JPH0927538A

JPH0927538A - 四隅が支持されて持ち上げられた基板のたわみ軽減方法および枚葉式基板処理装置

Info

Publication number: JPH0927538A
Application number: JP17762295A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Miyake; 俊行三宅
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-07-13
Filing date: 1995-07-13
Publication date: 1997-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】近年のＬＣＤ用ガラス基板の大型化、薄型化
に対応し、四隅が支持されて持ち上げられた基板のたわ
みを簡単に軽減し得る方法を提案し、枚葉式基板搬送装
置の大型化や処理ムラを招来することなく、基板のたわ
みによる基板搬送時の基板の破損を低減する。【解決手段】枚葉式基板搬送装置であるドライエッチ
ング装置の処理室１１のステージ１７に、不活性ガス噴
き出し孔４…を形成し、ガラス基板搬送ロボット２１に
よるガラス基板１の出し入れ時、四隅を昇降ピン１４…
で支持されたガラス基板１の下をガラス基板搬送ロボッ
ト２１の載置台２２が移動する際、ガラス基板１の裏面
中心部付近に上記不活性ガス噴き出し孔４…より不活性
ガスを噴きつける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（以後、ＬＣＤ(Liquid Crystal Disuplay) と記
す) 用ガラス基板といった平板状の基板を四隅を支持し
た状態で持ち上げた際に生じる基板のたわみを軽減する
方法に関するものであり、また、そのたわみ軽減方法が
採用された、例えばＬＣＤ製造の際にＬＣＤ用ガラス基
板に各種薄膜を成膜するために用いられる枚葉式のＣＶ
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 装置、スパッタ装置、
並びにドライエッチング装置等の枚葉式基板処理装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術を、枚葉式基板処理装置の一
種であるドライエッチング装置を例に説明する。従来の
ＬＣＤ製造装置のドライエッチング装置は、例えば図１
０に示すように、ガラス基板６０に対してドライエッチ
ング処理を行う処理室６１と、ガラス基板６０の出し入
れを行うロードロック室（図示せず）と、上記処理室６
１とロードロック室を結ぶガラス基板搬送室６３とを備
えている。処理室６１の底部には排気管６１ｂが設けら
れており、処理室６１はこの排気管６１ｂを介して高真
空排気されるようになっている。また、ガラス基板搬送
室６３の底部には排気管６３ｂが設けられており、ガラ
ス基板搬送室６３はこの排気管６３ｂを介して排気され
るようになっている。

【０００３】上記処理室６１とガラス基板搬送室６３と
は、ガラス基板６０を出し入れする開口部６５を介して
連通されている。開口部６５近傍のガラス基板搬送室６
３内には、処理室６１とガラス基板搬送室６３とを仕切
る仕切り弁６６が摺動自在に設けられている。仕切り弁
６６は、処理室６１にてドライエッチング処理を行う際
には、開口部６５を閉じて処理室６１を密閉する一方、
ガラス基板６０の出し入れを行う際には開口部６５を開
いて処理室６１を開放するとともに、処理室６１とガラ
ス基板搬送室６３とを連通させるようになっている。

【０００４】ガラス基板搬送室６３はその中央部に、処
理室６１とロードロック室との間でガラス基板６０を搬
送するガラス基板搬送ロボット７１を備えており、この
ガラス基板搬送ロボット７１には、ガラス基板６０を載
置する載置台７２が備えられている。

【０００５】ガラス基板搬送ロボット７１は、アーム部
７３等を駆動させることにより、載置台７２を図に示す
矢印Ｃ方向に移動させて、ガラス基板６０を搬送するよ
うになっている。つまり、ガラス基板搬送ロボット７１
により、処理室６１に対するガラス基板６０の出し入れ
がなされる。

【０００６】処理室６１は、ガラス基板６０を載置する
ステージ６２と、ステージ６２に対向して配された上部
電極７４と、ステージ６２上でガラス基板６０を支持す
る昇降ピン６４…を備えている。処理室６１からガラス
基板６０を搬出する際は、ステージ６２から昇降ピン６
４…を上昇させて、ガラス基板６０の四隅を昇降ピン６
４…で支持してステージ６２から持ち上げ、ガラス基板
搬送ロボット７１の載置台７２がガラス基板６０の下の
所定の位置に移動して来るのを待って、昇降ピン６４を
下降させ載置台７２にガラス基板６０を載せる。また、
搬入したガラス基板６０をステージ６２に載せる際も、
昇降ピン６４…を上昇させて、ガラス基板６０の四隅を
支持して載置台７２から持ち上げ、載置台７２が処理室
６１から退避するのを待って昇降ピン６４…を下降させ
ステージ６２に載せる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように昇降ピン６４…にてガラス基板６０の四隅を支持
してステージ６２から持ち上げ、その下を載置台７２が
移動する構成では、近年のガラス基板の大型化、薄型化
に伴い、ガラス基板６０のたわみ量が大きくなるため、
ガラス基板６０のたわんだ部分に載置台７２が接触し、
ガラス基板が破損するといった問題が発生している。

【０００８】例えば、四隅を支持した状態でのガラス基
板中央部のたわみ量は、縦×横が３６０mm×４６５mm、
厚さが１.1mmのガラス基板では２.3mmであるのに対し、
縦×横が同じで厚さが０.7mmのガラス基板では５.4mmで
ある。さらに、厚さが０.7mmで縦×横が５００mm×６０
０mm以上になると、たわみ量は１cmを超えるようにな
る。

【０００９】したがって、前述のように昇降ピン６４…
で四隅を支持されたガラス基板６０の下を、ガラス基板
搬送ロボット７１の載置台７２が出入りする際に、載置
台７２とガラス基板６０とが接触するといったことが生
じるわけである。

【００１０】なお、載置台７２とガラス基板６０との接
触を防ぐ対策として、昇降ピン６４…の位置の変更や本
数の増加が考えられるが、昇降ピン６４…が載置台７２
の移動経路上に位置しないように考慮する必要があり、
また、多くの場合ステージ６２が下部電極を兼ねてお
り、その場合は、処理ムラを防ぐために昇降ピン６４…
はできるだけ隅に配置し、本数を少なくする必要があ
る。したがって、昇降ピン６４…の位置の変更や本数の
増加では、思うように載置台７２とガラス基板６０との
接触を防ぐことができない。

【００１１】また、昇降ピン６４…の長さを長くすると
いう対策も考えられるが、この場合も上記と同様処理ム
ラを防ぐために昇降ピン６４…の断面積をできるだけ小
さくする必要があるので、断面積の小さい昇降ピン６４
…が長くなるとガラス基板６０の支持が不安定になり、
ガラス基板６０の落下、破損の虞れが生じるとともに、
当然、処理室６１の更なる大型化を招くことになる。

