CN101373707A

CN101373707A - 处理装置

Info

Publication number: CN101373707A
Application number: CNA2008102140114A
Authority: CN
Inventors: 东条利洋; 佐佐木和男
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-08-24
Filing date: 2008-08-22
Publication date: 2009-02-25
Also published as: JP2009054720A; KR20090021097A; TW200929356A

Abstract

本发明提供一种处理装置，其在处理容器内流入处理气体并对被处理体进行处理时，能够提高处理的面内均匀性，抑制颗粒附着在被处理体上。在侧壁部(21)上具备通过开闭机构(23)被开闭的搬入搬出口(22)的处理容器(20)中，设置整流用结构体(5)，其包围基板(S)的载置台(3)的载置区域，且其上端比基板(S)的搬送高度位置更高，用于在载置于上述载置台(3)上的基板(S)的周围形成处理气体的气体滞留区域，减慢基板(S)的周边部的上述处理气体的流速。该整流用结构体(5)的上述搬入搬出口(22)侧构成为隧道部件(51)，该隧道部件(51)用于在该搬入搬出口(22)与上述载置区域端之间区划形成基板(S)的搬送通路(P)。

Description

处理装置

技术领域

本发明涉及在处理容器内，对于例如FPD(平板显示器)基板等被处理体，在该被处理体周围设置有整流用结构体的状态下向上述处理容器内供给处理气体，通过该处理气体对上述被处理体进行规定的处理的技术。

背景技术

在LCD(液晶显示器)基板等被处理体的制造工序中，存在对于形成于被处理体上的铝(Al)膜实施蚀刻处理的工序。对于进行该工序的蚀刻处理装置的一个例子，根据图13进行简单的说明，图中1是真空腔室，在该真空腔室1的内部，设置有用于载置被处理体例如FPD基板S的载置台11，并以与该载置台11相对的方式设置有构成产生等离子体用的上部电极的处理气体供给部12。然后，从处理气体供给部12向真空腔室1内供给由氯(Cl₂)类气体构成的蚀刻气体，通过排气通路13利用未图示的真空泵对真空腔室1内抽真空，另一方面，从高频电源14对上述处理气体供给部12施加高频电力，由此，在基板S的上方的空间中形成蚀刻气体的等离子体，由此对基板S的蚀刻处理得以进行。

但是，在Al膜的蚀刻中，因为蚀刻气体的供给量与蚀刻量成比例，所以根据微负载效应，基板S的外围部的蚀刻速率极端地快，会发生蚀刻量变多的现象。即，在图14中符号15所示的基板S的最外围区域中，从作为蚀刻种的Cl自由基看，与符号16所示的同样面积的中央区域相比，蚀刻面积约为一半，因此当以与供向中央区域16的流量相同的流量供给蚀刻气体时，最外围区域15与中央区域16相比蚀刻量约为2倍。

因此，如图13和图15所示，历来以包围基板S周围的方式设置高50mm～150mm左右的整流部件17，通过使用上述整流部件17遮挡基板S的外围区域附近的蚀刻气体流，在基板S的周围形成气体滞留部，由此使得该区域的蚀刻气体流速降低，这样，能够提高基板面内的蚀刻速率的均匀性。

此时，在整流部件17的上端比从上述搬入搬出口11到上述载置台3的上方侧的基板S的搬送高度位置还要高的情况下，以能够自由升降的方式构成上述整流部件，如图15(b)所示，在将基板S搬入真空腔室1内时，在已使整流部件17上升的状态下搬入，在将该基板S载置于载置台11上之后，使整流部件17下降至包围基板S的位置，另一方面，在将基板S从真空腔室1搬出时，先使整流部件17上升，然后将基板S搬出。此处，上述整流部件17，例如隔着板状体17a设置在载置台11上，以从该板状体17a的侧面的例如4个位置伸出到载置台11外部的方式形成有突出部17b，在该突出部17b的下表面连接有升降用支撑棒18a，通过升降机构18使该升降用支撑棒18a升降，由此使得整流部件17能够升降。

