JP2001351870A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置全体をコンパクトにすることができると
共に、基板と各構成部分や真空排気部との位置関係の最
適化を図った基板処理装置を提供する。 【解決手段】 真空ポンプ２により容器１の内部を減圧
し、容器１の内部に導入された基板Ｗを低圧下で処理す
る基板処理装置において、真空ポンプ２を容器１に隣接
して配置し、真空ポンプ２の容器側に形成される吸込口
３を閉塞可能なバルブ体４を容器１の内部に設けた。バ
ルブ体４は、基板を保持する機能、基板を回転させる機
能、基板の温度を調節する機能、容器１内にガスを導入
する機能の少なくとも１つの機能を併せ持つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板などの
基板の処理を行う基板処理装置、特に真空ポンプにより
容器の内部を減圧し、該容器内で半導体基板の薄膜形成
や研磨などの処理を行う基板処理装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、大気圧よりも低い圧力下（以
下、真空という）で基板の処理を行う場合には、真空ポ
ンプにより減圧された真空容器内に基板を導入し、この
真空容器内で基板表面の薄膜形成やめっき処理、研磨加
工などの基板の処理が行われる。例えば、基板表面の薄
膜形成方法として、スパッタリングやイオンプレーティ
ング等の物理的気相法（ＰＶＤ）、真空蒸着や低圧下に
おける熱反応やプラズマ励起などによる化学的気相法
（ＣＶＤ）などが行われる。また薄膜形成の他にも、ド
ライエッチングによる表面加工や露光・描画処理、レジ
スト処理、洗浄・乾燥処理、熱処理、イオン注入処理、
検査・測定処理など、低圧下で種々の基板処理が行われ
ている。

【０００３】ここで、従来の基板処理装置の全体構成の
一例を図７に示す。図７は、ＣＶＤ法によって、チタン
酸バリウム／ストロンチウム等の高誘電体又は強誘電体
薄膜を形成するための成膜装置を示すものである。この
基板処理装置（成膜装置）においては、図７に示すよう
に、液体原料を気化させる気化器（ガス発生装置）１０
０の後流側に気密な真空容器（成膜室）１１０が設けら
れ、成膜室１１０に設けられた吸込口１１１の後流側に
開閉弁１１２と圧力調整弁１１３とが設けられている。
更に、その後流側に、真空ポンプとしてのターボ分子ポ
ンプ１２０及び粗引ポンプ１２０ａが配置されている。
成膜室１１０内には、基板Ｗを保持する基板保持部（サ
セプタ）１１４と、成膜室１１０の頂部より基板Ｗに向
けて成膜ガスを噴射するガス導入部としてのガス噴射ヘ
ッド（シャワーヘッド）１１５とが設けられており、成
膜室１１０には、酸素等の酸化ガスを供給する酸化ガス
配管１３０が接続されている。

【０００４】このような基板処理装置においては、ま
ず、ロボットハンド等を用いて処理基板Ｗを基板保持部
１１４に載せ、真空ポンプ１２０，１２０ａによって成
膜室１１０内を真空引きする。次に、基板保持部１１４
に連結された図示しない昇降機構を駆動させ、基板保持
部１１４を成膜位置まで上昇させる。そして、図示しな
い温度調節機構により基板Ｗを所定温度に維持しつつガ
ス噴射ヘッド１１５のノズル穴から原料ガスと酸化ガス
との混合ガスを基板Ｗに向けて噴射する。噴射された原
料ガスと反応ガスは、基板Ｗ上で反応して成膜し、反応
済みガスは吸込口１１１から真空ポンプ１２０，１２０
ａによって排気される。なお、回転機構により基板保持
部１１４上の基板Ｗを回転させて成膜処理を行う場合も
ある。

【０００５】ここで、成膜室１１０内の圧力の制御は、
吸込口１１１に連結された開閉弁１１２及び圧力調整弁
１１３の開度と、ガス噴射ヘッド１１５から噴射するガ
スの量とを調節することにより行われる。また、真空ポ
ンプ１２０，１２０ａを交換する場合には、開閉弁１１
２を閉めて成膜室１１０内の真空封止が行われ、また、
複数の真空ポンプ１２０，１２０ａが配置される場合に
は、運転しない真空ポンプ１２０，１２０ａの開閉弁１
１２が閉められる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の基
板処理装置においては、ターボ分子ポンプなどの真空ポ
ンプ（真空排気部）、容器内の圧力を調節するための開
閉弁及び圧力調整弁、基板を保持する基板保持台などが
それぞれ別々に構成されていたため、各部分の配置スペ
ースにより装置全体や真空容器が大きくなってしまうと
いう問題点があった。

