JP2004063925A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】成膜室３及び支持台５及びターボ分子ポンプ３５を同軸状態に配置したプラズマ処理装置とする。
【解決手段】昇降自在な支持台５を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置されて支持台５の下部が真空排気位置となって成膜が行われ、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５の下部から排気され、反応対象となる基板６に対して効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成する。
【選択図】 図１
【解決手段】昇降自在な支持台５を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置されて支持台５の下部が真空排気位置となって成膜が行われ、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５の下部から排気され、反応対象となる基板６に対して効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを生成して基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体の製造では、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 装置を用いた成膜が知られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材料ガスを容器内の成膜室の中に導入してプラズマ状態にし、プラズマ中の活性な励起種によって支持台の上に保持された基板の表面の化学的な反応を促進して成膜を行う装置である。成膜室内をプラズマ状態にするために、アンテナに電力を供給して成膜室に電磁波を入射させることで成膜室をプラズマ状態にしている。
【０００３】
プラズマＣＶＤ装置では、支持台を昇降させることにより、プラズマに対する基板の高さを適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御している。一方で、成膜室は真空を利用した反応室となっているため、真空ポンプにより成膜室の内部を所定の真空状態に制御している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ処理装置（プラズマＣＶＤ装置）では、支持台を昇降させて成膜条件を適宜制御しているので、支持台を昇降させるための支持台昇降手段が支持台の下部に備えられている。成膜を行う際には、真空ポンプにより成膜室の内部を排気して所定の真空状態に制御しているが、反応ガス等の分布により成膜効率や成膜の効率が大きく左右される。
【０００５】
成膜室の内部の排気位置（真空ポンプの設置位置）は、プラズマ及び基板と同軸状態の位置、即ち、支持台の下部で行うのが反応ガス等の分布にとって好ましい。しかし、支持台の下部には支持台昇降手段が備えられているため、真空ポンプ（真空排気装置）は支持台の側部に、例えば、複数台に分けて設置されているのが一般的であった。
【０００６】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、支持台を挟んで処理室の反対側に真空排気装置を備え、処理室及び支持台及び真空排気装置を同軸状態に配置したプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、処理室及び支持台及び真空排気位置を同軸の状態で基板に処理を施すことができるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台と同軸状態で配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台を挟んで処理室の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が上部に昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
そして、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
支持台昇降手段は、支持台を昇降させる駆動源が支持台の側部部位に配置されることを備えたことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
真空排気装置はターボ分子ポンプを含むことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ発生手段は、アンテナに給電を行うことで電磁波を透過させてプラズマを処理室に生成し、励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜を施すことを特徴とする。
【００１４】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理方法は、
昇降自在な支持台が備えられた処理室の内部を、支持台と同軸状態に配置される真空排気装置により所定の真空状態に保持し、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により支持台に保持された基板の表面に処理を施す
ことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１には本発明の第１実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面、図２には本発明の第２実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面、図３には本発明の第３実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面を示してある。
【００１６】
図１に基づいて第１実施形態例を説明する。
【００１７】
図１に示すように、円筒状のアルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に成膜室３が形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が設けられ、容器２の中心における成膜室３には支持台５が備えられている。支持台５は半導体の基板６を静電的に吸着保持する載置部９を備え、載置部９の下部に配線等の保持機構７が備えられている。
【００１８】
支持台５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続され、載置部９に低周波を発生させると共に静電気力を発生させる。支持台５は全体が昇降自在に構成され、上下方向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。