【００１２】本発明は、上記の問題点に鑑み成されたも
のであり、その目的は、近年のＬＣＤ用ガラス基板の大
型化、薄型化に対応し、四隅が支持されて持ち上げられ
た基板のたわみ軽減方法を提案するとともに、この方法
を適用し、搬送する基板がたとえ大型・薄型のガラス基
板であっても、装置の大型化や処理ムラを招来すること
なく、基板搬送手段の載置台と基板との接触を回避し
て、安定して基板を搬送し得る枚葉式基板処理装置を提
供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る四
隅が支持されて持ち上げられた基板のたわみ軽減方法
は、上記の課題を解決するために、四隅が支持されて持
ち上げられた平板状の基板に対して、基板の裏面中心部
付近に下方からガスを噴きつけることで、基板に発生し
たたわみを軽減することを特徴としている。

【００１４】これによれば、四隅を支持されて最もたわ
んでいる中心部付近に、下方からガスが噴きつけられ、
噴きつけられたガスの風圧によりガラス基板のたわみを
軽減するようになっている。これにより、四隅が支持さ
れて持ち上げられた平板状の基板に発生したたわみを、
基板の支持位置を変更したり支持点を増加させたりする
ことなく、簡単に軽減することができる。

【００１５】請求項２の発明に係る枚葉式基板処理装置
は、上記の課題を解決するために、ステージ上に載置さ
れた平板状の基板に対して所定の処理を施す処理室と、
この処理室に上記基板を載置台に載せた状態で搬入出す
る基板搬送手段を有した搬送室とを備え、上記処理室
に、基板搬送手段による基板の搬入出時に、載置台から
ステージへ、或いはステージから載置台へと基板を移す
べく、基板の四隅を支持して基板をステージ上から持ち
上げる基板持ち上げ手段が備えられている枚葉式基板処
理装置において、上記処理室に、基板搬送手段による基
板の搬入出時に、上記基板持ち上げ手段にて持ち上げら
れた基板の裏面中心部付近にステージ側から不活性ガス
を噴きつける第１不活性ガス噴きつけ手段が設けられて
いることを特徴としている。

【００１６】これによれば、基板持ち上げ手段にて持ち
上げられた基板の下を、基板搬送装置の載置台が移動す
る間、第１不活性ガス噴きつけ手段により、基板の裏面
中心部付近に不活性ガスが噴きつけられるようになって
いる。したがって、噴きつけられた不活性ガスの風圧に
より基板のたわみは軽減されるので、持ち上げ手段の支
持位置を変更したり、支持点を増加させたり、あるいは
より高く基板を持ち上げたりすることなく、基板搬送手
段の載置台と基板との接触を回避することが可能とな
り、接触による基板の破損等を効果的に防止することが
できる。

【００１７】しかも、この場合、噴きつけるガスに不活
性ガスを用いているので、処理室内にこのガスが残留し
た場合においても、残留ガスが上記処理に対して悪影響
を及ぼすことはない。したがって、長期間安定して可動
させることができるとともに、基板に対して安定して所
定の処理を施すことができる。

【００１８】請求項３の発明に係る枚葉式基板処理装置
は、上記の課題を解決するために、請求項２に記載の構
成において、上記基板搬送手段の載置台に、基板のたわ
みが許容範囲にあるか否かを検知する検知手段が設けら
れ、上記第１不活性ガス噴きつけ手段は、上記検知手段
にてたわみが許容範囲を超えていることが検知された場
合にのみ不活性ガスを噴きつけるようになっていること
を特徴としている。

【００１９】これによれば、検知手段にて基板のたわみ
が許容範囲にあるか否かが検知され、検知手段にてたわ
みが許容範囲を超えている場合のみ、第１不活性ガス噴
きつけ手段が基板に対して不活性ガスを噴きつけるよう
になっている。したがって、上記請求項２の構成による
作用に加えて、不活性ガスの無駄な消費がなくなるの
で、不活性ガスの消費量を節約することができ、ランニ
ングコストを削減できる。

【００２０】請求項４の発明に係る枚葉式基板処理装置
は、上記の課題を解決するために、請求項２に記載の構
成において、上記処理室に、第１不活性ガス噴きつけ手
段が基板の裏面に不活性ガスを噴きつける際に、処理室
上部から基板の表面四隅に不活性ガスを噴きつける第２
不活性ガス噴きつけ手段が設けられていることを特徴と
している。

【００２１】これによれば、第１不活性ガス噴きつけ手
段が基板の裏面に不活性ガスを噴きつける際、基板の上
方に設けられた第２不活性ガス噴きつけ手段が、基板の
表面四隅に不活性ガスを噴きつけるようになっている。
したがって、請求項２の構成による作用に加えて、第２
不活性ガス噴きつけ手段からのガスの風圧にて上から四
隅が押さえつけられるので、第１不活性ガス噴きつけ手
段による下からの風圧にて基板が基板持ち上げ手段から
浮き上がるといったことを防止できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】

〔実施の形態１〕本発明の実施の一形態について図１な
いし図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。本
実施の形態に係る枚葉式基板処理装置に適用されてい
る、本発明の概念は、図１（ａ）に示すように、ガラス
基板１の裏面が底面３に触れないようにガラス基板１の
四隅を支持部材２…で支持してガラス基板１を持ち上げ
た場合に発生するガラス基板１のたわみを、同図（ｂ）
に示すように、ガラス基板１の裏面の中央部付近にガス
を矢印のように噴きつけ、その風圧によって軽減すると
いったものである（Ｔ₂＜Ｔ₁）。

【００２３】なお、本実施の形態では、上記のたわみ軽
減方法を、枚葉式基板処理装置としての薄膜形成装置の
一種であるドライエッチング装置に適用した場合につい
て説明するが、本発明の適用範囲は、何らこれに限定さ
れるものではなく、ドライエッチング装置の他、例え
ば、プラズマＣＶＤ装置やスパッタ装置等に好適に適用
することができる。

【００２４】本実施の形態のドライエッチング装置は、
クラスタ型の枚葉式であり、図２、図３に示すように、
ガラス基板１に対してプラズマエッチング等のドライエ
ッチング処理を行う処理室１１を３つと、ガラス基板１
の出し入れを行うロードロック室１２と、上記処理室１
１とロードロック室１２とを結ぶガラス基板搬送室（搬
送室）１３とを備えている。

