。再者，在上述載 置台3表面之周緣區域及側面，設置有藉由用以使電漿均 © 勻形成在上述載置台3上方之由陶瓷材料所構成之遮蔽環 33。並且，在上述載置台3，用以將基板S轉交至該載置 台3之升降銷34，係被設置成藉由升降機構35在與無圖 示之外部搬運手段之間，於執行基板S之轉交的位置，和 較載置台3表面下方側之位置之間伸縮自如。 另外，在處理容器20內部之上述載置台3之上方， 以與該載置台3表面對向之方式，設置平板狀之上部電極 4，該上部電極4被支撐於角板狀之上部電極基座41。該 ® 些上部電極4及上部電極基座41係藉由例如鋁所構成。 再者，上述上部電極基座41之上面被連接於處理容器20 .之頂棚部，依此上部電極4在與處理容器20電性導通之 狀態下被設置，並且藉由上部電極基座41及上部電極4 包圍周圍之區域當作氣體擴散空間42而被構成。 再者，處理容器20之頂棚部係以連接於上述氣體擴 散空間42之方式，設置有處理器體供給路43，該處理器 體供給路43之另一端側被連接於處理氣體供給部44。在 該例中，藉由上部電極4和上部電極基座41構成處理氣 -10- 200929356 體供給手段。 如此一來當自處理氣體供給部44對氣體擴散空間42 供給處理氣體時，其處理氣體經被設置在上部電極4之氣 體供給孔45而被供給至上述基板S上之處理空間，依此 對基板S進行蝕刻處理。另外，在處理容器20之底壁連 接有排氣路24，在該排氣路24之另一端側連接有由例如 真空泵所構成之無圖示之真空排氣手段。 φ 並且，在上述載置台3之被處理體載置區域之周圍， 係以用以在被載置在該載置台3之基板S之周圍形成處理 氣體之氣體積存區域之整流用構造體5，例如其上端高於 基板S之搬運高度位置之方式，被設置在上述載置台3。 在此，上述搬運高度位置爲藉由外部之搬運手段基板S自 上述搬入搬出口 22被搬運至上述載置台3之上方側之時 之高度位置。 上述整流用構造體5之上述搬入搬出口 22側係當作 Ο 構成筒狀構件之通道構件51而被構成，上述整流用構造 體5中之上述通道構件51以外之部位係當作整流壁52而 被構成。上述通道構件51爲了區劃形成從上述搬入搬出 口 22朝向上述載置台3之被處理體載置區域之搬運通路 P (被處理體搬運路徑），構成筒狀，在該例中，被設置 成其搬入搬出口側之端部（另一端側）以包圍上述搬入搬 出口 22之周圍之方式被連接於上述側壁部21之內壁’並 且以一端側開口於上述載置區域側之方式，其一端側的下 面被連接於載置台3。再者，形成在通道構件51之內部之 -11 - 200929356 搬運通路P之搬入搬出口側係被構成經搬入搬出口 22 由上述快門23而被關閉，如此一來該通道構件5 1之搬 搬出口側之端部被設置成不與處理容器20內之環境連 〇 上述被處理體載置區域如第1圖〜第3圖所示般， 載置台3上載置基板S之區域，上述通道構件51之一 側’在該例中，係被設置成從被載置於上述載置區域之 〇 板s的外緣位於5mm左右外側。再者，通道構件51之 度雖然因應上述基板S之搬運通路P而設定，但是以設 例如50mm〜1 50mm程度爲佳。 再者，上述整流壁52係被構成以包圍除被載置在 述載置台3上之基板S中之上述搬入搬出口 22之側方 方式，自上述載置台3延伸至上方，在該例中，則被連 於上述通道構件51之一端側。