CN115692152A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；载置台，其设置于所述处理容器的内部，具有能够载置基片的基片载置面；和矩形框状的整流壁，其设置成在所述基片载置于所述基片载置面时能够包围所述基片的外周，在所述整流壁的四角分别设置有从所述整流壁的内侧贯通所述整流壁的气体流路，所述整流壁的四角的内周面由曲面构成。根据本发明，能够抑制对基片进行的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的堆积。

Description

基片处理装置和基片处理方法

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

在专利文献1中，公开了一种蚀刻处理装置，其在真空腔室的内部设置有用于载置FPD基片的载置台。在该蚀刻处理装置中，以包围基片的周围的方式设置高度50～150mm左右的整流部件，利用整流部件遮挡基片的外周区域附近的蚀刻气体的流动，由此在基片的周围形成气体蓄积部。由此，降低该区域中的蚀刻气体流速，提高基片面内的蚀刻速率的均匀性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-54720号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明的技术在于抑制对基片进行的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的堆积。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个技术方案是一种基片处理装置，其包括：构成为能够减压的处理容器；载置台，其设置于所述处理容器的内部，具有能够载置基片的基片载置面；和矩形框状的整流壁，其设置成在所述基片载置于所述基片载置面时能够包围所述基片的外周，在所述整流壁的四角分别设置有从所述整流壁的内侧贯通所述整流壁的气体流路，所述整流壁的四角的内周面由曲面构成。

发明效果

根据本发明，能够抑制对基片进行的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的堆积。

附图说明

图1是表示作为本实施方式的基片处理装置的等离子体处理装置的结构的概略的纵截面图。

图2是表示作为本实施方式的基片处理装置的等离子体处理装置的概略结构的横截面图。

图3是表示整流壁和壁部件的结构的概略的局部放大俯视图。

图4是表示整流壁和壁部件的结构的概略的局部放大截面图。

图5是表示比较方式的整流壁和壁部件的结构的概略的局部放大俯视图。

图6是表示比较方式的整流壁和壁部件的结构的概略的局部放大截面图。

图7是用于说明本实施方式中的处理气体的流动的图。

附图标记说明

1等离子体处理装置

10容器主体

14金属框

20金属窗

30载置台

31a基片载置面

60整流壁

63曲面

200气体流路

G玻璃基片

具体实施方式

在液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)的制造工序中，对玻璃基片等基片进行蚀刻处理、成膜处理等基片处理。在这些基片处理中，使用具有能够收纳处理对象的基片的处理容器等的基片处理装置。

但是，由基片处理装置进行的基片处理在基片的中央部和周缘部不同，存在面内不均匀的情况。例如，在使用等离子体的蚀刻处理中，成为抑制蚀刻的主要原因的在处理时产生的反应生成物在基片的周缘部比中央部容易被排出等，所以蚀刻速率在基片的周缘部比中央部高。因此，在专利文献1中，以包围基片的周围的方式设置整流部件，利用整流部件遮挡基片的外周区域附近的蚀刻气体的流动，从而在基片的周围形成气体蓄积部，使该区域中的蚀刻气体流速降低，使蚀刻速率变得均匀。

但是，在如上述那样设置整流部件的情况下，有时在基片处理时产生的反应生成物所包含的堆积性的物质会附着于整流部件而逐渐堆积，成为颗粒的原因。

因此，本发明的技术在于抑制对基片进行的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的堆积。

以下，参照附图对本实施方式的基片处理装置和基片处理方法进行说明。注意，在本说明书和附图中，具有实质上相同的功能结构的要素用相同的附图标记表示，并且省略对这些元件的重复说明。

<等离子体处理装置1>

图1和图2分别是表示作为本实施方式的基片处理装置的等离子体处理装置的结构的概略的纵截面图和横截面图。

图1和图2的等离子体处理装置1对作为基片的矩形的玻璃基片G(以下称为“基片G”)进行使用了处理气体的等离子体的基片处理即等离子体处理。等离子体处理装置1进行的等离子体处理例如是FPD用的蚀刻处理、成膜处理、灰化处理等。通过这些处理，在基片G上形成发光元件、发光元件的驱动电路等电子器件。

