JP2000144430A - 真空処理装置及びマルチチャンバ型真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空チャンバ内の基板支持台に設置される被
処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置
であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに
基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方
に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来の
真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を
提供する。 【解決手段】 真空チャンバＣ内の基板支持台１に設置
される被処理基板Ｓに所定真空下で所定の処理を施す真
空処理装置Ａであり、基板支持台１及び基板支持台昇降
装置２が共に該真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ
側壁構成部材６２に接続され、側壁構成部材６２の取り
外しとともにチャンバ本体外へ引き出すことができ、ま
た、チャンバＣ内へ導入されてくる所定のガスをプラズ
マ化するための放電電極５を備えており、該電極５がチ
ャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材６１に接
続され、側壁構成部材６１の取り外しとともにチャンバ
本体外へ引き出すことができる真空処理装置Ａ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所定減圧下で被処
理基板に所定の処理を施す真空処理装置、例えば所定真
空下で薄膜を形成する装置、所定真空下でエッチング処
理を実施する装置、所定真空下でイオン注入を行う装置
等の真空処理装置に関する。また本発明は、かかる真空
処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置等の
所定真空下で薄膜を形成する薄膜形成装置、反応性イオ
ンエッチング装置等の所定真空下でエッチング処理を実
施するエッチング装置、所定真空下でイオン注入を行う
イオン注入装置等の真空処理装置は、通常、被処理基板
に所定の処理を施すための真空チャンバを備えており、
該チャンバ内には被処理基板を支持する基板支持台が設
置され、さらに目的とする処理に応じた処理を実施する
ための電極その他の機器等のいずれかが設置されてい
る。

【０００３】また、真空処理装置は、基板支持台と真空
チャンバに接続された基板搬入及び（又は）搬出チャン
バ内の基板搬送ロボットとの間で基板を受け渡しするた
めに、通常、該基板支持台を昇降させる基板支持台昇降
装置を備えている。或いはさらに基板を基板支持台から
持ち上げるためのリフトピン等の基板リフト部材を備え
ている。

【０００４】かかる基板支持台、基板支持台昇降装置、
リフト部材等の従来例について、図１０を参照して説明
する。図１０（Ａ）は真空処理装置の１例であるプラズ
マＣＶＤ装置を示している。該プラズマＣＶＤ装置は、
真空チャンバ９１を備えており、該チャンバ９１内には
被処理基板Ｓを支持する基板支持台９２が設置されてい
るとともに支持台９２の上方に放電電極９３が設置され
ている。支持台９２はこの例では電極を兼ねており、接
地されている。電極９３にはマッチングボックス９４１
を介して高周波電源９４が接続されている。また、チャ
ンバ９１には成膜用のガスを供給するガス供給装置９
５、チャンバから排気する排気装置９６等が接続されて
いる。

【０００５】この装置によると、基板支持台９２上に被
処理基板Ｓを設置し、チャンバ９２内を排気装置９６に
て所定圧力に減圧する一方、ガス供給装置９５から成膜
用ガスをチャンバ９２内に供給し、電極９３に電源９４
から高周波電力を印加することで供給されてきたガスを
プラズマ化し、該プラズマのもとで基板Ｓ上に所定の薄
膜を形成する。処理中、基板Ｓは図示を省略した加熱冷
却装置により必要に応じ所定温度まで加熱又は冷却され
ることもある。

【０００６】基板支持台９２は昇降装置９００により若
干昇降できる。これにより真空チャンバ９１に接続され
た基板搬入及び（又は）搬出チャンバ（図示省略）内の
基板搬送ロボットとの間で基板Ｓを受け渡しできる。さ
らに説明すると、基板支持台９２の中央部下面に昇降用
軸９２１が突設されている。該軸９２１はチャンバ９１
の底壁９１１を昇降可能に貫通している。軸９２１のチ
ャンバ９１から外へ突出した部分は伸縮可能の気密ベロ
ーズ装置９２３に囲繞されており、該ベローズ装置の下
端部材を介してチャンバ外の駆動モータ（ここではピス
トンシリンダ装置）９８に接続されている。駆動モータ
９８の運転により基板支持台９２を若干昇降させること
ができる。また、チャンバ底壁９１１にはリフトピン９
７が立設されており、該ピンは基板支持台９２まで延び
ており、台９２が下降することで相対的に台９２の上へ
突出できる。

【０００７】基板Ｓの搬入搬出は次のように行われる。
すなわち、図１０（Ｂ）に示すように、基板搬入時、台
９２は予め下降させられ、リフトピン９７が相対的に上
方へ突出される。ロボットアームＲＡに支持された基板
Ｓがピン９７の上方へ搬入され、次いで該アームＲＡが
下降することで基板Ｓがピン９７に載置される。その後
アームＲＡは後退する。そのあと台９２が上昇して、図
１０（Ａ）に示すように基板Ｓを支持し、処理に供す
る。

【０００８】処理後の基板Ｓは、台９２が下降すること
でピン９７に支持され、ピン９７に支持された基板Ｓと
下降した台９２との間にロボットアームＲＡが挿入さ
れ、次いで該アームＲＡが上昇し、基板Ｓを支持し、そ
の状態でアームＲＡが後退し、かくして基板Ｓが搬出さ
れる。なお、昇降しないロボットアームＲＡを採用する
等の理由で、リフトピン９７を昇降させる装置を設ける
こともある。

【０００９】以上プラズマＣＶＤ装置を例にとって説明
したが、他の真空処理装置においても概ね同様の基板支
持台昇降装置或いはさらにリフト部材昇降装置を備えて
いる。そしてかかる基板支持台昇降装置やリフト部材昇
降装置は、真空チャンバ底部の下方へ突出するように設
けられている。

【００１０】また半導体メモリ、液晶ディスプレイ用Ｔ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＰＵ（マイクロプロセッ
サユニット）などの半導体デバイスや太陽電池等は、通
常、基板に所定材料の薄膜を所定真空下で形成する処
理、基板上の膜等を所定真空下でエッチングする処理な
どの複数の処理を所定の順序で基板に施すことで製造さ
れている。

【００１１】薄膜形成処理としては、真空蒸着法等のＰ
ＶＤ法やプラズマＣＶＤ等のＣＶＤ法などが採用されて
おり、エッチングについては、反応性イオンエッチング
等のプラズマによるドライエッチング等が採用されてい
る。ところが、複数の処理を一つの基板に施すとき、あ
る処理チャンバにおいて所定の処理が施された基板を、
次の処理を行うための処理チャンバに搬送するとき、そ
の基板は大気に触れてしまい、その基板に塵埃などが付
着したり、酸化したりするなどして汚染されてしまうこ
とがある。そのため、次の処理を行う前に基板を洗浄す
るなどの処理が必要となり、それだけ時間と手間がかか
り、生産効率が悪い。