【０００７】また、基板と各構成部分（特にガス導入
部）や真空排気部との位置関係は、良好な基板加工を行
う上で適切な位置関係となるようにする必要がある。特
に、ガス導入部から導入されるガスが基板全体に均一に
散布されるような位置関係とするのが好ましい。

【０００８】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、装置全体をコンパクトにするこ
とができると共に、基板と各構成部分や真空排気部との
位置関係の最適化を図った基板処理装置を提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、請求項１に記載の本発明
は、真空ポンプにより容器の内部を減圧し、上記容器の
内部に導入された基板を低圧下で処理する基板処理装置
において、上記真空ポンプを上記容器に隣接して配置
し、上記真空ポンプの上記容器側に形成される吸込口を
閉塞可能なバルブ体を上記容器の内部に設けたことを特
徴とする。好ましくは、上記バルブ体が上下動により真
空ポンプの吸込口を開閉する。より好ましくは、真空ポ
ンプと上記バルブ体とを一体構造とする。このバルブ体
は、真空ポンプ内又は真空ポンプ外の駆動源に接続さ
れ、駆動される。

【００１０】このような低圧下で基板の処理が行われる
容器の内部を減圧する真空ポンプとして、中空状のロー
タの内部に支持軸を挿通し、上記容器側に形成される吸
込口を閉塞可能なバルブ体を上記支持軸に連結し、上記
支持軸を上下に昇降させる昇降機構を設けたものが考え
られる。

【００１１】また、請求項２に記載の本発明は、バルブ
の開度及び／又はガス導入量により上記容器の内部の圧
力を制御し、該容器の内部に導入された基板を低圧下で
処理する基板処理装置において、上記バルブが基板を保
持する機能を併せ持つことを特徴とする。

【００１２】更に、請求項３に記載の本発明は、上記バ
ルブが基板を回転させる機能を併せ持つことを特徴とす
る。

【００１３】また、請求項４に記載の本発明は、上記バ
ルブが基板の温度を調節する機能を併せ持つことを特徴
とする。

【００１４】更に、請求項５に記載の本発明は、上記バ
ルブが、上記容器内にガスを導入する機能を併せ持つこ
とを特徴とする。

【００１５】このような構成により、容器の内部の圧力
を制御するバルブ機構を容器の内部に配置することがで
き、基板の保持、基板の回転、容器内や基板の温度の調
節、容器内へのガスの導入などの諸機能をこのバルブ機
構に付加することができるので、装置全体をコンパクト
にすることができる。また、従来は、これらの諸機能を
別々の構成部分により構成していたが、上述した構成に
より、これらの構成部分の取付部や支持部を簡素化し又
はなくすことができるので、真空ポンプによる排気や導
入されるガスの流れに対して障害になるものを減少させ
又はなくすことができる。従って、基板に対して均一又
は軸対象なガスの流れを実現でき、良好な基板処理が可
能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板処理装置
の第１の実施形態について図１を参照して詳細に説明す
る。なお、以下では、基板処理装置として、ＣＶＤ法に
よる成膜装置を用いた例について説明するが、これに限
られず、あらゆる基板処理装置に本発明を適用すること
ができる。図１は、本実施形態に係る基板処理装置の全
体構成を示す図である。図１及び後述する図２乃至図５
においては、基板処理装置の成膜室及びその後流の部分
のみを示す。

【００１７】図１に示すように、成膜室（真空容器）１
の下流にはターボ分子ポンプ２が隣接して配置されてお
り、更にその下流に粗引ポンプ２ａが設けられている。
ターボ分子ポンプ２と成膜室１とは、ターボ分子ポンプ
２の成膜室１側に形成された吸込口３を介して連絡され
ており、吸込口３の上方には、この吸込口３を塞ぐこと
ができる円板状のバルブ体４が配置されている。