再者，其高度被設定成 如50mm〜150mm左右，構成上述通道構件51之上端和 © 流壁52之上端之高度位置互相一致，該些上端之高度 置係被設定成高於基板S從上述搬入搬出口 22搬運至 述載置台3之上方側之搬運高度位置。 該些通道構件5 1和整流壁5 2係藉由例如陶瓷所構 ，其內壁面表面係藉由例如Ra(算數平均粗度）5μιη 右之粗面所形成。如此一來若從載置台3上之基板S觀 時，在該基板S之搬入搬出口 22側之邊，搬入搬出口 藉由快門23被關閉之時，通道構件51之搬入搬出口側 端部被上述快門23阻塞，藉由該被關閉之通道構件51 藉 入 通 爲 端 基 高 爲 上 之 接 例 整 位 上 成 左 看 22 之 形 -12- 200929356 成氣體積存空間。再者，在該基板S之搬入搬出口 22側 以外之邊’由於處理氣體之流動被整流壁52遮斷，依此 降低處理氣體之流速，故藉由該整流壁52形成氣體積存 空間。如此一來，在載置台3上之基板S之周圍藉由通道 構件51和整流壁52形成氣體積存空間。 再者，上述蝕刻處理裝置2係被構成藉由控制部6來 控制。該控制部6係由例如電腦所構成，具備有CPU、程 ❹ 式、記憶體。上述程式係以自控制部6發送控制訊號至蝕 刻處理裝置之各部，使特定蝕刻處理予以進行之方式，組 入命令（各步驟）。該程式係被儲存於電腦記憶媒體例如 軟碟、CD、硬碟、MO (光磁性碟）等之記憶部而被安裝 於控制部6。 接著，針對本發明之蝕刻處理方法使用第4圖予以說 明。並且，在第4圖中以符號40 —起表示上部電極4、上 部電極基座41。首先，藉由控制部6，選擇目的之蝕刻處 © 理之製造處理方法。控制部6係根據該製程處理方法，將 控制訊號輸出至蝕刻處理裝置之各部，如此一來對基板執 行特定之蝕刻處理。 具體而言，例如第4圖（a )所示般，首先打開快門 23，將在表面形成A1膜之基板S藉由無圖示之外部搬運 手段經通道構件51搬入至處理容器20內，並且移動至載 置部3上方側之轉交位置。該轉交位置爲上述載置部3之 載置區域之上方側的位置。然後使升降銷34上升，在該 轉交位置自上述搬運手段藉由該升降銷34接取基板S之 -13- 200929356 後’使升降銷34下降而將晶圓W轉交至載置部3上。另 外，經搬入搬出口 22使上述搬運手段退出之後，藉由快 門23關閉搬入搬出口 22。依此，通道構件51之搬入搬出 口側之開口部經搬入搬出口 22藉由快門23被關閉。 接著，如第4圖（b )所示般，自處理氣體供給部44 朝向基板S吐出當作處理氣體之蝕刻處理用之處理氣體例 如氯氣體，並且將處理容器20之內部空間減壓至特定壓 φ 力，另外自高頻電源部31將高頻電力供給至載置部3。如 此一來，在基板S之上方側之空間形成電漿，對基板S進 行蝕刻處理。 此時，例如第5圖所示般，自上部電極4供給之處理 氣體經載置台3和處理容器20之內壁之間的間隙61而流 向下方側，經排氣路24被排氣。因此，載置台3上之基 板S之表面，係以從中央側朝向外方側之方式，流動處理 氣體。再者，因上述通道構件51之另一端側被連接於載 © 置台3之上面，故在與基板S之搬入搬出口 22對向之邊 側，處理氣體流通至通道構件51之內部。 在此，因通道構件5 1之搬入搬出口側藉由快門23被 關閉，故難以被排氣，處理氣體逐漸積存於通道構件51 之內部，依此通道構件51之內部成爲氣體積存空間，擔 任降低處理氣體之流速的任務。另外，在基板S之搬入搬 出口 22側以外之邊，處理氣體因自上述基板S之中央側 朝向外方側流動，故處理氣體衝突於被設置在基板S周圍 之整流壁5 2，並沿著整流壁5 2前進流動。