JP2023017479A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制する。【解決手段】減圧可能に構成された処理容器と、前記処理容器の内部に設けられ、基板が載置される基板載置面を有する載置台と、前記基板が前記基板載置面に載置された際に前記基板の外周を囲み得るように設けられた、矩形枠状の整流壁と、を備え、前記整流壁の四隅それぞれに対し、前記整流壁の内側から貫通するガス流路が設けられ、前記整流壁の四隅の内周面は、曲面で構成される、基板処理装置である。【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１には、真空チャンバの内部にＦＰＤ基板を載置するための載置台が設けられたエッチング処理装置が開示されている。このエッチング処理装置では、基板の周囲を囲むように高さ５０～１５０ｍｍ程度の整流部材を設け、基板の外周領域近傍のエッチングガスの流れを整流部材により遮ることにより基板の周囲にガス溜まりを形成している。これにより当該領域におけるエッチングガス流速を低下させ、基板面内におけるエッチングレートの均一性を高めることを図っている。

特開２００９－５４７２０号公報

本開示にかかる技術は、基板に対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制する。

本開示の一態様は、減圧可能に構成された処理容器と、前記処理容器の内部に設けられ、基板が載置される基板載置面を有する載置台と、前記基板が前記基板載置面に載置された際に前記基板の外周を囲み得るように設けられた、矩形枠状の整流壁と、を備え、前記整流壁の四隅それぞれに対し、前記整流壁の内側から貫通するガス流路が設けられ、前記整流壁の四隅の内周面は、曲面で構成される、基板処理装置である。

本開示によれば、基板に対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制することができる。

本実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 整流壁及び壁部材の構成の概略を示す部分拡大平面図である。 整流壁及び壁部材の構成の概略を示す部分拡大断面図である。 比較の形態にかかる整流壁及び壁部材の構成の概略を示す部分拡大平面図である。 比較の形態にかかる整流壁及び壁部材の構成の概略を示す部分拡大断面図である。 本実施形態における処理ガスの流れを説明するための図である。

液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程では、ガラス基板等の基板に対し、エッチング処理や成膜処理等の基板処理が行われる。これらの基板処理には、処理対象の基板が収容される処理容器等を有する基板処理装置が用いられる。

ところで、基板処理装置による基板処理が、基板の中央部と周縁部とで異なり、面内不均一になる場合がある。例えば、プラズマを用いたエッチング処理では、エッチングを抑制する要因となる、処理時に発生した反応生成物が、基板の周縁部の方が中央部に比べて排出されやすいこと等から、エッチングレートが基板の周縁部において中央部に比べて高くなる。そのため、特許文献１では、基板の周囲を囲むように整流部材を設け、基板の外周領域近傍のエッチングガスの流れを整流部材で遮ることで基板の周囲にガス溜まりを形成し、当該領域におけるエッチングガス流速を低下させ、エッチングレートが均一になるようにしている。

しかし、上述のように整流部材を設けた場合、基板処理時に発生した反応生成物に含まれる堆積性の物質が整流部材に付着して徐々に堆積し、パーティクルの原因となる場合がある。

そこで、本開示にかかる技術は、基板に対する基板処理の不均一を抑制しつつ、生成物の堆積を抑制する。

以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び基板処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜プラズマ処理装置１＞
図１及び図２はそれぞれ、本実施形態にかかる基板処理装置としてのプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
図１及び図２のプラズマ処理装置１は、基板としての、矩形のガラス基板Ｇ（以下、「基板Ｇ」という）に対し、処理ガスのプラズマを用いた基板処理すなわちプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置１が行うプラズマ処理は、例えばＦＰＤ用のエッチング処理、成膜処理、アッシング処理等である。これらの処理により、基板Ｇ上に、発光素子や発光素子の駆動回路等の電子デバイスが形成される。

