KR20170102778A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170102778A
KR20170102778A KR1020160025349A KR20160025349A KR20170102778A KR 20170102778 A KR20170102778 A KR 20170102778A KR 1020160025349 A KR1020160025349 A KR 1020160025349A KR 20160025349 A KR20160025349 A KR 20160025349A KR 20170102778 A KR20170102778 A KR 20170102778A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
chamber
gap
gas
Prior art date
Application number
KR1020160025349A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102058912B1 (ko
Inventor
강호철
이용현
황철주
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020160025349A priority Critical patent/KR102058912B1/ko
Publication of KR20170102778A publication Critical patent/KR20170102778A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102058912B1 publication Critical patent/KR102058912B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 가스 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극; 상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통홀이 형성된 2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격은 상기 전극봉과 상기 제2전극의 간격 보다 좁은 것을 특징으로 한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 플라즈마 공정에 불필요한 파티클(Particle)을 감소시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 될 수 있다.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용될 수 있다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있을 수 있다.
종래의 Local Space Plasma(LSP) 기판 처리 장치(미도시)는 공정 챔버(110), 제 1 전극(200), 제 2 전극(300), 전극봉(210), 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)사이에 설치된 절연부(미도시), 기판 지지부(120), 가스 공급부(130), 압력 조절수단(미도시) 및 가스 분사 수단(미도시)을 구비 할 수 있다
챔버(110)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공 할 수 있다. 이때, 챔버(110)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(미도시)에 연통 될 수 있다.
제 1 전극(200), 제 2 전극(300)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(110)의 상부에 설치 될 수 있다.
제 1 전극(200), 제 2 전극(300)의 일측은 전원 케이블을 통해 RF(Radio Frequency) 전원(미도시)에 전기적으로 접속 될 수 있다. 이때, RF 전원(미도시)은 RF 전력을 생성하여 제 1 전극(200) 또는 제 2 전극(300) 하나의 전극에 공급 할 수 있다.
또한, 제 1 전극(200)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(130)에 연통 될 수 있다.
또한, 제 2 전극(200)의 상부 또는 측부로 분사되는 분사부(미도시)가 설치되어 있고, 기판 처리 공정을 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(미도시)가 측부에서 연결 될 수 있다.
이와 같은, 일반적인 Local Space Plasma(LSP) 기판 처리 장치는 기판(140)을 기판 지지부(120)에 로딩시킨 다음, 공정 챔버(110)의 반응 공간에 소정의 공정 가스를 분사하면서 제 1 전극(200) 또는 제 2 전극(300)에 RF 전력을 공급하여 제 1 전극(200)의 전극봉(210)과 제 2 전극(300) 사이에서 플라즈마 방전(P)을 형성함으로써 플라즈마 방전(P)에 의해 이온화되는 공정 가스의 분자들을 기판(S)에 증착시켜 기판(S) 상에 소정의 박막을 형성 될 수 있다.
그러나, 기존의 Local Space Plasma(LSP)장치는 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)의 간격 및 제 1 전극(200)의 전극봉(210)과 제 2 전극(300)의 간격에 대한 고려가 없어 전극간 파티클 발생에 대한 문제점이 발생했다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판에서의 박막 증착시 불필요한 공간에 플라즈마 생성을 최소화 하여 공정 챔버내에 파티클을 감소 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 가스 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극; 상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통홀이 형성된 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격은 상기 전극봉과 상기 제2전극의 간격 보다 좁은 것을 특징으로 한다.
상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm미만인 것을 특징으로 한다.
상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 한다.
기판을 가스 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 향하는 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제 1 전극; 상기 복수의 전극봉이 관통되는 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 대향되는 제 1 간격; 상기 전극봉과 상기 제 2 전극이 대향되는 제 2 간격; 상기 제 1 간격은 제 2 간격 보다 좁은 것을 특징으로 한다.
상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm이하인 것을 특징으로 한다.
상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 한다.