但是，在Al膜的基于氯类气体的蚀刻处理中，会生成Al的氯化物，其会附着在整流部件17的内壁，当其累积量变多时，在使整流部件17升降时，该累积的Al的氯化物容易剥落，成为颗粒的发生原因。因此，存在为了除去颗粒而必须频繁地进行维护的问题。

该维护作业进行如下工序：使真空腔室1内的气氛恢复为大气状态，之后打开该腔室1并进行颗粒的除去作业，接着关闭腔室1进行抽真空。但是，近年来随着基板S的大型化，真空腔室1也在大型化，使真空腔室1内的气氛恢复至大气状态的工序和进行抽真空的工序需要相当长的时间。从而，维护作业整体的作业时间变得非常长，频繁进行该维护作业成为阻碍生产率提高的重要原因之一。

于是，本发明人对以下结构进行了研究：以包围基板的方式设置整流部件，并以不驱动该整流部件的方式将基板载置在载置台上，由此抑制颗粒的发生。另外，作为与整流部件相关的专利先行文献，在专利文献1中，记载有在下部电极上设置构成为能够通过移动机构突出的可动型的环作为整流部件的结构，在专利文献2中，记载有以包围基板的外围部的方式设置具备气体流通口的侧壁作为整流部件的结构，在专利文献3中，记载有通过沿基板的周边设置的多个侧壁部构成整流部件的例子，但在以上文献中，均没有记载不驱动整流部件就能够将基板载置在载置台上的结构，根据这些文献记载的技术，不能解决上述课题。

专利文献1：日本特开平7-74155号公报

专利文献2：日本特开2003-243364号公报

专利文献3：日本特开2005-259989号公报

发明内容

本发明是鉴于以上情况而完成的，其目的在于提供一种在向处理容器内流入处理气体并对被处理体进行处理时，能够提高处理的面内均匀性并抑制颗粒附着到被处理体上的技术。

为此，本发明的处理装置的特征在于，包括：

设置于处理容器内部，且用于在上部载置被处理体的载置台；

用于从上述载置台的上方侧供给处理气体，并对载置在上述载置台上的被处理体进行处理的处理气体供给机构；

用于对上述处理容器的内部进行排气的排气机构；

形成于上述处理容器的侧壁部，且通过开闭部件被开闭的上述被处理体的搬入搬出口；和

整流用结构体，其以包围上述载置台上的被处理体载置区域的方式设置，在载置于上述载置台上的被处理体的周围形成处理气体的气体滞留区域，用来使该被处理体周边部的上述处理气体的流速变慢，

上述整流用结构体的上述搬入搬出口侧构成为筒状部件，该筒状部件用于区划形成从该搬入搬出口朝向上述被处理体载置区域的被处理体搬送路径。

此处，上述整流用结构体也可以以其上端比上述被处理体的搬送高度位置更高的方式设置在上述载置台上。另外，优选上述筒状部件的搬入搬出口侧的端部与处理容器的气氛未连通。另外，上述整流用结构体的上述筒状部件以外的部位，既可以构成为从上述载置台向上方延伸的整流壁，也可以构成为一端侧朝向上述被处理体载置区域开口、其他端侧为在处理容器的侧壁侧被关闭的扁平的结构体。此时，在上述被处理体是四边形的情况下，既可以构成为上述筒状部件设置于上述载置台的四边形的被处理体载置区域的一边侧，在该一边以外的剩下的三个其他边侧，上述结构体的一端侧沿该其他边开口，也可以构成为上述结构体的其他端侧通过处理容器的侧壁被关闭。

另外，在本发明中，也可以设置沿上述载置台的被处理体载置区域的周边设置的、用于向载置在上述载置台上的被处理体的周边部供给非处理气体的非处理气体供给部。此处，作为对上述被处理体进行的处理，能够列举形成在被处理体表面的铝膜的蚀刻处理。