プラズマ処理装置１は、有底の角筒形状の容器本体１０を備える。容器本体１０は、導電性材料、例えばアルミニウムから形成され、電気的に接地されている。プラズマ処理にはしばしば腐食性のガスが用いられるため、容器本体１０の内壁面は、耐腐食性を向上させる目的で、陽極酸化処理等の耐腐食コーティング処理が施されていてもよい。また、容器本体１０の上面には開口が形成されている。この開口は、容器本体１０と絶縁されて設けられた矩形状の金属窓２０によって気密に塞がれ、具体的には、金属窓２０及び後述の金属枠１４によって気密に塞がれる。容器本体１０及び金属窓２０によって囲まれた空間は、プラズマ処理の処理対象の基板Ｇがプラズマ処理時に位置する処理空間Ｋ１となり、金属窓２０の上方側の空間は、後述の高周波アンテナ（プラズマアンテナ）１００が配置されるアンテナ室Ｋ２となる。容器本体１０のＸ方向負側（図２の左側）の側壁には、処理空間Ｋ１内に基板Ｇを搬入出するための搬入出口１１及び搬入出口１１を開閉するゲートバルブ１２が設けられている。

容器本体１０の底壁１０ａ上には、図１に示すように、金属窓２０と対向するように、載置台３０が設けられている。載置台３０は、その上面が、基板Ｇが載置される基板載置面３１ａとなる台本体３１を有し、台本体３１が、絶縁性の材料で形成された脚部３２を介して、容器本体１０の底壁１０ａ上に設置されている。載置台３０は、例えば全体として平面視矩形状に形成されている。

台本体３１は、導電性材料、例えばアルミニウムから形成されている。台本体３１の表面は、絶縁性及び耐腐食性を向上させるため、陽極酸化処理若しくはセラミック溶射処理等のコーティング処理が施されていてもよい。また、台本体３１に載置された基板Ｇは、載置台３０が有する静電チャック（図示せず）により吸着保持される。

さらに、台本体３１には、整合器４０を介して高周波電源４１が接続されている。高周波電源４１は、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を台本体３１に供給する。これにより、処理空間Ｋ１内に生成されたプラズマ中のイオンを基板Ｇに引き込むことができる。

また、載置台３０の周囲には、基板載置面３１ａを囲むように（具体的には基板載置面３１ａを含む載置台３０の上部側面を囲むように）、リング部材としての、シールドリング５０が設けられている。シールドリング５０は、プラズマを載置台３０の上方に均一に形成するためのものであり、絶縁性の材料、例えばセラミックスから形成されている。シールドリング５０は、例えば、平面視矩形の環状に形成されている。また、載置台３０の側面（具体的には載置台３０の下部側面）及び脚部３２の側面を囲むように絶縁リング５１が設けられ、絶縁リング５１の上面と、台本体３１の肩部とにわたってシールドリング５０が載置されている。絶縁リング５１は、容器本体１０の底壁１０ａに支持されている。なお、脚部３２と絶縁リング５１は一体にされていてもよい。また、台本体３１は肩部を設けていなくてもよく、その場合、シールドリング５０が絶縁リング５１と一体化されてもよい。

一実施形態において、シールドリング５０は、後述の整流壁６０を成す壁部材６１を支持する部材支持部を構成し、シールドリング５０の上面は、載置台３０の基板載置面３１ａの外周を囲み壁部材６１が載置される部材載置面５０ａとなる。例えば、部材載置面５０ａは平坦に形成され、その高さが、基板載置面３１ａの高さと略等しい。

また、載置台３０の基板載置面３１ａに基板Ｇが載置された際に、基板Ｇの外周を囲み得るように、平面視矩形の枠体状すなわち矩形枠状の整流壁６０が設けられている。整流壁６０は、載置台３０に載置された基板Ｇの周縁部のガスの流れを遮ることで基板Ｇの周縁部にガス溜まりを形成するためのものであり、例えば、セラミックス等の絶縁性の材料から形成されている。
整流壁６０は、例えば、矩形枠状の壁部材６１をシールドリング５０の部材載置面５０ａに載置することにより成される。壁部材６１の詳細については後述する。

なお、図の例では、基板Ｇより基板載置面３１ａの方が大きく、基板載置面３１ａ内に基板Ｇが収まっているが、基板Ｇより基板載置面３１ａの方が小さく、基板Ｇの周縁部が、平面視において基板載置面３１ａから迫り出しシールドリング５０の部材載置面５０ａの内周部と重なってもよい。その場合、基板Ｇの裏面とシールドリング５０の部材載置面５０ａとが離間し接触しないよう、基板載置面３１ａに対し部材載置面５０ａをわずかに低くすることが望ましい。