챔버; 상기 챔버에 설치되어 복수의 전극봉을 가지는 제 1 전극; 상기 전극봉이 관통하는 관통홀을 가지는 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 제 1 간격으로 이격되고, 상기 제 1 간격과 90도로 수직하게 제 2 간격이 이격 되며, 상기 제 1 간격은 상기 제 2 간격보다 좁은 것을 특징으로 한다.
상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm미만인 것을 특징으로 한다.
상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 상기 공정 챔버의 제 1 전극과 제 2 전극 사이를 가깝게 유지하여 파티클 저감 시킬 수 있다.
둘째, 공정 챔버의 플라즈마 생성 공간을 두 전극 사이에 두어 플라즈마 생성으로 인한 기판의 증착되는 막 두께의 불균일성을 최소화하여 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.
셋째, 공정 챔버의 플라즈마 생성 공간을 두 전극 사이에 두어 플라즈마 생성으로 인한 패턴 기판의 식각되는 막을 균일하게 에칭 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 제 1 실시 예의 공정 압력 등을 설명하기 위한 그래프이다.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해될 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미 할 수 있다.
본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제 3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 도 1에서 도 3을 참조할 수 있다. 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(110), 상기 공정 챔버(110)의 내부에 설치되어 기판(140)을 지지하는 기판 지지부(120), 상기 공정 챔버(110)의 상부를 덮는 챔버 리드(미도시), 및 상기 기판 지지부(120)에 대향되는 제 1 전극(200) 및 제 2 전극(300)을 포함할 수 있다.
상기 공정 챔버(110)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정 및 박막 식각 공정)을 위한 반응 공간을 제공 할 수 있다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 및/또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(160)에 연통될 수 있다.
상기 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 설치되며, 복수의 기판(미도시) 또는 하나의 대면적 기판(미도시)을 지지할 수 있다.
상기 기판 지지부(120)는 전기적으로 플로팅(Floating)될 수도 있고 접지(ground)될 수도 있다. 상기 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 지지축(미도시)에 의해 지지된다. 이때, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기의 지지축(미도시)은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(170)에 의해 밀폐될 수 있다.
상기 기판 지지부(120)는 기판 처리 공정의 공정 조건에 대한 승강될 수도 있다. 이 경우, 상기 기판 지지부(120)의 지지축(미도시)은 구동 장치(180)의 구동축(미도시)에 지지된다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 상면은, 구동 장치 (180)의 구동에 따른 구동축(미도시)의 승강에 의해, 상기 공정 조건 범위 내에서 상하이동 할 수 있게 된다. 경우에 따라서 상기 기판 지지부(120)는 구동 장치 (180)의 구동에 의해 회전될 수도 있다.
상기 공정 챔버(110)는 상부를 덮도록 설치되어 반응 공간을 밀폐할 수 있다. 그리고, 상기 공정 챔버(110)의 상부는 상기 제 1 전극(200) 및 상기 제 2 전극(300)을 지지한다.
상기 공정 챔버(110)의 상면에는 제 1 및 제 2 가스 공급부(130, 131)가 설치되어 공정 가스(processing gas; PG), 희석 가스(dilution gas; DG)가 각각 공급되며, 상기 제 1 전극(200)에는 공정 가스(processing gas; PG)가 분사 될 수 있고, 상기 제 2 전극(300)에서는 희석 가스(dilution gas; DG)가 분사 될 수 있다. 하지만, 상기 제 1 전극(200)에서 희석 가스(dilution gas; DG)가 분사 될 수 있고, 상기 제 2 전극(300)에서 공정 가스(processing gas; PG)가 분사 될 수 있다, 또한, 상기 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)에서 상기 공정가스 및 희석 가스가 동시에 하나의 전극에서 동시에 분사될 수도 있다. 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 플라즈마(P)를 형성하기 위한 플라즈마 전원을 공급하기 위한 플라즈마 전원 공급부(150)가 연결 설치된다.
식각 공정시에는 상기 제 1 가스 공급부(130)에는 제 1 식각 가스와 상기 제 2 가스 공급부(131)에는 제 2 식각 가스가 연결될 수 있다. 상기 제 1 식각 가스는 상기 제 1 전극을 통해 상기 기판으로 분사될 수 있으며, 상기 제 2 식각 가스는 상기 제 2 전극을 통해 상기 기판으로 분사될 수 있다. 또한 상기 제 1 식각 가스는 상기 제 2 전극을 통해 상기 기판으로 분사될 수 있으며, 상기 제 2 식각 가스는 상기 제 1 전극을 통해 분사될 수 있다. 상기 제 1 식각 가스는 CF4 등의 불소계열을 사용할 수 있으며, 상기 제 2 식각 가스는 산소계열일 수 있다.
증착 공정시에는 상기 제 1 가스 공급부(130)는 공정 가스(PG)를 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급한다. 예를 들어, 상기 공정 가스(PG)는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 등의 가스로 이루어질 수 있다. 이때, 실리콘(Si) 물질을 포함하는 공정 가스(PG)는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다.
상기 제 2 가스 공급부(131)는 희석 가스(DG)를 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급 할 수 있다. 예를 들어, 상기 희석 가스(DG)는 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 암모니아(NH3), 물(H2O), 또는 오존(O3) 등으로 이루어질 수 있다. 이때, 제 1 가스 공급부(130)는 기판(140)에 증착될 박막의 증착 특성에 따라 상기 희석 가스(DG)에 아르곤(Ar), 제논(Ze), 또는 헬륨(He) 등의 비반응성 가스를 혼합하여 공급할 수도 있다.