等离子体处理装置1包括有底的方筒形状的容器主体10。容器主体10由导电性材料例如铝形成，并电接地。由于在等离子体处理中经常使用腐蚀性的气体，所以出于提高耐腐蚀性的目的，容器主体10的内壁面也可以实施阳极氧化处理等耐腐蚀涂层处理。另外，在容器主体10的上表面形成有开口。该开口被与容器主体10绝缘地设置的矩形的金属窗20气密地封闭，具体而言，被金属窗20和后述的金属框14气密地封闭。由容器主体10和金属窗20包围的空间成为等离子体处理的处理对象的基片G在等离子体处理时所位于的处理空间K1，金属窗20的上方侧的空间成为配置后述的高频天线(等离子体天线)100的天线室K2。在容器主体10的X方向负侧(图2的左侧)的侧壁设置有用于向处理空间K1内送入送出基片G的送入送出口11和开闭送入送出口11的闸阀12。

如图1所示，在容器主体10的底壁10a上以与金属窗20相对的方式设置有载置台30。载置台30具有上表面成为载置基片G的基片载置面31a的台主体31，台主体31经由由绝缘性的材料形成的腿部32设置在容器主体10的底壁10a上。载置台30例如整体俯视时形成为矩形形状。

台主体31由导电性材料例如铝形成。为了提高绝缘性和耐腐蚀性，也可以对台主体31的表面实施阳极氧化处理或陶瓷喷镀处理等涂层处理。另外，载置于台主体31的基片G被载置台30所具有的静电吸盘(未图示)吸附保持。

此外，在台主体31上经由匹配器40连接有高频电源41。高频电源41将偏置用的高频电力，例如频率为3.2MHz的高频电力供给到台主体31。由此，能够将处理空间K1内生成的等离子体中的离子引入到基片G。

另外，在载置台30的周围，以包围基片载置面31a的方式(具体而言，以包围包含基片载置面31a的载置台30的上部侧面的方式)设置有作为环部件的屏蔽环50。屏蔽环50用于使等离子体在载置台30的上方均匀地形成，由绝缘性的材料例如陶瓷形成。屏蔽环50例如俯视时形成为矩形的环状。另外，以包围载置台30的侧面(具体而言是载置台30的下部侧面)和腿部32的侧面的方式设置有绝缘环51，遍及绝缘环51的上表面和台主体31的肩部地载置有屏蔽环50。绝缘环51支承于容器主体10的底壁10a。另外，腿部32和绝缘环51也可以形成为一体。另外，台主体31也可以不设置肩部，在该情况下，屏蔽环50也可以与绝缘环51形成为一体。

在一个实施方式中，屏蔽环50构成支承成为后述的整流壁60的壁部件61的部件支承部，屏蔽环50的上表面成为包围载置台30的基片载置面31a的外周且载置壁部件61的部件载置面50a。例如，部件载置面50a平坦地形成，其高度与基片载置面31a的高度大致相等。

另外，在载置台30的基片载置面31a上载置有基片G时，以能够包围基片G的外周的方式设置有俯视为矩形的框体状即矩形框状的整流壁60。整流壁60用于通过遮挡载置于载置台30的基片G的周缘部的气体的流动来在基片G的周缘部形成气体蓄积部，例如由陶瓷等绝缘性的材料形成。

整流壁60例如通过将矩形框状的壁部件61载置于屏蔽环50的部件载置面50a而形成。关于壁部件61的详细情况将在后面叙述。

此外，在图的例子中，基片载置面31a比基片G大，基片G收纳在基片载置面31a内，但也可以是基片载置面31a比基片G小，基片G的周缘部在俯视时从基片载置面31a突出并与屏蔽环50的部件载置面50a的内周部重叠。在该情况下，为了使基片G的背面与屏蔽环50的部件载置面50a分离而不接触，优选使部件载置面50a比基片载置面31a稍低。

并且，在容器主体10的底壁10a形成有排气口13。排气口13设置有多个，例如，如图2所示，在俯视时矩形形状的载置台30的各角部设置有1个。如图1所示，在排气口13连接有具有真空泵等的排气部70。处理空间K1可通过该排气部70进行减压。排气部70既可以设置于多个排气口13的每一个，也可以对多个排气口13共用地设置。另外，排气口13也可以在俯视时矩形形状的载置台30的各边沿着该边设置有多个(例如2个)。