さらに、容器本体１０の底壁１０ａには、排気口１３が形成されている。排気口１３は、複数設けられており、例えば、図２に示すように、平面視矩形状の載置台３０の各角部に１つ設けられている。排気口１３には、図１に示すように、真空ポンプ等を有する排気部７０が接続されている。処理空間Ｋ１は、この排気部７０によって減圧される。排気部７０は、複数の排気口１３のそれぞれに設けられてもよいし、複数の排気口１３に共通に設けられてもよい。また、排気口１３は、平面視矩形状の載置台３０の各辺に、当該辺に沿って複数（例えば２つ）設けられていてもよい。

容器本体１０の側壁の上面側には、アルミニウム等の金属材料から形成された矩形状の枠体である金属枠１４が設けられている。容器本体１０と金属枠１４との間には、処理空間Ｋ１を気密に保つためのシール部材１５が設けられている。また、本実施形態において、容器本体１０と金属枠１４と金属窓２０とが、減圧可能に構成された処理容器を成す。

金属窓２０は、例えば平面視矩形状に形成されている。また、金属窓２０は、処理空間Ｋ１に処理ガスを供給するシャワーヘッドとして機能する。例えば、金属窓２０には、処理ガスを下方に吐出する多数のガス吐出孔２１と、処理ガスを拡散させる拡散室２２が形成されており、ガス吐出孔２１と拡散室２２とが連通している。

拡散室２２は、ガス供給管８０を介して処理ガス供給部８１に接続されている。処理ガス供給部８１は、流量調整弁（図示せず）や開閉弁（図示せず）等を備え、エッチング処理、成膜処理、アッシング処理等に必要な処理ガスを拡散室２２に供給する。
なお、金属窓２０は、絶縁部材２３によって金属枠１４から電気的に絶縁されている。

上述の金属窓２０、側壁部９１及び天板部９０にて囲まれた空間はアンテナ室Ｋ２を構成し、アンテナ室Ｋ２の内部には、金属窓２０に面するように高周波アンテナ１００が配置されている。

高周波アンテナ１００は、例えば、絶縁材料から形成されるスペーサ（図示せず）を介して金属窓２０から離間して配置される。

高周波アンテナ１００には、整合器４２を介して高周波電源４３が接続されている。高周波アンテナ１００には、高周波電源４３から整合器４２を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、プラズマ処理の間、処理空間Ｋ１の内部に誘導電界が形成され、ガス吐出孔２１から吐出された処理ガスが誘導電界によってプラズマ化される。

さらに、プラズマ処理装置１には制御部Ｕが設けられている。制御部Ｕは、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１における基板Ｇの処理を制御するプログラムが格納されている。上述のプログラムは、コンピュータに読み取り可能な非一時的な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部Ｕにインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

＜整流壁６０及び壁部材６１＞
続いて、整流壁６０及び壁部材６１の構成について図１及び図２を参照し、図３及び図４を用いて説明する。図３及び図４はそれぞれ、整流壁６０及び壁部材６１の構成の概略を示す部分拡大平面図及び部分拡大断面図であり、矩形枠状の整流壁６０及び壁部材６１の四隅の１つを示している。

前述のように、整流壁６０は、平面視矩形状の枠体である。そして、整流壁６０の四隅それぞれに対し、図２に示すように、当該整流壁６０の内側から貫通するガス流路２００が設けられている。具体的には、整流壁６０の四隅それぞれに対し、整流壁６０の内周面から貫通するガス流路２００が設けられている。ガス流路２００は、図３に示すように、当該ガス流路２００が設けられた整流壁６０の隅部の内周面から、平面視において当該隅部の厚さ方向に沿って延びるように形成されている。より具体的には、ガス流路２００は、図３及び図４に示すように、当該ガス流路２００が設けられた整流壁６０の隅部の内周面から、当該隅部の厚さ方向且つ水平方向に沿って延び、整流壁６０の外周面に至るように形成されている。

一実施形態において、ガス流路２００は、壁部材６１の四隅それぞれの下面に設けられた溝部６２と、シールドリング５０の部材載置面５０ａによって形成される。溝部６２は、例えば、壁部材６１の四隅それぞれに１つずつ、当該ガス流路２００が設けられた隅部の壁部材６１の厚さ方向に沿って延びるように形成されている。