【００１９】
支持台５の側部における容器２の外部には、昇降駆動用の駆動モータ３１（駆動源）が設けられ、支持台５には駆動部３２が接続されている。駆動モータ３１の駆動により、歯車等の駆動伝達手段３３を介して、例えば、ボールねじ等を回転させ、駆動部３２を昇降させることで支持台５全体が昇降するようになっている（支持台昇降手段）。
【００２０】
天井板４の上には、例えば、円形リング状の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズマを発生させる（プラズマ発生手段）。
【００２１】
プラズマ発生手段として円形リング状の高周波アンテナ１３に給電を行うことで電磁波を成膜室３に透過させる構成としたので、装置の大型化に対応することができる。
【００２２】
容器２には、例えば、シラン（例えば ＳｉＨ４）等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばＳｉ）となる材料ガスが供給される。
【００２３】
また、容器２にはアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けられている。また、図示は省略したが容器２には基板６の搬入・搬出口が設けられ、図示しない搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
【００２４】
容器２の下部には、容器２の内部を支持台５の下部から排気して成膜室３の内部を所定の真空状態にする真空排気装置としてのターボ分子ポンプ３５が設けられている。つまり、支持台５を挟んで処理室（成膜室３）の下部に真空排気装置が配置された状態になり、処理室及び支持台５及び真空排気位置が同軸の状態で配置される。
【００２５】
真空排気装置としてターボ分子ポンプ３５を適用したことにより、高真空に適用することができる。真空排気装置としては、ターボ分子ポンプ３５以外の真空排気装置を適用することも可能である。
【００２６】
尚、プラズマ処理手段として、プラズマにより成膜を行う装置を例に挙げているが、成膜以外でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能である。
【００２７】
上述したプラズマＣＶＤ装置では、支持台５の載置部９に基板６が載せられ、静電的に吸着される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７から所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。
【００２８】
その後、高周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部９に電力を供給して低周波を発生させる。
【００２９】
これにより、成膜室３内の材料ガスが放電して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。
【００３０】
そして、成膜時には、駆動モータ３１の駆動により適宜支持台５を昇降させて膜厚や分布等を所望の状態に制御している。支持台５を昇降させることにより、プラズマに対する基板６の高さを適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御（反応性を所望の状態に制御）することができる。
【００３１】
また、支持台５を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置されて支持台５の下部が真空排気位置となって成膜が行われる。このため、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５の下部から排気され、反応対象となる基板６に対して効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成することができる。
【００３２】
更に、駆動モータ３１を支持台５の側部の容器２の外に設け、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を支持台５の側部及び下部に設けたので、載置部９の下部に保持機構７が配されてスペースが限られる支持台５であっても、装置全体の高さを高くすることなく支持台５を昇降させることができる。
【００３３】
従って、支持台５を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５及びターボ分子ポンプ３５を同軸状態に配置したプラズマＣＶＤ装置とすることができる。このため、成膜室３の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、成膜の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。また、駆動モータ３１、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を一つの昇降駆動機構として装着することができるので、構造が簡素になりメンテナンス性が良好になる。
【００３４】
図２に基づいて第２実施形態例を説明する。尚、図１に示した部材と同一部材には同一符号を付してある。
【００３５】
図２に示すように、円筒状のアルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に成膜室３が形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が設けられ、容器２の中心における成膜室３には支持台５１が備えられている。支持台５１は半導体の基板６を、例えば、機械的に保持する載置部５２を備え、載置部５２は支持軸５３に支持されている。
【００３６】
尚、載置部５２の下部にスペースを確保することができれば、基板６を静電的に載置部５２に吸着させる機構を備えることも可能である。
【００３７】
支持台５１は全体が昇降自在もしくは支持軸５３が伸縮自在に構成され、上下方向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。即ち、支持軸５３の近傍における載置部５２の直下には、例えば、ベローズ伸縮機構等の支持台昇降手段５４が設けられ、支持台昇降手段５４により支持台５１が昇降するようになっている。
【００３８】
天井板４の上には、例えば、円形リング状の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズマを発生させる（プラズマ発生手段）。
【００３９】
プラズマ発生手段として円形リング状の高周波アンテナ１３に給電を行うことで電磁波を成膜室３に透過させる構成としたので、装置の大型化に対応することができる。
【００４０】
容器２には、例えば、シラン（例えば ＳｉＨ４）等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばＳｉ）となる材料ガスが供給される。