发明的效果

根据本发明，因为在利用整流用结构体包围被处理体的周围的状态下，对被处理体供给处理气体并进行处理，所以在处理的期间在被处理体的周围形成气体滞留区域。因此，在被处理体的外围，处理气体的流速降低，从而使得在被处理体面内处理速度变得一致，能够提高处理的面内均匀性。另外，因为被处理体从处理容器的搬入搬出口通过成为整流用结构部件的一部分的筒状部件的内部空间被搬入，所以不移动上述整流用结构体就能够将被处理体载置在载置台上。因此，能够抑制附着在整流用结构体上的处理生成物的剥落，抑制颗粒附着到被处理体上。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的蚀刻处理装置的截面图。

图2是表示上述蚀刻处理装置中设置的整流用结构体的结构图。

图3是表示上述蚀刻处理装置中设置的整流用结构体的平面图。

图4是表示上述蚀刻处理装置的作用的截面图。

图5是表示上述蚀刻处理装置的作用的截面图。

图6是表示上述蚀刻处理装置的其他例子的立体图和平面图。

图7是表示上述蚀刻处理装置的作用的截面图。

图8是表示上述蚀刻处理装置的又一其他例子的立体图和平面图。

图9是表示上述蚀刻处理装置的作用的截面图。

图10是表示上述蚀刻处理装置的又一其他例子的截面图。

图11是表示上述蚀刻处理装置的又一其他例子的立体图。

图12是表示上述蚀刻处理装置的又一其他例子的截面图。

图13是表示现有的蚀刻处理装置的截面图。

图14是基板S的平面图。

图15是表示现有的蚀刻处理装置的立体图。

符号的说明

2 蚀刻处理装置

20 处理容器

21 侧壁部

22 搬入搬出口

23 开闭机构

24 排气通路

3 载置台

4 上部电极

31 高频电源部

47 处理气体供给部

5，71 整流用结构体

51 隧道(tunnel)部件

52 整流壁

72，73 筒状部件

8 非处理气体供给部

81 非处理气体供给通路

82 非处理气体供给孔

83 整流体

S FPD基板

具体实施方式

以下，以将本发明的处理装置应用于用于对在被处理体例如FPD基板的表面形成的铝(Al)膜进行蚀刻处理的蚀刻处理装置的情况为例，对本发明的实施方式进行说明。图1是上述蚀刻处理装置2的纵截面图。该蚀刻处理装置2设置有用于在内部对FPD基板S施加蚀刻处理的接地的处理容器20，该处理容器20例如形成为平面形状为四角形状。

上述FPD基板S为四边形的基板，上述处理容器20例如设定为水平截面的一边为3.5m、另一边为3.0m左右的大小，例如由铝等热传导性良好的材料构成。在上述处理容器20的一个侧壁部21上，形成有用于将基板搬入该处理容器20内的搬入搬出口22，该搬入搬出口22通过构成开闭部件的开闭机构23，以能够自由开闭的方式构成。

在上述处理容器20的内部，配置有用于将基板S载置在其上方的载置台3。该载置台3与产生等离子体用的高频电源部31电连接，作为用于使处理容器20内产生等离子体的下部电极而发挥作用。该载置台3隔着绝缘部件32配置在处理容器20的底部，由此，下部电极设置为从处理容器20电浮起的状态。并且，在上述载置台3表面的周边区域和侧面上，设置有由陶瓷材料构成的屏蔽环(shield ring)33，其用于在上述载置台3上方均匀地形成等离子体。而且，在上述载置台3上设置有用于与该载置台3进行基板的交接的升降销34，其在通过升降机构35与未图示的外部的搬送机构之间进行基板S的交接的位置、与比载置台3表面更位于下方侧的位置之间能够自由升降。

另一方面，在处理容器20内部的上述载置台3的上方，以与该载置台3的表面相对的方式设置有平板状的上部电极4，该上部电极4由四边形板状的上部电极基座41所支撑。该上部电极4和上部电极基座41例如由铝构成。并且，上述上部电极基座41的上表面与处理容器20的顶部连接，由此，上部电极4设置为与处理容器20电导通的状态，并且，由上部电极基座41与上部电极4包围周围而成的区域构成气体扩散空间42。

另外，在处理容器20的顶部设置有处理气体供给通路43，其与上述气体扩散空间42连接，该处理气体供给通路43的另一端与处理气体供给部44连接。在本例中，由上部电极4和上部电极基座41构成处理气体供给机构。