在容器主体10的侧壁的上表面侧设置有由铝等金属材料形成的矩形形状的框体即金属框14。在容器主体10与金属框14之间设置有用于将处理空间K1保持为气密的密封部件15。另外，在本实施方式中，容器主体10、金属框14和金属窗20形成构成为能够减压的处理容器。

金属窗20例如俯视时形成为矩形形状。另外，金属窗20作为向处理空间K1供给处理气体的喷淋头发挥功能。例如，在金属窗20形成有向下方释放处理气体的多个气体释放孔21和使处理气体扩散的扩散室22，气体释放孔21与扩散室22连通。

扩散室22经由气体供给管80与处理气体供给部81连接。处理气体供给部81包括流量调节阀(未图示)、开闭阀(未图示)等，向扩散室22供给蚀刻处理、成膜处理、灰化处理等所需的处理气体。

另外，金属窗20通过绝缘部件23而与金属框14电绝缘。

由上述的金属窗20、侧壁部91和顶板部90围成的空间构成天线室K2，在天线室K2的内部，以面向金属窗20的方式配置有高频天线100。

高频天线100例如隔着由绝缘材料形成的间隔件(未图示)而与金属窗20隔开间隔地配置。

高频天线100经由匹配器42与高频电源43连接。从高频电源43经由匹配器42向高频天线100供给例如13.56MHz的高频电力。由此，在等离子体处理期间，在处理空间K1的内部形成感应电场，从气体释放孔21释放的处理气体被感应电场等离子体化。

而且，在等离子体处理装置1中设置有控制部U。控制部U例如是包括CPU、存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有对等离子体处理装置1中的基片G的处理进行控制的程序。上述的程序可以是记录在计算机可读取的非暂时性的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制部U中的程序。程序的一部分或全部也可以通过专用硬件(电路板)实现。

<整流壁60和壁部件61>

接着，参照图1和图2，使用图3和图4对整流壁60和壁部件61的结构进行说明。图3和图4分别是表示整流壁60和壁部件61的结构的概略的局部放大俯视图和局部放大截面图，表示矩形框状的整流壁60和壁部件61的四角的1个。

如上所述，整流壁60是俯视时矩形形状的框体。并且，如图2所示，在整流壁60的四角分别设置有从该整流壁60的内侧贯通的气体流路200。具体而言，在整流壁60的四角分别设置有从整流壁60的内周面贯通的气体流路200。如图3所示，气体流路200形成为从设置有该气体流路200的整流壁60的角部的内周面在俯视时沿着该角部的厚度方向延伸。更具体而言，如图3和图4所示，气体流路200形成为从设置有该气体流路200的整流壁60的角部的内周面沿着该角部的厚度方向且水平方向延伸，到达整流壁60的外周面。

在一个实施方式中，气体流路200由设置于壁部件61的四角各自的下表面的槽部62和屏蔽环50的部件载置面50a形成。槽部62例如在壁部件61的四角分别各1个，以沿着设置有该气体流路200的角部的壁部件61的厚度方向延伸的方式形成。

另外，如图3所示，整流壁60的四角的内周面由曲面63形成。具体而言，构成整流壁60的壁部件61的四角的内周面由向外侧凹陷的曲面63形成。

此外，整流壁60的内周面即壁部件61的内周面例如形成为与部件载置面50a垂直。但是，整流壁60的内周面即壁部件61的内周面也可以在能够实现整流壁60的功能的范围内相对于部件载置面50a垂直地向外侧或内侧倾斜。此外，在以下的说明中，整流壁60的内周面即壁部件61的内周面与部件载置面50a垂直。

壁部件61也可以被分割为多个。例如，壁部件61也可以被分割为各角部的部件和各边部的部件。

此外，上述那样的气体流路200仅设置于整流壁60的四角，而没有设置于整流壁60的边部。

<基片处理>

接着，关于等离子体处理装置1中的基片处理，以使用等离子体的蚀刻处理即等离子体蚀刻处理的例子进行说明。此外，以下的基片处理在控制部U的控制下进行。

首先，在载置台30上载置基片G。

具体而言，打开闸阀12，基片G经由送入送出口11被送入到处理空间K1内，以被整流壁60包围的方式载置于载置台30的基片载置面31a。之后，关闭闸阀12。

然后，导入处理空间K1中的处理气体被供给到基片载置面31a上的基片G，对该基片G实施处理。具体而言，上述处理气体形成等离子体，利用该等离子体对基片G实施处理。

更具体而言，处理气体从处理气体供给部81经由扩散室22和气体释放孔21被供给到处理空间K1内。另外，利用排气部70进行处理空间K1的排气，将处理空间K1内调节为希望的压力。