また、整流壁６０の四隅の内周面は、図３に示すように、曲面６３で形成されている。具体的には、整流壁６０を成す壁部材６１の四隅の内周面は、外側に凹むような曲面６３で形成されている。

なお、整流壁６０の内周面すなわち壁部材６１の内周面は、例えば、部材載置面５０ａに対して垂直となるように形成されている。ただし、整流壁６０の内周面すなわち壁部材６１の内周面は、整流壁６０の機能を果たし得る範囲で、部材載置面５０ａに対して垂直より外側または内側に傾いていてもよい。なお、以下の説明では、整流壁６０の内周面すなわち壁部材６１の内周面は、部材載置面５０ａに対して垂直であるものとする。

壁部材６１は、複数に分割されていてもよい。例えば、壁部材６１は、各隅部の部材と各辺部の部材とに分割されていてもよい。
なお、上述のようなガス流路２００は、整流壁６０の四隅に対してのみ設けられており、整流壁６０の辺部には設けられていない。

＜基板処理＞
次に、プラズマ処理装置１における基板処理について、プラズマを用いたエッチング処理すなわちプラズマエッチング処理の例で説明する。なお、以下の基板処理は、制御部Ｕの制御の下、行われる。

まず、載置台３０上に基板Ｇが載置される。
具体的には、ゲートバルブ１２が開かれ、基板Ｇが、搬入出口１１を介して処理空間Ｋ１内に搬入され、載置台３０の基板載置面３１ａに、整流壁６０に囲まれるように載置される。その後、ゲートバルブ１２が閉じられる。

そして、処理空間Ｋ１に導入した処理ガスが基板載置面３１ａ上の基板Ｇに供給され、当該基板Ｇに処理が施される。具体的には、上記処理ガスがプラズマ化され、該プラズマによって基板Ｇに処理が施される。

より具体的には、処理ガス供給部８１から、拡散室２２及びガス吐出孔２１を介して処理空間Ｋ１内に処理ガスが供給される。また、排気部７０による処理空間Ｋ１の排気が行われ、処理空間Ｋ１内が所望の圧力に調節される。
次いで、高周波電源４３から高周波アンテナ１００に高周波電力が供給され、これにより金属窓２０を介して処理空間Ｋ１内に均一な誘導電界が生じる。その結果、誘導電界により、処理空間Ｋ１内の処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源４１から載置台３０の台本体３１に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Ｇに引き込まれ、基板Ｇに対しエッチング処理が施される。

上述のように、プラズマ処理装置１には、四隅それぞれにガス流路２００が形成された整流壁６０が設けられている。上記エッチング処理の際、処理空間Ｋ１内に導入され基板Ｇに供給された処理ガスは、整流壁６０の上側及びガス流路２００を介して、排気口１３に導かれ、排出される。エッチング処理時に生じた反応生成物は、基板Ｇの処理に寄与しなかった処理ガスと共に整流壁６０の上側及びガス流路２００を介して排気口１３に導かれ排出される。

エッチング処理の終了後、高周波電源４１、４３からの電力供給、処理ガス供給部８１からの処理ガス供給が停止され、搬入時とは逆の順序で基板Ｇが搬出される。
これにより一連の基板処理が終了する。

＜本実施形態の主な作用効果＞
ところで、本実施形態と異なり整流壁６０がない場合、エッチングレートが、基板Ｇの周縁部において中央部に比べて高くなることがある。これは、エッチングを抑制する要因となる、処理時に発生した反応生成物が、基板Ｇの周縁部において中央部に比べて排出されやすいこと等が原因である。反応生成物が基板Ｇの表面からのみ発生するのに対し処理ガスは処理空間Ｋ１から供給されるという違いがあるため、基板Ｇの周縁部では速やかに排気が進むと新鮮な処理ガスに置き換わりやすいためである。そこで、載置台３０上の基板Ｇを囲む整流壁６０を設け、基板Ｇに供給された処理ガスを整流壁６０の内周面及び上面に沿って排出させることで、基板Ｇの周縁部近傍の処理ガスの流れを整流壁６０で遮り、基板Ｇの周囲にガス溜まりを形成するようにしている。これにより、プラズマ中の未反応の反応種（反応に寄与するラジカルやイオン等）等の割合が、基板Ｇの中央部近傍と周縁部近傍とで近くなるため、エッチングレートの面内均一性を図ることができる。