【００２５】ロードロック室１２は、真空予備室であ
り、処理室１１を大気中に開放しないでガラス基板１の
取り入れ、取り出しを行うことを目的として設けられて
いる。ガラス基板搬送室１３は、その中央部に、各処理
室１１とロードロック室１２との間でガラス基板１を搬
送するガラス基板搬送ロボット（基板搬送手段）２１を
備えている。このガラス基板搬送ロボット２１は、ガラ
ス基板１を載置するコ字型の載置台２２を有している。

【００２６】処理室１１とガラス基板搬送室１３とは、
開口部１５を介して互いに連通されている。開口部１５
は、ガラス基板１の出し入れが円滑に行われるように、
ガラス基板１を載置した載置台２２が通過可能な大き
さ、および形状に形成されている。開口部１５における
ガラス基板搬送室１３側には、開口部１５を閉じること
により、処理室１１とガラス基板搬送室１３とを仕切る
仕切り弁（ゲートバルブ）１６が摺動自在に設けられて
いる。上記の仕切り弁１６は、図示しない仕切り弁駆動
装置により駆動され、処理室１１にて上記処理を行う際
には、開口部１５を閉じて処理室１１を密閉する一方、
ガラス基板１の出し入れを行う際には、開口部１５を開
いて処理室１１を開放するとともに、処理室１１とガラ
ス基板搬送室１３とを連通させるようになっている。

【００２７】同様に、ロードロック室１２とガラス基板
搬送室１３とは、特に図示してはいないが、開口部を介
して互いに連通されており、その開口部も、ガラス基板
１を載置した載置台２２が通過可能な大きさおよび形状
に形成されている。そして、開口部におけるガラス基板
搬送室１３側には、開口部を閉じることによりロードロ
ック室１２とガラス基板搬送室１３とを仕切る仕切り弁
（図示せず）が摺動自在に設けられており、仕切り弁
は、ロードロック室１２に対してガラス基板１の出し入
れを行う際には、開口部を開いてロードロック室１２と
ガラス基板搬送室１３とを連通させる一方、通常は開口
部を閉じている。

【００２８】上記処理室１１は処理チャンバとなってお
り、筺体１１ａ内に、ガラス基板１を載置するステージ
１７と、このステージ１７と対向して設けられた上部電
極１８とを収容している。

【００２９】ステージ１７および上部電極１８は、例え
ば、処理室１１がカソード・カップリング型にて処理を
行う場合には、ステージ１７側に直流成分を遮断するブ
ロッキング・コンデンサおよび整合器（いずれも図示せ
ず）を介してＲＦ（高周波）電源が接続されており、上
部電極１８側は接地されている。そして、ステージ１７
と上部電極１８との間にＲＦ電界を印加することによ
り、筺体１１ａ内に存在する希薄なエッチングガスを放
電解離させてプラズマを発生させ、このプラズマを利用
してドライエッチングを行うようになっている。なお、
処理室１１にて行われる処理は、カソード・カップリン
グ型で実施される処理に限定されるものではなく、した
がって、ステージ１７および上部電極１８に対する電気
的な接続は、上記例示に限定されるものではない。ま
た、エッチングガスは特に限定されるものではない。

【００３０】また、ステージ１７には、処理時において
ステージ１７上に載置されたガラス基板１を最適の温度
に加熱するための加熱装置（図示せず）、ステージ上で
ガラス基板１を支持する４本の昇降ピン１４…、および
不活性ガスを噴きつけるための不活性ガス噴き出し孔４
…が配設されている。なお、図３中の１９は処理室１１
内を真空に保つためのＯリングである。

【００３１】上記昇降ピン１４…は、図示しない昇降ピ
ン駆動装置によって駆動され、ガラス基板１を処理室１
１に搬入出する際上昇し、図４に示すようにガラス基板
１の四隅を支持して、ガラス基板１をステージ１７上か
ら持ち上げるようになっている。つまり、昇降ピン１４
…と昇降ピン駆動装置とによって、基板持ち上げ手段が
構成されている。なお、通常は、図３に示すように、昇
降ピン１４…はステージ１７に収納されている。

【００３２】不活性ガス噴き出し孔４…は、ステージ１
７上方に持ち上げられているガラス基板１の中央部付近
にガスを噴きつけられれば良く、例えば図５（ａ)(ｂ）
に示すように、ステージ１７上面のクロスハッチングを
つけた部分に適当な間隔で形成される。その場合、不活
性ガス噴き出し孔４の大きさは、処理ムラを防ぐために
できるだけ小さい方が望ましい。なお、不活性ガス噴き
出し項４…の配置例としては、図５（ａ)(ｂ）の例に限
らず、さまざまな配置が考えられる。

【００３３】また、筺体１１ａの底部には、図３に示す
ように、図示しない排気装置に導かれた排気管１１ｂが
設けられており、処理室１１は、この排気管１１ｂを介
して高真空排気されるようになっている。この排気管１
１ｂには、図示しない排気調節弁が設けられており、こ
の排気調節弁にて排気装置の排気能力が調整されること
により、筺体１１ａ内の真空のコンダクタンス（conduc
tance)が調節される。

【００３４】筺体１１ａ内の圧力は１００ｍTorr〜２０
００ｍTorrが好適である。また、排気装置には、圧力計
が取り付けられており、この圧力計によって測定された
圧力データは、図示しない制御装置に入力されるように
なっている。

【００３５】また、筺体１１ａの上部は、ドライエッチ
ング等の処理に必要なエッチングガスを供給する供給孔
（図示せず）が設けられている。筺体１１ａの下部に
は、枝分かれする形で上記の不活性ガス噴き出し孔４…
が構成されるガス導入管３０が設けられており、このガ
ス導入管３０は、マスフローコントローラ（流量制御装
置）３１を介して図示しないガス供給装置に接続されて
いる。したがって、不活性ガス噴き出し孔４…に導入さ
れるガスの流量は、マスフローコントローラ３１により
適宜調節されるようになっている。

【００３６】ガス導入管３０を介して供給されるガス
は、上述したドライエッチングやプラズマＣＶＤ等の処
理を行う際に、該処理系に対して不活性な物質であれ
ば、特に限定されるものではない。不活性ガスを用いる
ことにより、上記処理を行う際における、処理室１１内
に残留するガスの影響を低減させることができる。この
ようなガスとしては、具体的には、例えばＡｒ（アルゴ
ン）やＫｒ（クリプトン）等の希ガス、Ｎ₂（窒素）ガ
ス等が挙げられる。