接着，从高频电源43向高频天线100供给高频电力，由此经由金属窗20在处理空间K1内产生均匀的感应电场。其结果是，通过感应电场，处理空间K1内的处理气体形成等离子体，生成高密度的感应耦合等离子体。然后，利用从高频电源41供给到载置台30的台主体31的偏置用的高频电力，等离子体中的离子被引入到基片G，对基片G实施蚀刻处理。

如上所述，在等离子体处理装置1设置有在四角分别形成有气体流路200的整流壁60。在进行上述蚀刻处理时，导入到处理空间K1内并供给到基片G的处理气体经由整流壁60的上侧和气体流路200被引导到排气口13并被排出。蚀刻处理时产生的反应生成物与无助于基片G的处理的处理气体一起经由整流壁60的上侧和气体流路200被引导到排气口13并被排出。

在蚀刻处理结束后，停止来自高频电源41、43的电力供给、来自处理气体供给部81的处理气体供给，以与送入时相反的顺序送出基片G。

由此，一系列的基片处理结束。

<本实施方式的主要作用效果>

与本实施方式不同，在没有整流壁60的情况下，基片G的周缘部的蚀刻速率有时会比中央部高。这是因为，成为抑制蚀刻的主要原因的在处理时产生的反应生成物在基片G的周缘部与中央部相比容易被排出等。反应生成物仅从基片G的表面产生，与此不同，处理气体是从处理空间K1供给的，所以在基片G的周缘部，如果排气迅速地进行，则容易置换为新鲜的处理气体。因此，设置包围载置台30上的基片G的整流壁60，使供给到基片G的处理气体沿着整流壁60的内周面和上表面排出，从而利用整流壁60遮挡基片G的周缘部附近的处理气体的流动，在基片G的周围形成气体蓄积部。由此，等离子体中的未反应的反应种(有助于反应的自由基、离子等)等的比例在基片G的中央部附近和周缘部附近接近，所以能够实现蚀刻速率的面内均匀性。

但是，即使设置了整流壁60，与本实施方式不同，在整流壁60的四角没有形成气体流路200的情况下，反应生成物所包含的堆积性的物质会附着于整流壁60而逐渐堆积。特别是，在整流壁60的矩形框状这样的构造上，存在反应生成物所包含的堆积性的物质堆积于整流壁60的角部，堆积的生成物成为颗粒的原因的情况。

因此，在本实施方式中，在整流壁60的四角设置气体流路200，将角部附近的反应生成物与处理气体一起经由气体流路200排出。

其中，以下，为了简化，有时使用“反应生成物堆积”这样的表述，但并不表示反应生成物中所含的全部物质会堆积，与上述同样地，表示反应生成物中所含的堆积性的物质进行堆积。

另外，作为与本实施方式不同的比较方式，可以考虑图5和图6所示的方式。在图5和图6所示的比较方式中，在能够包围基片G的外周的、构成矩形框体的整流壁500的壁部件510与部件载置面50a之间设置支承柱511，通过支承柱511在与部件载置面50a之间设置间隙512来支承壁部件510。另外，在上述比较方式中，分别对矩形框状的整流壁500的边设置多个支承柱511，在整流壁500的包括各角部在内的多个部位设置间隙512。

在该方式的情况下，能够将伴随基片G的处理而产生的反应生成物与处理气体一起经由间隙512排出。

但是，在该比较方式中，如图6所示，存在反应生成物Q堆积于支承柱511的基片G侧的情况。特别是，存在反应生成物Q堆积于整流壁500的边部中央附近所设置的支承柱511的基片G侧的情况。作为其理由，认为如下。比较方式中的处理气体的排出路径除了经由整流壁500的上侧的路径之外，还经由间隙512的路径、即经由相邻的支承柱511彼此之间的路径。换言之，支承柱511存在于通过间隙512的处理气体的流动路径上。因此，从基片G侧朝向支承柱511的处理气体流(参照图5的箭头F10)较强。因此，认为到达支承柱511的反应生成物的数量多，另外，到达支承柱511的反应生成物通过其处理气体的流动而被按压于支承柱511，反应生成物中含有的堆积性物质进行堆积。