しかし、整流壁６０を設けたとしても、本実施形態と異なり、整流壁６０の四隅にガス流路２００が形成されていない場合、反応生成物に含まれる堆積性の物質が、整流壁６０に付着して徐々に堆積してしまう。特に、整流壁６０の矩形枠状という構造上、反応生成物に含まれる堆積性の物質が整流壁６０の隅部に堆積し、堆積した生成物がパーティクルの原因となる場合がある。
そこで、本実施形態では、整流壁６０の四隅にガス流路２００を設け、隅部近傍の反応生成物を、処理ガスと共に、ガス流路２００を介して排出するようにしている。
なお、以下において、簡略化のため「反応生成物が堆積する」といった表現を用いる場合があるが、反応生成物に含まれる全物質が堆積することを意味せず、上記と同様、反応生成物に含まれる堆積性の物質が堆積することを意味するものとする。

また、本実施形態と異なる比較の形態として、図５及び図６に示すものが考えられる。図５及び図６に示す比較の形態では、基板Ｇの外周を囲み得る、矩形状枠体の整流壁５００を成す壁部材５１０と、部材載置面５０ａとの間に支持柱５１１を設け、壁部材５１０を、支持柱５１１により部材載置面５０ａとの間に隙間５１２を設けて支持している。また、上記比較の形態では、矩形枠状の整流壁５００の辺それぞれに対し、複数の支持柱５１１を設け、整流壁５００の各隅部を含め、複数個所に隙間５１２を設けている。
この形態の場合、基板Ｇの処理に伴い発生した反応生成物を、処理ガスと共に、隙間５１２を介して排出することができる。

しかし、この比較の形態では、図６に示すように、支持柱５１１の基板Ｇ側に反応生成物Ｑが堆積する場合がある。特に、整流壁５００の辺部中央付近に設けられた支持柱５１１の基板Ｇ側に反応生成物Ｑが堆積する場合がある。その理由としては、以下が考えられる。比較の形態における、処理ガスの排出経路は、整流壁５００の上側を介するものを除けば、隙間５１２を介する経路、すなわち、隣接する支持柱５１１同士の間を介する経路である。言い換えれば、支持柱５１１は、隙間５１２を通過する処理ガスの流れの中に存在する。したがって、基板Ｇ側から支持柱５１１に向かう処理ガスの流れ（図５の矢印Ｆ１０参照）が強い。このため、支持柱５１１に到達する反応生成物の数が多く、また、支持柱５１１に到達した反応生成物がその処理ガスの流れにより支持柱５１１に押し付けられ、反応生成物に含まれる堆積性物質が堆積してしまうと考えられる。

そこで、本実施形態では、図７に示すように、整流壁６０の四隅にのみガス流路２００を設け、整流壁６０の辺部に沿って四隅に向かう処理ガスの流れＦ１が形成されるようにし、基板Ｇ側から整流壁６０の辺部に向かう処理ガスの流れＦ２を弱めるようにしている。これにより、整流壁６０の辺部に到達する反応生成物の（単位面積あたりの）数を少なくすることができ、また、整流壁６０の辺部に到達した反応生成物が当該辺部に押し付けられにくくすることができる。したがって、整流壁６０に反応生成物が辺部に堆積するのを抑制することができる。

また、本実施形態では、整流壁６０の四隅の内周面が曲面６３で形成されている。そのため、当該四隅に至った処理ガスは、当該四隅に滞留せずに曲面６３に沿って流れやすい。したがって、当該四隅での処理ガスの停滞を抑制することができ、当該四隅におけるガス流路２００が形成されていない部分に反応生成物が堆積するのを抑制することができる。

以上のように、本実施形態によれば、基板に対するプラズマエッチング処理の不均一性を抑制しつつ、プラズマエッチング処理時に生じた反応生成物の堆積（特に隅部への堆積）を抑制することができる。なお、上述の点は、プラズマエッチング処理以外のプラズマ処理及びプラズマ処理以外の処理ガスを用いた基板処理においても同様である。つまり、本実施形態によれば、基板処理の不均一を抑制しつつ、基板処理時に生じた反応生成物の堆積（特に隅部への堆積）を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、反応生成物が整流壁６０に堆積しにくいため、堆積物を取り除くための整流壁６０のメンテナンスの周期を長くすることができ、生産性の低下を抑制することができる。