【００３７】上記マスフローコントローラ３１、ガス供
給装置、排気装置、および制御装置等により、処理室１
１にて、ステージ１７からガラス基板１の裏面中心部付
近に不活性ガスを噴きつける本発明の第１不活性ガス噴
きつけ手段が構成されている。なお、制御装置は、上記
の仕切り弁駆動装置や加熱装置、ガラス基板搬送ロボッ
ト２１等の動作も制御して、処理室１１にて行われるド
ライエッチング処理の処理動作を制御するものでもあ
る。

【００３８】一方、ガラス基板搬送室１３には、筺体１
３ａ内に、上述した仕切り弁１６と、ガラス基板１を搬
送するガラス基板搬送ロボット２１とが収容されてい
る。上記筺体１３ａ底部の所定位置には、排気調節弁で
あるバタフライ弁３５を有する排気管３６が設けられて
おり、この排気管３６は図示しない排気装置に導かれて
いる。バタフライ弁３５は、その角度を適宜調節するこ
とにより、排気装置の排気能力を調整し、これにより筺
体１３ａ内の真空のコンダクタンスを調節するようにな
っている。

【００３９】また、筺体１３ａの底部には圧力計３７が
取り付けられている。圧力計３７によって測定された圧
力データは上記の制御装置に入力される。制御装置はこ
の圧力計３７と、処理室１１側の圧力計とによって測定
された圧力データに基づいて上記のマスフローコントロ
ーラ３１やバタフライ弁３５、排気装置等の動作を制御
するようになっている。つまり、筺体１３ａ内の真空の
コンダクタンス、すなわち、ガラス基板搬送室１３内の
圧力は、上記の圧力データに基づいて、制御装置がバタ
フライ弁３５、排気装置等の動作を制御することにより
調整される。

【００４０】ガラス基板搬送ロボット２１は、枚葉式ガ
ラス基板搬送装置であり、図２、図３に示すように、回
動軸２３ａを有する回動装置２３と、アーム部２４・２
５と、連結部２２ａと、載置台２２とからなっている。
アーム部２４は、回動装置２３に、図２に示す矢印Ａ方
向に回動自在に取り付けられており、アーム部２５はア
ーム部２４に回動自在に取り付けられている。そして、
載置台２２は、連結部２２ａを介してアーム部２５に回
動自在に取り付けられている。なお、図３において、筐
体１３ａと回動装置２３との間に設けられているリング
３８は、ガラス基板搬送室１３とガラス基板搬送ロボッ
ト２１本体との間をシールするものである。

【００４１】また、アーム部２４内部には、図６に示す
ように、上記の回動軸２３ａに固着された歯車２６と、
アーム部２５の支軸２５ａに固着された歯車２８と、歯
車２６・２８間に巻き掛けられたベルト２７とが配設さ
れている。歯車２６・２８は、例えば合成樹脂からなっ
ている。ベルト２７は、例えば柔軟性を有する合成樹脂
からなっており、その内側に歯車２６・２８とかみ合う
溝（歯）が複数形成されている。

【００４２】そして、回動装置２３の回動軸２３ａが回
動すると、歯車２６、ベルト２７、歯車２８、支軸２５
ａ、および連結部２２ａ等を介して載置台２２が、例え
ば図３に示す矢印Ｂ方向に移動され、処理室１１または
ロードロック室１２に対するガラス基板１の出し入れが
なされるようになっている。つまり、例えば処理室１１
での処理動作の前後において、回動軸２３ａが回動する
と、この回動動作によりアーム部２４・２５が回動さ
れ、載置台２２が所望の位置に配設されるとともに、該
載置台２２が処理室１１またはロードロック室１２に対
して出し入れされるようになっている。上記動作によ
り、処理室１１とロードロック室１２との間でガラス基
板１が搬送される。

【００４３】また、ガラス基板搬送ロボット２１の載置
台２２は、図２に示すようなコ字型、或いは図７（ａ)
(ｂ）に示すような、穴のあいた形状を有している。前
記した処理室１１のステージ１７上に形成された不活性
ガス噴き出し孔４…は、この載置台２２の穴の位置に合
わせて配置されており、載置台２２が移動している間、
載置台２２に遮られることなくガラス基板１に不活性ガ
スを噴きつけることができるようになっている。これに
より、載置台２２に不活性ガスが遮られ、その部分で載
置台２２とガラス基板１とが接触するといったことを防
ぐことができる。

【００４４】次に、上記構成のドライエッチング装置を
用いて、ガラス基板１上に形成されたＴａ（タンタル）
薄膜にドライエッチング処理を施す際の処理工程につい
て以下に説明する。なお、以下の説明においては、ＣＦ
₄（四フッ化炭素）ガスを用いたドライエッチング処理
を例に挙げることとする。また、不活性ガス噴き出し孔
にはＡｒガスが供給されるものとする。

【００４５】まず、所定の手法によってＴａ薄膜が形成
されたガラス基板１上に、フォトレジストからなり微細
なパターンを有するマスクパターンが載置され、このガ
ラス基板１がロードロック室１２の所定位置に載置され
る。すると、制御装置の制御によってガラス基板搬送ロ
ボット２１の回動装置２３が駆動され、回動装置２３の
回動動作により載置台２２等が駆動されて、載置台２２
にガラス基板１が載置される。なお、このとき仕切り弁
１６によって開口部１５は閉じられている。したがっ
て、処理室１１は密閉されており、高真空排気されて所
定の圧力に保たれている。

【００４６】次いで、制御装置の制御によってガラス基
板搬送ロボット２１が駆動され、ガラス基板搬送ロボッ
ト２１は、ロードロック室１２からガラス基板搬送室１
３にガラス基板１を搬送する。ガラス基板１がガラス基
板搬送室１３に搬送されると、ロードロック室１２とガ
ラス基板搬送室１３とを結ぶ開口部が仕切り弁（図示せ
ず）によって閉じられ、ロードロック室１２は密閉され
る。そして、制御装置がバラフライ弁３５、排気装置等
の動作を常に制御することにより、筺体１３ａ内が所定
の圧力に調整される。なお、これらの動作の間も処理室
１１は所定の圧力に保たれている。

【００４７】続いて、仕切り弁１６が摺動されて開口部
１５が開き、処理室１１が解放されると、ガラス基板搬
送ロボット２１はガラス基板搬送室１３から処理室１１
にガラス基板１を搬送する。