这样，当从处理气体供给部44向气体扩散空间42供给处理气体时，该处理气体通过上部电极4上设置的气体供给孔45被供给到上述基板S上的处理空间，由此能进行对基板S的蚀刻处理。另一方面，处理容器20的底壁上连接有排气通路24，该排气通路24的另一端例如连接有由真空泵组成的未图示的真空排气机构。

进而，在上述载置台3的被处理体载置区域的周围，设置有用于在载置在该载置台3上的基板S的周围形成处理气体的气体滞留区域的整流用结构体5，该整流用结构体5例如以其上端比基板S的搬送高度位置更高的方式设置。此处，上述搬送高度位置，是指通过外部搬送机构将基板S从上述搬入搬出口22搬送到上述载置台3的上方侧时的高度位置。

上述整流用结构体5的上述搬入搬出口22侧构成为形成筒状部件的隧道部件51，上述整流用结构体5的上述隧道部件51以外的部位构成为整流壁52。上述隧道部件51为了区划形成从上述搬入搬出口22朝向上述载置台3的被处理体载置区域的搬送通路P(被处理体搬送路径)而构成为筒状，在本例中，该搬入搬出口侧的端部(另一端侧)以包围上述搬入搬出口22的周围的方式连接到上述侧壁部21的内壁，并且，其一端侧以在上述载置区域侧开口的方式、且以该一端侧的下表面与载置台3连接的方式设置。另外，在隧道部件51的内部形成的搬送通路P的搬入搬出口侧，以隔着搬入搬出口22被上述开闭机构23关闭的方式构成，这样，该隧道部件51的搬入搬出口侧的端部以与处理容器20内的气氛不连通的方式设置。

如图1～图3所示，上述被处理体载置区域是载置台3上的载置基板S的区域，上述隧道部件51的一端侧在本例中以位于与上述载置区域上载置的基板S的外部边缘距离例如5mm左右的外侧的方式设置。另外，隧道部件51的高度与上述基板S的搬送通路P相应地设置，优选设为例如50mm～150mm左右。

另外，上述整流壁52构成为包围上述载置台3上载置的基板S的除了上述搬入搬出口22侧的其他侧面、且从上述载置台3向上方延伸，在本例中，上述整流壁52与上述隧道部件51的一端侧连接。另外，其高度例如设定为50mm～150mm左右，以上述隧道部件51的上端与整流壁52的上端的高度位置对齐的方式构成，这些上端的高度位置设定为比从上述搬入搬出口22到上述载置台3的上方侧的基板S的搬送高度位置更高。

该隧道部件51与整流壁52例如由陶瓷构成，其内壁面的表面例如由Ra(算术平均粗糙度)5μm左右的粗糙面形成。如此，从载置台3上的基板S来看，在该基板S的搬入搬出口22侧的边上，当搬入搬出口22被开闭机构23关闭时，隧道部件51的搬入搬出口侧的端部被上述开闭机构23阻塞，通过该已被关闭的隧道部件51形成气体滞留空间。并且，该基板S的搬入搬出口22侧以外的边上，处理气体流被整流壁52遮挡，由此使得处理气体的流速降低，因而由该整流壁52形成气体滞留空间。如此，在载置台3上的基板S的周围，由隧道部件51和整流壁52形成气体滞留空间。

另外，上述蚀刻处理装置2以被控制部6控制的方式构成。该控制部6例如由计算机组成，包括CPU、程序、存储器。上述程序中装有命令(各步骤)，其从控制部6向蚀刻处理装置的各部发送控制信号，使各部执行规定的蚀刻处理。该程序保存在计算机存储介质例如软盘、光盘、硬盘、MO(磁光盘)等存储部中，安装在控制部6上。

接着，利用图4对本发明的蚀刻处理方法进行说明。而且，在图4中，上部电极4和上部电极基座41合起来用符号40表示。首先，通过控制部6选择目标蚀刻处理的工艺处理方案。在控制部6中，根据该工艺处理方案向蚀刻处理装置的各部输出控制信号，如此对基板进行规定的蚀刻处理。