【００１８】バルブ体４は、基板Ｗを保持する基板保持
部５と一体となっており、その外周部において支持棒６
により支持されている。この支持棒６は成膜室１の下方
に配置された昇降装置７に連結されており、昇降装置７
を駆動することによりバルブ体４及びこのバルブ体４と
一体になった基板保持部５を上下に昇降させることがで
きる。基板保持部５の上面に配置される基板Ｗの成膜を
行う際には、昇降装置７により基板保持部５を所定の成
膜位置まで上昇させ、成膜室１の頂部に設けられたガス
噴射ヘッド８から基板Ｗに向けて成膜ガスを噴射し、基
板保持部５上の基板Ｗの成膜処理を行う。この状態で
は、バルブ体４は吸込口３から上方に離れた位置にあ
り、吸込口３は開口した状態となるので、ターボ分子ポ
ンプ２及び粗引ポンプ２ａによって成膜室１内の排気を
行うことができる。

【００１９】一方、成膜室１内の真空封止が必要となっ
た場合には、昇降装置７によりバルブ体４を最下点、す
なわち、吸込口３を塞ぐ位置まで下降させる。これによ
り、上記吸込口３がバルブ体４によって塞がれるので、
成膜室１内の真空封止が可能となる。なお、図１に示す
ように、バルブ体４の吸込口３側の面にはＯリング４１
が設けられており、このＯリング４１によって成膜室１
とターボ分子ポンプ２とがシールされる。

【００２０】このように、本実施形態の基板処理装置で
は、真空ポンプ２の吸込口３を閉塞可能なバルブ体４
と、基板Ｗを保持する基板保持部５とを一体化すること
ができるので、同じ機能を持った従来の基板処理装置
（図７参照）よりも装置全体をコンパクトに構成するこ
とができると共に、基板Ｗに対する均一なガスの散布が
可能となる。

【００２１】次に、本発明に係る基板処理装置の第２の
実施形態について図２を参照して詳細に説明する。な
お、特に説明しない部分については、上記第１の実施形
態と同様である。図２は、本実施形態に係る基板処理装
置の全体構成を示す図である。

【００２２】図２に示すように、バルブ体４は、その外
周部において支持棒６によって回転可能に把持されてお
り、歯車やベルトなどの動力伝達機構又は磁石等を用い
た非接触式の動力伝達機構を介して外部の駆動源から伝
達される動力によって回転する。これにより、バルブ体
４と一体となった基板保持部５を回転させながら、その
上に置かれた基板Ｗの成膜処理を行うことができる。な
お、図２では、モータ１０の軸に取り付けられた歯車１
１によって動力がバルブ体４に伝達されており、この歯
車１１は、バルブ体４が成膜位置に上昇したときに基板
保持部５に動力を伝達するようになっている。

【００２３】このように、本実施形態の基板処理装置で
は、バルブ体４と基板Ｗを保持する基板保持部５とを一
体化し、更に、基板を回転させることもできるので、同
じ機能を持った従来の基板処理装置よりも装置全体をコ
ンパクトに構成することができると共に、基板Ｗに対す
るより一層均一なガスの散布が可能となる。

【００２４】次に、本発明に係る基板処理装置の第３の
実施形態について図３を参照して詳細に説明する。な
お、特に説明しない部分については、上記第１の実施形
態と同様である。図３は、本実施形態に係る基板処理装
置の全体構成を示す図である。

【００２５】図３に示すように、本実施形態の基板保持
部には基板Ｗを加熱するためのヒータ１２が設けられ、
このヒータ１２は支持棒６上の電線１３を介して温度調
節装置１４に接続されている。温度調節装置１４は、所
定位置に取り付けられた基板温度センサ（図示せず）の
検出値に基づいてヒータ１２への電力を調整し、基板Ｗ
の温度を一定に維持することができる。

【００２６】このように、本実施形態の基板処理装置で
は、バルブ体４と基板Ｗを保持する基板保持部５とを一
体化し、更に、温度を調節することもできるので、同じ
機能を持った従来の基板処理装置よりも装置全体をコン
パクトに構成することができると共に、基板Ｗに対する
均一なガスの散布と特定温度での基板Ｗの処理とが可能
となる。