【００４８】まず、ガラス基板搬送ロボット２１の載置
台２２等が駆動されて、処理室１１内の所定の位置まで
移動する。次いで昇降ピン１４…が上昇し、ガラス基板
１の四隅を支持して載置台２２から持ち上げると、載置
台２２が処理室１１から退避する。この間、ステージ１
７の不活性ガス噴き出し孔４…は、マスフローコントロ
ーラ３１を介してＡｒガスが供給され、図４の上向きの
矢印で示されるようにガラス基板１の裏面に該Ａｒガス
を噴きつける。これにより、ガラス基板１のたわみ量が
軽減されるので、ガラス基板１と載置台２２とは接触し
ない。載置台２２が退避すると、仕切り弁１６が摺動さ
れて開口部１５が閉じられ、処理室１１が密閉される。
また、Ａｒガスの噴きつけが終了し、昇降ピン１４…が
下降して、ガラス基板１が処理室１１のステージ１７上
に載置される。なお、不活性ガス噴き出し孔４…より噴
きつけられたＡｒガスは、図４の下向きの矢印で示され
るように排気管１１ｂを介して排気される。

【００４９】次に、処理室１１にてドライエッチング処
理が行われる。すなわち、図示しない供給孔を介してエ
ッチングガスであるＣＦ₄ガスを筺体１１ａ内に供給す
るとともに、排気調節弁にて排気装置の排気能力を調整
し、筺体１１ａ内の圧力を１００ｍTorr〜２０００ｍTo
rrに調節する。その後、ステージ１７と上部電極１８と
の間にＲＦ電界を印加することにより、筺体１１ａ内に
存在する希薄なＣＦ₄ガスを放電解離させてプラズマを
発生させる。プラズマ中においては、上記電界により加
速された電子がＣＦ₄分子に衝突し、これにより反応性
の高いフッ素原子が発生する。そして、上記のフッ素原
子がガラス基板１表面に到達し、Ｔａと反応することに
より反応生成物であるフッ化タンタル（ＴａＦｘ）が生
成する。このフッ化タンタルは、筺体１１ａ内が高真空
かつ高温であるので昇華しガラス基板１の表面から離れ
る。これによりＴａ薄膜のドライエッチングが行われ
る。

【００５０】上記のドライエッチング処理が終了する
と、ガラス基板１を処理室１１から搬出する。まず、昇
降ピン１４…がガラス基板１の四隅を支持して上昇す
る。次いで仕切り弁１６が摺動されて開口部１５が開
き、ガラス基板搬送ロボット２１の載置台２２等が駆動
されて、ガラス基板１の下の所定の位置に移動する。こ
の間、ガラス基板１搬入時と同様、ステージ１７の不活
性ガス噴き出し孔４…には、マスフローコントローラ３
１を介してＡｒガスが供給され、図４の上向きの矢印で
示されるようにガラス基板１の裏面にＡｒガスを噴きつ
ける。これにより、ガラス基板１のたわみ量が軽減され
るので、ガラス基板１と載置台２２とは接触しない。次
に昇降ピン１４…が下降してガラス基板１を載置台２２
に載置すると、Ａｒガスの噴きつけが終了する。そし
て、載置台２２は処理室１１から退避し、ガラス基板１
をガラス基板搬送室１３に搬送する。その後、仕切り弁
１６が摺動されて開口部１５が閉じられ、処理室１１は
密閉される。

【００５１】次いで、ロードロック室１２とガラス基板
搬送室１３とを結ぶ開口部が開かれ、ロードロック室１
２にガラス基板１が搬送され、所定位置に載置される。
これにより、ガラス基板１上に形成されたＴａ薄膜にド
ライエッチング処理を施す際の処理工程が終了する。な
お、不活性ガス噴き出し孔４…より噴きつけられたＡｒ
ガスは、図４の下向きの矢印で示されるように排気管１
１ｂを介して排気される。

【００５２】以上のように、本ドライエッチング装置で
は、ガラス基板搬送ロボット２１によるガラス基板１の
出し入れ時に、四隅を昇降ピン１４…で支持されたガラ
ス基板１の下をガラス基板搬送ロボット２１の載置台２
２が移動する際、ステージ１７に設けられた不活性ガス
噴き出し孔４…より、ガラス基板１の裏面中心部付近に
不活性ガスが噴きつけられるようになっている。

【００５３】したがって、ガラス基板１のたわみ量は不
活性ガス気流により軽減されることとなり、昇降ピン１
４…の配置を変更したり、昇降ピン１４…を増加させた
り、あるいは昇降ピン１４…の長さを長くしたりするこ
となく、ガラス基板１と載置台２２との接触を回避する
ことができ、接触によるガラス基板１の損傷を防ぐこと
ができる。

【００５４】また、処理室１１内に上記不活性ガスが残
留した場合においても、不活性ガスであるので、このガ
スが上記処理に対して悪影響を及ぼすことはなく、長期
間安定して稼働させることができるとともに、ガラス基
板に対して安定して所定の処理を施すことができる。

【００５５】なお、本実施の形態においては、Ｔａ薄膜
をＣＦ₄ガスを用いてドライエッチング処理する場合を
例示して説明したが、ドライエッチング処理される薄膜
は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ
（タングステン）、Ｓｉ（ケイ素）等からなっていても
よい。また、エッチングガスは、Ｏ₂（酸素）ガス、Ｓ
Ｆ₂（二フッ化イオウ）等のフッ素系ガス、Ｃｌ₂（塩
素）やＨＣｌ（塩酸）等の塩素系ガス等であってもよ
く、例えば薄膜の種類等に応じて適宜変更すればよい。
さらに、ドライエッチング処理する代わりに、フォトレ
ジストをアッシング処理することもできる。

【００５６】また、本実施の形態においては、不活性ガ
ス噴き出し孔４…に導入されるガスの流量は、マスフロ
ーコントローラ３１により調節される構成としたが、上
記の流量は、いわゆるオリフィスにより調節される構成
であってもよい。また、バタフライ弁３５および排気装
置を用いてガラス基板搬送室１３内の真空のコンダクタ
ンスを調節する代わりに、メカニカルブースタポンプを
用い、このメカニカルブースタポンプをインバータ制御
することにより排気能力を調整し、上記の真空のコンダ
クタンスを調節する構成としてもよい。その上、ガラス
基板搬送ロボット２１は、ドライエッチング装置の単位
時間当たりの処理能力を高めるため、複数の載置台２２
を備えた構成となっていてもよい。

【００５７】〔実施の形態２〕本発明のその他の実施の
一形態について前述の図３を参照するとともに、図８に
基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本発明
の上述した実施の形態１にて示した部材と同一の機能を
有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略
する。