因此，處理氣 -14- 200929356 體因以超過整流壁52之方式流動，故形成難以藉由整流 壁52排氣之狀態’其流速則極端被降低。如此—來，處 理氣體逐漸積存於整流壁52之內側附近，形成氣體積存 空間。 如此一來，藉由整流用構造體5在基板S之周圍形成 氣體積存空間’依此處理氣體之流速在基板S之外周部極 端下降’故處理氣體之供給量較中央部少。因此，基板S 〇 之中央部和外周部之蝕刻率幾乎一致，可以以確保基板面 內之高面內均勻性之狀態，執行A1膜之蝕刻處理。 如此一來在上述之例中，因基板S自搬入搬出口 22 經構成整流用構造體5之一部份之通道構件51而被搬入 ，故可以不使整流用構造體5升降，在外部之搬運手段和 載置台3之間執行基板S之轉交。因此，即使在通道構件 51之內壁或整流壁52等，附著並堆積藉由蝕刻而產生之 A1之氯化物，該堆積之附著物難以剝落，可抑制顆粒之產 © 生。依此，因降低需要長時間執行除去A1氯化物之維護 保養的頻率，故可以謀求蝕刻處理裝置2之運轉率，謀求 提高產量。 再者，藉由將通道構件51之內面和整流壁52之內壁 面如先前所述般以粗面構成，因上述附著物更強固附著於 通道構件5 1或整流壁5 2，故可以更抑制附著物之剝落。 接著，針對整流用構造體5之其他例’藉由第6圖及 第7圖予以說明。該例之整流用構造體71係其搬入搬出 口 22側藉由上述通道構件51所構成’該通道構件51被 -15- 200929356 設置在上述載置台3之角型之載置區域之一邊側。然後， 上述整流用構造體7 1之上述一邊以外之剩下3個其他邊 側，係當作其一端側沿著該其他邊開口，構成其另一端側 被處理容器20之側壁側關閉之扁平構造體的筒狀構件72 而被構成。再者，在該例中，係構成上述筒狀構件72之 一端側之下面被連接於上述載置台3，上述筒狀構件72之 另一端側被連接於與該另一邊對向之處理容器20之內壁 © 部連接，該另一端側係藉由處理容器20之側壁而被關閉 。上述通道構件51和筒狀構件72係被互相連接成藉由該 些包圍載置台3上之基板S之周圍全體。 上述筒狀構件72係被設置成其一端側自例如被載置 在上述載置區域之基板S之外緣位於例如5 mm程度外側 。再者，筒狀構件72之高度以被設定成例如50mm〜 15 0mm左右爲佳，構成上述通道構件51之上端和筒狀構 件72之上端之高度位置互相一致，該些上端之高度位置 ❹ 係被設定成高於上述基板S之搬運高度位置。 在該例中，如第6圖（b)所示般，自處理氣體供給 部44所供給之處理氣體，經形成在載置台3之角部和處 理容器20之內壁之角部之間的間隙62而流至下方側，經 排氣路24而被排氣。然後，基板S附近之處理氣體因如 上述般從中央側流入至外方側，故例如第7圖所示般，流 入至通道構件5 1和筒狀構件72之內部。如此一來，上述 筒狀構件72之內部雖然成爲處理氣體之通氣空間，但是 該些筒狀構件72之另一端側，如先前所述般，因被連接 -16- 200929356 於處理容器20之內壁而被關閉，故難以被排氣，處理氣 體逐漸積存於筒狀構件72之內部，依此筒狀構件72之內 部成爲氣體積存空間，擔任降低處理氣體之流速的任務。 如此一來，因通道構件51及筒狀構件72之內部當作氣體 積存空間而發揮機能，故在基板S之外周圍，蝕刻氣體之 流速下降，提高蝕刻處理之面內均勻性。 