具体而言，例如图4(a)所示，首先打开开闭机构23，利用未图示的外部搬送机构将表面形成有Al膜的基板S经隧道部件51搬入处理容器20内，使之移动到载置部3上方侧的交接位置。该交接位置为上述载置部3的载置区域的上方侧的位置。然后，使升降销34上升，在该交接位置上通过该升降销34从上述搬送机构接受基板S以后，使升降销34下降，将晶片W交接到载置部3上。另一方面，使上述搬送机构经搬入搬出口22退出之后，通过开闭机构23关闭搬入搬出口22。由此，隧道部件51的搬入搬出口侧的开口部隔着搬入搬出口22被开闭机构23关闭。

接着，如图4(b)所示，作为处理气体从处理气体供给部44向基板S喷出蚀刻处理用的处理气体例如氯气，并将处理容器20的内部减压至规定的压力，另一方面，从高频电源部31向载置部3供给高频电力。这样，在基板S的上方侧的空间形成等离子体，使对基板S的蚀刻处理得以进行。

此时，例如，如图5所示，从上部电极4供给的处理气体通过载置台3与处理容器20的内壁之间的空隙61向下方侧流动，通过排气通路24排气。因此，在载置台3上的基板S的表面，处理气体从中央侧朝向外部侧流动。并且，因为上述隧道部件51的另一端侧与载置台3的上表面连接，所以在与基板S的搬入搬出口22相对的一边侧，在隧道部件51的内部也有处理气体流通。

此处，因为隧道部件51的搬入搬出口侧被开闭机构23关闭，所以难以排气，处理气体逐渐在隧道部件51的内部累积，由此在隧道部件51的内部形成气体滞留空间，达到了降低处理气体的流速的作用。另一方面，在基板S的搬入搬出口22侧以外的边上，处理气体从上述基板S的中央侧向外部侧流动，因此处理气体冲撞在基板S周围设置的整流壁52上，沿着整流壁52流动。从而，处理气体以超过整流壁52的方式流动，通过整流壁52形成难以排气的状态，其流速被极端地降低。这样，处理气体逐渐在整流壁52的内侧附近累积，形成气体滞留空间。

这样，通过整流用结构体5在基板S的周围形成气体滞留空间，由此处理气体的流速在基板S的外围部极端下降，因此处理气体的供给量与中央部相比被降低。因此，基板S的中央部和外围部的蚀刻速率变得几乎一致，能够在确保基板面内的高的面内均匀性的状态下进行Al膜的蚀刻处理。

在上述例子中，因为从搬出搬入口22经构成整流用结构体5的一部分的隧道部件51搬入基板S，所以不需使整流用结构体5升降就能够在外部的搬送机构和载置台3之间进行基板S的交接。因此，在隧道部件51的内壁和整流壁52等上，即使附着且累积有因蚀刻处理产生的Al的氯化物，该累积的附着物也难以剥离，能够抑制颗粒的产生。由此，能够降低进行需要长时间的除去Al氯化物的维护的频度，因此蚀刻处理装置2的运转率得以提高，能够提高生产率。

另外，如上所述，通过将隧道部件51的内面和整流壁52的内壁面构成为粗糙面，上述附着物会更加牢固地附着在隧道部件51和整流壁52上，因此能够更加抑制附着物的剥落。

接着，利用图6和图7对整流用结构体5的另一例子进行说明。本例中的整流用结构体71的搬入搬出口22侧由上述隧道部件51构成，该隧道部件51设置在上述载置台3的四边形的载置区域的一边侧。并且构成为在上述整流用结构体71的上述一边以外的其余三个其他边侧，其一端沿该其他边开口、其他端侧在处理容器20的侧壁侧被关闭的成为扁平的结构体的筒状部件72。并且，在本例中，以下述方式构成：上述筒状部件72的一端侧的下表面与上述载置台3连接，上述筒状部件72的另一端侧连接到与该边相对的处理容器20的内壁部，该另一端侧通过处理容器20的侧壁被关闭。上述隧道部件51和筒状部件72以包围载置台3上的基板S的周围全体的方式相互连接。