【００１２】そこで、複数の処理を所定の順序で効率的
に行って生産性を向上させるため、或いは同一の処理を
複数同時に並行してすすめることで生産性を向上させる
ため、また塵埃などの基板への付着を抑制するなどのた
めに、一つの基板搬送チャンバを設け、その周囲に複数
の真空処理装置や基板搬入のためのロードロック室、基
板搬出のためのアンロードロック室、さらには必要に応
じ基板予備加熱等の前処理を実施する前処理チャンバ等
を接続したマルチチャンバ型の真空処理装置が提案され
ている。

【００１３】かかるマルチチャンバ型真空処理装置にお
ける複数の真空処理装置のうち、薄膜形成、エッチング
等のための真空処理装置については、図１０（Ａ）に示
す真空処理装置のように、基板支持台と、ガスプラズマ
形成のための放電電極とを備え、導入されてくる所定の
ガスを排気装置による排気減圧下に前記電極へ電力供給
してプラズマ化し、該プラズマのもとで前記基板支持台
に支持された被処理基板に所定の処理を施すプラズマ処
理装置が主流である。

【００１４】かかるプラズマ処理装置において、基板支
持台は、図１０（Ａ）に示す装置のように、真空チャン
バの底部に設置され、基板搬送ロボットとの基板の受け
渡しのために昇降可能とされ、処理チャンバ底部下方へ
突出するように基板支持台昇降装置が付設される。さら
に、基板搬送ロボットとの基板の受け渡しのために、基
板支持台だけでなく、基板支持台から基板を持ち上げる
ためのリフトピン等のリフト部材が昇降可能に設けら
れ、そのための昇降装置が処理チャンバ底部下方へ突出
するように付設されることもある。

【００１５】このように、基板支持台はチャンバ底部に
設置されるが、その場合、ガスプラズマ形成のための電
極は、該支持台上方（通常はチャンバ天井に近い領域）
に設置され、チャンバ外から電力供給される。また、該
電極には、基板面各部の均一な処理のために、基板面各
部に対しガスをシャワー状に均一に供給するためのガス
供給ノズルが組み込み形成され、それだけ重量が大きく
なることが多い。

【００１６】そして、単独の真空処理装置であれ、マル
チチャンバ型の真空処理装置であれ、メンテナンスは、
通常、真空チャンバの上部に開閉可能に設けられた蓋体
を開けて行われる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の真空処理装置のメンテナンスは、既述のとお
り、通常、真空チャンバの上蓋を開けてチャンバ上方よ
り行われるため、基板支持台の下面（裏面部分）やリフ
ト部材に付着した生成物の清掃、さらにはチャンバ内壁
（特にチャンバ底壁内面）に付着した生成物の清掃は困
難をきわめ、作業性がきわめて悪い。

【００１８】また、被処理基板が例えば液晶表示装置用
の大面積のガラス基板であるような場合、その大きさに
合わせて真空チャンバも大きく、従って上蓋も大きくな
るが、それにより上蓋重量が増大し、上蓋の開閉作業が
困難となり、メンテナンス時の作業性が悪化する。場合
によっては、人手で開閉できず、クレーンや電動リフタ
等を必要とする場合もある。

【００１９】目的とする処理を行うために必要な電極等
が基板支持台の上方に配置される場合、例えば前記プラ
ズマ処理装置のように基板支持台の上方にガスプラズマ
形成のための電極が配置される場合であって、それらが
上蓋に取り付けられる場合には、被処理基板が大面積化
してくると、前記のとおり上蓋が大きくなってくるばか
りか、該電極等も大形化してくるので、上蓋の開閉作業
は一層困難となり、人手で開閉できず、クレーンや電動
リフタ等を必要とする場合が多くなる。

【００２０】また、従来の真空処理装置では、基板支持
台昇降装置或いはさらにリフト部材昇降装置の大半の部
分が真空チャンバ底壁下方に配置されるので、基板処理
のスループットを向上させるために真空チャンバを複数
採用しようとする場合において、装置設置面積の節約の
ために真空チャンバを上下方向に重ねて配置しようとし
てもそれができない。

【００２１】特に、真空処理装置は、通常、クリーンル
ームに設置されるところ、マルチチャンバ型真空処理装
置において、個々の真空処理装置が大形化してくると、
それら真空処理装置を前記中央の基板搬送チャンバの周
囲において重ね配置できないから、個々の真空処理装置
が大形化するに伴い中央の基板搬送チャンバを大形化し
なければならず、そのため中央基板搬送チャンバの設置
平面面積が増大し、ひいてはマルチチャンバ型真空処理
装置全体の設置平面面積が増大し、これにともないクリ
ーンルームの大形化が要求され、これらにより基板処理
コストが増す。

【００２２】そこで本発明は、真空チャンバ内の基板支
持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理
を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板
支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従
来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装
置を提供することを課題とする。また本発明は、真空チ
ャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真
空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チ
ャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材の
メンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極
その他の部品のメンテナンスを従来の真空処理装置より
も簡単、容易に行える真空処理装置を提供することを課
題とする。

【００２３】また、本発明は、真空チャンバの底壁下方
に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設される
ことがなく、それだけ真空チャンバの上下方向の重ね配
置が容易である真空処理装置を提供することを課題とす
る。さらに本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設
置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真
空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置
であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つ
については、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或
いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来のマル
チチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマ
ルチチャンバ型真空処理装置を提供することを課題とす
る。

【００２４】また本発明は、真空チャンバ内の基板支持
台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を
施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処
理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくと
も一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支
持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さら
に基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメン
テナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも
簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提
供することを課題とする。

【００２５】さらに本発明は、設置平面面積を従来のマ
ルチチャンバ型真空処理装置より小さくできるマルチチ
ャンバ型真空処理装置を提供することを課題とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明は先ず、真空チャンバ内の基板支持台に設置され
る被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理
装置であり、前記基板支持台の昇降装置を備えており、
該基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に該真空チャ
ンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続さ
れ、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体
外へ引き出すことができることを特徴とする真空処理装
置を提供する。

【００２７】この真空処理装置によると、従来の真空処
理装置と同様に基板支持台に被処理基板を設置して所定
の処理を施すことができる。また、この真空処理装置に
よると、基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に真空
チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続
され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本
体外へ引き出すことができるので、そのように引き出す
ことで、真空チャンバ内壁や基板支持台のメンテナンス
を従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える。

