JP2003071271A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
う。 【解決手段】プラズマ処理空間を囲う真空チャンバ2
と、その壁を貫通する開口2aに対して外側から吸引口
51aが連通接続された真空ポンプ50と、プラズマ処
理空間に臨んで基板を乗載可能な基板支持体12とを備
えたプラズマ処理装置において、真空ポンプ50を介し
て真空チャンバに基板支持体12を固設する。また、そ
の支持脚12aが、開口2aの中央を通り、真空ポンプ
50の支軸52を兼ねるようにする。さらに、その支軸
52を中空の杆体にする。これにより、プラズマ処理空
間から開口に至る排気路が基板支持体の周りで同じにな
るうえ、その開口のところでも同一性が維持されて、排
気が均一になる。コンパクトな装置にもなる。
Description
置やプラズマエッチング装置などのプラズマ処理装置
(プラズマリアクタ)に関し、IC(半導体デバイス)
や,LCD(液晶表示パネル),PDP(プラズマディ
スプレイパネル)など高精度の製造工程において基板等
を処理対象としてプラズマ処理すなわちプラズマ反応に
基づく処理を行わせるのに好適なプラズマ処理装置に関
する。
ラズマ処理装置は、真空チャンバ内に形成されたプラズ
マ処理空間にプラズマを発生させ又は導入するとともに
そのプラズマ処理空間内に所定の処理ガス等も導入し
て、プラズマ処理空間にてプラズマ反応を行わせ、これ
によってプラズマ処理空間内の基板に対して成膜やエッ
チングといった表面処理等を施すものである。図5
(a)に縦断面構造図を示した平行平板形の装置は、そ
のようなプラズマリアクタの典型例であり、図5(b)
に縦断面構造図を示した平行平板形の装置は、その改良
例である。
2の上に真空チャンバ蓋部3が開閉可能に取着された真
空チャンバを備えており、被処理物である基板1が平板
状をしていることから、水平に置かれたカソード部12
が真空チャンバ本体部2内のほぼ中央に設けられ、この
カソード部12の上面が平坦に形成されたうえ絶縁膜が
張られて基板1を乗載しておくことが可能なようになっ
ている。このようなカソード部12は、RF電源31か
ら高周波電力を印可される下部電極と、真空チャンバに
囲われたプラズマ処理空間13に臨んで基板1を乗載可
能な基板支持体とを兼ねたものとなっている。真空チャ
ンバ本体部2の内底中央には筒状のローアーサポート1
2aが貫通して立設されており、カソード部12はこの
ローアーサポート12aの上端に固着して支持されてい
る。また、真空チャンバ蓋部3の内のほぼ中央であって
カソード部12の上方には、上部電極であるアノード部
11が筒状のアッパーサポート11aによって真空チャ
ンバ蓋部3に垂設されている。さらに、プラズマ処理に
必要な処理ガスAが、アノード部11等を介してプラズ
マ処理空間13に供給されるされるようにもなってい
る。
内ガスを吸い出して適度な真空度を保つために、チャン
バ壁を内外に貫通して開口2aが加工形成されている。
また、この開口2aを囲むチャンバ外壁面に対し、順
に、適宜なシールリング等も介在させて、可変バルブ4
と、ターボポンプ等の真空ポンプ5とが連結されてい
る。これにより、真空ポンプ5は、開口2aに対して外
側から吸引口が間接的に連通接続されたものとなる。間
の可変バルブ4は、バルブ開度を可変駆動するモータ等
が付設されていて、これを電気信号で制御することで遠
隔制御可能な通過流体の可変絞りとして機能する。そし
て、真空チャンバに貫通形成された導圧孔2bのところ
に付設された真空圧計4bによって真空チャンバ内の真
空圧が検出され、この検出値と所定の設定目標値との差
に基づいてPID制御回路4cによって制御信号が生成
出力されると、この制御信号に従って可変バルブ4によ
る絞り量が可変駆動される。このような真空圧計4bを
圧力検出器としPID制御回路4cを圧力制御回路とし
可変バルブ4を圧力制御機構とする圧力制御手段によっ
て、真空チャンバ内の真空圧が設定圧力になるように自
動制御される。
やガスの圧力均一性を高めるには、プラズマ処理空間1
3と吸引排気用貫通開口2aとの間にラビリンスやバッ
フル板を設けることが、一般的に行われる。これに対
し、図5(b)の装置は、圧力制御性や均一性の向上を
達成すべく、可変バルブ4に代えて、カソード部12の
周囲を縦に囲む可動壁体6を設けるとともに、その可動
壁体6に付随して、溝6aを形成したり、鍔状絞り6b
も形成したものである(特開2000−58298号公
報を参照)。
うな従来のプラズマ処理装置では、プラズマ処理空間か
ら基板支持体の周りを通って吸引排気用貫通開口に至る
排気路が基板支持体側面の何処を通るかで形や長さが異
なっているため、それが均一性に及ぼす影響度の相違を
上述のような手法で緩和することで、それなりに圧力均