【００２７】次に、本発明に係る基板処理装置の第４の
実施形態について図４を参照して詳細に説明する。な
お、特に説明しない部分については、上記第１の実施形
態と同様である。図４は、本実施形態に係る基板処理装
置の全体構成を示す図である。

【００２８】図４に示すように、本実施形態におけるバ
ルブ体４は、上方に成膜ガスを噴射するガス噴射ヘッド
８と一体となっており、このガス噴射ヘッド８の上方に
基板保持部５が配置されている。この基板保持部５は下
向きに基板Ｗを保持し、バルブ体４上のガス噴射ヘッド
８から噴射される成膜ガスによって基板Ｗの成膜処理が
行われる。なお、成膜ガスは図示しないガス経路を介し
てガス噴射ヘッド８に導入される。

【００２９】図４に示すように、バルブ体４及び基板保
持部５は、支持棒６を介して昇降装置７に連結されてお
り、バルブ体４及びこのバルブ体４の上に配置されたガ
ス噴射ヘッド８と基板保持部５は、昇降装置７の駆動に
より一体となって上下に昇降する。この場合において、
吸込口３を塞ぐことができるようにバルブ体４を上下動
させることができれば、必ずしもバルブ体４と基板保持
部５とを一体に昇降させる必要はなく、ガス噴射ヘッド
８と基板保持部５とを相対的に移動させるようにしても
よい。

【００３０】このように、本実施形態の基板処理装置で
は、バルブ体４とガス噴射ヘッド８及び基板Ｗを保持す
る基板保持部５とを一体化することができるので、同じ
機能を持った従来の基板処理装置よりも装置全体をコン
パクトに構成することができる。また、バルブ体４の開
度に関係なく、基板Ｗとガス噴射ヘッド８との位置関係
を最適に保つことができるので、良好なガスの散布によ
る基板Ｗの処理が可能となる。

【００３１】次に、本発明に係る基板処理装置の第５の
実施形態について図５及び図６を参照して詳細に説明す
る。なお、特に説明しない部分については、上記第１の
実施形態と同様である。図５は、本実施形態に係る基板
処理装置の全体構成を示す図、図６は、図５に示すター
ボ分子ポンプ２の縦断面図である。

【００３２】図５に示すように、本実施形態において
は、ターボ分子ポンプ２とバルブ体４とが一体となって
いる。以下、このターボ分子ポンプ２の詳細を説明す
る。図６に示すように、ターボ分子ポンプ２は、筒状の
ポンプケーシング５０の内部に、ロータ（回転部）Ｒと
ステータ（固定部）Ｓにより翼排気部Ｌ１及び溝排気部
Ｌ２が構成されている。ポンプケーシング５０の下部は
基部５１によって覆われ、これには排気ポート５１ａが
設けられている。ポンプケーシング５０の上部には成膜
室１に接続されるフランジ５２が設けられており、この
フランジ５２には開口が設けられ吸込口３が形成されて
いる。ステータＳは、基部５１の中央に立設された固定
筒状部５３と、翼排気部Ｌ１及び溝排気部Ｌ２の固定側
部分とから主に構成されている。

【００３３】ロータＲは、固定筒状部５３の内部に挿入
された中空軸６０と、それに取り付けられた回転筒状部
６１とから構成されている。中空軸６０と固定筒状部５
３の間には駆動用モータ５４と、その上下に上部ラジア
ル軸受６２及び下部ラジアル軸受６３が設けられてい
る。そして、中空軸６０の下部には、中空軸６０の下端
のターゲットディスク６４ａと、ステータＳ側の上下の
電磁石６４ｂを有するアキシャル軸受６４が配置されて
いる。このような構成によって、ロータＲが５軸の能動
制御を受けながら高速回転するようになっている。

【００３４】回転筒状部６１の上部外周には、回転翼６
５が一体に設けられて羽根車を構成し、ポンプケーシン
グ５０の内面には、回転翼６５と交互に配置される固定
翼５５が設けられ、これらが、高速回転する回転翼６５
と静止している固定翼５５との相互作用によって排気を
行う翼排気部Ｌ１を構成している。