【００２８】真空チャンバ内に配置された電極等の部品
のメンテナンスについても前記チャンバ側壁構成部材を
取り外したあとにできる開口部から容易に行える。かか
る電極等の部品、例えば前記真空チャンバ内において該
チャンバ内へ導入されてくる所定のガスをプラズマ化す
るプラズマ形成のための放電電極についても、真空チャ
ンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続し
て、該側壁部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ
引き出せるようにしてもよい。

【００２９】このようにすると、かかる電極等の部品に
ついてのメンテナンスが一層簡単、容易になる。なお、
基板支持台を接続する側壁構成部材と電極を接続する側
壁構成部材とは、同じ部材でもよく、別々に設けられて
いてもよい。また、本発明の真空処理装置は、真空チャ
ンバの底壁下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大
きく突設されることがないので、それだけ真空チャンバ
の上下方向の重ね配置が容易であり、真空処理装置を複
数備えたマルチチャンバ方式の真空処理装置を構成する
場合において、該装置をその設置面積を節約できる構成
にすることができ、ひいてはマルチチャンバ型真空処理
装置を設置するクリーンルームをそれだけ床面積を小さ
くして安価にできる。

【００３０】また、真空チャンバ内を所定の真空状態に
排気する排気装置は該真空チャンバの側壁に形成された
排気口に接続されていてもよい。このような真空処理装
置については、その上又は下に別の真空処理装置を重ね
配置し易くなる。真空チャンバ内の前記基板支持台と通
常該真空チャンバに接続される基板搬入及び（又は）搬
出チャンバにおける基板搬送ロボットとの間で被処理基
板を受け渡しするにあたり、該基板搬送ロボットの基板
を支持するロボットアームが昇降しないものであるとき
は、前記基板支持台に対し相対的に昇降して該基板支持
台上方へ突出できる基板リフト部材及び該リフト部材の
昇降装置を備えることができる。

【００３１】該基板リフト部材及び基板リフト部材昇降
装置も共に前記チャンバ本体に着脱可能の前記チャンバ
側壁構成部材に接続し、該側壁構成部材の取り外しとと
もに該チャンバ本体外へ引き出すことができるようにす
ればよい。前記基板支持台昇降装置としては、前記基板
支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続
され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体
への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側
壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き
出される支持フレームと、前記チャンバ側壁構成部材の
外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、少なくとも一
部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を
受けて前記基板支持台を昇降させるリンク機構とを含ん
でいるものを例示できる。

【００３２】このような基板支持台昇降装置を採用する
場合、前記基板支持台を昇降させるリンク機構として
は、前記支持フレーム上に回転可能に搭載され、前記駆
動部から動力を受けて正逆回転可能の軸棒と、該軸棒と
前記基板支持台とに連結され、該軸棒の回転運動を該基
板支持台の上下運動に変換するカム機構等の動作変換機
構とを含むものを例示できる。このようなリンク機構を
採用する場合、前記駆動部として、例えば、正逆回転可
能のモータと、該モータの動力を前記軸棒に伝達する伝
達機構とを含むものを例示できる。

【００３３】いずれにしても、かかる軸棒は、その片側
端部を気密に且つ回転可能に前記チャンバ側壁構成部材
に嵌めておくことができる。その場合、真空回転シール
をチャンバ側壁構成部材に設け、これに回転可能に且つ
気密に前記軸棒を貫通させてもよい。また、前記基板リ
フト部材は、例えば、リフト部材上端が前記基板支持台
上面以下に位置するポジションと該リフト部材上端が該
基板支持台上面より上方へ突出するポジションとの間を
往復昇降可能に該基板支持台に搭載されているものを挙
げることができる。この場合、前記基板リフト部材昇降
装置として、例えば、前記基板支持台の下方において前
記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構
成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チ
ャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しと
ともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレーム
と、前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動
作可能の駆動部と、少なくとも一部が該支持フレームに
搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記リフト部材
を駆動（通常は上下方向駆動）するリンク機構とを含ん
でいるものを挙げることができる。

【００３４】前記リフト部材はその自重で下降できるよ
うにしておいてもよいが、バネ手段により常時下降方向
へ付勢されていてもよい。いずれにしても、リフト部材
を駆動するリンク機構としては、前記支持フレーム上に
回転可能に搭載され前記駆動部から動力を受けて正逆回
転できる軸棒と、該軸棒の回転運動を該リフト部材の上
下方向運動に変換するカム機構等の動作変換機構とを含
むものを例示できる。例えば、該軸棒に連結されてリフ
ト部材下端面に当接し、該リフト部材をカム従動部材と
するカム機構を例示できる。

【００３５】いずれにしても、軸棒の回転運動を該リフ
ト部材の上下方向運動に変換する機構を採用する場合、
前記駆動部として、例えば、正逆回転可能のモータと、
該モータの動力を前記軸棒に伝達する伝達機構とを含む
ものを例示できる。なお、支持フレームについては、前
記の基板支持台昇降装置を設けるための支持フレームと
ここに挙げる基板リフト部材昇降装置を設けるための支
持フレームは、共通のものでも、別々に設けられてもよ
い。

【００３６】既に若干触れたが、以上説明した本発明に
かかるいずれの真空処理装置も、真空チャンバ内の基板
支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処
理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真
空処理装置における該複数の真空処理装置のうちの少な
くとも一つとして採用することができる。また、マルチ
チャンバ型真空処理装置において、以上説明した本発明
にかかるいずれの真空処理装置も複数採用することがで
きる。その場合、該複数の真空処理装置のうち少なくと
も二つは上下方向に順次重ねて配置してもよい。そうす
ることでマルチチャンバ型真空処理装置の設置平面面積
をそれだけ節約できる。

【００３７】またマルチチャンバ型真空処理装置におい
ては、それを構成している複数の真空処理装置に対し共
通の基板搬送チャンバを設けることができる。このよう
なマルチチャンバ型真空処理装置によると、従来のマル
チチャンバ型真空処理装置と同様に、被処理基板に対し
複数の処理を所定の順序で効率的に行って、或いは複数
の被処理基板について同様の処理を同時並行して実施し
て、目的とする物品の生産性を向上させることができ
る。

【００３８】そして、複数の真空処理装置のうち、基板
支持台等が真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁
構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しととも
に該チャンバ本体外へ取り出すことができる真空処理装
置については、該側壁構成部材をチャンバ本体から取り
外すことで、それに接続された基板支持台等をチャンバ
本体外へ取り出し、容易にメンテナンスできる。被処理
基板のサイズが大きく、従って真空チャンバ、基板支持
台等が大きいときでも、該基板支持台等をチャンバ本体
外へ容易に取り出し、作業性よく容易にメンテナンスで
きる。従って、マルチチャンバ型真空処理装置全体とし
ても、それだけ装置メンテナンスが容易である。