【００４１】
また、容器２にはアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けられている。また、図示は省略したが容器２には基板６の搬入・搬出口が設けられ、図示しない搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
【００４２】
支持台昇降手段５４の下部における容器２の下部には、容器２の内部を支持台５４の下部から排気して成膜室３の内部を所定の真空状態にする真空排気装置としてのターボ分子ポンプ３５が設けられている。つまり、支持台５４を挟んで処理室（成膜室３）の下部に真空排気装置が配置された状態になり、処理室及び支持台５及び真空排気位置が同軸の状態で配置される。
【００４３】
真空排気装置としてターボ分子ポンプ３５を適用したことにより、高真空に適用することができる。尚、ターボ分子ポンプ３５以外の真空排気装置を適用することも可能である。
【００４４】
尚、プラズマ処理手段として、プラズマにより成膜を行う装置を例に挙げているが、成膜以外でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能である。
【００４５】
上述したプラズマＣＶＤ装置では、支持台５１の載置部５２に基板６が載せられ、機械的に保持される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７から所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。
【００４６】
その後、高周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して高周波を発生させる。これにより、成膜室３内の材料ガスが放電して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。
【００４７】
そして、成膜時には、支持台昇降手段５４により適宜支持台５１を昇降させて膜厚や分布等を所望の状態に制御している。支持台５１を昇降させることにより、プラズマに対する基板６の高さを適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御（反応性を所望の状態に制御）することができる。
【００４８】
また、支持台５１を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５１及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置され支持台５１の下部が真空排気位置となって成膜が行われる。このため、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５１の下部から排気され、反応対象となる基板６に対して効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成することができる。
【００４９】
更に、支持台昇降手段５４を支持台５１の下部のスペースに設けたので、載置部９の下部のスペースを有効に利用して、装置を大型化することなく支持台５１を昇降させることができる。
【００５０】
従って、支持台５１を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５１及びターボ分子ポンプ３５を同軸状態に配置したプラズマＣＶＤ装置とすることができる。このため、成膜室３の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、成膜の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００５１】
図３に基づいて第３実施形態例を説明する。尚、図１、図２に示した部材と同一部材には同一符号を付してある。
【００５２】
図３に示すように、円筒状のアルミニウム製の容器６２が設けられ、容器６２内に成膜室３が形成されている。容器６２の中心における成膜室３の上部には支持台５が備えられている。支持台５は半導体の基板６を静電的に吸着保持する載置部９を備え、載置部９の上部に配線等の保持機構７が備えられている。
【００５３】
支持台５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続され、載置部９に低周波を発生させると共に静電気力を発生させる。支持台５は全体が昇降自在に構成され、上下方向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。
【００５４】
支持台５の側部における容器６２の外部には、昇降駆動用の駆動モータ３１（駆動源）が設けられ、支持台５には駆動部３２が接続されている。駆動モータ３１の駆動により、歯車等の駆動伝達手段３３を介して、例えば、ボールねじ等を回転させ、駆動部３２を昇降させることで支持台５全体が昇降するようになっている（支持台昇降手段）。
【００５５】
支持台５の下部における容器６２の筒部外側には、コイル状の高周波アンテナ６１が配置され、高周波アンテナ６１には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズマを発生させる（プラズマ発生手段）。
【００５６】
容器６２には、例えば、シラン（例えば ＳｉＨ４）等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばＳｉ）となる材料ガスが供給される。
【００５７】
また、容器６２にはアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けられている。また、図示は省略したが容器６２には基板６の搬入・搬出口が設けられ、図示しない搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
【００５８】
容器６２の下部には、容器６２の内部を排気して成膜室３の内部を所定の真空状態にする真空排気装置としてのターボ分子ポンプ３５が設けられている。つまり、支持台５と真空排気装置が同軸の状態で配置されている。
【００５９】
真空排気装置としてターボ分子ポンプ３５を適用したことにより、高真空に適用することができる。尚、ターボ分子ポンプ３５以外の真空排気装置を適用することも可能である。
【００６０】
尚、プラズマ処理手段として、プラズマにより成膜を行う装置を例に挙げているが、成膜以外でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能である。
【００６１】
上述したプラズマＣＶＤ装置では、支持台５の載置部９に基板６が支持されて静電的に吸着される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７から所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。