再者，該例係如第6圖及第7圖所示般，有例如於處 φ 理容器20形成有用以確認處理容器20內之基板S之設置 狀況之窺視窗25之時，可以經筒狀構件72之開口以目視 確認上述設置狀況，藉由EPD( End Point Detector:終點 檢測器），可以檢測出處理之終點的優點。 並且，作爲構成整流用構造體7 1之筒狀構件72係如 第8圖及第9圖所示，即使爲其另一端側藉由處理容器2〇 之側壁部以外之構件而被關閉亦可。該例之筒狀構件73 例如第9圖所示般’具備有剖面形狀設置成C字型，被設 © 置在載置台3之基板S之載置區域外側的底部73a，和被 設置成自該底部73a延伸至上方之壁部73b’和在該壁部 73b之上端略水平延伸於基板S之載置區域側的簷部73c 。上述底部73a之內端被設置成位於較上述基板S之載窻 區域例如5mm左右外側’上述底部73a之外端被設置成 位於較上述基板s之載置區域例如1 5 0mm左右外側’簷 部73c之內端被設置成位於基板S之載置區域之外側。再 者，例如壁部73b之高度係以被設定成5 0 mm〜150mm左 右爲佳，簷部73c之寬度係以被設定成150nm左右爲佳。 -17- 200929356 構成上述通道構件51之上端和筒狀構件73之上端（簷部 73c)之咼度位置互相一致，該些上端之高度位置係被設 定成高於上述基板S之搬運高度位置。 在該例中’如第9圖所示般，自處理氣體供給部44 所供給之處理氣體’經設置在載置台3之筒狀構件73和 處理容器2 0之內壁之間的間隙6 3而流至下方側，經排氣 路24而被排氣。然後’基板S附近之處理氣體因如先前 〇 所述般自中央側流入至外方側，故流入至通道構件5 1之 內部，並且流入至筒狀構件73之內部。 在此’因筒狀構件73藉由壁部73b而被關閉，故處 理氣體逐漸積存於筒狀構件73之內部，依此筒狀構件73 之內部成爲氣體積存空間’擔任降低處理氣體之流速的任 務。依此，因通道構件51及筒狀構件73之內部當作氣體 積存空間而發揮機能’故在基板S之外周圍，蝕刻氣體之 流速下降，提高蝕刻處理之面內均勻性。 〇 並且’設置有上述整流用構造體71之通道構件51之 邊以外之剩下3個其他邊側，雖然設置有筒狀之構造體（ 筒狀構件），但是即使取代如此之構造體，使用以包圍設 置有通道構件5 1之邊以外之剩下的三個其他邊側之周圍 全體之方式，平面形狀形成C字型之構造體，以作爲其一 端側沿著該其他邊開口，其另一端側藉由處理容器20之 側壁側而被關閉之扁平構造體亦可。如此一來，即使爲在 連通上述3邊之周圍之狀態下包圍之構造體，因構造體內 部也當作氣體積存空間而發揮機能，故可以提高蝕刻處理 -18- 200929356 之面內均勻性。 並且，針對本發明之其他例，使用第10圖予以說明 。該例係沿著上述載置台3之被處理體載置區域之周緣， 而設置用以供給非處理氣體至載置在上述載置台3上之基 板S之周緣部的非處理氣體供給部8。具體而言，當使用 組合例如第8圖所示之筒狀構件73和非處理氣體供給部8 而設置之例予以說明時，將上述筒狀構件73之底部73a φ 之厚度，設定成大於載置台3上之基板S之厚度，在上述 底部73a，以從該底部73a之內壁面朝向載置台3上之基 板S之邊緣部供給非處理氣體之方式，內藏上述非處理氣 體供給路81而構成。 再者，通道構件51之底部51a之厚度也被設定成大 於載置台3上之基板S之厚度，在該底部51a，以自該底 部5 1 a之內面朝向載置台3上之基板S之周緣部供給非處 理氣體之方式，內藏上述非處理氣體供給路81而構成。 ❹ 形成在該些筒狀構件73或通道構件51之內部之非處理氣 體供給路8 1係在例如筒狀構件73或通道構件5 1之內部 ，沿著上述角型之被處理體載置區域之邊而形成，被構成 非處理氣體經非處理氣體供給管8 1 a而供給至其內部。圖 中82，係在上述筒狀構件73之底部73a或通道構件51之 底部51a之內壁，沿著上述角型之載置區域之邊而所形成 之多數非處理氣體供給孔，該些非處理氣體供給孔82係 被連接於上述非處理氣體供給路81。 在該例中，非處理氣體供給部8藉由非處理氣體供給 -19- 200929356 路81和非處理氣體供給管8 1 a和非處理氣體供給孔82所 構成，自非處理氣體供給管81a被供給至非處理氣體供給 路81之非處理氣體經非處理氣體供給孔82’被供給至載 置台3上之基板S之周緣部。作爲上述非處理氣體’使用 氦（He)氣體、氖（Ne)氣體、氬（Ar)氣體等之稀有氣 體，或氮（N2)氣體、氧（〇2)氣體等。在此，對於基板 S之周緣部，則有於自上述非處理氣體供給孔82大略水 Q 平供給非處理氣體之情形，梢微向下供給非處理氣體之情 形。 在該例中，因對基板S之邊緣部供給非處理氣體，故 在該周緣部處理氣體藉由非處理氣體而被稀釋。因此，上 述基板S之周緣部中之蝕刻率下降，提高鈾刻處理之面內 均勻性。 並且，非處理氣體供給部8即使如第11圖所示般， 在上述載置台3之載置區域之外側，以包圍基板S之方式 〇 設置具有大於上述基板s之厚度之高度的環狀之整流體 83，並且在該整流體83之內壁面沿著基板S之邊設置多 數非處理氣體供給孔84，自此以朝向載置台3上之基板S 之周緣部之略側方或稍微下方側供給非處理氣體之方式， 構成在上述整流體83內藏上述非處理氣體供給路（無圖 示）亦可。 此時，即使載置台3上面配置成較搬入搬出口 22之 下端更下方側，將整流體83設置在載置台3上，亦在整 流體83之上方側進行外部之搬運手段和載置台3之交接 -20- 200929356 銷34之間的基板S之交接’於上述整流體83不妨礙上述 搬運手段和交接銷3 4之間之基板S之交接時’則不需要 設置上述通道構件51。再者’上述非處理氣體供給部8即 使組合上述第1圖或第6圖所示之整流用構造體5、71而 加以設置亦可。並且，即使爲於通道構件5 1不設置非處 理氣體供給路81或非處理氣體供給孔82之構成亦可’非 處理氣體供給孔82之形狀若爲沿著被處理體載置區域之 © 周緣部而設置者，即使爲縫隙狀亦可。 在上述例中，雖然通道構件51之一端側之下面構成 被連接於載置台3之上面，但是即使例如第1 2圖（a )所 示般，將通道構件5 1之一端側之下端側端面連接於載置 台3之側部，並在通道構件51之內部設置從載置台3上 之基板S之側方至搬入搬出口 22之高度調整構件85亦可 。再者，例如第12圖（b)所示般，即使將載置台3設置 成其上面位於較搬入搬出口 22之下端更下方側，使高度 © 調整構件85介於通道構件51和載置台3上面之間，連接 通道構件51和載置台3亦可。此時也包含整流用構造體5 設置在載置台3之情形。 並且’上述通道構件51即使設置成其搬入搬出口側 之端部被連接於形成有上述搬出搬入口 22之上述側壁部 21亦可’例如第1 2圖（c )所示般，即使構成在上述搬入 搬出口 22內部開口亦可，此時通道構件51之搬入搬出口 側之開口部被構成藉由快門23經例如彈性構件（無圖示 )而關閉之構成。