【００３９】なお、マルチチャンバ型真空処理装置で
は、複数の真空処理装置のそれぞれを基板搬送チャンバ
の周囲に放射状に接続する、或いはその場合において複
数の真空処理装置のうち少なくとも二つについては上下
方向に重ね配置し、重ねられたチャンバについては、そ
の重ねられた状態で共通の基板搬送チャンバに接続す
る、或いは全て真空処理装置を上下方向に重ね配置し、
これらを共通の基板搬送チャンバに接続する等を例示で
きる。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明に係る真空処理装
置の１例であるプラズマＣＶＤ装置Ａの水平断面概略図
である。図２は図１に示すプラズマＣＶＤ装置の図１に
おけるＸ−Ｘ線に沿う一部省略の概略断面図であり、図
３、４はそれぞれ、本発明に係る真空処理装置Ａに設置
されている基板支持台昇降装置２、基板リフトピン昇降
装置４の１例の概略構成を示す図である。

【００４１】前記プラズマＣＶＤ装置Ａは、直方体の真
空チャンバＣを備えており、該チャンバ内には被処理基
板Ｓを支持する基板支持台１が設置されているとともに
支持台１の上方のチャンバ天井近辺に、ガスプラズマ形
成のための放電電極５を備えている。基板支持台１は電
極を兼ね、接地されており、放電電極５にはマッチング
ボックスＭＢを介して高周波電源ＰＳが接続されてい
る。また、放電電極５には、被処理基板面各部の均一な
処理のために、該基板面各部に対しガスをシャワー状に
均一に供給するためのガス供給ノズル５１が組み込み形
成されている。

【００４２】真空チャンバＣは本体側壁ｃ１に排気口７
を備え、排気口７に該チャンバ内を所定の真空状態に排
気する真空排気装置Ｅｘが接続されている。また、排気
口７と向かい合っている側壁ｃ２に基板搬入搬出用開口
８を有している。開口８には、基板搬入搬出用チャンバ
Ｒがゲート弁Ｖを介して接続されている。図２に示すよ
うに、排気口７及び基板搬入搬出用開口８が設けられて
いないチャンバ側壁ｃ３、ｃ４には、それぞれ開口部ｃ
３１、ｃ４１が形成されている。開口部ｃ３１は、チャ
ンバ本体の天井壁ｃ６近傍に設けられており、着脱可能
の上部チャンバ側壁構成部材６１で閉じることができ
る。開口部ｃ４１は底壁ｃ５近傍に設けられており着脱
可能の下部チャンバ側壁構成部材６２で閉じることがで
きる。

【００４３】上部チャンバ側壁構成部材６１には、上部
支持プレート６１１がその片側端部で接続されており、
プレートに絶縁物５２を介して前記放電電極５が固定さ
れている。チャンバＣの天井壁ｃ６内面に、上部チャン
バ側壁構成部材６１の着脱時に上部支持プレート６１１
の出入の位置決めをするとともに、たわみ等の変形を防
止するためのガイドローラ６１２が架設されている。ガ
イドローラ６１２は、上部支持プレート６１１の大きさ
に合わせて、且つ、支持プレート６１１の出入方向に沿
う各プレート側端部下面に対し３個ずつ、計６個設置さ
れている。かくしてプレート６１１は（従って電極５
は）ガイドローラ６１２に支持され、側壁構成部材６１
をチャンバＣ本体から取り外すことで、プレート６１１
を電極５と共に外へ引き出すことができる。或いはこれ
らをチャンバＣ内へ設置して部材６１をチャンバ本体に
接続固定することができる。

【００４４】また、側壁構成部材６１には放電電極５へ
電力を供給するための電力供給端子６１４と、ガス供給
ノズル５１にガスを供給するためのガス供給装置接続口
部６１３を設けてある。電極５は端子６１４に接続され
ており、ノズル５１はその内側空洞部が接続口部６１３
に配管接続されている。チャンバ外部の電源ＰＳはマッ
チングボックスＭＢを介して端子６１４に接続され、ガ
ス供給装置ＧＳは接続口部６１３に接続され、プレート
６１１や電極５を外へ引き出すときは、必要に応じ、電
源ＰＳ及びマッチングボックスＭＢやガス供給装置ＧＳ
が外される。

【００４５】下部チャンバ側壁構成部材６２には、基板
支持台１及び基板支持台昇降装置２が接続されている。
基板支持台昇降装置２は下部支持プレート６２１を含ん
でおり、プレート６２１は片側端部でチャンバ側壁構成
部材６２に接続固定されている。基板支持台１はプレー
ト６２１の上方に配置されている。チャンバＣの底壁ｃ
５の内面には下部支持プレート６２１の大きさに合わせ
て片側３個ずつ、計６個の支持ローラ６２３が設置され
ており（図２、図３、図４参照）、さらに底壁ｃ５内面
には下部支持プレート６２１の出入の位置決めをする側
方ガイド部材６２２が片側２個ずつ、計４個設置されて
いる（図１、図３、図４参照）。

【００４６】かくして、側壁構成部材６２をチャンバ本
体から取り外すことで、プレート６２１を該プレート６
２１や部材６２に取り付けられた部品と共に外へ引き出
すことができる。或いは、それら部品をチャンバ内に設
置して、部材６２をチャンバ本体に接続固定することが
できる。昇降装置２はさらに、プレート６２１上に搭載
された一対の回転軸（以下「シャフト」という。）２
１、シャフト２１の回転運動を基板支持台１の昇降運動
に変換するカム機構２３０、及び、シャフト２１に動力
を付与する駆動部２５等を備えている。

【００４７】一対のシャフト２１はプレート６２１の出
し入れ方向に互いに平行に配置され、各シャフトに対し
て２個ずつの軸受２２にてプレート６２１上に回転可能
に支持されている。カム機構２３０は、各シャフト２１
に２個ずつ嵌着されたカム２３と、各カム２３の自由端
に回転自在に取り付けられたローラ２３１とを含んでい
る。カム２３は合計４個あるが、２個ずつが、プレート
出し入れ方向に直交する方向に対をなすように揃えられ
ており、各対のカム２３に対応させて基板支持台１の下
面から脚体１１が突設されている。各脚体１１の両端部
にはそれぞれカム従動部としての横溝部１１１が設けら
れており、前記のローラ２３１はこの横溝部１１１に転
動可能に嵌合している。そして、各対のカム２３は側壁
構成部材６２側からみて左右対称に配置されている。