【００６２】
その後、高周波電源１５から高周波アンテナ６１に電力を供給して高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部９に電力を供給して低周波を発生させる。
【００６３】
これにより、成膜室３内の材料ガスが放電して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。
【００６４】
そして、成膜時には、駆動モータ３１の駆動により適宜支持台５を昇降させて膜厚や分布等を所望の状態に制御している。支持台５を昇降させることにより、プラズマに対する基板６の高さ位置を適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御（反応性を所望の状態に制御）することができる。
【００６５】
また、支持台５と同軸状態にターボ分子ポンプ３５を備え、支持台５及び成膜室３及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置されて成膜室３の下部が真空排気位置となって成膜が行われる。このため、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５の反対側から排気され、反応対象となる基板６に対してゴミ等が付着しない状態で効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成することができる。
【００６６】
更に、駆動モータ３１を支持台５の側部の容器６２の外に設け、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を支持台５の側部及び下部に設けたので、載置部９の下部に保持機構７が配されてスペースが限られる支持台５であっても、装置全体の高さを高くすることなく支持台５を昇降させることができる。
【００６７】
従って、支持台５を上部に備え、成膜室３を挟んで支持台５とターボ分子ポンプ３５を同軸状態に備えたプラズマＣＶＤ装置とすることができる。このため、プラズマのゴミを基板６上に落下させることがない状態で成膜室３の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、成膜の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。また、駆動モータ３１、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を一つの昇降駆動機構として装着することができるので、構造が簡素になりメンテナンス性が良好になる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台と同軸状態で配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたので、
支持台と同軸状態で真空排気装置を備えたプラズマ処理装置とすることができる。
【００６９】
この結果、処理室の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、処理の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００７０】
本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台を挟んで処理室の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたので、
支持台を挟んで処理室の反対側に真空排気装置を備え、処理室及び支持台及び真空排気装置とを同軸状態に配置したプラズマ処理装置とすることができる。
【００７１】
この結果、処理室の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、処理の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００７２】
本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が上部に昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたので、
支持台と同軸状態で下部に真空排気装置を備えたプラズマ処理装置とすることができる。
【００７３】
この結果、支持台にプラズマのゴミなどを落下させることなく処理室の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、処理の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００７４】
そして、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、支持台昇降手段は、支持台を昇降させる駆動源が支持台の側部部位に配置されるので、支持台昇降手段の構成を簡素にして装置全体の高さを高くすることがない。
【００７５】
また、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、真空排気装置はターボ分子ポンプを含むので、高真空に対応することができる。
【００７６】
また、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、プラズマ発生手段は、アンテナに給電を行うことで電磁波を透過させてプラズマを処理室に生成し、励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜を施すようにしたので、装置の大型化に対応した成膜装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
【図２】本発明の第２実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
【図３】本発明の第３実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
【符号の説明】
２，６２ 容器
３ 成膜室
４ 天井板
５，５１ 支持台
６ 基板
７ 保持機構
９，５２ 載置部
１３，６１ 高周波アンテナ
１４ 整合器
１５ 高周波電源
１６ ガス供給ノズル
１７ 補助ガス供給ノズル
２１ バイアス電源
２２ 静電電源
３１ 駆動モータ
３２ 駆動部
３３ 駆動伝達手段
３５ ターボ分子ポンプ
５３ 支持軸
５１ 支持台昇降機構
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを生成して基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体の製造では、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 装置を用いた成膜が知られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材料ガスを容器内の成膜室の中に導入してプラズマ状態にし、プラズマ中の活性な励起種によって支持台の上に保持された基板の表面の化学的な反応を促進して成膜を行う装置である。成膜室内をプラズマ状態にするために、アンテナに電力を供給して成膜室に電磁波を入射させることで成膜室をプラズマ状態にしている。