因此，在本实施方式中，如图7所示，仅在整流壁60的四角设置气体流路200，形成沿着整流壁60的边部朝向四角的处理气体流F1，减弱了从基片G侧朝向整流壁60的边部的处理气体流F2。由此，能够减少到达整流壁60的边部的反应生成物的(每单位面积的)数量，另外，能够使到达整流壁60的边部的反应生成物难以被按压于该边部。因此，能够抑制反应生成物堆积于整流壁60的边部。

另外，在本实施方式中，整流壁60的四角的内周面由曲面63形成。因此，到达该四角的处理气体不会滞留在该四角而容易沿着曲面63流动。因此，能够抑制该四角处的处理气体的停滞，能够抑制反应生成物堆积于该四角处的未形成气体流路200的部分。

如上所述，根据本实施方式，能够抑制对基片进行的等离子体蚀刻处理的不均匀性，并且能够抑制在等离子体蚀刻处理时产生的反应生成物的堆积(特别是向角部的堆积)。此外，上述的点在除等离子体蚀刻处理以外的等离子体处理和除等离子体处理以外的使用了处理气体的基片处理中也是同样的。即，根据本实施方式，能够抑制基片处理的不均匀，并且能够抑制在基片处理时产生的反应生成物的堆积(特别是向角部的堆积)。

另外，根据本实施方式，反应生成物难以堆积于整流壁60，所以能够延长用于去除堆积物的整流壁60的维护的周期，能够抑制生产率的降低。

并且，在本实施方式中，由于仅在整流壁60的四角设置有气体流路200，所以通过气体流路200时的处理气体的流速较高。因此，包含堆积物的原因物质的反应生成物不停留在气体流路200而被排出。即，能够抑制反应生成物堆积于气体流路200。

<整流壁60和壁部件61的尺寸和配置位置>

参照图3和图4，对整流壁60和壁部件61的尺寸和配置位置的一例进行说明。它们根据反应生成物的种类、处理气体的种类(反映于排出该反应生成物所需的气体流路200的流导等)、基片G的大小、处理压力等来决定。

在载置于基片载置面31a的基片G的侧端(具体而言为其设计值)与整流壁60和壁部件61的边部的内周面之间的距离L1为8mm，基片G的厚度为0.5mm～0.7mm的情况下，整流壁60和壁部件61的尺寸和配置位置例如如下所述。

整流壁60和壁部件61的高度H1：20mm～80mm

整流壁60的厚度T：5mm～36mm

气体流路200的高度H2：1mm～10mm

从基片G的角部至气体流路200的侧端的距离L2：0mm～20mm

气体流路200的侧面的角度(以与形成有该侧面的整流壁60的边部垂直的角度为基准)θ：0°～45°。

此外，上述角度θ为45°是指气体流路200沿着设置有该气体流路200的整流壁60的角部的厚度方向延伸，且形成为沿着厚度方向具有均等的粗细。

另外，在上述角度θ为0°以上且小于45°的情况下，意味着气体流路200沿着设置有该气体流路200的整流壁60的角部的厚度方向延伸，且形成为随着去往外侧而扩宽的形状。

在将上述角度θ设为小于0°的情况下，即在为负值的情况下，气体流路200形成为随着去往外侧而比0°的情况更加扩宽的形状，在气体流路200的入口附近，产生处理气体的蔓延，有可能产生反应生成物的堆积。通过将上述角度θ设为0°以上，能够防止该情况。另外，在将上述角度θ设为小于0°的情况下，气体经由气体流路200从排气侧向基片G侧反向扩散的可能性变高。通过将上述角度θ设为0°以上，能够抑制该逆扩散。

另一方面，在上述角度θ超过45°的情况下，与气体流路200的内表面碰撞的处理气体和其中所含的反应生成物的比例有可能增加，即反应生成物的排出性能有可能降低。通过将上述角度θ设为45°以下，能够防止该反应生成物的排出性能的降低。

另外，在从基片G的角部到气体流路200的侧端的距离L2为负值的情况下，即在基片G的角部的位置位于比气体流路200的侧端靠壁部件61的边部侧的情况下，反应生成物的排出性能也有可能降低。因此，通过将上述距离L2设为0mm以上，能够防止该反应生成物的排出性能的降低。

