JP7145625B2 - 基板載置構造体およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、本開示の一実施形態によるプラズマ処理装置1の一例を示す概略断面図である。プラズマ処理装置1は、本体10および制御装置20を有する。プラズマ処理装置1は、処理対象の基板W上に形成された金属酸化膜等をプラズマによりエッチングする装置である。本実施形態において、基板Wは、例えばFPDパネル用の矩形状のガラス基板であり、プラズマ処理装置1によるエッチング処理を経て、基板W上に複数のTFT(Thin Film Transistor)素子が形成される。
図2は、基板載置構造体130の一例を示す拡大断面図である。図3は、基板Wと載置台150とフォーカスリング131との位置関係の一例を示す平面図である。なお、図2において、基台151および静電チャック152は載置台150として描かれている。本実施形態において、基板Wの面積は、載置面152aの面積よりも広い。そのため、基板Wの端部は、載置面152aの領域の外にはみ出している。載置面152aの領域から外にはみ出している基板Wの端部の長さd1は、例えば3mmである。
次に、載置台150の側面にデポが付着する範囲について実験を行った。実験では、例えば図5に示される基板載置構造体130’が用いられた。図5は、実験に用いられた基板載置構造体130’の一例を示す拡大断面図である。図5に示された基板載置構造体130において、図2と同じ符号が付された部材は、以下に説明する点を除き、図2において説明された部材と同様であるため、説明を省略する。
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
W 基板
1 プラズマ処理装置
10 本体
20 制御装置
101 チャンバ
102 誘電体壁
103 アンテナ室
103a 側壁
104 処理室
104a 側壁
105 支持棚
106 開口
107 バッフル板
111 シャワー筐体
112 ガス吐出孔
113 アンテナ
113a アンテナ線
114 整合器
115 高周波電源
116 給電部材
117 スペーサ
118 端子
119 給電線
120 ガス供給部
121 ガス供給源
122 流量制御器
123 バルブ
124 ガス供給管
130 基板載置構造体
131 フォーカスリング
131a 上部リング部材
131b 下部リング部材
131c 上部リング部材
1310 側面
1311 側面
1312 側面
132 支持部材
133 保護部材
140 高周波電源
141 整合器
150 載置台
151 基台
151a 流路
152 静電チャック
152a 載置面
153 電極
154 供給孔
155 直流電源
156 絶縁部材
157 配管
160 排気口
161 排気装置
30 隙間
31 成分
32 デポ
Claims (9)
- 上部の載置面に、基板の端部が前記載置面の領域の外にはみ出すように載置される載置台と、
前記載置面を囲むように配置されたリング部材であって、前記リング部材の上面が前記載置面よりも低い位置となるように配置された前記リング部材と、
前記リング部材の下側に配置され、前記リング部材を支持する支持部材と
を備え、
前記リング部材は、
前記リング部材の下部を構成し、前記支持部材を覆う下部リング部材と、
前記リング部材の上部を構成し、前記載置台側の側面の少なくとも一部と前記載置台の側面との間の距離が、前記下部リング部材の前記載置台側の側面と前記載置台の側面との間の距離よりも長くなる隙間を形成する上部リング部材と
を有し、
前記基板が前記載置面に載置された際、前記基板の前記端部により前記隙間が覆われ、
前記上部リング部材および前記下部リング部材は、絶縁性の材料で構成されていることを特徴とする基板載置構造体。 - 前記上部リング部材および前記下部リング部材の前記載置台側の部分は、
少なくとも1つの段差を形成していることを特徴とする請求項1に記載の基板載置構造体。 - 前記上部リング部材の前記載置台側の側面は、
前記載置台の側面と平行に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の基板載置構造体。 - 前記上部リング部材の前記載置台側の側面と前記載置台の側面との間の距離は、0.6mm以上1.5mm以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の基板載置構造体。
- 前記上部リング部材の前記載置台側の側面は、
前記下部リング部材から離れるに従って、前記上部リング部材の前記載置台側の側面と前記載置台の側面との間の距離が長くなるように傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の基板載置構造体。 - 前記上部リング部材の前記載置台側の側面の最上端と前記載置台の側面との間の距離は、0.6mm以上1.5mm以下であることを特徴とする請求項5に記載の基板載置構造体。
- 前記上部リング部材の厚さは、0mmより大きく8mm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の基板載置構造体。
- 前記載置台は、
前記載置台の内部に設けられ、前記載置面に載置された前記基板を静電力により吸着保持するための電極と、
前記載置面に冷却ガスを供給するための供給孔と
を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の基板載置構造体。 - チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、基板が載置される基板載置構造体と、
前記チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と
を備え、
前記基板載置構造体は、
上部の載置面に、前記基板の端部が前記載置面の領域の外にはみ出すように載置される載置台と、
前記載置面を囲むように配置されたリング部材であって、前記リング部材の上面が前記載置面よりも低い位置となるように配置された前記リング部材と、
前記リング部材の下側に配置され、前記リング部材を支持する支持部材と
を有し、
前記リング部材は、
前記リング部材の下部を構成し、前記支持部材を覆う下部リング部材と、
前記リング部材の上部を構成し、前記載置台側の側面の少なくとも一部と前記載置台の側面との間の距離が、前記下部リング部材の前記載置台側の側面と前記載置台の側面との間の距離よりも長くなる隙間を形成する上部リング部材と
を有し、
前記基板が前記載置面に載置された際、前記基板の前記端部により前記隙間が覆われ、 前記上部リング部材および前記下部リング部材は、絶縁性の材料で構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
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