【０００３】
プラズマＣＶＤ装置では、支持台を昇降させることにより、プラズマに対する基板の高さを適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御している。一方で、成膜室は真空を利用した反応室となっているため、真空ポンプにより成膜室の内部を所定の真空状態に制御している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ処理装置（プラズマＣＶＤ装置）では、支持台を昇降させて成膜条件を適宜制御しているので、支持台を昇降させるための支持台昇降手段が支持台の下部に備えられている。成膜を行う際には、真空ポンプにより成膜室の内部を排気して所定の真空状態に制御しているが、反応ガス等の分布により成膜効率や成膜の効率が大きく左右される。
【０００５】
成膜室の内部の排気位置（真空ポンプの設置位置）は、プラズマ及び基板と同軸状態の位置、即ち、支持台の下部で行うのが反応ガス等の分布にとって好ましい。しかし、支持台の下部には支持台昇降手段が備えられているため、真空ポンプ（真空排気装置）は支持台の側部に、例えば、複数台に分けて設置されているのが一般的であった。
【０００６】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、支持台を挟んで処理室の反対側に真空排気装置を備え、処理室及び支持台及び真空排気装置を同軸状態に配置したプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、処理室及び支持台及び真空排気位置を同軸の状態で基板に処理を施すことができるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台と同軸状態で配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台を挟んで処理室の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が上部に昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
そして、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
支持台昇降手段は、支持台を昇降させる駆動源が支持台の側部部位に配置されることを備えたことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
真空排気装置はターボ分子ポンプを含むことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ発生手段は、アンテナに給電を行うことで電磁波を透過させてプラズマを処理室に生成し、励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜を施すことを特徴とする。
【００１４】
上記目的を達成するための本発明のプラズマ処理方法は、
昇降自在な支持台が備えられた処理室の内部を、支持台と同軸状態に配置される真空排気装置により所定の真空状態に保持し、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により支持台に保持された基板の表面に処理を施す
ことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１には本発明の第１実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面、図２には本発明の第２実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面、図３には本発明の第３実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面を示してある。
【００１６】
図１に基づいて第１実施形態例を説明する。
【００１７】
図１に示すように、円筒状のアルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に成膜室３が形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が設けられ、容器２の中心における成膜室３には支持台５が備えられている。支持台５は半導体の基板６を静電的に吸着保持する載置部９を備え、載置部９の下部に配線等の保持機構７が備えられている。
【００１８】
支持台５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続され、載置部９に低周波を発生させると共に静電気力を発生させる。支持台５は全体が昇降自在に構成され、上下方向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。
【００１９】
支持台５の側部における容器２の外部には、昇降駆動用の駆動モータ３１（駆動源）が設けられ、支持台５には駆動部３２が接続されている。駆動モータ３１の駆動により、歯車等の駆動伝達手段３３を介して、例えば、ボールねじ等を回転させ、駆動部３２を昇降させることで支持台５全体が昇降するようになっている（支持台昇降手段）。
【００２０】
天井板４の上には、例えば、円形リング状の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズマを発生させる（プラズマ発生手段）。
【００２１】
プラズマ発生手段として円形リング状の高周波アンテナ１３に給電を行うことで電磁波を成膜室３に透過させる構成としたので、装置の大型化に対応することができる。
【００２２】
容器２には、例えば、シラン（例えば ＳｉＨ４）等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばＳｉ）となる材料ガスが供給される。
【００２３】
また、容器２にはアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けられている。また、図示は省略したが容器２には基板６の搬入・搬出口が設けられ、図示しない搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
【００２４】
容器２の下部には、容器２の内部を支持台５の下部から排気して成膜室３の内部を所定の真空状態にする真空排気装置としてのターボ分子ポンプ３５が設けられている。つまり、支持台５を挟んで処理室（成膜室３）の下部に真空排気装置が配置された状態になり、処理室及び支持台５及び真空排気位置が同軸の状態で配置される。