一性の向上を達成しているが、完全な不均一性の解消は
望めない。そこで、圧力均一性の更なる向上を図るべ
く、それも比較的簡便な手法で達成するべく、プラズマ
処理空間から吸引排気用貫通開口に至る排気路が基板支
持体の周りの何処でも同じになるように、真空ポンプも
含めて真空チャンバの構造に工夫を凝らすことが技術的
な課題となる。
めになされたものであり、プラズマ処理空間からの排気
を均一に行うプラズマ処理装置を実現することを目的と
する。
るために発明された第1乃至第4の解決手段について、
その構成および作用効果を以下に説明する。
ズマ処理装置は、出願当初の請求項1に記載の如く、プ
ラズマ処理空間を囲う真空チャンバと、その壁を貫通す
る開口に対して外側から吸引口が連通接続された真空ポ
ンプと、前記プラズマ処理空間に臨んで基板を乗載可能
な基板支持体とを備えたプラズマ処理装置において、前
記基板支持体が、前記真空ポンプを介して前記真空チャ
ンバに固設されている、というものである。
装置にあっては、プラズマ処理空間と基板支持体と吸引
排気用貫通開口とが直列に並ぶので、プラズマ処理空間
から吸引排気用貫通開口に至る排気路が基板支持体の周
りの何処でも同じようになる。しかも、可動壁体やバッ
フルの有無等に束縛されないので、排気路に関する制約
がほとんど無いうえ、構造の簡素化もし易い。したがっ
て、この発明によれば、プラズマ処理空間からの排気を
均一に行うプラズマ処理装置を実現することができる。
ズマ処理装置は、出願当初の請求項2に記載の如く、上
記の第1の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記
基板支持体を支持する支持脚が、前記真空ポンプから延
びて前記開口の中央を通って前記基板支持体に至ってい
る、というものである。
装置にあっては、基板支持体の支持に必要な支持脚が、
吸引排気用貫通開口のところで、その中央を通ってい
る。これにより、プラズマ処理空間から吸引排気用貫通
開口に至った排気路は、その開口のところでも、支持脚
の周囲総てについて、同じようになる。したがって、こ
の発明によれば、プラズマ処理空間からの排気を一層均
一に行うプラズマ処理装置を実現することができる。
ズマ処理装置は、出願当初の請求項3に記載の如く、上
記の第2の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記
支持脚が、前記真空ポンプにおける排気用回転部材を回
転可能に支持する支軸を兼ねている、というものであ
る。
装置にあっては、支持脚と支軸とが一体化されているの
で、装置が簡素化されるとともに小形になる。したがっ
て、この発明によれば、プラズマ処理空間からの排気を
一層均一に行うプラズマ処理装置をコンパクトに実現す
ることができる。
ズマ処理装置は、出願当初の請求項4に記載の如く、上
記の第3の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記
支軸が中空の杆体で出来ている、というものである。
装置にあっては、支軸の中を通すことにより、外部から
基板支持体に至る配線や配管を付設することが、プラズ
マ処理空間の真空を破ること無く容易に行える。したが
って、この発明によれば、プラズマ処理空間からの排気
を一層均一に行うコンパクトなプラズマ処理装置を簡便
に実現することができる。
本発明のプラズマ処理装置について、これを実施するた
めの具体的な形態を、以下の第1,第2実施例により説
明する。図1,図2に示した第1実施例は、上述した解
決手段を総て具現化したものであり、図3に示した第2
実施例や、図4に示した第3実施例は、その変形例であ
る。なお、それらの図示に際し従来と同様の構成要素に
は同一の符号を付して示したので、重複する再度の説明
は割愛し、以下、従来との相違点を中心に説明する。
について、その具体的な構成を、図面を引用して説明す
る。図1は、要部である下部電極および真空ポンプの詳
細構造を示し、(a)が外観斜視図、(b)が縦断面図
である。また、図2は、チャンバ全体を含む縦断面模式
図であり、従来例の図5(a)に対応している。
来装置と相違するのは、吸引排気用貫通開口2aが真空
チャンバ本体部2の底壁のうちカソード部12(基板支
持体)の直下のところに形成されている点と、真空ポン
プ5に後述のターボポンプ50が採用されるとともにそ
の吸引口51aが開口2aに対して直に連通接続されて
いる点と、その支軸52とローアーサポート12a(支
持脚)とが一体のものになっている点である。これによ
り、プラズマ処理空間13とカソード部12と開口2a
とターボポンプ50とが、縦一列に並び、鉛直軸を基準
にして回転対称形になっている。
と相違するのは、排気用回転部材であるスリーブ53及
びフィン54を回転可能に支持する支軸52に、中空の