另一方面，在上述距离L2超过20mm的情况下，在基片G的角部和除此以外的部分，处理气体的排出效率不同，有可能对基片处理的均匀性造成影响。通过将上述L2设为20mm以下，能够抑制这样对基片处理的均匀性造成影响。

并且，整流壁60及壁部件61优选形成为曲面63的曲率半径r例如与载置于基片载置面31a的基片G的侧端和整流壁60及壁部件61的边部的内周面之间的距离L2相等。

通过如上述那样形成曲面63，无论在哪个部位，都能够将基片G的侧端与整流壁60及壁部件61的边部的内周面的距离保持为一定。因此，能够提高基片G的角部的基片处理的均匀性。

其中，上述曲面63的曲率半径r优选与载置于基片载置面31a的基片G的尺寸相匹配地设定，但基片G并不是本实施方式的必须的构成要件。

(变形例)

在以上的例子中，由设置于壁部件61的底面的槽部62和部件载置面50a形成气体流路200。气体流路200的形态不限于此，例如，气体流路200也可以是贯通壁部件61的孔。另外，气体流路200也可以由壁部件61的平坦的底面和设于屏蔽环50的部件载置面50a的槽部形成，而且，气体流路200也可以是从屏蔽环50的部件载置面50a中的比壁部件61靠内侧的位置贯通该屏蔽环50的孔。

但是，在由设置于部件载置面50a的槽部和壁部件61的平坦的底面形成气体流路200的情况下，在比壁部件61靠内侧的部件载置面50a与气体流路200之间产生高低差。与此相对，在由设于壁部件61的底面的槽部62和部件载置面50a形成气体流路200的情况下，在比壁部件61靠内侧的部件载置面50a与气体流路200之间没有高低差。因此，通过没有高低差的结构，能够将沿着比壁部件61靠内侧的部件载置面50a去往气体流路200的处理气体经由气体流路200顺畅地向壁部件61的外侧排出。因此，反应生成物的排出性能高，所以能够抑制反应生成物的堆积。

另外，在以上的例子中，气体流路200形成为沿水平方向延伸，但只要能够得到期望的反应生成物的排出性能，也可以形成为以下游端(整流壁的外侧)位于比上游端(整流壁的内侧)靠上方或下方的位置的方式从水平方向倾斜。

应该认为，本申请公开的实施方式，所有的点都是例示，并不是用来限定的。另外，上述实施方式可以不脱离技术方案及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (8)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

构成为能够减压的处理容器；

载置台，其设置于所述处理容器的内部，具有能够载置基片的基片载置面；和

矩形框状的整流壁，其设置成在所述基片载置于所述基片载置面时能够包围所述基片的外周，

在所述整流壁的四角分别设置有从所述整流壁的内侧贯通所述整流壁的气体流路，

所述整流壁的四角的内周面由曲面构成。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述基片为矩形，

所述曲面的曲率半径与在所述基片载置于所述基片载置面时所述基片的侧端与所述整流壁的边部的内周面之间的距离相等。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

部件支承部，其具有包围所述基片载置面的外周的部件载置面；和

壁部件，其载置于所述部件载置面，构成所述整流壁，

所述气体流路由设置于所述壁部件的下表面的槽部和所述部件载置面形成。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括以包围所述基片载置面的方式设置的环部件，

该环部件及其上表面分别构成所述部件支承部和所述部件载置面。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述气体流路沿着设置有该气体流路的所述整流壁的角部的厚度方向延伸，且形成为沿着所述厚度方向具有均等的粗细。

6.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述气体流路沿着设置有该气体流路的所述整流壁的角部的厚度方向延伸，且形成为随着去往外侧而扩宽的形状。

7.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

在设置于处理容器的内部的载置台的基片载置面，以被矩形框状的整流壁包围的方式载置基片的工序，其中，所述整流壁的四角的内周面由曲面形成；

将导入所述处理容器内的处理气体供给到所述基片载置面上的所述基片，对该基片实施处理的工序；和

将供给到所述基片载置面上的所述基片的处理气体，经由分别设置于所述整流壁的所述四角的从所述整流壁的内周面贯通所述整流壁的气体流路和所述整流壁的上侧排出的工序。

8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述实施处理的工序中，将所述处理气体形成为等离子体，并利用该等离子体对所述基片实施处理。

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