【００５８】本実施の形態に係る枚葉式基板処理装置で
あるドライエッチング装置におけるガラス基板搬送ロボ
ット２１の載置台２２には、図８に示すように、載置台
２２とガラス基板１とが接触するかどうか、すなわち、
ガラス基板１が載置台２２に接触し得る程度にまでたわ
んでいるかどうかを検知して出力する二つのセンサ（検
知手段）４０・４１が取り付けられている。なお、セン
サ４０・４１が載置台２２に取り付けられている以外
は、前記の実施の形態１で示した構成と同一の構成を有
している。

【００５９】載置台２２のほぼ中央部に取り付けられた
センサ４０は、ガラス基板１を処理室１１へ搬入後、載
置台２２が退避する際に、ガラス基板１のたわみ量が大
きく、載置台２２に接触する程度にたわんでいることを
検知すると、検知信号を制御装置に入力するようになっ
ている。また、センサ４１は、載置台２２の先端部に取
り付けられており、ガラス基板１を処理室１１より搬出
するため載置台２２が処理室１１に進入する際、ガラス
基板１のたわみ量が大きく、載置台２２に接触する程度
にたわんでいることを検知すると、検知信号を制御装置
に入力するようになっている。

【００６０】制御装置は、各センサ４０・４１からの検
知信号を受信すると、マスフローコントローラ３１、ガ
ス供給装置、排気装置等を制御して、ステージ１７の不
活性ガス噴き出し孔４…に不活性ガスを供給するように
なっている。

【００６１】本実施の形態におけるガラス基板１の処理
室１１への搬入は下記の手順で行われる（図３参照）。
まず、仕切り弁１６が摺動されて開口部１５が開き処理
室１１が開放される。次いでガラス基板搬送ロボット２
１の載置台２２等が駆動されて、処理室１１内の所定の
位置まで移動する。次いで昇降ピン１４…が上昇し、ガ
ラス基板１の四隅を支持して載置台２２から持ち上げる
と、載置台２２が処理室１１から退避する。このときセ
ンサ４０がガラス基板１と載置台２２の接触を検知する
と、制御装置の制御によりステージ１７の不活性ガス噴
き出し孔４…に、マスフローコントローラ３１を介して
不活性ガスが供給され、ガラス基板１の裏面に該不活性
ガスを噴きつける。これにより、ガラス基板１のたわみ
量が軽減されるので、ガラス基板１と載置台２２とは接
触しなくなる。

【００６２】載置台２２が退避すると、仕切り弁１６が
摺動されて開口部１５が閉じられ、処理室１１が密閉さ
れる。また、不活性ガスの噴きつけが終了し、昇降ピン
１４が下降して、ガラス基板１が処理室１１のステージ
１７上に載置される。なお、不活性ガス噴き出し孔４…
より噴きつけられた不活性ガスは、排気管１１ｂを介し
て排気される。

【００６３】次に、処理室１１にてドライエッチング処
理が行われた後、ガラス基板１は下記の手順で処理室１
１より搬出される（図３参照）。まず、昇降ピン１４…
がガラス基板１の四隅を支持して上昇する。次いで仕切
り弁１６が摺動されて開口部１５が開き、ガラス基板搬
送ロボット２１の載置台２２等が駆動されて、ガラス基
板１の下の所定の位置に移動する。このときセンサ４１
がガラス基板１と載置台２２とが接触することを検知す
ると、制御装置の制御によりステージ１７の不活性ガス
噴き出し孔４…に、マスフローコントローラ３１を介し
て不活性ガスが供給され、ガラス基板１の裏面に不活性
ガスを噴きつける。これにより、ガラス基板１のたわみ
量が軽減されるので、ガラス基板１と載置台２２とは接
触しなくなる。次に昇降ピン１４…が下降してガラス基
板１を載置台２２に載置すると、不活性ガスの噴きつけ
が終了する。

【００６４】そして、載置台２２は処理室１１から退避
し、ガラス基板１をガラス基板搬送室１３に搬送する。
その後、仕切り弁１６が摺動されて開口部１５が閉じら
れ、処理室１１は密閉される。なお、不活性ガス噴き出
し孔４…より噴きつけられた不活性ガスは、排気管１１
ｂを介して排気される。

【００６５】以上のように、本ドライエッチング装置で
は、ガラス基板搬送ロボット２１によるガラス基板１の
出し入れ時に、四隅を昇降ピン１４…で支持されたガラ
ス基板１の下をガラス基板搬送ロボット２１の載置台２
２が移動する際、ガラス基板１が載置台２２に接触し得
る程度に大きくたわんでいることがセンサ４０・４１に
て検知されると、ステージ１７に設けられた不活性ガス
噴き出し孔４…より、ガラス基板１の裏面中心部付近に
不活性ガスが噴きつけられるようになっている。

【００６６】これにより、前記の実施の形態１のドライ
エッチング装置と同様の作用・効果を奏することができ
るとともに、ガラス基板１と載置台２２が接触するとき
のみ不活性ガスを噴きつけるので、不活性ガスの消費量
を節約することができ、ランニングコストの削減が図れ
る。

【００６７】なお、本実施の形態においては、載置台２
２にガラス基板１と接触する際に信号を出力するセンサ
４０・４１を上記のような配置で設けた構成としたが、
センサの配置位置は、図８の例に限られるものでなはな
く、本発明の検知手段も、上記構成に限られるものでは
ない。

【００６８】また、本実施の形態においても、本発明の
枚葉式基板処理装置の構成を、薄膜形成装置の一種であ
るドライエッチング装置に適用した場合について説明し
たが、本発明は、ドライエッチング装置の他、例えば、
プラズマＣＶＤ装置やスパッタ装置等に好適に適用可能
であることは言うまでもない。

【００６９】〔実施の形態３〕本発明のその他の実施の
一形態について前述の図３を参照するとともに、図９に
基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本発明
の上述した実施の形態１にて示した部材と同一の機能を
有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略
する。

【００７０】本実施の形態に係る枚葉式基板処理装置で
あるドライエッチング装置は、図９に示すように、処理
室１１内の上部に、ガラス基板１の四隅に不活性ガスを
噴きつける上部不活性ガス噴きつけ部（第２不活性ガス
噴き出し手段）４５が設けられている。上部不活性ガス
噴きつけ部４５は、上部電極１８に設けられた上部不活
性ガス噴き出し孔４２…、これら上部不活性ガス噴き出
し孔４２…に不活性ガスを導入するガス導入管４３、そ
の流量を調整するマスフローコントローラ４４、図示し
ないガス供給装置、排気装置、および及び制御装置等か
ら構成されている。なお、上部不活性ガス噴きつけ部４
５が設けられている以外は、前記の実施の形態１で示し
た構成と同一の構成を有している。