【００４８】また、各シャフト２１は図１に示すよう
に、側壁構成部材６２に設けられた孔６２４から外部に
突出しており、この突出端部に前記の駆動部２５が接続
されている。すなわち、各シャフト２１には、側壁構成
部材６２の外側において回転導入装置２４が気密に嵌ま
っており、装置２４は側壁構成部材６２の外面に気密に
接続固定されている。各シャフト２１の装置２４から突
出した部分は、図１及び図５に示すように、ウォームギ
アボックス２５３内のウォームホイールに嵌着されてお
り、両ギアボックス２５３中のウォームは共通の１本の
軸棒２５１の両端部に形成されている。さらに、この軸
棒２５１は正逆回転可能のモータ２５２で回転駆動可能
である。モータ２５２は図示を省略した部材を介して側
壁構成部材６２に支持されている。

【００４９】かくして、モータ２５２を運転することで
プレート６２１上の１対のシャフト２１を、従って各対
における２つのカム２３を互いに反対方向に回すことが
でき、カム２３が回転することで、基板支持台１が昇降
する。なお、各対のカム２３は左右対称にではなく、互
いに平行に配置して、一対のシャフト２１を同方向に回
すことで、各対のカム２３を昇降回動させるようにして
もよい。

【００５０】前記基板搬入搬出用チャンバＲ内には基板
搬送ロボットが設置されており、ロボットアームＲＡ
（図３参照）を利用して真空チャンバＣ内の基板支持台
１に、基板Ｓを渡したり、基板支持台１から基板Ｓを受
け取ったりできる。基板Ｓを受け渡しするとき、ロボッ
トアームＲＡを基板Ｓの下方に挿入するのであるが、そ
のための間隙を作るため、基板Ｓを持ち上げる複数の基
板リフトピン３と、基板リフトピン３を昇降させる基板
リフトピン昇降装置４を備えている。

【００５１】リフトピン３は前記の一対のシャフト２１
と平行方向に沿って複数本（ここでは４本）ずつ２列に
配列され、各リフトピン３は基板支持台１に上下方向に
貫通する孔１２に昇降可能に嵌合されている。各ピン３
はピン本体３１の上下端にそれぞれ抜け落ち防止のため
のストッパ３２及びバネストッパ３４を有している。ピ
ン３は孔１２の下方へ突出しており、その突出部分にピ
ンを常時下降方向へ付勢するバネ３３が嵌められ、バネ
ストッパ３４に支えられている。上側のストッパ３２は
リフトピン３がバネ３３に付勢されて下降位置にあると
き、台１上面の凹所に嵌入して、支持台上面以下の位置
をとる。

【００５２】基板リフトピン昇降装置４は、基板支持台
１の下方に配置されており、２本のシャフト４１とリン
ク機構４４を備えている。２本のシャフト４１は前記の
一対のシャフト２１の間に、且つ、該シャフト２１と平
行に配置され、各シャフト４１はそれぞれ２個の軸受４
２により前記下部支持プレート６２１に回動可能に支持
されている。各シャフト４１には、各リフトピン３に対
応させてカム４３が嵌着されており、各ピン３は、前記
のバネ３３に付勢されて、対応するカム４３にバネスト
ッパ３４の部分で当接できる。

【００５３】片方のシャフト４１は下部側壁構成部材６
２に開けられた孔６２５（図１参照）に対し設けられた
気密シール構成の回転導入機６２６に連結されている。
回転導入機６２６は側壁構成部材６２の外面に気密に固
定され、基板リフトピン駆動用の正逆回転可能のモータ
４１１に接続されている。モータ４１１も図示を省略し
た部材を介して側壁構成部材６２に支持されている。

【００５４】前記リンク機構４４は、図６に示される構
造になっている。すなわち、２本のシャフト４１のうち
モータ４１１に回転導入機６２６を介して連結されたシ
ャフト４１ａの回転をリンクアーム４４１、４４２、４
４３を介して他方のシャフト４１ｂに伝えるものであ
る。リンクアーム４４１はシャフト４１ａに、アーム４
４３はシャフト４１ｂにそれぞれ嵌着されている。ま
た、各リンクアーム４４１〜４４３は接続ピン４４４に
よって互いに回動可能に連結されている。シャフト４１
ａとシャフト４１ｂの回転方向は互いに反対方向であ
る。かくして、モータ４１１の運転にて、各シャフト４
１（４１ａ、４１ｂ）を、従ってそれに嵌着されている
カム４３をそれぞれ反対方向に、且つ、ピン３を上昇さ
せる方向に回転駆動することで、各ピン３をバネ３３に
抗して基板支持台１の上面の上方へ突出させることがで
きる。モータ４１１を逆運転することで、カム４３を逆
方向に回し、それにより各ピン３がバネ３３で基板支持
台１の上面以下の位置へ下降することを許すことができ
る。

【００５５】なお、リンク機構４４は側壁構成部材６２
の外側に設けられていてもよい。また、リンク機構４４
における左右のカム４３は互いに平行に配置して、同方
向に回せるようにしてもよい。以上説明した真空処理装
置（プラズマＣＶＤ装置）Ａによると次のように被処理
基板Ｓに膜形成処理を施すことができる。

【００５６】先ず図４に示すように、基板搬入時、基板
支持台１を予め、図４に実線で示す下限位置ｐ１に配置
しておき、基板リフトピン３は基板支持台１内に下降さ
せておく。次に基板搬送チャンバＲ内に予め搬入され
て、該チャンバ内のロボットアームで支持された被処理
基板Ｓを該ロボットアームで装置ＡのチャンバＣ内の基
板リフトピン３の上方へ搬入する。この基板の搬入にあ
たってはゲート弁Ｖを開ける。

【００５７】次いでリフトピン昇降装置４におけるモー
タ４１１の運転にて同装置における各カム４３を回動さ
せ、それにより各ピン３をバネ３３に抗して持ち上げ、
基板支持台１の上面上方へ突出させ、突出したピン３に
搬入されてきた基板Ｓを支持させる。その後、ロボット
アームを後退させ、ゲート弁Ｖを閉じる。また、ロボッ
トアームが後退した後、モータ４１１を逆回転させ、ピ
ン３がバネ３３の弾性復元力で基板支持台１内へ下降す
ることを許すとともに、基板支持台昇降装置２における
モータ２５２を運転して一対のシャフト２１、それに嵌
着されたカム２３を回動させて支持台１を上昇させる。
かくして基板Ｓは基板支持台１に設置されるとともに該
支持台が図３に実線で示す上限位置ｐ２に配置されるこ
とで基板処理位置に配置される。