杆体が採用されていることと、その支軸52がポンプ本
体51の内底から上に延び更に開口2aの中央を通って
カソード部12に至っていることである。これにより、
支軸52はローアーサポート12aを兼ねるものとな
り、カソード部12はターボポンプ50を介して真空チ
ャンバ本体部2に固設されたものとなる。
ではカソード部12の保護部材12bを貫き、下端部で
はポンプ本体51の底壁を貫いて大気に通じている。そ
の貫通穴52aはRFケーブル32の配線にも利用され
ている。すなわち、外部のRF電源31から延びた来た
RFケーブル32が、その貫通穴52aを通ってカソー
ド部12に至り、その電極部材12cに接続されてい
る。図示は割愛したが、冷媒送給用の配管なども、必要
であれば、貫通穴52aを利用して簡単に設置される。
口2aと連結されるので、可変バルブ4に代えてゲート
バルブ40が導入され、それがターボポンプ50の排出
口51bに連結されるとともに、ポンプ本体51に固定
されたステータ55やスリーブ53に装着されたロータ
56からなるフィン回転駆動用電動モータを、インバー
タ57にて可変速制御することで、PID制御回路4c
による圧力制御が遂行されるようになっている。さら
に、それらのPID制御回路4c及びインバータ57の
作動やゲートバルブ40の開閉も、RF電源31の出力
や処理ガスAの流量と共に、コントローラ41にセット
したレシピ等に従ってシーケンス制御されるようになっ
ている。
て、その使用態様及び動作を説明するが、プラズマ処理
装置の一般的な動作等については特開平10−3353
15号公報や特開2000−58298号公報などに開
示されているので、ここでは、従来との主な相違点であ
る真空引き(吸引排気動作)や圧力制御を中心に述べ
る。
で、真空チャンバ(2+3)内へ横から水平状態の基板
1が搬入され、この基板1がカソード部12の上面に載
置される。そして、図示しない基板搬入口等が閉められ
ると同時にゲートバルブ40が開けられ、それからター
ボポンプ50による真空引きが行われる。このとき、可
変バルブ4が存在しないので、真空チャンバ内は速やか
に真空状態となる。
の目標値が設定されるが、当初はそれと真空圧計4bの
計測値とが離れているので、その差を縮めるようインバ
ータ57によってモータ55+56及びフィン54が高
速回転させられて、ターボポンプ50の排出口51bか
ら急速に排気がなされる。それに伴い、ターボポンプ5
0の吸引口51a及び真空チャンバの吸引排気用貫通開
口2aからも真空チャンバ内の気体が吸い出される。
は、カソード部12の側周部から下方へ回り込み、それ
から支軸52に沿うように下方へ向きを変えて開口2a
を通り抜け、ターボポンプ50によって排出されるが、
その流れの経路途中には、流路を絞る可変バルブ4が無
いばかりか、カソード部12から真空チャンバ本体部2
へ直に延びて流路を切り裂くような物も無いことから、
プラズマ処理空間13の気体は辺縁部の何処からもほぼ
一様に減圧されるので、その分だけ圧力分布の均一性が
改善される。
標圧力に達すると又は充分に近づくと、PID制御回路
4c及びインバータ57の制御によって、モータ55+
56及びフィン54の回転速度が下げられ、その後は、
目標圧力を保つよう回転速度が上げ下げされる。プラズ
マ処理空間13からターボポンプ50までの排出経路に
は流れを阻害するものが無いので、モータ回転数を可変
する方式であっても圧力制御は応答性も安定性も優れた
ものとなる。
ラズマが形成され又は導入されるとともに、処理ガスA
が供給され、さらにプラズマの励起や異方性の付与等に
必要であればRF電源31から高周波も印可されて、基
板1にプラズマ処理が施されるが、その状態でも、プラ
ズマや副生成ガスは均一性良く排出される。こうして、
このプラズマ処理装置にあっては、プラズマ処理空間1
3の圧力を可変制御するに際し迅速に可変することがで
きる。しかも、その圧力の均一性まで高めることができ
る。
プラズマ処理装置が上述した第1実施例のものと相違す
るのは、電動モータ55+56の組み込み箇所が変更さ
れた点である。具体的には、ステータ55の装着箇所が
ポンプ本体51の内側面から支軸52の外側周面に移さ
れ、ロータ56の装着箇所がスリーブ53の外側周面か
ら内周面に移されている。
方向の長さが同じであれば、フィン54の段数を増やす
ことができ、フィン54の段数を同じに維持すれば、タ
ーボポンプ50の高さを低くすることができる。
プラズマ処理装置が上述した第1実施例のものと相違す
るのは、従来例の図5(a)に示した可変バルブ4に対
応する可変バルブ機構61〜46が真空チャンバ2内に
設けられている点である。具体的には、真空チャンバ本
体部2の内壁とカソード部12の下面との間に、リング
状・穴あき円板状の可動弁体61と、それに一端が連結