上述筒状部件72的一端侧例如设置在位于与上述载置区域上载置的基板S的外部边缘距离例如5mm左右的外侧的位置。并且，筒状部件72的高度优选为例如50mm～150mm左右，以上述隧道部件51的上端与筒状部件72的上端的高度位置相互对齐的方式设置，其上端的高度位置设定为比上述基板S的搬送高度位置更高。

在本例中，从处理气体供给部44供给的处理气体，如图6(b)所示，通过载置台3的角部和处理容器20的内壁的角部之间形成的空隙62向下方侧流动，并通过排气通路24排气。然后，基板S附近的处理气体，如上所述，从中央侧向外部侧流动，因此，例如如图7所示，流入隧道部件51和筒状部件72的内部。这样，上述筒状部件72的内部成为处理气体的通气空间，这些筒状部件72的另一端侧如上所述与处理容器20的内壁连接且关闭，因而难以排气，处理气体逐渐累积在筒状部件72的内部，由此在筒状部件72的内部形成气体滞留空间，达到降低处理气体流速的作用。这样，因为隧道部件51和筒状部件72的内部起到气体滞留空间的作用，所以蚀刻气体的流速在基板S的外周围降低，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。

另外，在本例中，例如如图6和图7所示，具有以下优点：例如在处理容器20上形成有用于确认处理容器20内的基板S的设置情况的观察窗25的情况下，能够通过筒状部件72的开口部通过目视确认上述设置情况，或通过EPD(End Point Detector：终点检测器)能够检测出处理的终点。

进而，作为构成整流用结构体71的筒状部件72，如图8和图9所示，其他端侧也可以被处理容器20的侧壁部以外的部件关闭。例如图9所示，本例中的筒状部件73被设为其截面形状为コ字形，包括设置在载置台3的基板S的载置区域的外侧的底部73a、以从该底部73a向上方延伸的方式设置的壁部73b、和在该壁部73b的上端与基板S的载置区域侧大致水平地延伸的盖部73c。上述底部73a的内端设置为位于与上述基板S的载置区域距离例如5mm左右的外侧，上述底部73a的外端设置为位于与上述基板S的载置区域距离例如150mm左右的外侧，盖部73c的内端设置为位于基板S的载置区域的外侧。另外，例如优选设定壁部73b的高度为50mm～150mm左右，盖部73c的宽度为150mm左右，以上述隧道部件51的上端和筒状部件73的上端(盖部73c)的高度位置相互对齐的方式构成，该上端的高度位置设定为比上述基板S的搬送位置更高。

在本例中，从处理气体供给部44供给的处理气体，如图9所示，通过在设置在载置台3上的筒状部件73和处理容器20的内壁之间形成的空隙63向下方侧流动，并通过排气通路24被排气。并且，基板S附近的处理气体，如上所述从中央侧向外部侧流动，因此在流入隧道部件51的内部的同时，也流入筒状部件73的内部。

此处，因为筒状部件73被壁部73b关闭，所以处理气体逐渐在筒状部件73内部累积，由此在筒状部件73的内部形成气体滞留空间，发挥降低处理气体流速的作用。由此，隧道部件51和筒状部件73的内部作为气体滞留空间发挥作用，因此蚀刻气体的流速在基板S的外周围降低，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。

另外，在上述整流用结构体71的设置有隧道部件51的边以外的其余三个其他边侧设置有筒状的结构体(筒状部件)，但是也可以不使用这样的结构体，改为使用平面形状被形成为コ字形的结构体，该结构体为其一端侧沿该其他边开口、其他端侧在处理容器20的侧壁侧被关闭的扁平的结构体，其包围设置有隧道部件51的边以外的其余三个其他边侧的周围全体。这样，即使是在连通上述三边的周围的状态下围绕而成的结构体，该结构体的内部也能发挥气体滞留空间的功能，因此能够提高蚀刻处理的面内均匀性。

进一步使用图10对本发明的其他例子进行说明。在本例中，沿上述载置台3的被处理体载置区域的周边，设置有用于向载置在上述载置台3上的基板S的周边部供给非处理气体的非处理气体供给部8。具体而言，例如使用如图8所示的组合设置有筒状部件73和非处理气体供给部8的例子进行说明，上述筒状部件73的底部73a的厚度设定为大于载置台3上的基板S的厚度，在上述底部73a中内置构成有上述非处理气体供给通路81，使得能够从该底部73a的内壁面朝向载置台3上的基板S的周边部供给非处理气体。