さらに、本実施形態では、整流壁６０の四隅のみにガス流路２００が設けられているため、ガス流路２００を通過する際の処理ガスの流速が高い。したがって、堆積物の原因物質を含む反応生成物が、ガス流路２００に留まらずに排出される。つまり、反応生成物がガス流路２００に堆積するのを抑制することができる。

＜整流壁６０及び壁部材６１の寸法及び配設位置＞
図３及び図４を参照し、整流壁６０及び壁部材６１の寸法及び配設位置の一例を説明する。これらは、反応生成物の種類や処理ガスの種類（当該反応生成物を排気するのに必要なガス流路２００のコンダクタンス等に反映される）や、基板Ｇの大きさ、処理圧力等に応じて定められる。

基板載置面３１ａに載置された基板Ｇの側端（具体的にはその設計値）と整流壁６０及び壁部材６１の辺部の内周面との間の距離Ｌ１が８ｍｍ、基板Ｇの厚さが０．５ｍｍ～０．７ｍｍの場合、整流壁６０及び壁部材６１の寸法及び配設位置は例えば以下の通りである。

整流壁６０及び壁部材６１の高さＨ１：２０ｍｍ～８０ｍｍ
整流壁６０の厚さＴ：５ｍｍ～３６ｍｍ
ガス流路２００の高さＨ２：１ｍｍ～１０ｍｍ
基板Ｇの角部からガス流路２００の側端までの距離Ｌ２：０ｍｍ～２０ｍｍ
ガス流路２００の側面の角度（当該側面が形成された整流壁６０の辺部に対して垂直な角度を基準とする。）θ：０°～４５°

なお、上記角度θが４５°とは、ガス流路２００が、該ガス流路２００が設けられた整流壁６０の隅部の厚さ方向に沿って延び、且つ、厚さ方向に沿って均等な太さを有するように形成されていることを意味する。
また、上記角度θが０°以上で４５°未満の場合、ガス流路２００が、当該ガス流路２００が設けられた整流壁６０の隅の厚さ方向に沿って延び、且つ、外側に向けて開く形状に形成されていることを意味する。

上記角度θを０°未満とした場合、すなわち負の値である場合、ガス流路２００は０°の場合よりもさらに外側に向かって開く形状に形成され、ガス流路２００の入り口付近において、処理ガスの回り込みが発生し、反応生成物の堆積が生じるおそれがある。上記角度θを０°以上とすることで、これを防ぐことができる。また、上記角度θを０°未満とした場合、ガス流路２００を介して排気側から基板Ｇ側にガスが逆拡散する可能性が高くなる。上記角度θを０°以上とすることで、この逆拡散を抑制することができる。

一方、上記角度θが４５°を超える場合、ガス流路２００の内面に衝突する、処理ガス及びそれに含まれる反応生成物の割合が増加するおそれ、すなわち、反応生成物の排出性能が低下するおそれがある。上記角度θを４５°以下とすることで、この反応生成物の排出性能の低下を防ぐことができる。

また、基板Ｇの角部からガス流路２００の側端までの距離Ｌ２が負の値の場合、すなわち基板Ｇの角部の位置がガス流路２００の側端よりも壁部材６１の辺部側にある場合も、反応生成物の排出性能が低下するおそれがある。したがって、上記距離Ｌ２を０ｍｍ以上とすることで、この反応生成物の排出性能の低下を防ぐことができる。
一方、上記距離Ｌ２が２０ｍｍを超える場合、基板Ｇの角部とそれ以外の部分とで、処理ガスの排出効率が異なり、基板処理の均一性に影響が及ぶおそれがある。上記Ｌ２を２０ｍｍ以下とすることで、このように基板処理の均一性に影響が及ぶのを抑制することができる。

さらに、整流壁６０及び壁部材６１は、曲面６３の曲率半径ｒが、例えば、基板載置面３１ａに載置された基板Ｇの側端と整流壁６０及び壁部材６１の辺部の内周面との間の距離Ｌ２に等しくなるように形成されることが好ましい。
曲面６３が上述のように形成されることにより、いずれの場所においても、基板Ｇの側端と整流壁６０及び壁部材６１の辺部の内周面との距離を一定に保つことができる。したがって、基板Ｇの角部における基板処理の均一性を向上させることができる。
なお、上記曲面６３の曲率半径ｒは、基板載置面３１ａに載置される基板Ｇの寸法に合わせて設定されることが好ましいが、基板Ｇは、本実施形態の必須の構成要件とされるものではない。