상기 플라즈마 전원 공급부(150)는 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 플라즈마(P)를 형성하기 위한 플라즈마 전원을 생성하고 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급할 수 있으며, 하나의 전극에 플라즈마 전원이 연결이 되면, 다른 전극에는 그라운드 전극이 연결될 수 있다. 또한, 식각 공정시에는 상기 기판지지부(120)에도 플라즈마 전원이 연결 될 수 있다. 이때, 상기 플라즈마 전원은 고주파 전력 또는 RF(Radio Frequency) 전력, 예를 들어, LF(Low Frequency) 전력, MF(Middle Frequency), HF(High Frequency) 전력, 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 될 수 있다. 이때, LF 전력은 3㎑ ~ 300㎑ 범위의 주파수를 가지고, MF 전력은 300㎑ ~ 3㎒ 범위의 주파수를 가지고, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.
상기 플라즈마 전원 공급부(150)는 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시키기 위한 임피던스 매칭 회로(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제 1 전극(200) 및 상기 제 2 전극(300)은 상기 기판 지지부(120)에 대향되도록 상기 공정 챔버(110)의 상부에 착탈 가능하게 결합 될 수 있다.
상기 제 1 전극의 가스 분사 홀(미도시) 각각은 상기 전극봉(210)을 관통하도록 형성되어 있으며, 상기 기판(140)에 분사 될 수 있다. 또한 상기 제 1 전극의 생성된 가스 분사 홀(미도시) 각각은 상기 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)의 거리 및 상기 전극봉(210)과 상기 제 2 전극(300)과의 거리에 따라서, 상기 기판(140)에 분사 될 수도 있으며, 상기 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)의 사이에 분사될 수도 있다.
도 3 은 도 1의 C영역을 계략적으로 나타낼 수 있다.
상기 제 1 전극(200)은 평판형, 원형의 판형 등의 구조 일 수 있으며, 상기 제 1 전극(200)에는 상기 전극봉(210)이 연결 될 수 있다. 상기 전극봉(210)은 상기 제 1 전극(200)과 일체형일 수 있으며, 상기 제 1 전극(200)과 분리형일 수 있다. 상기 전극봉(210)은 상기 제 1 전극(200)과 같이 연결이 되어 같은 전압을 가질 수 있다.
상기 제 2 전극(300)은 평판형, 원형의 판형 등의 구조 일 수 있으며, 상기 제 2 전극(300)에는 복수개의 관통홀(310)이 구성될 수 있다. 상기 복수의 관통홀(310)에는 상기 전극봉(210)이 관통 될 수 있다. 상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)과의 간격은 제 1 간격(A)이고, 상기 제 1 전극(200)의 상기 전극봉(210)과 상기 제 2 전극(300)과의 간격은 제 2 간격(B)일 수 있다.
상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)과의 상기 제 1 간격(A)는 상기 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)과의 상기 제 2 간격(B)보다 좁을 수 있다. 즉, 상기 제 1 간격(A)이 상기 간격(B)보다 좁을 수 있다. 상기 제 2 간격(B)를 넓게 하고, 상기 제 1 간격(A)를 좁게 할 수 있다. 상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)은 제 1 간격(A)로 이격되고, 상기 제 1 간격(A)과 90도로 수직하게 제 2 간격(B)이 이격 되며, 상기 제 1 간격은 제 2 간격보다 좁은 것을 특징일 수 있다.
상기 제 1 간격(A)를 상기 제 2 간격(B)보다 좁게 하여 상기 제 2 간격(B)에서 플라즈마를 생성하고, 상기 제 1 간격(A)은 2mm이하로 유지하여 플라즈마 생성을 하지 않게 할 수 있다. 플라즈마가 생성되지 않으며 전극 표면에 불필요한 파티클이 생성되지 않을 수 있다. 따라서 공정 챔버 내부에 파티클이 저감되어 식각 공정시에 상기 기판(140)의 식각 공정시에 원하는 곳을 식각 할 수 있다.
또한, 증착시에는 파티클이 저감되면 상기 기판(140)에 증착되는 박막의 균일성을 높일 수 있다. 플라즈마를 상기 제 2 전극과 전극봉(210)의 넓은 공간에서 생성할 수 있으며, 상기 기판(140)에 증착시 불균일한 Particle Damage 영향을 주지 않을 수 있다. 이를 통해 생성된 플라즈마를 통해 상기 기판(140)의 전체적인 면적에 균일한 증착이 가능 할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 간격(B)에서 방전 형성이 용의하고 상기 제 1 간격(A)는 방전공간이 형성되지 않아 Particle 생성을 차단 할 수 있다.
상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)과의 제 1 간격(A)은 2mm미만으로 될 수 있으며, 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)의 제 2 간격(B)는 2mm이상에서 27mm이하의 간격이 될 수 있다.
도 3 의 그래프의 X축은 상기 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)의 상기 제 2 간격(B)과 공정 챔버(110)의 압력의 곱(Torr-cm)이며, Y축은 플라즈마 생성 전압(Vs)과의 관계를 설명할 수 있고, 그래프의 내용은 각각의 가스별 플라즈마 생성되는 그래프를 설명할 수 있다. 따라서, 상기 X축과 상기 Y축의 그래프로 상기 제 2 간격(B)를 결정할 수 있다. 상기 그래프의 가스의 종류는 아르곤(Ar), 네온(Ne), 수소(H2), 수은(Hg) 등의 가스를 사용할 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버(110)이 고진공(High Vacuum, ~ 수십mTorr이하)일 때에는 상기 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)의 제 2 간격(B)을 넓게 할 수 있다. 이와 같은 상기 공정 챔버(110)의 공정 분위기에서는 식각 공정에 유리 할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 간격은 압력에 따라서 상기 제 2 간격이 결정될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 공정 챔버 120: 기판 지지부
130: 제 1 가스공급부 131: 제 2 가스공급부
133: 제 1 가스공급라인 132: 제 2 가스공급라인
140: 기판 150: 플라즈마 전원 공급부
160: 배기관 170: 벨로우즈
180: 구동장치 190: 밀봉처리부
200: 제 1 전극 210: 전극봉
300: 제 2 전극 310: 관통홀
A : 제 1 간격 B : 제 2 간격