再者，藉由設置通道構件51，電導變大 -21 - 200929356 ，因在其內部形成氣體積存空間，故上述通道構件51之 搬入搬出側之端部不一定要關閉。並且即使藉由無圖示之 加熱手段加熱整流用構造體5、71、73，抑制上述處理之 反應生成物之附著亦可。 [實施例] (實驗例） 0 以下針對爲了確認本發明之效果而所執行之實施例予 以說明。在以下之實驗中，使用第1圖所示之鈾刻處理裝 置，作爲整流用構造體，如第8圖所示般，採用使用通道 構件5 1和筒狀構件7 3之構成（實施例1 )，如第10圖所 示般，使用通道構件51和具備有非處理氣體供給部8之 筒狀構件73之構成（實施例2)，使用無設置整流用構造 體之構成（比較例1)，對在表面疊層Ti膜和A1膜之基 板S執行蝕刻處理，針對基板S之面內之22處測量此時 © 之蝕刻率，並且藉由（最大値-最小値）/(最大値+最小値 )算出上述蝕刻率之面內均勻性。在此，上述最大値表示 蝕刻率之最大値，上述最小値表示蝕刻率之最小値。 蝕刻處理條件中之任一者皆如同下述。 基板尺寸：7 3 0 m m X 9 2 0 m m 處理壓力：3 · 9 9 P a ( 3 0 m Torr ) 蝕刻氣體：Cl2 + N2 (結果） -22- 200929356 其結果，蝕刻率之面內均勻性則如同下述。 實施例1 : ±16.5% 實施例2 : ±10.1% 比較例1 : ±23.3% 依此，可知於如實施例1及實施例2般使用本發明之 整流用構造體之時，無論哪一者之蝕刻率之面內均勻性皆 比比較例1之無使用整流用構造體之時高，可理解本發明 φ 之整流用構造體的有用性。再者，本發明之處理裝置不僅 蝕刻處理，亦可以適用於灰化或CVD等，使用其他處理 氣體對被處理體執行處理之處理。再者，處理不一定限定 於電漿處理，即使爲其他之氣體處理亦可。並且，被處理 體並不限定於角型之基板，即使FPD基板之外的半導體晶 圓W等亦可。 【圖式簡單說明】 ❹ 第1圖爲表示本發明之一實施型態所涉及之蝕刻處理 裝置之剖面圖。 第2圖爲表示被設置在上述飩刻處理裝置之整流用構 造體之構成圖。 第3圖爲表示被設置在上述蝕刻處理裝置之整流用構 造體之平面圖。 第4圖爲表示上述飩刻處理裝置之作用的剖面圖。 第5圖爲表示上述蝕刻處理裝置之作用的剖面圖。 第6圖爲表示上述蝕刻處理裝置之其他例之斜視圖和 -23- 200929356 平面圖。 第7圖爲表示上述蝕刻處理裝置之作用的剖面圖。 第8圖爲表示上述蝕刻處理裝置之又一其他例之斜視 圖和平面圖。 第9圖爲表示上述蝕刻處理裝置之作用的剖面圖。 第10圖爲表示上述蝕刻處理裝置之又一其他例的剖 面圖。 Ο 第1 1圖爲表示上述蝕刻處理裝置之又一其他例的斜 視圖。 第12圖爲表示上述蝕刻處理裝置之又一其他例的剖 面圖。 第1 3圖爲表示以往蝕刻處理裝置的剖面圖。 第14圖爲基板S之平面圖。 第1 5圖爲表示以往蝕刻處理裝置的斜視圖。 [主要元件符號說明】 2 :触刻處理裝置 20 :處理容器 2 1 :側壁部 22 :搬入搬出口 23 :快門 2 4 :排氣路 3 :載置台 4 :上部電極 -24- 200929356 3 1 :高頻電源部 47 :處理氣體供給部 5、71 :整流用構造體 5 1 :通道構件 5 2 :整流壁 72、73 :筒狀構件 8 :非處理氣體供給部 〇 8 1 :非處理氣體供給路 82 :非處理氣體供給孔 8 3 :整流體 S : FPD基板 ❹ -25