され他端が真空チャンバ本体部2の内壁に連結されたベ
ローズ62とが、開口2aを通って真空チャンバ2内に
延びた支軸52すなわちローアーサポート12aの周り
を囲むように設けられる。可動弁体61から延びたロッ
ド63には、チャンバ外部の電動モータ65によって進
退駆動されるロッド64が連結されていて、可動弁体6
1が上下に移動しうるようになっている。
体61を上限すなわちカソード部12の下面まで上昇さ
せると、その状態では(図4(a)参照)、開口2aが
閉めきられる。そして、モータ65を作動させて可動弁
体61を下降させると、その状態では(図4(b)参
照)、カソード部12と可動弁体61との間に円環状の
間隙66ができる。その間隙66を真空チャンバ内の検
出圧力に応じて可変制御することにより、インバータ5
7が無くても圧力制御を行うことができる。また、イン
バータ57も併用することにより、多様な圧力制御を行
うことができる。なお、この場合、可動弁体61が真空
チャンバ本体部2の内壁側で移動してそれとの間隙を調
節するようにしても良く、ロッド64をベローズ62の
内側に配置しても良く、それに随伴してロッド63を省
くようにしても良い。
ラズマ処理装置を説明したが、本発明の適用は平行平板
形に限られない。カソード部12やアノード部11も、
電極でなくても良い。プラズマ処理空間13に臨んで基
板1を乗載できるようになっていれば足りる。また、基
板1は、シリコンウエハのように円板状で硬いものに限
らず、LCDパネルのような角板状のものでも良く、プ
ラスチックフィルムのように柔らかいでも良い。また、
それらを出し入れするために必要であれば適宜な開閉ゲ
ートや昇降リフタ等も真空チャンバに付設される。
の第1の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、プラ
ズマ処理空間と基板支持体と吸引排気用貫通開口とが直
列に並ぶようにしたことにより、プラズマ処理空間から
の排気を均一に行うプラズマ処理装置を実現することが
できたという有利な効果が有る。
処理装置にあっては、プラズマ処理空間から吸引排気用
貫通開口に至った排気路がその開口のところでも同一性
が維持されるようにしたことにより、プラズマ処理空間
からの排気を一層均一に行うプラズマ処理装置を実現す
ることことができたという有利な効果を奏する。
マ処理装置にあっては、支持脚と支軸とが一体化される
ようにもしたことにより、プラズマ処理空間からの排気
を一層均一に行うプラズマ処理装置をコンパクトに実現
することができたという有利な効果が有る。
処理装置にあっては、 このような第4の解決手段のプ
ラズマ処理装置にあっては、支軸の中を通して配線や配
管が行えるようにもしたことにより、プラズマ処理空間
からの排気を一層均一に行うコンパクトなプラズマ処理
装置を簡便に実現することができたという有利な効果を
奏する。
いて、要部である下部電極および真空ポンプの詳細構造
を示し、(a)が外観斜視図、(b)が縦断面図であ
る。
る。
いて、要部の縦断面図である。
いて、(a),(b)共に要部の縦断面図である。
(b)何れも縦断面模式図である。
開口、排気路) 2b 導圧孔(導圧路) 3 真空チャンバ蓋部(真空チャンバ) 4 可変バルブ(流量制御、可変絞り、圧力制御機
構、圧力制御手段) 4b 真空圧計(圧力検出器、圧力制御手段) 4c PID制御回路(圧力制御回路、圧力制御
手段) 5 真空ポンプ(排気ポンプ) 6 可動壁体(流量制御、可変絞り) 6a 溝(圧力バッファ空間、リーク圧力緩衝手
段、等圧空間) 6b 鍔状絞り(薄肉リング、張出部、絞り部、
鍔状部材) 11 アノード部(プラズマ空間形成機構、上部電極
部) 11a アッパーサポート 12 カソード部(プラズマ空間形成機構、下部電極
部、基板支持体) 12a ローアーサポート(支持脚、下部電極支持
部) 12b 保護部材(絶縁体) 12c 電極部材(良導体) 13 プラズマ処理空間(プラズマ形成空間、プラズ
マ導入空間) 31 RF電源(高周波印加回路) 32 RFケーブル(高周波印加回路) 40 ゲートバルブ(開閉弁) 41 コントローラ(シーケンス制御手段) 50 ターボポンプ(ターボモレキュラーポンプ、真
空ポンプ) 51 ポンプ本体(外筒部) 51a 吸引口 51b 排出口 52 支軸(固設部材、中空杆、下部電極支持脚
兼用部材) 52a 貫通穴(中空部分) 53 スリーブ(回転筒、排気用回転部材) 54 フィン(羽根部材、翼部材、排気用回転部
材) 55 ステータ(コイル部、固定部、電動モー
タ) 56 ロータ(マグネット部、回転部、電動モー
タ) 57 インバータ(周波数変換、回転数制御、圧
力制御手段)
Claims (4)
- 【請求項1】プラズマ処理空間を囲う真空チャンバと、
その壁を貫通する開口に対して外側から吸引口が連通接