【００３５】更に、翼排気部Ｌ１の下方には溝排気部Ｌ
２が設けられている。すなわち、回転筒状部６１には、
外周面にねじ溝６６ａが形成されたねじ溝部６６が固定
筒状部５３を囲むように設けられ、一方、ステータＳに
は、このねじ溝部６６の外周を囲むねじ溝部スペーサ５
８が配置されている。溝排気部Ｌ２は、高速回転するね
じ溝部６６のねじ溝６６ａのドラッグ作用によって排気
を行う。このように翼排気部Ｌ１の下流側にねじ溝排気
部Ｌ２を有することで、広い流量範囲に対応可能な広域
型ターボ分子ポンプが構成されている。

【００３６】ここで、上記中空軸６０の内周側には、支
持軸（支持棒）７０が挿通されており、該支持軸７０は
上下に移動できるようになっている。この支持軸７０の
上端には、吸込口３を塞ぐことのできる円板状のバルブ
体４が取り付けられている。また、図５及び図６に示す
ように、このバルブ体４の上部には、基板保持部５が配
置されている。なお、支持軸７０は、ロータＲの高速回
転に付随して回転することはない。

【００３７】支持軸７０の下端には、ボールねじ機構を
備えたナット７１が取り付けられており、このナット７
１に雄ねじ７２が挿入されている。この雄ねじ７２は、
ベルト７３及びプーリ７４に連結されており、プーリ７
４に取り付けられたモータ８０の駆動により所定の方向
に回転する。モータ８０の駆動によりプーリ７４，ベル
ト７３を介して雄ねじ７２が回転すると、上述のボール
ねじ機構によりナット７１及び中空軸６０が上方又は下
方に押され、これらが移動する。従って、モータ８０，
プーリ７４，ベルト７３及びボールねじ機構により構成
される昇降機構により、中空軸６０に取り付けられたバ
ルブ体４を上下に昇降させることができる。

【００３８】基板保持部５の上面に配置された基板Ｗの
成膜を行う際には、モータ８０を駆動し、ボールねじ機
構により支持軸７０及びバルブ体４、基板保持部５を所
定の成膜位置まで上昇させると共に、ターボ分子ポンプ
２のロータＲを回転させて成膜室の排気を行う。そし
て、ガス噴射ヘッド８から基板Ｗに向けて成膜ガスを噴
射し、基板保持部５上の基板Ｗの成膜処理を行う。この
状態では、バルブ体４は吸込口３から上方に離れた位置
にあり、吸込口３は開口した状態となるので、ターボ分
子ポンプ２によって成膜室１内の排気を行うことができ
る。

【００３９】一方、成膜室１内の真空封止が必要となっ
た場合には、モータ８０を駆動し、ボールねじ機構によ
り支持軸７０及びバルブ体４、基板保持部５を最下点、
すなわち、吸込口３を塞ぐ位置まで下降させる（図６は
このときの状態を示している）。この状態では、図６に
示すように、バルブ体４に設けられたＯリング４１によ
り上記吸込口３がバルブ体４によって塞がれるので、成
膜室１内の真空封止が可能となる。なお、ターボ分子ポ
ンプ２のフランジ５２の吸込口３の周囲にシールを設け
ることによって成膜室１内の真空封止を行うこととして
もよく、あるいは、成膜室１側にシールを設けることに
よって成膜室１内の真空封止を行うこととしてもよい。

【００４０】このように、本実施形態の基板処理装置で
は、ターボ分子ポンプ２とバルブ体４及び基板Ｗを保持
する基板保持部５とを一体化することができるので、同
じ機能を持った従来の基板処理装置よりも装置全体をコ
ンパクトに構成することができると共に、基板Ｗに対す
るガスの流れが均一となり、良好な基板処理が可能とな
る。

【００４１】

【発明の効果】上述したように本発明は、真空ポンプを
容器に隣接して配置し、上記真空ポンプの上記容器側に
形成される吸込口を閉塞可能なバルブ体を上記容器の内
部に設けたこととしたため、容器の内部の圧力を制御す
るバルブ機構を容器の内部に配置することができ、基板
の保持、基板の回転、容器内や基板の温度の調節、容器
内や基板へのガスの導入などの諸機能をこのバルブ機構
に付加することができるので、装置全体をコンパクトに
することができる。また、このようなバルブ体を設ける
ことにより、真空ポンプの吸込口のコンダクタンスを大
きくすることができるので、結果的に、小さな真空ポン
プで大きな排気速度を確保することが可能となり、更に
装置のコンパクト化を図ることができる。