（変形例）
以上の例では、壁部材６１の底面に設けられた溝部６２と部材載置面５０ａとによりガス流路２００が形成されていた。ガス流路２００の形態はこれに限られず、例えば、ガス流路２００は、壁部材６１を貫通する孔であってもよい。また、ガス流路２００は、壁部材６１の平坦な底面とシールドリング５０の部材載置面５０ａに設けた溝部とにより形成されていてもよく、さらに、ガス流路２００は、シールドリング５０の部材載置面５０ａにおける壁部材６１より内側から当該シールドリング５０を貫通する孔であってもよい。

ただし、部材載置面５０ａに設けられた溝部と壁部材６１の平坦な底面とによりガス流路２００を形成した場合には、壁部材６１より内側の部材載置面５０ａとガス流路２００との間に段差が生じる。これに対し、壁部材６１の底面に設けられた溝部６２と部材載置面５０ａとによりガス流路２００を形成した場合、壁部材６１より内側の部材載置面５０ａとガス流路２００との間に段差がない。そのため、段差の無い構成により、壁部材６１より内側の部材載置面５０ａに沿ってガス流路２００に向かった処理ガスを、ガス流路２００を介してスムーズに、壁部材６１の外側に排出することができる。したがって、反応生成物の排出性能が高いので、反応生成物の堆積を抑制することができる。

また、以上の例では、ガス流路２００は、水平方向に延びるように形成されていたが、所望の反応生成物の排出性能が得られれば、下流端（整流壁の外側）が上流端（整流壁の内側）より上方または下方に位置するよう、水平方向から傾くように形成されていてもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ プラズマ処理装置
１０ 容器本体
１４ 金属枠
２０ 金属窓
３０ 載置台
３１ａ 基板載置面
６０ 整流壁
６３ 曲面
２００ ガス流路
Ｇ ガラス基板

Claims (8)

1. 減圧可能に構成された処理容器と、
   前記処理容器の内部に設けられ、基板が載置される基板載置面を有する載置台と、
   前記基板が前記基板載置面に載置された際に前記基板の外周を囲み得るように設けられた、矩形枠状の整流壁と、を備え、
   前記整流壁の四隅それぞれに対し、前記整流壁の内側から貫通するガス流路が設けられ、
   前記整流壁の四隅の内周面は、曲面で構成される、基板処理装置。
2. 前記基板は矩形状であり、
   前記曲面の曲率半径は、前記基板が前記基板載置面に載置された際に前記基板の側端と前記整流壁の辺部の内周面との間の距離に等しい、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板載置面の外周を囲む部材載置面を有する部材支持部と、
   前記部材載置面に載置されて前記整流壁を成す壁部材と、を備え、
   前記ガス流路は、前記壁部材の下面に設けられた溝部と前記部材載置面によって形成される、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板載置面を囲むように設けられたリング部材をさらに備え、
   当該リング部材及びその上面はそれぞれ前記部材支持部及び前記部材載置面を構成する、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記ガス流路は、当該ガス流路が設けられた前記整流壁の隅部の厚さ方向に沿って延び、且つ、前記厚さ方向に沿って均等な太さを有するように形成される、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記ガス流路は、当該ガス流路が設けられた前記整流壁の隅部の厚さ方向に沿って延び、且つ、外側に向けて開く形状に形成される、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 処理容器の内部に設けられた載置台の基板載置面に、四隅の内周面が曲面で形成された矩形枠状の整流壁に囲まれるように、基板を載置する工程と、
   前記処理容器内に導入した処理ガスを前記基板載置面上の前記基板に供給し当該基板に処理を施す工程と、
   前記基板載置面上の前記基板に供給された処理ガスを、前記整流壁の前記四隅のそれぞれに対し設けられた前記整流壁の内周面から貫通するガス流路及び前記整流壁の上側を介して排出する工程と、を含む基板処理方法。
8. 前記処理を施す工程は、前記処理ガスをプラズマ化し該プラズマによって前記基板に処理を施す、請求項７に記載の基板処理方法。

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