【００５８】この状態で、或いはこの状態を得るに先立
って、チャンバＣ内から排気装置Ｅｘにて真空排気し、
チャンバＣ内を所定の成膜気圧にする。また、ガス供給
装置ＧＳから成膜用ガスをチャンバＣ内へ導入するとと
もに電源ＰＳから放電電極５に高周波電力を印加して導
入したガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜
基板Ｓ表面に所定の膜を形成する。

【００５９】膜形成後は、基板支持台昇降装置２におい
てモータ２５２を逆回転させ、それにより一対のシャフ
ト２１及びそれに支持されているカム２３を逆回動させ
ることで支持台１を当初の位置ｐ１へ下降させる一方、
基板リフトピン３を前記と同様にして支持台１の上方へ
突出させ、処理済基板Ｓを該ピンに支持させる。ここ
で、ゲート弁Ｖを開け、ロボットアームを該基板Ｓと支
持台１との間へ挿入し、次いでピン３を支持台１内へ下
降させることで基板Ｓをロボットアームに支持させ、そ
の後ロボットアームを基板搬送チャンバＲへ後退させる
ことで基板Ｓを搬出し、ゲート弁Ｖを閉じる。基板搬送
チャンバＲへ搬出された基板Ｓはその後チャンバＲ外へ
搬出されるか、或いは次の処理のための図示しないチャ
ンバ内へ搬入される。

【００６０】以上説明したプラズマＣＶＤ装置Ａによる
と、基板支持台１及び基板支持台昇降装置２並びにリフ
トピン３及びその昇降装置４が共に真空チャンバＣ本体
に着脱可能のチャンバ側壁構成部材６２に接続され、側
壁構成部材６２の取り外しとともにチャンバＣ本体外へ
引き出すことができるので、そのように引き出すこと
で、真空チャンバＣの内壁、基板支持台１、リフトピン
３、これらの昇降装置２、４のメンテナンスを従来の真
空処理装置よりも簡単、容易に行える。

【００６１】また、放電電極５やそれに組み合わされた
ガス供給ノズル５１については真空チャンバＣ本体に着
脱可能のチャンバ側壁構成部材６１に接続され、側壁構
成部材６１の取り外しとともにチャンバＣ本体外へ引き
出すことができるので、そのように引き出すことで、電
極５等のメンテナンスも従来の真空処理装置よりも簡
単、容易に行える。

【００６２】被処理基板のサイズが大きく、従って真空
チャンバ、電極、基板支持台等が大きいときでも、該電
極、基板支持台等をチャンバ本体外へ容易に取り出し、
作業性よくメンテナンスできる。また、このプラズマＣ
ＶＤ装置Ａでは、真空チャンバＣの底壁下方に基板支持
台昇降装置２やリフトピン昇降装置４が突設されること
がないので、それだけ真空チャンバＣの上下方向の重ね
配置が容易であり、真空処理装置を複数備えたマルチチ
ャンバ型真空処理装置を構成する場合において、該装置
をその設置面積を節約できる構成にすることができ、ひ
いてはマルチチャンバ型真空処理装置を設置するクリー
ンルームをそれだけ床面積を小さくして安価にできる。

【００６３】また、真空チャンバＣ内を所定の真空状態
に排気する排気装置Ｅｘは真空チャンバＣの側壁ｃ１に
形成された排気口７に接続されているので、この点から
もチャンバＣの上又は下に別の真空処理装置を重ね配置
し易い。次に本発明に係る真空処理装置の他の例につい
て図７を参照して説明する。図７に示す真空処理装置
Ａ’は、図１等に示す装置Ａと同様にプラズマＣＶＤ装
置であり、装置Ａにおいて、真空チャンバＣの側壁ｃ３
に開口ｃ３１を設け、これに対しチャンバ側壁構成部材
６１を着脱可能に設けるとともに、側壁ｃ４に開口ｃ４
１を設け、これに対しチャンバ側壁構成部材６２を着脱
可能に設けたことに代えて、片方の側壁ｃ４に大きい開
口ｃ４２を設け、これに対し大きい側壁構成部材６２’
を着脱自在に設け、この側壁構成部材６２’の上部に、
装置Ａで示したガス供給ノズル５１を組み合わせた放電
電極５等を接続するとともに、側壁構成部材６２’の下
部に、基板支持台１、その昇降装置２、リフトピン３、
その昇降装置４等を接続したものである。その他の点
は、部品の配置位置や向き等の若干の点を除けばプラズ
マＣＶＤ装置Ａと実質上同じ構成のものである。装置Ａ
におけると同じ部品については同じ参照符号を付してあ
る。

【００６４】図７のプラズマＣＶＤ装置Ａ’によると、
側壁構成部材６２’をチャンバＣの本体から取り外すこ
とで、上側の放電電極５等と、下側の基板支持台１等を
同時にチャンバＣ外へ引き出すことができ、また、側壁
構成部材６２’をチャンバＣの本体に接続固定すること
で、上側の放電電極５等と、下側の基板支持台１等を同
時にチャンバＣ内に設置することができる。

【００６５】このように側壁構成部材６２’の着脱は、
装置Ａの場合と異なり真空チャンバＣの片側から行える
ので、メンテナンススペースとしてチャンバＣの両サイ
ドを考慮する必要がなく、それだけ装置置き場所の制約
を受けにくい。なお、以上説明した装置ＡやＡ’は真空
チャンバＣ内に導入するガスとしてエッチング用ガスを
採用することでプラズマによるエッチング処理にも応用
できる。また、プラズマによる他の処理にも応用でき
る。

【００６６】次に本発明に係るマルチチャンバ型真空処
理装置の１例について図８及び図９を参照して説明す
る。図８は被処理基板Ｓに複数の処理を順次施すことの
できる複数の真空処理装置Ａａ、Ａｂ、Ａｃを備えるマ
ルチチャンバ型真空処理装置ＡＭの概略平面図である。
図９は図８に示すマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭの
Ｙ−Ｙ線に沿う概略断面図である。

【００６７】マルチチャンバ型真空処理装置ＡＭは、真
空処理装置Ａａ〜Ａｃ、基板搬入チャンバＣｉ、基板搬
出チャンバＣｏ、基板搬送チャンバＲ’を備えている。
真空処理装置Ａａ〜Ａｃは、前記プラズマＣＶＤ装置Ａ
と実質上同構造の装置であり、処理装置Ａａは真空チャ
ンバＣａを、処理装置Ａｂは真空チャンバＣｂを、処理
装置Ａｃは真空チャンバＣｃを備えており、これら真空
チャンバは上下方向に順次重ね配置されている。