【００７１】上部不活性ガス噴き出し孔４２…は、ガス
導入管４３が枝分かれする形で構成されており、上記の
ガス導入管４３は、マスフローコントローラ４４を介し
て図示しないガス供給装置に接続されている。したがっ
て、上部不活性ガス噴き出し孔４２…に導入されるガス
の流量は、マスフローコントローラ４４により適宜調節
されるようになっている。そして、上部不活性ガス噴き
出し部４５においては、ステージ１７の不活性ガス噴き
出し孔４…からガラス基板１の裏面に不活性ガスを噴き
つけるのに合わせて、ガラス基板１の表面四隅に不活性
ガスを噴きつけるようになっている。

【００７２】ガス導入管４３を介して供給されるガス
は、ガス導入管３０を介して供給されるガスと同様ドラ
イエッチングやプラズマＣＶＤ等の処理を行う際に、該
処理系に対して不活性な物質であれば、特に限定される
ものではない。不活性ガスを用いることにより、上記処
理を行う際における、処理室１１内に残留するガスの影
響を低減させることができる。

【００７３】本ドライエッチング装置におけるガラス基
板１の処理室１１への搬入は下記の手順で行われる（図
３参照）。まず、仕切り弁１６が摺動されて開口部１５
が開き、処理室１１が開放される。次いでガラス基板搬
送ロボット２１の載置台２２等が駆動されて、処理室１
１内の所定の位置まで移動する。次いで昇降ピン１４…
が上昇し、ガラス基板１の四隅を支持して載置台２２か
ら持ち上げると、載置台２２が処理室１１から退避す
る。この間ステージ１７の不活性ガス噴き出し孔４…
に、マスフローコントローラ３１を介して不活性ガスが
供給され、ガラス基板１の裏面に該不活性ガスを噴きつ
ける。これにより、ガラス基板１のたわみ量が軽減され
るので、ガラス基板１と載置台２２とは接触しなくな
る。また、上記ガラス基板１の裏面への不活性ガスの噴
きつけと同期して、上部不活性ガス噴き出し孔４２…
に、マスフローコントローラ４４を介して不活性ガスが
供給され、ガラス基板１の表面四隅に該不活性ガスを噴
きつける。これにより、裏面への不活性ガスの噴きつけ
によるガラス基板１の浮き上がりが防止される。

【００７４】載置台２２が退避すると、仕切り弁１６が
摺動されて開口部１５が閉じられ、処理室１１が密閉さ
れる。また、不活性ガスの噴きつけが終了し、昇降ピン
１４…が下降して、ガラス基板１が処理室１１のステー
ジ１７上に載置される。なお、不活性ガス噴き出し孔４
…、および上部不活性ガス噴き出し孔４２…より噴きつ
けられた不活性ガスは、排気管１１ｂを介して排気され
る。

【００７５】次に、処理室１１にてドライエッチング処
理が行われた後、ガラス基板１は下記の手順で処理室１
１より搬出される（図３参照）。まず、昇降ピン１４…
がガラス基板１の四隅を支持して上昇する。次いで仕切
り弁１６が摺動されて開口部１５が開き、ガラス基板搬
送ロボット２１の載置台２２等が駆動されて、ガラス基
板１の下の所定の位置に移動する。この間ステージ１７
の不活性ガス噴き出し孔４…に、マスフローコントロー
ラ３１を介して不活性ガスが供給され、ガラス基板１の
裏面に不活性ガスを噴きつける。これにより、ガラス基
板１のたわみ量が軽減されるので、ガラス基板１と載置
台２２とは接触しなくなる。また、上記ガラス基板１の
裏面への不活性ガスの噴きつけと同期して、上部不活性
ガス噴き出し孔４２…に、マスフローコントローラ４４
を介して不活性ガスが供給され、ガラス基板１の表面四
隅に不活性ガスを噴きつける。これにより、裏面への不
活性ガスの噴きつけによるガラス基板１の浮き上がりを
防止する。次に昇降ピン１４…が下降してガラス基板１
を載置台２２に載置すると、不活性ガスの噴きつけが終
了する。

【００７６】そして、載置台２２は処理室１１から退避
し、ガラス基板１をガラス基板搬送室１３に搬送する。
その後、仕切り弁１６が摺動されて開口部１５が閉じら
れ、処理室１１は密閉される。なお、不活性ガス噴き出
し孔４…、および上部不活性ガス噴き出し孔４２…より
噴きつけられた不活性ガスは、排気管１１ｂを介して排
気される。

【００７７】以上のように、本ドライエッチング装置で
は、処理室１１に上部不活性ガス噴きつけ部４５がさら
に設けられており、ガラス基板搬送ロボット２１による
ガラス基板１の出し入れ時に、四隅を昇降ピンで支持さ
れたガラス基板１の下を、ガラス基板搬送ロボット２１
の載置台２２が移動する際、ステージ１７に設けられた
不活性ガス噴き出し孔４…より、ガラス基板１裏面中心
部付近に不活性ガスが噴きつけられるのに同期して、上
部不活性ガス噴き出し孔４２…からガラス基板１表面四
隅に不活性ガスが噴きつけられるようになっている。

【００７８】これにより、前記の実施の形態１のドライ
エッチング装置と同様の作用／効果を奏することができ
るとともに、裏面への不活性ガスの噴きつけによるガラ
ス基板１の浮き上がりを防止するので、ガラス基板１が
昇降ピン１４…から落下し破損することを防ぐことがで
きる。

【００７９】なお、本発明における第２不活性ガス噴き
つけ手段の構成は、上記の上部不活性ガス噴きつけ部４
５の構成に限るものではなく、例えば上部不活性ガス噴
き出し孔４２…も本実施の形態では上部電極１８に設け
た構成としていたが、ノズル状にして上部電極１８とは
別途に設けてもよい。

【００８０】また、本実施の形態においても、本発明の
枚葉式ＬＣＤ用ガラス基板処理装置の構成を、薄膜形成
装置の一種であるドライエッチング装置に適用した場合
について説明したが、本発明は、ドライエッチング装置
の他、例えば、プラズマＣＶＤ装置やスパッタ装置等に
好適に適用することができることは言うまでもない。

【００８１】

【発明の効果】請求項１の発明に係る四隅が支持されて
持ち上げられた基板のたわみ軽減方法は、以上のよう
に、四隅が支持されて持ち上げられた平板状の基板に対
して、基板の裏面中心部付近に下方からガスを噴きつけ
ることで、基板に発生したたわみを軽減するものであ
る。