【００２５】
真空排気装置としてターボ分子ポンプ３５を適用したことにより、高真空に適用することができる。真空排気装置としては、ターボ分子ポンプ３５以外の真空排気装置を適用することも可能である。
【００２６】
尚、プラズマ処理手段として、プラズマにより成膜を行う装置を例に挙げているが、成膜以外でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能である。
【００２７】
上述したプラズマＣＶＤ装置では、支持台５の載置部９に基板６が載せられ、静電的に吸着される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７から所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。
【００２８】
その後、高周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部９に電力を供給して低周波を発生させる。
【００２９】
これにより、成膜室３内の材料ガスが放電して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。
【００３０】
そして、成膜時には、駆動モータ３１の駆動により適宜支持台５を昇降させて膜厚や分布等を所望の状態に制御している。支持台５を昇降させることにより、プラズマに対する基板６の高さを適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御（反応性を所望の状態に制御）することができる。
【００３１】
また、支持台５を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置されて支持台５の下部が真空排気位置となって成膜が行われる。このため、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５の下部から排気され、反応対象となる基板６に対して効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成することができる。
【００３２】
更に、駆動モータ３１を支持台５の側部の容器２の外に設け、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を支持台５の側部及び下部に設けたので、載置部９の下部に保持機構７が配されてスペースが限られる支持台５であっても、装置全体の高さを高くすることなく支持台５を昇降させることができる。
【００３３】
従って、支持台５を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５及びターボ分子ポンプ３５を同軸状態に配置したプラズマＣＶＤ装置とすることができる。このため、成膜室３の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、成膜の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。また、駆動モータ３１、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を一つの昇降駆動機構として装着することができるので、構造が簡素になりメンテナンス性が良好になる。
【００３４】
図２に基づいて第２実施形態例を説明する。尚、図１に示した部材と同一部材には同一符号を付してある。
【００３５】
図２に示すように、円筒状のアルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に成膜室３が形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が設けられ、容器２の中心における成膜室３には支持台５１が備えられている。支持台５１は半導体の基板６を、例えば、機械的に保持する載置部５２を備え、載置部５２は支持軸５３に支持されている。
【００３６】
尚、載置部５２の下部にスペースを確保することができれば、基板６を静電的に載置部５２に吸着させる機構を備えることも可能である。
【００３７】
支持台５１は全体が昇降自在もしくは支持軸５３が伸縮自在に構成され、上下方向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。即ち、支持軸５３の近傍における載置部５２の直下には、例えば、ベローズ伸縮機構等の支持台昇降手段５４が設けられ、支持台昇降手段５４により支持台５１が昇降するようになっている。
【００３８】
天井板４の上には、例えば、円形リング状の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズマを発生させる（プラズマ発生手段）。
【００３９】
プラズマ発生手段として円形リング状の高周波アンテナ１３に給電を行うことで電磁波を成膜室３に透過させる構成としたので、装置の大型化に対応することができる。
【００４０】
容器２には、例えば、シラン（例えば ＳｉＨ４）等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばＳｉ）となる材料ガスが供給される。
【００４１】
また、容器２にはアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けられている。また、図示は省略したが容器２には基板６の搬入・搬出口が設けられ、図示しない搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
【００４２】
支持台昇降手段５４の下部における容器２の下部には、容器２の内部を支持台５４の下部から排気して成膜室３の内部を所定の真空状態にする真空排気装置としてのターボ分子ポンプ３５が設けられている。つまり、支持台５４を挟んで処理室（成膜室３）の下部に真空排気装置が配置された状態になり、処理室及び支持台５及び真空排気位置が同軸の状態で配置される。
【００４３】
真空排気装置としてターボ分子ポンプ３５を適用したことにより、高真空に適用することができる。尚、ターボ分子ポンプ３５以外の真空排気装置を適用することも可能である。
【００４４】
尚、プラズマ処理手段として、プラズマにより成膜を行う装置を例に挙げているが、成膜以外でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能である。
【００４５】
上述したプラズマＣＶＤ装置では、支持台５１の載置部５２に基板６が載せられ、機械的に保持される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７から所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。
【００４６】