另外，隧道部件51的底部51a的厚度也设定为大于载置台3上的基板S的厚度，在该底部51a中内置构成有上述非处理气体供给通路81，使得能够从该底部51a的内面朝向载置台3上的基板S的周边部供给非处理气体。在该筒状部件73和隧道部件51的内部形成的非处理气体供给通路81例如在筒状部件73和隧道部件51的内部沿上述四边形被处理体载置区域的边形成，且以通过非处理气体供给管81a向其内部供给非处理气体的方式构成。图中82是在上述筒状部件73的底部73a和隧道部件51的底部51a的内壁上沿上述四边形的载置区域的边形成的多个非处理气体供给孔，该非处理气体供给孔82与上述非处理气体供给通路81连接。

在本例中，非处理气体供给部8由非处理气体供给通路81、非处理气体供给管81a和非处理气体供给孔82构成，从非处理气体供给管81a供给到非处理气体供给通路81的非处理气体，通过非处理气体供给孔82被供给到载置台3上的基板S的周边部。作为上述非处理气体，使用氦(He)气、氖(Ne)气、氩(Ar)气等稀有气体，以及氮(N₂)气、氧(O₂)气等。此处，也有相对基板S的周边部，从上述非处理气体供给孔82大致水平地供给非处理气体的情况，或稍微向下供给非处理气体的情况。

在本例中，由于向基板S的周边部供给非处理气体，所以处理气体在该周边部被非处理气体稀释。因此，上述基板S的周边部的蚀刻速率降低，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。

另外，例如，如图11所示，非处理气体供给部8也可以构成为：在上述载置台3的载置区域的外侧，以包围基板S的方式设置高度大于上述基板S的厚度的环状的整流体83，并在该整流体83的内壁面上沿基板S的边设置多个非处理气体供给孔84，以从此向载置台3上的基板S的周边部的大致侧面或稍微下方侧供给非处理气体的方式，在上述整流体83中内置上述非处理气体供给通路(未图示)。

在这种情况下，即使载置台3的上表面配置得比搬入搬出口22的下端更靠下方侧，且将整流体83设置在载置台3上，在整流体83的上方侧进行外部搬送机构与载置台3的交接销34之间的基板S的交接，且上述整流体83不妨碍上述搬送机构和交接销34之间的基板S的交接的情况下，也不需要设置上述隧道部件51。另外，上述非处理气体供给部8也可以组合设置上述图1、图6所示的整流用结构体5、71。而且，也可以采用不在隧道部件51中设置非处理气体供给通路81和非处理气体供给孔82的结构，如果非处理气体供给孔82沿被处理体载置区域的周边部设置，则其形状也可以是缝隙状。

上述例子中，构成为隧道部件51的一端侧的下表面与载置台3的上表面连接，但例如也可以如12(a)所示，令隧道部件51的一端侧的下端侧端面与载置台3的侧部连接，在隧道部件51的内部设置从载置台3上的基板S的侧面至搬入搬出口22的高度调整部件85。并且，例如也可以如图12(b)所示，将载置台3以其上表面位于比搬入搬出口22的下端更靠下方侧的方式设置，使高度调整部件85介于隧道部件51和载置台3的上表面之间，连接隧道部件51和载置台3。此情况也包括整流用结构体5设置在载置台3上的情况。

进而，上述隧道部件51也可以设置为其搬入搬出口侧的端部与形成有上述搬入搬出口22的上述侧壁部21连接，例如，如图12(c)所示，也可以构成为在上述搬入搬出口22内部开口，在此情况下，构成为隧道部件51的搬入搬出口侧的开口部能由开闭机构23通过例如弹性部件(未图示)关闭。并且，如果在隧道部件51的内部形成气体滞留空间，则上述隧道部件51的搬入搬出口侧的端部并非一定需要关闭。进而，也可以通过未图示的加热机构对整流用结构体5、71、73进行加热，抑制上述处理中的反应生成物的附着。