【００６８】そして基板搬送チャンバＲ’はこれら重ね
配置された真空チャンバＣａ、Ｃｂ、Ｃｃに対し共通の
一つの基板搬送チャンバとなっており、チャンバＣａ、
Ｃｂ、Ｃｃの側壁開口８ａ、８ｂ、８ｃにそれぞれゲー
ト弁Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅを介して接続されている。また、
基板搬入チャンバＣｉ及び基板搬出チャンバＣｏも重ね
配置されており、これらチャンバは、一方で基板搬送チ
ャンバＲ’にゲート弁Ｖｂ、Ｖｆを介して接続されてお
り、他方でそれぞれゲート弁Ｖａ、Ｖｇを介して外部に
臨んでいる。

【００６９】各処理装置についてさらに説明すると、処
理装置Ａａは、図８及び図９に示すように、ガス供給ノ
ズルを組み合わせた放電電極５ａ等を備えており、これ
は真空チャンバＣａの本体側壁開口に対し着脱可能に設
けられた側壁構成部材６１ａに、前記の装置Ａにおける
場合と同様に接続されている。また、側壁構成部材６１
ａを介して電極５ａにマッチングボックスＭＡａ及び電
源ＰＳａが順次接続されているとともにガス供給ノズル
にガス供給装置ＧＳａが接続されている。

【００７０】また、基板支持台１ａや基板リフトピン３
ａ、これらの昇降装置（前記装置Ａにおけると同様の昇
降装置）も備えており、これらは真空チャンバＣａのも
う一つの本体側壁開口に対し着脱可能に設けられた側壁
構成部材６２ａに前記装置Ａの場合と同様に接続されて
いる。なお、図８において２５ａは基板支持台昇降装置
における駆動部であり、４１１ａはリフトピン昇降装置
におけるモータであり、Ｅｘａは排気装置である。

【００７１】他の処理装置Ａｂ、Ａｃについても処理装
置Ａａと実質上同じ構成である。図９において、処理装
置Ａｂにおける５ｂは放電電極、１ｂは基板支持台、３
ｂはリフトピン、Ｅｘｂは排気装置であり、処理装置Ａ
ｃにおける５ｃは放電電極、１ｃは基板支持台、３ｃは
リフトピン、Ｅｘｃは排気装置である。図示を省略した
が、チャンバＲ’、Ｃｉ、Ｃｏにも排気装置が接続され
ている。

【００７２】基板搬送チャンバＲ’中には、回動、伸
縮、昇降可能なロボットアームＲＡ’が設置されてい
る。このアームは全体の図示を省略したロボット本体の
一部である。なお、特に断らないかぎり、基板搬送チャ
ンバＲ’に接続された搬入チャンバＣｉ、搬出チャンバ
Ｃｏ及び各真空チャンバＣａ〜Ｃｃへの基板Ｓの搬入
や、各チャンバからの基板の搬出は、それぞれのチャン
バと基板搬送チャンバＲ’の間に配置された各ゲート弁
を、また、処理装置ＡＭ外部より搬入チャンバＣｉへの
搬入や、搬出チャンバＣｏより処理装置ＡＭ外部への搬
出は、各チャンバＣｉ、Ｃｏと処理装置ＡＭ外部とを仕
切っている各ゲート弁を、その都度開閉させて行われ
る。

【００７３】このマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭに
おいては、次のようにして所定の複数の処理を施すこと
ができる。まず、搬入チャンバＣｉのゲート弁Ｖａを開
けて、搬入チャンバＣｉ内に被処理基板Ｓを搬入する。
ゲート弁Ｖａを閉じ、搬入チャンバＣｉ内を所定の圧力
にする。また、基板搬送チャンバＲ’や複数の真空チャ
ンバＣａ〜Ｃｃ、或いはさらに搬出チャンバＣｏ内はそ
れぞれに対して設けられた排気装置で予め所定の圧力に
しておく。

【００７４】基板搬送チャンバＲ’内に配置されたロボ
ットアームＲＡ’で、搬入チャンバＣｉ内の被処理基板
Ｓを始めの処理の真空処理装置（例えばＡａ）の真空チ
ャンバに搬入する。真空処理装置（Ａａ）での被処理基
板Ｓの搬入搬出の手順については、装置Ａの場合と同様
である。装置Ａａにおける基板への処理が終了すると該
基板はロボットアームＲＡ’で一度基板搬送チャンバ
Ｒ’に取り出されその後、次の処理を施す処理装置（例
えばＡｂ）の真空チャンバに搬入される。この操作を繰
り返し、最後の処理を終了した後、被処理基板Ｓを真空
チャンバＣｃから基板搬送チャンバＲ’に搬出し、搬出
チャンバＣｏ内に該基板を搬入する。さらに、ゲート弁
Ｖｆを閉じ、搬出チャンバＣｏ内の圧力を大気圧にし
て、搬出チャンバＣｏと外部とを分けているゲート弁Ｖ
ｇを開き該基板Ｓを外部に取り出すことで、基板への処
理が終了する。

【００７５】以上説明したマルチチャンバ型真空処理装
置ＡＭにおいては、各真空処理装置Ａａ、Ａｂ、Ａｃを
上下に重ねて配置したことにより、次の利点がある。す
なわち、従来のマルチチャンバ型真空処理装置では、基
板搬送チャンバを中心に各処理装置が放射状に配置され
ているが、ここでは各真空処理装置が上下に重ねて配置
されているので、従来装置に対し設置平面面積が大幅に
低減され、従って、該装置が設置されるクリーンルーム
の床面積をそれだけ小さくでき、これらにより基板一枚
あたりの処理コストを低減できる。

【００７６】また、放電電極、基板支持台、真空チャン
バ内壁等のメインテナンスは側壁構成部材を横方向に取
り外して簡単、容易に行える。

【００７７】

【発明の効果】本発明によると、真空チャンバ内の基板
支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処
理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基
板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを
従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理
装置を提供することができる。

【００７８】また本発明によると、真空チャンバ内の基
板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の
処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や
基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナン
ス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部
品のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容
易に行える真空処理装置を提供することができる。

【００７９】また本発明によると、真空チャンバの底壁
下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設さ
れることがなく、それだけ真空チャンバの上下方向の重
ね配置が容易である真空処理装置を提供することができ
る。さらに本発明によると、真空チャンバ内の基板支持
台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を
施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処
理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくと
も一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支
持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来
のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行
えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することがで
きる。

【００８０】また本発明によると、真空チャンバ内の基
板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の
処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型
真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少
なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や
基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナン
ス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部
品のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装
置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理
装置を提供することができる。