その後、高周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して高周波を発生させる。これにより、成膜室３内の材料ガスが放電して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。
【００４７】
そして、成膜時には、支持台昇降手段５４により適宜支持台５１を昇降させて膜厚や分布等を所望の状態に制御している。支持台５１を昇降させることにより、プラズマに対する基板６の高さを適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御（反応性を所望の状態に制御）することができる。
【００４８】
また、支持台５１を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５１及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置され支持台５１の下部が真空排気位置となって成膜が行われる。このため、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５１の下部から排気され、反応対象となる基板６に対して効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成することができる。
【００４９】
更に、支持台昇降手段５４を支持台５１の下部のスペースに設けたので、載置部９の下部のスペースを有効に利用して、装置を大型化することなく支持台５１を昇降させることができる。
【００５０】
従って、支持台５１を挟んで成膜室３の反対側にターボ分子ポンプ３５を備え、成膜室３及び支持台５１及びターボ分子ポンプ３５を同軸状態に配置したプラズマＣＶＤ装置とすることができる。このため、成膜室３の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、成膜の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００５１】
図３に基づいて第３実施形態例を説明する。尚、図１、図２に示した部材と同一部材には同一符号を付してある。
【００５２】
図３に示すように、円筒状のアルミニウム製の容器６２が設けられ、容器６２内に成膜室３が形成されている。容器６２の中心における成膜室３の上部には支持台５が備えられている。支持台５は半導体の基板６を静電的に吸着保持する載置部９を備え、載置部９の上部に配線等の保持機構７が備えられている。
【００５３】
支持台５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続され、載置部９に低周波を発生させると共に静電気力を発生させる。支持台５は全体が昇降自在に構成され、上下方向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。
【００５４】
支持台５の側部における容器６２の外部には、昇降駆動用の駆動モータ３１（駆動源）が設けられ、支持台５には駆動部３２が接続されている。駆動モータ３１の駆動により、歯車等の駆動伝達手段３３を介して、例えば、ボールねじ等を回転させ、駆動部３２を昇降させることで支持台５全体が昇降するようになっている（支持台昇降手段）。
【００５５】
支持台５の下部における容器６２の筒部外側には、コイル状の高周波アンテナ６１が配置され、高周波アンテナ６１には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズマを発生させる（プラズマ発生手段）。
【００５６】
容器６２には、例えば、シラン（例えば ＳｉＨ４）等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばＳｉ）となる材料ガスが供給される。
【００５７】
また、容器６２にはアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けられている。また、図示は省略したが容器６２には基板６の搬入・搬出口が設けられ、図示しない搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
【００５８】
容器６２の下部には、容器６２の内部を排気して成膜室３の内部を所定の真空状態にする真空排気装置としてのターボ分子ポンプ３５が設けられている。つまり、支持台５と真空排気装置が同軸の状態で配置されている。
【００５９】
真空排気装置としてターボ分子ポンプ３５を適用したことにより、高真空に適用することができる。尚、ターボ分子ポンプ３５以外の真空排気装置を適用することも可能である。
【００６０】
尚、プラズマ処理手段として、プラズマにより成膜を行う装置を例に挙げているが、成膜以外でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能である。
【００６１】
上述したプラズマＣＶＤ装置では、支持台５の載置部９に基板６が支持されて静電的に吸着される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７から所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。
【００６２】
その後、高周波電源１５から高周波アンテナ６１に電力を供給して高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部９に電力を供給して低周波を発生させる。
【００６３】
これにより、成膜室３内の材料ガスが放電して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。
【００６４】
そして、成膜時には、駆動モータ３１の駆動により適宜支持台５を昇降させて膜厚や分布等を所望の状態に制御している。支持台５を昇降させることにより、プラズマに対する基板６の高さ位置を適宜調節して膜厚や分布等の種々の条件を所望の状態に制御（反応性を所望の状態に制御）することができる。
【００６５】
また、支持台５と同軸状態にターボ分子ポンプ３５を備え、支持台５及び成膜室３及びターボ分子ポンプ３５（真空排気位置）が同軸状態に配置されて成膜室３の下部が真空排気位置となって成膜が行われる。このため、反応ガス（プラズマ／ラジカル）が支持台５の反対側から排気され、反応対象となる基板６に対してゴミ等が付着しない状態で効率及び均一性を向上させる流れ分布を形成することができる。
【００６６】
更に、駆動モータ３１を支持台５の側部の容器６２の外に設け、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を支持台５の側部及び下部に設けたので、載置部９の下部に保持機構７が配されてスペースが限られる支持台５であっても、装置全体の高さを高くすることなく支持台５を昇降させることができる。
【００６７】