続された真空ポンプと、前記プラズマ処理空間に臨んで
基板を乗載可能な基板支持体とを備えたプラズマ処理装
置において、前記基板支持体が、前記真空ポンプを介し
て前記真空チャンバに固設されていることを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項2】前記基板支持体を支持する支持脚が、前記
真空ポンプから延びて前記開口の中央を通って前記基板
支持体に至るものであることを特徴とする請求項1記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項3】前記支持脚が、前記真空ポンプにおける排
気用回転部材を回転可能に支持する支軸であることを特
徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】前記支軸が中空の杆体であることを特徴と
する請求項3記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001266086A JP5241052B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001266086A JP5241052B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011269330A Division JP2012104488A (ja) | 2011-12-08 | 2011-12-08 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003071271A true JP2003071271A (ja) | 2003-03-11 |
JP5241052B2 JP5241052B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=19092446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001266086A Expired - Lifetime JP5241052B2 (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TWI801624B (zh) * | 2018-07-09 | 2023-05-11 | 英商愛德華有限公司 | 具有貫通通道的真空幫浦及真空腔室 |
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CN113994128A (zh) * | 2019-07-11 | 2022-01-28 | 埃地沃兹日本有限公司 | 真空泵装置及升降式闸阀 |
JP2021014814A (ja) * | 2019-07-11 | 2021-02-12 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ装置および昇降式ゲートバルブ |
WO2021006224A1 (ja) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ装置および昇降式ゲートバルブ |
EP3998406A4 (en) * | 2019-07-11 | 2023-07-26 | Edwards Japan Limited | VACUUM PUMPING DEVICE AND SLIDING TYPE SLIDE VALVE |
JP7345300B2 (ja) | 2019-07-11 | 2023-09-15 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ装置 |
US11835048B2 (en) | 2019-07-11 | 2023-12-05 | Edwards Japan Limited | Vacuum pump device and lifting-type gate valve |
CN113994128B (zh) * | 2019-07-11 | 2024-03-19 | 埃地沃兹日本有限公司 | 真空泵装置 |
JP2023033356A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7462728B2 (ja) | 2021-10-26 | 2024-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5241052B2 (ja) | 2013-07-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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