《实施例》

(实验例)

以下，对为了确认本发明的效果而进行的实施例进行说明。在以下的实验中，使用图1所示的蚀刻处理装置，分别使用以下结构作为整流用结构体对表面叠层有Ti膜和Al膜的基板S进行蚀刻处理：图8所示的使用隧道部件51和筒状部件73的结构(实施例1)，图10所示的使用隧道部件51和具备非处理气体供给部8的筒状部件73的结构(实施例2)，不设置整流用结构体的结构(比较例1)，然后在基板S的面内的22个位置对此时的蚀刻速率进行测定，通过(最大值—最小值)/(最大值+最小值)计算出上述蚀刻速率的面内均匀性。此处，上述最大值表示蚀刻速率的最大值，上述最小值表示蚀刻速率的最小值。

蚀刻处理条件均如下所述：

基板尺寸：730mm×920mm

处理压力：3.99Pa(30mTorr)

蚀刻气体：Cl₂+N₂

(结果)

其结果为，蚀刻速率的面内均匀性如下所述：

实施例1：±16.5％

实施例2：±10.1％

比较例3：±23.3％

由此，能够确认，如实施例1和实施例2那样使用本发明的整流用结构体的情况、与不使用比较例1的整流用结构体的情况相比，蚀刻速率的面内均匀性均更高，能够理解本发明的整流用结构体的有用性。

另外，本发明的处理装置不仅能够应用于蚀刻处理，也能够应用于灰化、CVD等其他的使用处理气体对被处理体进行处理的处理。并且，处理也并不限定于等离子体处理，也可以是其他的气体处理。而且，作为被处理体，并不限定于四边形基板，也可以是FPD基板以外的半导体晶片W等。

Claims

1.一种处理装置，其特征在于，包括：

设置于处理容器内部且用于在其上部载置被处理体的载置台；

用于从所述载置台的上方侧供给处理气体，并对载置在所述载置台上的被处理体进行处理的处理气体供给机构；

用于对所述处理容器的内部进行排气的排气机构；

形成于所述处理容器的侧壁部，且通过开闭部件被开闭的所述被处理体的搬入搬出口；和

整流用结构体，其以包围所述载置台上的被处理体载置区域的方式设置，用于在载置于所述载置台上的被处理体的周围形成处理气体的气体滞留区域，使该被处理体周边部的所述处理气体的流速变慢，

所述整流用结构体的所述搬入搬出口侧构成为筒状部件，该筒状部件用于区划形成从该搬入搬出口朝向所述被处理体载置区域的被处理体搬送路径。

2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：

所述整流用结构体以其上端比所述被处理体的搬送高度位置更高的方式设置在所述载置台上。

3.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：

所述筒状部件的搬入搬出口侧的端部与处理容器的气氛未连通。

4.如权利要求1～3中任一项所述的处理装置，其特征在于：

所述整流用结构体的所述筒状部件以外的部位构成为从所述载置台向上方延伸的整流壁。

5.如权利要求1～4中任一项所述的处理装置，其特征在于：

所述整流用结构体的所述筒状部件以外的部位构成为一端侧朝向所述被处理体载置区域开口，其他端侧在处理容器的侧壁侧被关闭的扁平的结构体。

6.如权利要求5项所述的处理装置，其特征在于：

所述被处理体为四边形基板，

所述筒状部件设置于所述载置台的四边形的被处理体载置区域的一边侧，在该一边以外的剩下的三个其他边侧，所述结构体的一端侧沿该其他边开口。

7.如权利要求5或6所述的处理装置，其特征在于：

所述结构体的其他端侧通过处理容器的侧壁被关闭。

8.如权利要求1～7中任一项所述的处理装置，其特征在于，包括：

沿着所述载置台的被处理体载置区域的周边设置、且用于向载置在所述载置台上的被处理体的周边部供给非处理气体的非处理气体供给部。

9.如权利要求1～8中任一项所述的处理装置，其特征在于：

对所述被处理体进行的处理是形成于被处理体表面的铝膜的蚀刻处理。