【００８１】さらに本発明によると、設置平面面積を従
来のマルチチャンバ型真空処理装置より小さくできるマ
ルチチャンバ型真空処理装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空処理装置の１例であるプラズ
マＣＶＤ装置の水平断面概略図である。

【図２】図１に示すプラズマＣＶＤ装置のＸ−Ｘ線に沿
う、一部省略の概略断面図である。

【図３】図１及び図２に示すプラズマＣＶＤ装置に設置
されている基板支持台昇降装置の概略構成を示す図であ
る。

【図４】図１及び図２に示すプラズマＣＶＤ装置に設置
されている基板リフトピン昇降装置の概略構成を示す図
である。

【図５】図３に示す基板支持台昇降装置の駆動部の正面
図である。

【図６】図４に示す基板リフトピン昇降装置に含まれる
リンク機構の構成を示す図である。

【図７】本発明に係る真空処理装置の他の例であるプラ
ズマＣＶＤ装置の概略断面図である。

【図８】本発明に係るマルチチャンバ型真空処理装置の
１例の平面図である。

【図９】図９に示すマルチチャンバ型真空処理装置のＹ
−Ｙ線に沿う断面図である。

【図１０】図（Ａ）は従来例の概略構成を示す図であ
り、図（Ｂ）は図（Ａ）に示す装置における基板搬送動
作の説明図である。

【符号の説明】

Ａ、Ａ’ プラズマＣＶＤ装置 ＡＭ マルチャンバ型真空処理装置 Ｃ、Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ 真空チャンバ ＭＡ、ＭＡａ マッチングボックス ＰＳ、ＰＳａ 高周波電源 ＧＳ、ＧＳａ ガス供給装置 Ｓ 被処理基板 Ｅｘ 真空排気装置 １、１ａ、１ｂ、１ｃ 基板支持台 １１ 脚体 １１１ 横溝部 １２ 基板リフトピン装着用孔 ２ 基板支持台昇降装置 ２１ シャフト ２２ 軸受 ２３ カム ２４ 回転導入装置 ２５、２５ａ 駆動部 ２５１ 軸棒 ２５２ モータ ２５３ ギアボックス ３ 基板リフトピン ３１ リフトピン本体 ３２ ストッパ ３３ バネ ３４ バネストッパ ４ 基板リフトピン昇降装置 ４１（４１ａ、４１ｂ） シャフト ４１１ モータ ４２ 軸受 ４３ カム ４４ リンク機構 ４４１、４４２、４４３ リンクアーム ４４４ 接続ピン ５ 放電電極 ５１ ガス供給ノズル ５２ 絶縁体 ６ チャンバ側壁構成部材 ６１、６１ａ 上側チャンバ側壁構成部材 ６２、６２ｂ 下側チャンバ側壁構成部材 ６１１ 上部支持プレート（支持フレームの一例） ６１２ ガイドローラ ６１４ 電力供給端子 ６１３ ガス供給装置接続口部 ６２１ 下部支持プレート（支持フレームの一例） ６２２ ガイド部材 ６２３ 支持ローラ ６２４ シャフト用孔 ６２５ シャフト用孔 ６２６ 回転導入機 ７、７ａ、７ｂ、７ｃ 排気口 ８、８ａ、８ｂ、８ｃ 基板搬入搬出用開口 Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅ、Ｖｆ、Ｖｇ ゲート弁 Ｒ、Ｒ’ 基板搬送室 Ｃｉ 搬入チャンバ Ｃｏ 搬出チャンバ ＲＡ、ＲＡ’ロボットアーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 CA01 CA05 DA01 DA02 JA01 KA01 4K030 EA11 FA03 GA02 GA12 KA08 KA11 KA14 KA28 KA30 5F004 AA15 BA04 BB13 BB18 BC05 BC08 BD04 5F045 AA08 BB10 DP03 DQ14 EB02 EB05 EB06 EB08 EF05 EH05 EH14 EM02 EM10 EN04

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空チャンバ内の基板支持台に設置される
   被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装
   置であり、前記基板支持台の昇降装置を備えており、該
   基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に該真空チャン
   バ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、
   該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ
   引き出すことができることを特徴とする真空処理装置。
2. 【請求項２】前記基板支持台に対し相対的に昇降して該
   基板支持台上方へ突出できる基板リフト部材及び該リフ
   ト部材の昇降装置を備えており、該基板リフト部材及び
   基板リフト部材昇降装置が共に前記チャンバ本体に着脱
   可能の前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構
   成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出す
   ことができる請求項１記載の真空処理装置。
3. 【請求項３】前記基板リフト部材は、リフト部材上端が
   前記基板支持台上面以下に位置するポジションと該リフ
   ト部材上端が該基板支持台上面より上方へ突出するポジ
   ションとの間を往復昇降可能に該基板支持台に搭載され
   ており、前記基板リフト部材昇降装置は、 前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部
   材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャ
   ンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置さ
   れ、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体
   外へ引き出される支持フレームと、 前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可
   能の駆動部と、 少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動
   部から動力を受けて前記リフト部材を駆動するリンク機
   構とを含んでいる請求項２記載の真空処理装置。
4. 【請求項４】前記基板支持台昇降装置は、 前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部
   材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャ
   ンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置さ
   れ、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体
   外へ引き出される支持フレームと、 前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可
   能の駆動部と、 少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動
   部から動力を受けて前記基板支持台を昇降させるリンク
   機構とを含んでいる請求項１、２又は３記載の真空処理
   装置。
5. 【請求項５】前記真空チャンバ内において該チャンバ内
   へ導入されてくる所定のガスをプラズマ化するガスプラ
   ズマ形成のための放電電極を備えており、該電極が前記
   チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続
   され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本
   体外へ引き出すことができる請求項１から４のいずれか
   に記載の真空処理装置。
6. 【請求項６】前記真空チャンバ内を所定真空状態にする
   ための排気装置を備えており、該排気装置は該真空チャ
   ンバの側壁に形成された排気口に接続されている請求項
   １から５のいずれかに記載の真空処理装置。
7. 【請求項７】真空チャンバ内の基板支持台に設置される
   被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装
   置を複数備えており、該複数の真空処理装置のうち少な
   くとも一つは請求項１から６のいずれかに記載の真空処
   理装置であるマルチチャンバ型真空処理装置。
8. 【請求項８】請求項１から６のいずれかに記載の真空処
   理装置を複数備えており、該複数の真空処理装置のうち
   少なくとも二つは上下方向に順次重ねて配置されている
   マルチチャンバ型真空処理装置。
9. 【請求項９】前記複数の真空処理装置に対し共通の基板
   搬送チャンバが設けられている請求項７又は８に記載の
   マルチチャンバ型真空処理装置。