【００４２】更に、バルブ体が基板の保持、基板の回
転、容器内へのガスの導入などの諸機能を併せ持つこと
により、ガスの導入部と基板との位置関係をガスが基板
に対して均一に散布されるように最適化することができ
る。即ち、バルブ体の周囲の排気流れは均一な流れとな
るので、バルブ体の上に基板保持部を設けることによっ
て、導入ガスをよどみなく均一に基板に対して散布する
ことができる。また、バルブ体が容器内や基板の温度を
調節する機能を併せ持つことにより、特定温度での基板
の処理が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における基板処理装置
の全体構成を示す図である。

【図２】本発明の第２の実施形態における基板処理装置
の全体構成を示す図である。

【図３】本発明の第３の実施形態における基板処理装置
の全体構成を示す図である。

【図４】本発明の第４の実施形態における基板処理装置
の全体構成を示す図である。

【図５】本発明の第５の実施形態における基板処理装置
の全体構成を示す図である。

【図６】図５に示すターボ分子ポンプの縦断面図であ
る。

【図７】従来の基板処理装置の全体構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

Ｗ 基板 Ｒ ロータ Ｓ ステータ Ｌ１ 翼排気部 Ｌ２ 溝排気部 １ 成膜室（真空容器） ２ ターボ分子ポンプ ３ 吸込口 ４ バルブ体 ５ 基板保持部 ６ 支持棒 ７ 昇降装置 ８ ガス噴射ヘッド １０ モータ １２ ヒータ １３ 電線 １４ 温度調節装置 ２１ 粗引ポンプ ４１ Ｏリング ５０ ポンプケーシング ５１ 基部 ５２ フランジ ５３ 固定筒状部 ５４ 駆動用モータ ５５ 固定翼 ５８ ねじ溝部スぺーサ ６０ 中空軸 ６１ 円筒筒状部 ６２，６３ ラジアル軸受 ６４ アキシャル軸受 ６５ 回転翼 ６６ ねじ溝部 ７０ 支持軸 ７１ ナット ７２ 雄ねじ ７３ ベルト ７４ プーリ ８０ モータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｐ Ｆターム(参考） 4K029 DA02 DA05 DA08 EA03 JA02 4K030 CA04 CA12 EA05 EA11 GA02 GA06 KA11 KA23 5F031 CA02 HA53 HA58 MA23 MA26 MA27 MA28 MA29 MA30 MA31 NA05 5F045 AA06 BB01 EB10 EF05 EG02 EG03 EG06 EK07 EK25 EM01 EM10 GB05

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空ポンプにより容器の内部を減圧し、
   上記容器の内部に導入された基板を低圧下で処理する基
   板処理装置において、 上記真空ポンプを上記容器に隣接して配置し、 上記真空ポンプの上記容器側に形成される吸込口を閉塞
   可能なバルブ体を上記容器の内部に設けたことを特徴と
   する基板処理装置。
2. 【請求項２】 バルブの開度及び／又はガス導入量によ
   り上記容器の内部の圧力を制御し、該容器の内部に導入
   された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、
   上記バルブは、基板を保持する機能を併せ持つことを特
   徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 バルブの開度及び／又はガス導入量によ
   り上記容器の内部の圧力を制御し、該容器の内部に導入
   された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、
   上記バルブは、基板を回転させる機能を併せ持つことを
   特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 バルブの開度及び／又はガス導入量によ
   り上記容器の内部の圧力を制御し、該容器の内部に導入
   された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、
   上記バルブは、基板の温度を調節する機能を併せ持つこ
   とを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 バルブの開度及び／又はガス導入量によ
   り上記容器の内部の圧力を制御し、該容器の内部に導入
   された基板を低圧下で処理する基板処理装置において、
   上記バルブは、上記容器内にガスを導入する機能を併せ
   持つことを特徴とする基板処理装置。