【００８２】これにより、四隅が支持されて持ち上げら
れた平板状の基板に発生したたわみを、基板の支持位置
を変更したり支持点を増加させたりすることなく、簡単
に軽減することができるという効果を奏する。

【００８３】請求項２の発明に係る枚葉式基板処理装置
は、以上のように、上記処理室に、基板搬送手段による
基板の搬入出時に、上記基板持ち上げ手段にて持ち上げ
られた基板の裏面中心部付近にステージ側から不活性ガ
スを噴きつける第１不活性ガス噴きつけ手段が設けられ
ている構成である。

【００８４】これにより、噴きつけられた不活性ガスの
風圧により基板のたわみは軽減されるので、持ち上げ手
段の支持位置を変更したり、支持点を増加させたり、あ
るいはより高く基板を持ち上げたりすることなく、基板
搬送手段の載置台と基板のたわんでいる部分との接触を
回避することが可能となり、接触による基板の破損等を
効果的に防止することができる。

【００８５】しかも、この場合、噴きつけるガスに不活
性ガスを用いているので、処理室内にこのガスが残留し
た場合においても、残留ガスが上記処理に対して悪影響
を及ぼすことはなく、長期間安定して可動させることが
できるとともに、基板に対して安定して所定の処理を施
すことができる。

【００８６】これらの結果、搬送する基板が、たとえ大
型・薄型のＬＣＤ用ガラス基板であっても、装置の大型
化や処理ムラを招来することなく、基板搬送手段の載置
台と基板との接触を回避して、安定して基板を搬送し
得、かつ、長期間安定して可動させることができるとと
もに、基板に対して安定して所定の処理を施すことが可
能な枚葉式基板処理装置を提供できるという効果を奏す
る。

【００８７】請求項３の発明に係る枚葉式基板処理装置
は、以上のように、請求項２に記載の構成において、上
記基板搬送手段の載置台に、基板のたわみが許容範囲に
あるか否かを検知する検知手段が設けられ、上記第１不
活性ガス噴きつけ手段は、上記検知手段にてたわみが許
容範囲を超えていることが検知された場合にのみ不活性
ガスを噴きつけるようになっている構成である。

【００８８】これにより、上記請求項２の構成による効
果に加えて、不活性ガスの無駄な消費がなくなるので、
不活性ガスの消費量を節約することができ、ランニング
コストを削減できるという効果を奏する。

【００８９】請求項４の発明に係る枚葉式基板処理装置
は、以上のように、請求項２に記載の構成において、上
記処理室に、第１不活性ガス噴きつけ手段が基板の裏面
に不活性ガスを噴きつける際に、処理室上部から基板の
表面四隅に不活性ガスを噴きつける第２不活性ガス噴き
つけ手段が設けられている構成である。

【００９０】これにより、請求項２の構成による効果に
加えて、第２不活性ガス噴きつけ手段からのガスの風圧
にて上から四隅が押さえつけられるので、第１不活性ガ
ス噴きつけ手段による下からの風圧にて基板が基板持ち
上げ手段から浮き上がるといったことを防止できるとい
う効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の概念を示す説明図である。

【図２】本発明の一実施例を示すものであり、枚葉式基
板処理装置であるドライエッチング装置の構成を示す破
砕断面図である。

【図３】上記ドライエッチング装置における要部を示す
もので、処理室およびガラス基板搬送室の部分の縦断面
図である。

【図４】上記ドライエッチング装置における処理室の構
成を示す縦断面図である。

【図５】上記ドライエッチング装置における処理室のス
テージに形成される不活性ガス噴き出し孔の配置例を示
す説明図である。

【図６】上記ドライエッチング装置におけるガラス基板
搬送装置のアーム部の構成を示す説明図である。

【図７】上記ドライエッチング装置におけるガラス基板
搬送装置の載置台の形状例を示す説明図である。

【図８】本発明の他の実施例を示すものであり、枚葉式
基板処理装置であるドライエッチング装置のガラス基板
搬送ロボットの載置台に取り付けられた検知手段である
センサの配置位置を示す説明図である。

【図９】上記ドライエッチング装置における処理室の縦
断面図である。

【図１０】従来のドライエッチング装置における処理室
およびガラス基板搬送室の部分の縦断面図である。

【符号の説明】

１ガラス基板（基板）２支持部材３底部４不活性ガス噴き出し孔（第１不活性ガス噴きつけ
手段）１１処理室１３ガラス基板搬送室（搬送室）１４昇降ピン（基板持ち上げ手段）１７ステージ２１ガラス基板搬送ロボット（基板搬送手段）２２載置台３０ガス導入管（第１不活性ガス噴きつけ手段）３１マスフローコントローラ（第１不活性ガス噴き
つけ手段）４０センサ（検知手段）４１センサ（検知手段）４５上部不活性ガス噴きつけ部（第２不活性ガス噴
きつけ手段）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｚ // Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｈ０１Ｌ 21/302 ＢＦ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】四隅が支持されて持ち上げられた平板状の
基板に対して、基板の裏面中心部付近に下方からガスを
噴きつけることで、基板に発生したたわみを軽減するこ
とを特徴とする四隅が支持されて持ち上げられた基板の
たわみ軽減方法。
【請求項２】ステージ上に載置された平板状の基板に対
して所定の処理を施す処理室と、この処理室に上記基板
を載置台に載せた状態で搬入出する基板搬送手段を有し
た搬送室とを備え、上記処理室に、基板搬送手段による
基板の搬入出時に、載置台からステージへ、或いはステ
ージから載置台へと基板を移すべく、基板の四隅を支持
して基板をステージ上から持ち上げる基板持ち上げ手段
が備えられている枚葉式基板処理装置において、上記処理室に、基板搬送手段による基板の搬入出時に、
上記基板持ち上げ手段にて持ち上げられた基板の裏面中
心部付近にステージ側から不活性ガスを噴きつける第１
不活性ガス噴きつけ手段が設けられていることを特徴と
する枚葉式基板処理装置。
【請求項３】上記基板搬送手段の載置台に、基板のたわ
みが許容範囲にあるか否かを検知する検知手段が設けら
れ、上記第１不活性ガス噴きつけ手段は、この検知手段にて
たわみが許容範囲を超えていることが検知された場合に
のみ不活性ガスを噴きつけるようになっていることを特
徴とする請求項２記載の枚葉式基板処理装置。
【請求項４】上記処理室に、第１不活性ガス噴きつけ手
段が基板の裏面に不活性ガスを噴きつける際に、処理室
上部から基板の表面四隅に不活性ガスを噴きつける第２
不活性ガス噴きつけ手段が設けられていることを特徴と
する請求項２記載の枚葉式基板処理装置。