Claims (12)

  1. 기판을 가스 처리하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극;
    상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통홀이 형성된 제2전극을 포함하고,
    상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격은 상기 전극봉과 상기 제2전극의 간격 보다 좁은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm미만인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 기판을 가스 처리하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하는 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제 1 전극;
    상기 복수의 전극봉이 관통되는 제 2 전극;
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 대향되는 제 1 간격;
    상기 전극봉과 상기 제 2 전극이 대향되는 제 2 간격;
    상기 제 1 간격은 상기 제 2 간격 보다 좁은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 챔버;
    상기 챔버에 설치되어 복수의 전극봉을 가지는 제 1 전극;
    상기 전극봉이 관통하는 관통홀을 가지는 제 2 전극;
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 제 1 간격으로 이격되고, 상기 제 1 간격과 90도로 수직하게 제 2 간격이 이격 되며, 상기 제 1 간격은 상기 제 2 간격 보다 좁은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm미만인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020160025349A 2016-03-02 2016-03-02 기판 처리 장치 KR102058912B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160025349A KR102058912B1 (ko) 2016-03-02 2016-03-02 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160025349A KR102058912B1 (ko) 2016-03-02 2016-03-02 기판 처리 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170166797A Division KR102018183B1 (ko) 2017-12-06 2017-12-06 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170102778A true KR20170102778A (ko) 2017-09-12
KR102058912B1 KR102058912B1 (ko) 2019-12-24