従って、支持台５を上部に備え、成膜室３を挟んで支持台５とターボ分子ポンプ３５を同軸状態に備えたプラズマＣＶＤ装置とすることができる。このため、プラズマのゴミを基板６上に落下させることがない状態で成膜室３の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、成膜の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。また、駆動モータ３１、駆動部３２及び駆動力伝達手段３３を一つの昇降駆動機構として装着することができるので、構造が簡素になりメンテナンス性が良好になる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台と同軸状態で配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたので、
支持台と同軸状態で真空排気装置を備えたプラズマ処理装置とすることができる。
【００６９】
この結果、処理室の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、処理の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００７０】
本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台を挟んで処理室の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたので、
支持台を挟んで処理室の反対側に真空排気装置を備え、処理室及び支持台及び真空排気装置とを同軸状態に配置したプラズマ処理装置とすることができる。
【００７１】
この結果、処理室の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、処理の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００７２】
本発明のプラズマ処理装置の構成は、
基板が載置保持される支持台が上部に昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたので、
支持台と同軸状態で下部に真空排気装置を備えたプラズマ処理装置とすることができる。
【００７３】
この結果、支持台にプラズマのゴミなどを落下させることなく処理室の反応ガスの流れ分布を理想的にすることができ、処理の効率性及び均一性を向上させることが可能になる。
【００７４】
そして、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、支持台昇降手段は、支持台を昇降させる駆動源が支持台の側部部位に配置されるので、支持台昇降手段の構成を簡素にして装置全体の高さを高くすることがない。
【００７５】
また、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、真空排気装置はターボ分子ポンプを含むので、高真空に対応することができる。
【００７６】
また、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、プラズマ発生手段は、アンテナに給電を行うことで電磁波を透過させてプラズマを処理室に生成し、励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜を施すようにしたので、装置の大型化に対応した成膜装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
【図２】本発明の第２実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
【図３】本発明の第３実施形態例に係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
【符号の説明】
２，６２ 容器
３ 成膜室
４ 天井板
５，５１ 支持台
６ 基板
７ 保持機構
９，５２ 載置部
１３，６１ 高周波アンテナ
１４ 整合器
１５ 高周波電源
１６ ガス供給ノズル
１７ 補助ガス供給ノズル
２１ バイアス電源
２２ 静電電源
３１ 駆動モータ
３２ 駆動部
３３ 駆動伝達手段
３５ ターボ分子ポンプ
５３ 支持軸
５１ 支持台昇降機構
Claims (7)
- 基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台と同軸状態で配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 基板が載置保持される支持台が昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台を挟んで処理室の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 基板が載置保持される支持台が上部に昇降自在に備えられた処理室と、
処理室の内部を所定の真空状態にするために支持台の下部に配置される真空排気装置と、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に処理を施すプラズマ発生手段と、
支持台を昇降させる支持台昇降手段と
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
支持台昇降手段は、支持台を昇降させる駆動源が支持台の側部部位に配置されることを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
真空排気装置はターボ分子ポンプを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ発生手段は、アンテナに給電を行うことで電磁波を透過させてプラズマを処理室に生成し、励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 昇降自在な支持台が備えられた処理室の内部を、支持台と同軸状態に配置される真空排気装置により所定の真空状態に保持し、
所定の真空状態にされた処理室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により支持台に保持された基板の表面に処理を施す
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
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| JP2002222408A JP2004063925A (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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| JP (1) | JP2004063925A (ja) |
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