Family

ID=59926391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160025349A KR102058912B1 (ko) 2016-03-02 2016-03-02 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102058912B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170088766A (ko) * 2016-01-24 2017-08-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 파이 형상 처리를 발생시키기 위한 대칭적인 플라즈마 소스
WO2019203603A1 (ko) * 2018-04-20 2019-10-24 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
CN112005336A (zh) * 2018-04-20 2020-11-27 周星工程股份有限公司 基板处理设备
TWI834658B (zh) 2018-04-20 2024-03-11 南韓商周星工程股份有限公司 用於處理基板的設備

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0830968A (ja) * 1993-07-20 1996-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 被膜形成装置および被膜形成方法
KR20060000913A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 주식회사 하이닉스반도체 고밀도플라즈마방식을 이용한 반도체소자의 갭필 방법
JP2011071498A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法
KR20140107932A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0830968A (ja) * 1993-07-20 1996-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 被膜形成装置および被膜形成方法
KR20060000913A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 주식회사 하이닉스반도체 고밀도플라즈마방식을 이용한 반도체소자의 갭필 방법
JP2011071498A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法
KR20140107932A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170088766A (ko) * 2016-01-24 2017-08-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 파이 형상 처리를 발생시키기 위한 대칭적인 플라즈마 소스
WO2019203603A1 (ko) * 2018-04-20 2019-10-24 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
CN112005336A (zh) * 2018-04-20 2020-11-27 周星工程股份有限公司 基板处理设备
TWI834658B (zh) 2018-04-20 2024-03-11 南韓商周星工程股份有限公司 用於處理基板的設備

Also Published As

Publication number Publication date
KR102058912B1 (ko) 2019-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100783200B1 (ko) 박막 증착 장치 및 기판 플라즈마 처리 장치
KR102061749B1 (ko) 기판 처리 장치
US10504701B2 (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20170022459A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102014877B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20240055233A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR102058912B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101954758B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20070283889A1 (en) Apparatus of processing substrate
KR102018183B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101929481B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN105940341B (zh) 用于改进分布均匀性的拐角式扰流件
KR101561675B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102053303B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102146793B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20190033495A (ko) 기판 처리 장치
KR102046391B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170075163A (ko) 가스분사부 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
KR101987138B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2006128446A (ja) プラズマｃｖｄ方法及び装置
KR102029952B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102076512B1 (ko) 기판 처리 방법
JP2001011641A (ja) 成膜処理方法
KR102362305B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20170016221A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
A107 Divisional application of patent
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2017101006020; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20171215

Effective date: 20190621

S901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant