JPH1027784A

JPH1027784A - 減圧処理装置

Info

Publication number: JPH1027784A
Application number: JP33885796A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Kubo; 謙一久保
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-05-08
Filing date: 1996-12-04
Publication date: 1998-01-27

Abstract

(57)【要約】【課題】径の大きい半導体ウエハやＬＣＤ基板に対し
て，対向する位置にある供給排気部から処理ガスを供給
しつつ，当該供給排気部からの排気で高い真空度を得
る。【解決手段】上部電極１１８には，供給経路１２６及
び排気経路１２８が配置されている。供給経路１２６
は，遮蔽部材１３４により区画されており，排気経路１
２８とは連通しない構成となっている。また，排気経路
１２８は，多孔質体により構成されている。さらに，排
気経路１２８の排気面積は，供給経路１２６の供給面積
よりも大きく設定されている。そして，上部電極１１８
のウエハＷ側の面は，多孔質体から成る第１多孔質体板
１４２により覆われている。この第１多孔質体板１４２
の供給経路１２６の供給口１３８側には，供給圧力を調
整する溝１４４が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，被処理基板に対し
て，エッチング処理行うエッチング装置をはじめとし
て，減圧雰囲気の下で処理を施す際に用いる減圧処理装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えばエッチング処理についていうと，
従来から例えば半導体製造プロセスにおいては，半導体
ウエハ（以下，「ウエハ」という）などの表面の絶縁膜
をエッチングするための装置としてエッチング装置が使
用されているが，その中でもとりわけ処理容器内の上下
に電極を配置して，プラズマ雰囲気の下でエッチングを
行うエッチング装置は，比較的大口径のウエハの処理に
適していることから数多く使用されている。

【０００３】前記エッチング装置においては，処理容器
内に所定のエッチング反応ガスを供給すると共に，容器
内を排気して所定の減圧度に設定した状態でプラズマを
発生させ，例えばエッチャントイオンによってエッチン
グを行うようになっている。この場合，エッチング反応
ガスの供給と排気によってエッチング速度が大きく影響
を受けるので，供給，排気はウエハ上で均一に行うこと
が望ましい。

【０００４】この点特公昭６３−６６３９４号公報に
は，処理容器の下部から排気する方法に代えて，エッチ
ングガスの供給のみならず排気も処理容器内の上部から
行うことが提案され，処理容器内の上部電極に注入（供
給）口と排気口とを複数設け，これら注入口と排気口を
各々エッチングガス注入系路と排気経路に連通させる構
成を開示している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで今日では，半
導体デバイスの高集積化が一段と進み，そのためエッチ
ングをはじめとする各種処理も一段と高微細化が要求さ
れ，他方被処理基板であるウエハも大径化しつつある。
このような点に鑑み，エッチング装置の処理容器内も，
より真空度が高い（より真空に近い）減圧雰囲気にでき
ることが要求されている。

【０００６】かかる点に徴して前記従来技術を検討する
と，供給，排気を行う供給排気部を構成する上部電極か
らの排気のみで，例えば１０ｍＴｏｒｒ程度の高い真空
度を実現するには，排気口の径を大きくして広い排気面
積を確保する必要がある。しかしながら排気口の径を単
純に大きくすると，当該排気口の縁部に電荷が集中しや
すくなり，異常放電を起こすおそれがある。

【０００７】さらに前記従来技術によれば，上部電極を
ダクト状にして内部を仕切板で二分し，一方をガス供給
系，他方を排気系とし，供給口と排気口とをそれぞれに
連通させる構造としているが，その具体例をみると，確
かに排気口−排気系との連通は比較的容易であるが，上
部電極内において残りの供給口とガス供給系とを連通さ
せる構造が極めて複雑であり，排気量を稼ぐために排気
口の数を多くするには，実用的に問題があった。いずれ
にしろ，従来の技術では，供給口と排気口とが被処理基
板に対向した位置にある供給排気部によって，高い真空
度を実現するのが困難であった。

【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，より高い真空度を実現するために排気口の径や断
面積を大きくしたり，排気口の数を多くした場合であっ
ても異常放電の発生を防止したり，また製作が容易な減
圧処理装置を提供して，供給口と排気口とが被処理基板
に対向した位置にある供給排気部によって，容易に高い
真空度を実現することをその目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め，請求項１によれば，処理容器内にある被処理基板に
対して処理ガスを供給すると共に，処理容器内の雰囲気
を排気して，所定の減圧雰囲気の下で被処理基板に対し
て所定の処理を施す装置であって，供給口と排気口と
が，被処理基板に対向した位置にある供給排気部に設け
られた減圧処理装置において，供給排気部に供給口を複
数形成すると共に，この供給口よりも大径の排気口を複
数形成し，さらに前記排気口には，通気性のある多孔質
体を設けたことを特徴とする，減圧処理装置が提供され
る。

【００１０】ここでいう通気性のある多孔質体として
は，導電性のあるものとして，例えばアルミニウム粉末
を焼結させたり，アルミニウム線材を同一方向に揃えた
状態で焼結させて多孔質板に構成したもの（後者の場合
には，当該方向に貫通孔を形成させることができる）
や，その他の金属を電解エッチング法や焼結法によって
多孔質状に構成したものが挙げられる。またその他絶縁
性のものとしては，例えばセラミックスが挙げられる。
このように排気口に通気性のある多孔質体を設ければ，
排気口自体の径を大きくして排気面積を稼いでも，電荷
が集中することはなく，異常放電のおそれはない。

【００１１】また請求項２によれば，処理容器内に設け
られた被処理基板に対して処理ガスを供給すると共に，
処理容器内の雰囲気を排気して，所定の減圧雰囲気の下
で被処理基板に対して所定の処理を施す装置であって，
供給口と排気口が，被処理基板に対向した位置にある供
給排気部に設けられた減圧処理装置において，供給排気
部を通気性のある多孔板で構成し，この多孔板の外方側
に該多孔板がその一部を構成する排気チャンバを形成
し，さらにこの排気チャンバと前記多孔板とからは気密
に隔離された供給経路を前記多孔板に貫設し，当該供給
経路の被処理基板側開口部を供給口とし，前記排気チャ
ンバを排気系に，前記供給経路を処理ガス供給系に各々
接続したことを特徴とする，減圧処理装置が提供され
る。

【００１２】多孔板としては，既存のガス拡散板を用い
ることができ，また前記したような多孔質体で板状に形
成したものを用いてもよい。

【００１３】そして前記したように，請求項２の減圧処
理装置においては，多孔板の外側，即ち被処理基板とは
反対の方向に排気チャンバを形成し，排気チャンバと前
記多孔板とは気密に隔離された供給経路（例えばパイプ
材で構成された管路）を前記多孔板に貫設し，この供給
経路の被処理基板側の開口部を供給口とし，さらに排気
チャンバを排気系に，供給経路を処理ガス供給系に接続
したので，全体の構成が極めて簡易である。

【００１４】発明者の知見によれば，低圧プロセス（よ
り真空に近い圧力下での処理）においては，供給口の面
積よりも排気口の面積を多く確保することが重要であ
り，一方供給口の面積は，それより小さくてもよい。こ
の点請求項２では，排気チャンバ自体の内方側，即ち被
処理基板側を直接多孔板で形成することで，多孔板の孔
数を単純に増加させるだけで，所望の排気面積を稼ぐこ
とができる。また供給口は，供給経路を適宜数貫設する
だけで実現できる。例えば適当な数のパイプ材を，排気
チャンバ及び多孔板に貫設するだけでよい。したがっ
て，従来のように供給系と排気系とを複雑に供給排気部
に形成する必要はない。この場合，多孔板の材質に，前
記請求項１の項で説明した多孔質体を用いれば，さらに
簡単に供給排気部を構成することができる。

【００１５】請求項３のように，前記排気チャンバの外
側に処理ガス供給系に通ずる供給チャンバを設け，供給
経路をこの供給チャンバに接続すれば，より一層簡易な
供給排気部を構成することができる。

【００１６】また，請求項４に記載の発明は，処理容器
内にある被処理基板に対して処理ガスを供給すると共
に，処理容器内の雰囲気を排気して，所定の減圧雰囲気
の下で被処理基板に対して所定の処理を施す装置であっ
て，処理ガス供給手段に接続された供給経路と排気手段
に接続された排気経路とが，被処理基板に対向した位置
にある供給排気部に設けられた減圧処理装置に適用され
るものである。そして，当該発明によれば，供給経路
は，排気経路とは遮蔽部材により気密に隔離されると共
に，供給経路の供給口が供給排気部の被処理基板側に形
成されている。また，排気経路は，多孔質材から構成さ
れると共に，排気経路の排気面積は，供給経路の供給面
積よりも実質的に大きく設定されている。さらに，供給
排気部の被処理基板側は，通気性のある多孔質体によっ
て覆われる共に，多孔質体の供給口側には，空間部が形
成されるように構成されている。

【００１７】かかる構成によれば，供給経路と排気経路
とは，遮蔽部材により気密に区画されているため，供給
経路内を通過する処理ガスは，供給排気部内で排気経路
に漏洩することなく，被処理基板方向に案内される。ま
た，本発明においては，排気経路の排気面積が，供給経
路の供給面積よりも大きく設定されているが，排気経路
は多孔質材，すなわち例えば前記請求項１の項で説明し
たような多孔質体により構成されているため，排気経路
内で異常放電が生じることがない。さらに，供給排気部
の被処理基板側も，上記と同様に，例えば前記請求項１
の項で説明したような多孔質体によって覆われているた
め，処理時に供給排気部が損傷を受けることがない。さ
らにまた，多孔質体には，貫通口が形成されていないた
め，電荷の集中による異常放電が生じることがない。そ
して，多孔質体の供給経路の供給口側には，空間部が形
成されているため，多孔質体の空間部側と被処理基板側
との距離が短くなる。その結果，被処理基板方向の供給
抵抗が減少するため，空間部内に導入された処理ガス
が，多孔質体内で直接排気経路に流入することなく，被
処理基板の被処理面に所望の状態で処理ガスを導入する
ことができる。なお，空間部は，例えば溝，切欠き部ま
たは非貫通の穴などにより構成することができる。

【００１８】また，請求項５に記載の発明は，請求項４
の減圧処理装置と同様に，処理容器内にある被処理基板
に対して処理ガスを供給すると共に，処理容器内の雰囲
気を排気して，所定の減圧雰囲気の下で被処理基板に対
して所定の処理を施す装置であって，処理ガス供給手段
に接続された供給経路と排気手段に接続された排気経路
とが，被処理基板に対向した位置にある供給排気部に設
けられた減圧処理装置に適用される。そして，当該発明
によれば，供給経路は，排気経路とは遮蔽部材により気
密に隔離されると共に，供給経路の供給口が供給排気部
の被処理基板側に形成されている。また，排気経路は，
多孔質材から構成されると共に，排気経路の排気面積
は，供給経路の供給面積よりも実質的に大きく設定され
ている。さらに，供給排気部の被処理基板側は多孔体，
例えば前記請求項２の項で説明したような通気性のある
多孔板によって覆われる構成となっている。

【００１９】かかる構成によれば，供給排気部の被処理
基板側は，複数の貫通孔を有する多孔体により覆われる
構成のため，多孔体内で処理ガスが直接排気経路に流入
するすることなく，所望の状態で処理ガスを被処理基板
上に導入することができる。また，多孔体に形成する貫
通孔の内径を，例えば１ｍｍ以下に設定することによ
り，貫通孔内での電荷の集中による異状放電を防ぐこと
ができる。

【００２０】さらに，請求項６に記載の発明は，供給排
気部を挟んで被処理基板の反対側には，排気室が形成さ
れると共に，この排気室は排気手段と排気経路との間に
介在しており，さらに供給排気部の排気室側の面から所
定の間隔を隔てた排気室内には，導電性を有し通気性の
ある他の多孔質体が配置されると共に，この他の多孔質
体は接地される構成となっている。

【００２１】かかる構成によれば，供給排気部の排気室
側の面から所定の間隔，例えば１ｍｍ以下の間隔を隔て
た位置に，導電性を有し接地されている他の多孔質体が
配置されている。従って，供給排気部に電荷が生じてい
ても，その電荷は他の多孔質体によって遮蔽されるた
め，排気室内には電荷が生じず，異常放電が発生するこ
とがない。その結果，異常放電によって，供給排気部や
排気室内に配置される部材や機構などが損傷を受けるこ
とを防止することができる。なお，他の多孔質体は，例
えば前記請求項１の項で説明した多孔質体と実質的に同
じ構成となっている。

【００２２】また，請求項７に記載の発明は，供給排気
部を挟んで被処理基板の反対側には，排気室が形成され
ると共に，この排気室は排気手段と排気経路との間に介
在しており，さらに供給排気部の排気室側の面から所定
の間隔を隔てた排気室内には，導電性を有し通気性のあ
る他の多孔体が配置されると共に，この他の多孔体は接
地される構成となっている。

【００２３】かかる構成によれば，請求項６に記載の発
明にかかる他の多孔質体に変えて，複数の貫通孔を有す
る他の多孔体を配置することによっても，排気室内で異
常放電が生じることを防止することができる。なお，当
該発明においては，前記請求項５の項で説明したよう
に，他の多孔体に形成する貫通孔の内径を，例えば１ｍ
ｍ以下に設定することにより，貫通孔内での電荷の集中
による異状放電を防ぐことができる。

【００２４】さらに，請求項８に記載の発明によれば，
遮蔽部材内には，温度調整手段が備えられている。従っ
て，例えば反応生成物から成る付着物が，排気経路を構
成する多孔質材の孔や，供給排気部の被処理基板側の面
を覆う多孔質体の孔，または多孔体の貫通孔に付着した
場合でも，温度調節手段，例えばヒータにより遮蔽部材
を介して多孔質材や，多孔質体または多孔体が，例えば
１００℃に加熱されると，付着物が気化して排気されて
しまい，排気経路が目詰まりを起こすことがない。従っ
て，排気経路をはじめとして，供給排気部のメンテナン
スが容易になる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下，本発明をウエハに対してエ
ッチング処理を行うエッチング装置に適用した実施の形
態について説明する。

【００２６】まず，第１の実施の形態について，図１〜
４を参照しながら説明する。図１は第１の実施の形態に
かかるエッチング装置１の断面を示しており，このエッ
チング装置１における処理室２は，酸化アルマイト処理
されたアルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器３
内に形成され，この処理室２は気密に閉塞自在に構成さ
れている。また処理容器３自体は，例えば接地線４に接
続されるなどして接地されている。

【００２７】前記処理室２内の底部にはセラミックなど
の絶縁支持板５が設けられており，この絶縁支持板５の
上部に，ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプタ
６が収容されている。このサセプタ６は，例えば酸化ア
ルマイト処理されたアルミニウムからなっており，下部
電極を構成する。

【００２８】前記サセプタ６内には，冷媒が流通する冷
媒循環路７が形成されており，冷媒導入管８から導入さ
れた冷媒は，この冷媒循環路７内を巡って冷媒排出管９
から処理容器３外部に排出されるようになっている。か
かる構成により，サセプタ６及び前記ウエハＷを所定の
温度に冷却することが可能になっている。また同時にサ
セプタ６内に，例えばセラミックヒータなどの加熱手段
を別途を設け，適宜の温度センサによる制御によって該
加熱手段をコントロールし，前記した冷媒循環路７の作
用と共に，ウエハＷを所定温度に制御する構成としても
よい。この場合には，より微細な温度調整が可能であ
る。

【００２９】前記サセプタ６上には，ウエハＷを吸着保
持するための静電チャック１１が設けられている。この
静電チャック１１は，例えば導電性の薄膜をポリイミド
系の樹脂フィルムによって上下から挟持した構成を有
し，処理容器３の外部に設置されている高圧直流電源１
２からの所定の直流電圧，例えば１００Ｖ〜２ｋＶの電
圧が前記導電性の薄膜に印加されると，前記樹脂フィル
ム上に発生する電荷に基づいたクーロン力及びジョンセ
ン・ラーベック力によって，静電チャック１１上に載置
されたウエハＷは，この静電チャック１１の上面に吸着
保持されるようになっている。

【００３０】また前記サセプタ６内には，処理容器３底
部及び絶縁支持板５を貫設した伝熱ガス導入管１３が設
けられ，前記静電チャック１１上面に開口したガス流路
１４と接続されている。そして処理容器３外部から供給
される適宜の伝熱ガス，例えばＨｅ（ヘリウム）ガスが
前記伝熱ガス導入管１３，ガス流路１４を通じて，静電
チャック１１上に保持されているウエハＷの裏面に供給
されると，ウエハＷと静電チャック１１，即ちサセプタ
６との間の熱伝達効率が向上するようになっている。

【００３１】前記サセプタ６の上面外周縁における静電
チャック１１の周囲には，この静電チャック１１を取り
囲むようにして，絶縁性を有する環状のフォーカスリン
グ１５が設けられている。このフォーカスリング１５
は，エッチャントイオンをウエハＷに対して効率よく入
射させる機能を有している。

【００３２】前記処理容器３内の上部には，例えばアル
ミナからなる絶縁材２１を介して，上部電極２２が設け
られている。この上部電極２２は，ウエハＷに近い面か
ら電極板２３，この電極板２３から所定間隔上方に離れ
て配置されてこの電極板２３との間に気密な空間Ｅを形
成する隔壁２４，当該隔壁２４から所定間隔上方に離れ
て配置されてこの隔壁２４との間に気密な空間Ｓを形成
する隔壁２５とによって構成されている。

【００３３】前記電極板２３は，導電性を有しかつ通気
性を有する多孔質体，例えばアルミニウム粉を焼結して
得た材質からなっており，その下面（即ちウエハＷ側表
面）には，図２に示したように，前記空間Ｅに通ずる多
数の小孔２３ａが形成されている。これら小孔２３ａ
は，排気口を構成する。

【００３４】そして電極板２３と隔壁２４との間には，
空間Ｅからは気密に隔離されるパイプ材等によって構成
された供給経路２６が，上下方向に貫設されている。こ
の供給経路２６の下端は，電極板２３の下面で開口し，
当該開口部は供給口２３ｂを構成している。他方，供給
経路２６の上端は，空間Ｓ内に開口している。

【００３５】前記空間Ｅには，空間Ｓとは気密に隔離さ
れる排気管３１が接続され，この排気管３１は，ターボ
分子ポンプなどの真空引き手段３２に接続されている。
これら排気管３１，真空引き手段３２は排気系を構成し
ている。したがって，電極板２３と隔壁２４とが排気チ
ャンバを形成している。

【００３６】一方前記空間Ｓには，処理ガス供給管３３
が接続され，この処理ガス供給管３３は，バルブ３４，
流量調整のためのマスフローコントローラ３５を介し
て，処理ガス供給源３６に接続されている。これら処理
ガス供給管３３，処理ガス供給源３６等は処理ガス供給
系を構成している。したがって，隔壁２４と隔壁２５と
が供給チャンバを形成している。そして電極板２３が供
給排気部を構成することになる。

【００３７】次にこのエッチング装置１の高周波電力の
供給系について説明すると，まず下部電極となるサセプ
タ６に対しては，周波数が数百ｋＨｚ程度，例えば８０
０ｋＨｚの高周波電力を出力する第１の高周波電源４１
からの電力が，ブロッキングコンデンサなどを有する整
合器４２を介して供給される構成となっている。一方上
部電極２２に対しては，整合器４３を介して，周波数が
前記第１の高周波電源４１よりも高い１ＭＨｚ以上の周
波数，例えば２７．１２ＭＨｚの高周波電力を出力する
第２の高周波電源４４からの電力が供給される構成とな
っている。

【００３８】本実施の形態にかかるエッチング装置１の
主要部は以上のように構成されており，このエッチング
装置１の側面には，例えばゲートバルブ（図示せず）を
介して，搬送アームなどのウエハ搬送手段等が収容され
ているロードロック室（図示せず）が並設されている。

【００３９】次に前記構成になるエッチング装置１を用
いて，例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ₂）
をエッチングする場合のプロセス，作用等について説明
すると，まず前記ロードロック室（図示せず）からウエ
ハＷが処理室２内に搬入され，静電チャック１１上に載
置されると，高圧直流電源１２から所定の電圧が静電チ
ャック１１内の導電性の薄膜に印加されて，ウエハＷは
この静電チャック１１上にソフトに吸着，保持される。

【００４０】次いで処理室２内が，真空引き手段３２に
よって真空引きされていき，他方処理ガス供給源３６か
ら所定の処理ガス，例えばエッチング反応ガスとしての
ＣＦ₄が所定の流量で供給され，処理室２の圧力が所定
の真空度，例えば１０ｍＴｏｒｒに設定，維持される。

【００４１】この場合，処理ガスは，処理ガス供給管３
３から一旦空間Ｓ内に供給され，その後供給経路２６を
通じて，電極板２３下面の供給口２３ｂから，ウエハＷ
に対して均一に供給される。一方排気については，電極
板２３の小孔２３ａから，空間Ｅ，排気管３１を通じて
行われるが，この小孔２３ａは，多孔質体に存在する孔
であるから，全体として均一に形成されており，ウエハ
Ｗ上面の雰囲気を均一に排気することが可能である。

【００４２】そして上部電極２２に対して第２の高周波
電源４４から周波数が２７．１２ＭＨｚ，パワーが２ｋ
Ｗの高周波電力が供給されると，上部電極２２とサセプ
タ６との間にプラズマが生起される。またサセプタ６に
対して第１の高周波電源４１から周波数が８００ｋＨ
ｚ，パワーが１ｋＷの高周波電力が供給されると，前記
第２の高周波電源４４からの高周波（２７．１２ＭＨ
ｚ）の印加によって発生したプラズマにより処理室２内
のエッチングガス，即ちＣＦ₄ガスのガス分子が解離
し，それによって生じたエッチャントイオンが，第１の
高周波電源４１からサセプタ６側に供給された相対的に
低い周波数の高周波（８００ｋＨｚ）によってその入射
エネルギーが，その生成過程とは独立に制御されつつ，
ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）をエッチン
グしていく。従って，ウエハＷにダメージを与えること
なく，所定のエッチング処理を行うことが可能である。

【００４３】前記エッチングプロセスの最中も，供給口
２３ｂから処理ガスが供給されつつ，孔２３ａからは排
気されているが，小孔２３ａは，多孔質体にいわば自然
と存在するものであるから，電極板自体に穿孔加工する
ことなく形成でき，また数多く形成することが容易であ
る。したがって，多孔質体自体の気孔率を変えることで
小孔２３ａの数を増加させて電極板２３全体からの排気
面積を増大させることが容易である。また被処理基板で
あるウエハＷの径が大きくなっても，所定の減圧度まで
排気することが容易である。そのうえウエハＷの上面に
て，いわば全面で均一に排気しているので，ウエハＷの
径が大きくなっても，該ウエハＷ上の雰囲気に圧力差が
生ずるのを防止できる。従来供給排気部を構成するにあ
たって面倒な問題であった，供給口と排気口との数，位
置関係の設定に煩わされることもない。

【００４４】また電極板２３は供給排気部を構成してい
るが，処理ガスの供給路は，空間Ｓと電極板２３との間
に，パイプ材等で供給経路２６を構成するだけでよいの
で，構成も簡易である。もちろん供給口２６の径は小径
でよいから，その周縁部で異常放電が発生することもな
い。

【００４５】前記実施形態においては，電極板２３自体
に多孔質体を用いて，いわば電極板全面から排気するよ
うにしていたが，これに代えて，例えば図３，図４に示
したように，電極板５１自体には，通常のアルミニウム
材を用い，供給口５２を通常の穿孔加工によって形成す
ると共に，排気口となるより径大の孔５３を電極板５１
に形成して，この孔５３内に，導電性，及び多数の小孔
５４ａによって通気性を確保している多孔質体５４を設
けてもよい。この多孔質体５４には，例えば前記実施形
態の電極板５３に用いた材質をそのまま用いることがで
きる。

【００４６】そして図４に示したように，供給口５２
は，電極板５１の上面側に形成された気密な空間Ｓに通
じさせると共に，この空間Ｓを処理ガス供給管３３に通
ずるように構成する。他方多孔質体５３によって閉塞さ
れた前記径大の孔５４は，空間Ｓからは気密に隔離され
て真空引き手段３２に，通ずる排気管５５の先端開口部
とする。したがって，前記空間Ｓを形成する電極板５１
とその支持部材５６が，いわば供給チャンバを構成する
ことになる。

【００４７】このように構成しても，排気面積として広
い面積を確保でき，径の大きい被処理基板に対して，所
望の高い真空度を容易に達成することができる。もちろ
ん均一に排気することができる。また図４に示したよう
に，供給排気部を構成する電極板５１周りが複雑化しな
い。

【００４８】ところで，処理容器３内を排気するにあた
り，例えば処理容器３の側部や底部に別途排気管を設け
て，処理容器の側部や底部からも排気するようにした場
合，ガスコンダクタンスの関係から，ウエハＷ上の圧力
分布が均等にならないおそれが生ずる。またその他何ら
かの事情で，ウエハＷ上の圧力分布が均等にならない場
合には，各孔５３に設ける多孔質体５４の気孔率を適宜
異なったものとすれば，前記した圧力分布の不均等を是
正することができる。即ち図３，図４に示した例におい
て，各孔５３に設ける多孔質体５４の気孔率を全て同一
のものとせずに，適宜異なった気孔率のものを使用する
ことにより，ウエハＷ上の圧力分布の調整を行うことが
可能である。

【００４９】次に，第２の実施の形態について，図５〜
７を参照しながら説明する。なお，以下の説明におい
て，第１の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する
構成要素については，同一番号を付することにより，重
複説明を省略することにする。

【００５０】まず，図５は，第２の実施の形態にかかる
エッチング装置１００の断面を示している。このエッチ
ング装置１００は，例えば表面が陽極酸化処理を施され
たアルミニウムから成る，略円筒形の処理容器１０２に
より形成されている。さらに，この処理容器１０２は，
上部処理容器１０２ａ及び下部処理容器１０２ｂから構
成されている。なお，上部処理容器１０２ａ及び下部処
理用器１０２ｂは，それぞれ接地線１０４ａ，１０４ｂ
により接地されている。

【００５１】また，上部処理容器１０２ａと下部処理容
器１０２ｂとの側壁の間には，上部電極支持部材１２０
の外周部が介装されていると共に，この上部電極支持部
材１２０の内側には，本発明で言うところの供給排気部
を兼ねた上部電極１１８が配置される構成となってい
る。そして，上部電極１１８と下部処理容器１０２ｂに
よって囲まれた空間に処理室２が形成されている。な
お，上部電極支持部材１２０及び上部電極１１８につい
ての詳細な説明は，後述することとする。

【００５２】また，処理室２の下方には，ウエハＷを載
置し，下部電極となる略円柱状のサセプタ１０６が設け
られており，このサセプタ１０６は，導電性素材，例え
ば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムから成形され
ている。また，サセプタ１０６の裏面略中央部には，絶
縁性素材，例えばセラミックスから成る第１絶縁板１０
８を介して昇降軸１１０が接続されている。さらに，こ
の昇降軸１１０には，不図示の昇降機構が接続されてい
る。従って，ウエハＷの搬入及び搬出時には，サセプタ
１０６が前記昇降機構の作動により所定の載置位置まで
下降し，下部処理容器１０２ｂの側壁部に設けられてい
るゲートバルブＧを介して，エッチング装置１００と隣
接する不図示のロードロック室内との間で，ウエハＷの
受け渡しが行われる。また，処理時には，サセプタ１０
６が同様に所定の処理位置まで上昇した後，ウエハＷに
対して処理が施される。

【００５３】また，サセプタ１０６の裏面周縁部には，
絶縁性素材，例えばセラミックスから成る略環状の第２
絶縁板１１２が接続されており，さらに第２絶縁板１１
２と処理室２の底面との間には，伸縮自在の気密部材か
ら構成されているベローズ１１４が設けられている。従
って，処理室２内は，サセプタ１０６が上下動した場合
でも，気密性が失われることがない。

【００５４】ところで，サセプタ１０６内には，例えば
水やエチレングリコールなどの冷媒が流通する冷媒循環
路７が形成されており，冷媒導入管８から導入された冷
媒は，この冷媒循環路７内を巡って冷媒排出管９から処
理容器１０２外部に排出されるようになっている。かか
る構成により，サセプタ１０６及びウエハＷを，所定の
温度に冷却することが可能となっている。また，同時に
サセプタ１０６内に，例えばセラミックヒータなどの加
熱手段を別途を設け，適宜の温度センサによる制御によ
って該加熱手段をコントロールし，前記した冷媒循環路
７の作用と共に，ウエハＷを所定温度，例えば２５℃に
制御する構成としてもよい。この場合には，より微細な
温度調整が可能である。

【００５５】前記サセプタ１０６上には，ウエハＷを吸
着保持するための静電チャック１１が設けられている。
この静電チャック１１は，例えば導電性の薄膜をポリイ
ミド系の樹脂フィルムによって上下から挟持した構成を
有し，処理容器１０２の外部に設置されている高圧直流
電源１２からの所定の直流電圧，例えば１．５ｋＶ〜２
ｋＶの電圧が前記導電性の薄膜に印加されると，前記樹
脂フィルム上に発生する電荷に基づいたクーロン力によ
って，静電チャック１１上に載置されたウエハＷは，こ
の静電チャック１１の上面に吸着保持されるようになっ
ている。

【００５６】また，前記サセプタ１０６内には，第１絶
縁板１０８及び昇降軸１１０を貫設した伝熱ガス導入管
１３が設けられ，前記静電チャック１１上面に開口した
ガス流路１４と接続されている。そして，処理容器１０
２外部から供給される適宜の伝熱ガス，例えばＨｅ（ヘ
リウム）ガスが前記伝熱ガス導入管１３，ガス流路１４
を通じて，静電チャック１１上に保持されているウエハ
Ｗの裏面に供給されると，ウエハＷと静電チャック１
１，即ちサセプタ６との間の熱伝達効率が向上するよう
になっている。

【００５７】前記サセプタ１０６の上面外周縁における
静電チャック１１の周囲には，この静電チャック１１を
取り囲むようにして，略環状のフォーカスリング１１６
が設けられている。従って，エッチャントイオンをウエ
ハＷに対して効率よく入射させることができる。

【００５８】一方，処理室２の上方には，本発明で言う
ところの供給排気部を兼ねた，略円盤状の上部電極１１
８が配置されている。さらに，この上部電極１１８の外
周部には，導電性素材，例えばアルミニウムから成る，
略環状の上部電極支持部１２０が設けられている。この
上部電極支持部１２０の形状について説明すると，上部
電極支持部１２０の外周上縁部には，略環状に切欠きさ
れた段部１２０ａが形成されていると共に，上部電極支
持部１２０の底面には，略環状の突部１２０ｂが設けら
れている。

【００５９】そして，段部１２０ａと突部１２０ｂの外
周には，それぞれ絶縁性素材，例えばセラミックスから
成る，略環状の上部絶縁リング１２２及び下部絶縁リン
グ１２４が配置されている。従って，上部電極支持部１
２０は，上部絶縁リング１２２及び下部絶縁リング１２
４を介して，上部処理容器１０２ａ及び下部処理容器１
０２ｂの側壁により挟持されることにより支持されると
共に，この上部電極支持部１２０によって上部電極１１
８は支持される構成となっている。また，上記構成によ
り，上部電極１１８及び上部電極支持部１２０は，上部
処理容器１０２ａ及び下部処理容器１０２ｂとは，電気
的に導通しない構成となっている。

【００６０】また，上部電極支持部１２０内には，後述
の供給経路１２６に処理ガスを供給するための，略環状
のガス供給部１３０が設けられている。そして，このガ
ス供給部１３０には，処理ガス供給管３３が接続されて
いると共に，この処理ガス供給管３３は，第１バルブ３
４，流量調節のためのマスフローコントローラ３５を介
して，処理ガス供給源３６に接続されている。また，上
部電極支持部１２０内のガス供給部１３０の上部には，
温度調節手段である第１ヒータ１３２が設けられてい
る。

【００６１】次に，上部電極１１８の構成について説明
する。上部電極１１８内には，導電性素材，例えばアル
ミニウムから成る，略環状の遮蔽部材１３４ａ，１３４
ｂが，所定の間隔をもって内側から順に配置されてい
る。また，これら遮蔽部材１３４ａ，１３４ｂを介し
て，排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃが，中心側
から順に配置される構成となっている。従って，遮蔽部
材１３４ａ，１３４ｂと，排気経路１２８ａ，１２８
ｂ，１２８ｃは，略同心円状に交互に配置される構成と
なっている。

【００６２】そして，遮蔽部材１３４ａ，１３４ｂ内に
は，中心側から順に対応する略環状の供給経路１２６
ａ，１２６ｂが形成されている。この供給経路１２６
ａ，１２６ｂは，略環状の空間部１３６ａ，１３６ｂ
と，この空間部１３６ａ，１３６ｂとウエハＷ側とを連
通すると共に，空間部１３６ａ，１３６ｂよりも幅の狭
い，略環状の供給口１３８ａ，１３８ｂとから構成され
ている。そして，空間部１３６ａ，１３６ｂには，ガス
供給部１３０が接続されている。なお，供給経路１２６
ａ，１２６ｂは，処理室２内の排ガスの排気効率を向上
させるため，ウエハＷに対して均一に処理ガスを導入す
ることができる範囲で，小型化や設置数を減らすことが
望ましい。

【００６３】また，遮蔽部材１３４ａ，１３４ｂ内の空
間部１３６ａ，１３６ｂの上部には，それぞれ温度調節
手段，すなわちヒータ１４０ａ，１４０ｂが設けられて
いる。

【００６４】一方，排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２
８ｃは，上部電極１１８のウエハＷ側及びその反対側に
連通すると共に，排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８
ｃ内は，導電性を有しかつ通気性を有する多孔質体，例
えばアルミニウム粉を焼結して得た材質が充填される構
成となっている。なお，排気経路１２８の断面積，すな
わち排気面積は，排気効率を高めるため，なるべく大き
くすることが好ましい。

【００６５】そして，上部電極１１８のウエハＷ側は，
本発明で言うところの多孔質体を構成する，略円盤状の
第１多孔質体板１４２が密着して覆う構成となっている
（図６を参照。）。また，第１多孔質体板１４２の側面
は，上部電極支持部１２０の突部１２０ｂの内側面と密
着する構成となっている。そして，第１多孔質体板１４
２は，排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃを形成す
る多孔質体と略同一の材質から構成されている。

【００６６】また，第１多孔質体板１４２の上部電極１
１８側で，かつ供給口１３８ａ，１３８ｂに隣接する位
置には，本発明で言うところの空間部を構成する，略環
状の溝１４４ａ，１４４ｂが形成されている。これら溝
１４４ａ，１４４ｂは，第１多孔質体板１４２の供給口
１３８ａ，１３８ｂ側と，ウエハＷ側との距離を短くす
ることにより，溝１４４ａ，１４４ｂ内に供給される処
理ガスの供給抵抗を減少させて，処理室２内のウエハＷ
に対して，均一に処理ガスが導入される構成となってい
る。すなわち，溝１４４ａ，１４４ｂは，第１多孔質体
板１４２内を通過する処理ガスが，処理室２内に導入さ
れずに，第１多孔質体板１４２内を通過して，排気経路
１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃに，直接流入することを
防止するために設けられている。

【００６７】なお，第１多孔質体板１４２よりも下方
で，処理位置にあるサセプタ１０６よりも上方の下部処
理容器１０２ｂの側壁には，絶縁性素材，例えば石英か
ら成る略環状の絶縁リング１４６が設けられている。こ
の絶縁リング１４６は，処理室２内で発生したエッチャ
ントイオンを，ウエハＷの被処理面に効果的に入射させ
ることができる。さらに，この絶縁リング１４６の外側
面に接するようにして，温度調節手段であるヒータ１４
８が下部処理容器１０２ｂの側壁に内設されている。

【００６８】上部電極１１８と上部処理容器１０２ａに
よって囲まれた空間には，排気室１５０が形成されてい
る。この排気室１５０の上部，すなわち上部処理容器１
０２ａの天井部の略中央には，排気管３１が接続されて
おり，この排気管３１は，第２バルブ１５２を介して，
例えばターボ分子ポンプから成る真空引き手段３２に接
続されている。

【００６９】また，上部電極１１８の排気室１５０側の
面から所定の距離，例えば１ｍｍ以下の距離を隔てた位
置には，本発明で言うところの他の多孔質体を構成す
る，略円盤状の第２多孔質体板１５４が設けられてい
る。この第２多孔質体板１５４は，第１多孔質体板１４
２と略同一の素材，すなわち導電性を有しかつ通気性を
有する多孔質体，例えばアルミニウム粉を焼結して得た
材質から成っている。そして，第２多孔質体板１５４
は，接地線１０４ａにより接地された上部処理容器１０
２ａの側壁に物理的及び電気的に接続されていると共
に，上部電極１１８とは電気的に導通しない構成となっ
ている。

【００７０】次に，このエッチング装置１００の高周波
電力の供給系について説明すると，まず下部電極となる
サセプタ１０６に対しては，周波数が数百ｋＨｚ程度，
例えば８００ｋＨｚの高周波電力を出力する第１の高周
波電源４１からの電力が，ブロッキングコンデンサなど
を有する第１整合器４２を介して供給される構成となっ
ている。一方，上部電極１１８に対しては，上部電極支
持部材１２０及び第２整合器４３を介して，周波数が前
記第１の高周波電源４１よりも高い１ＭＨｚ以上の周波
数，例えば２７．１２ＭＨｚの高周波電力を出力する第
２の高周波電源４４からの電力が供給される構成となっ
ている。

【００７１】第２の実施の形態にかかるエッチング装置
１００の主要部は，以上のように構成されている。次に
前記構成になるエッチング装置１００を用いて，例えば
シリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ₂）をエッチング
する場合のプロセス，作用等について説明する。まず，
不図示のロードロック室からゲートバルブＧを介して，
ウエハＷが処理室２内に搬入され，所定の載置位置にあ
るサセプタ１０６の静電チャック１１上に載置される
と，高圧直流電源１２から所定の電圧が静電チャック１
１内の導電性の薄膜に印加されて，ウエハＷはこの静電
チャック１１上にソフトに吸着，保持される。

【００７２】次いで，サセプタ１０６が不図示の昇降機
構の作動により，所定の処理位置まで上昇する。同時
に，処理室２内が，真空引き手段３２によって真空引き
されていき，他方処理ガス供給源３６から所定の処理ガ
ス，例えばエッチング反応ガスとしてのＣＦ₄が所定の
流量で供給され，処理室２の圧力が所定の真空度，例え
ば１０ｍＴｏｒｒに設定，維持される。

【００７３】この場合，処理ガスは，処理ガス供給管３
３から一旦ガス供給部１３０内に供給され，その後供給
経路１２６ａ，１２６ｂ，溝１４４ａ，１４４ｂ及び第
１多孔質体板１４２を介して，ウエハＷに対して均一に
供給される。また，溝１４４ａ，１４４ｂにより処理ガ
スの供給抵抗を制御しているため，第１多孔質板１４２
内で処理ガスが，直接排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１
２８ｃに流れることはない。

【００７４】一方，排気については，第１多孔質体板１
４２から，排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃ，第
２多孔質体板１５４，排気室１５０及び排気管３１を通
じて行われる。なお，第１多孔質体板１４２，排気経路
１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃ及び第２多孔質体板１５
４を形成する多孔質体に存在する孔は，全体として均一
に形成されているため，ウエハＷの被処理面に対して処
理ガスを均一に供給可能であると共に，ウエハＷ上面の
雰囲気を均一に排気することができる。

【００７５】また，処理開始時までに，ヒータ１３２，
１４０ａ，１４０ｂにより排気経路１２８ａ，１２８
ｂ，１２８ｃを形成する多孔質体，第１多孔質体板１４
２及び第２多孔質体板１５４が，またヒータ１４８によ
り絶縁リング１４６が，それぞれ所定の温度，例えば１
００℃となるように加熱される。従って，処理時に，排
気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃ内及び下部処理容
器１０２ｂの側壁に，例えば反応生成物が付着しても，
ヒータ１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４８の加熱によ
り気化されて，排ガスと共に排気されてしまう。

【００７６】そして，上部電極１１８に対して第２の高
周波電源４４から周波数が２７．１２ＭＨｚ，パワーが
２ｋＷの高周波電力が供給されると，上部電極１１８と
サセプタ１０６との間にプラズマが生起される。また，
サセプタ１０６に対して第１の高周波電源４１から周波
数が８００ｋＨｚ，パワーが１ｋＷの高周波電力が供給
されると，前記第２の高周波電源４４からの高周波（２
７．１２ＭＨｚ）の印加によって発生したプラズマによ
り処理室２内のエッチングガス，即ちＣＦ₄ガスのガス
分子が解離し，それによって生じたエッチャントイオン
が，第１の高周波電源４１からサセプタ１０６側に供給
された相対的に低い周波数の高周波（８００ｋＨｚ）に
よってその入射エネルギーが，その生成過程とは独立に
制御されつつ，ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ
₂）をエッチングしていく。従って，ウエハＷにダメー
ジを与えることなく，所定のエッチング処理を行うこと
が可能である。

【００７７】また，上部電極１１８の上部には，接地さ
れている第２多孔質体板１５４が設けられているため，
上部電極１１８に印加された高周波電力によって生じる
電界が排気室１５０内に漏洩することがない。従って，
排気室１５０内で異常放電が生じ，排気室１５０に接す
る部材に損傷を与えることがない。さらに，上部電極１
１８と第２多孔質体板１５４との距離は，例えば１ｍｍ
以下であるため，この空間内でも電荷の集中による異常
放電が生じることがない。

【００７８】以上説明したように，第２の実施の形態に
おいては，上部電極１１８の処理室２側の面が第１多孔
質体板１４２によって覆われる構成であるため，処理室
２内で励起したプラズマによって，上部電極１１８自体
が損傷を受けることがない。また，供給経路１２６ａ，
１２６ｂと排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃと
は，遮蔽部材１３４ａ，１３４ｂにより気密に区画され
ているため，上部電極１１８内で処理ガスが供給経路１
２６ａ，１２６ｂから排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１
２８ｃへ直接流れてしまうことがない。さらに，供給経
路１２６ａ，１２６ｂの供給口１３８ａ，１３８ｂに隣
接する第１多孔質体板１４２の位置には，溝１４４ａ，
１４４ｂが設けられているため，特に第１多孔質体板１
４２に処理ガスと排ガスの通路を区画する遮蔽手段を備
えることなく，所望の状態での処理ガスの導入と排ガス
の排気を行うことができる。さらにまた，排気経路１２
８ａ，１２８ｂ，１２８ｃは，多孔質体により構成され
ているため，この排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８
ｃ内で異常放電が生じることがない。

【００７９】従って，処理室２内の排気効率を高めるた
め，排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１２８ｃの断面積，
すなわち排気面積を拡大し，供給経路１２６ａ，１２６
ｂの断面積，すなわち供給面積を小さくした場合でも，
処理ガスはウエハＷの被処理面に均一に導入されると共
に，処理室２内の排ガスはウエハＷ上から所望の状態で
排気することができる。その結果，高真空下での処理が
可能となり，ウェハに対して高選択比及び高エッチング
レートで，均一な処理を施すことができる。また，ウエ
ハＷが大径化し，装置も大型化した場合でも，同様に均
一な処理を施すことができる。

【００８０】また，上部電極１１８の上方には，接地さ
れた第２多孔質体板１５４が設けられているため，排気
室１５０内で異常放電が生じることがなく，かつ上部電
極１１８と第２多孔質体板１５４との距離は，１ｍｍ以
下であるため，この空間内でも電荷の集中による異常放
電が生じることはない。従って，上部電極１１８の排気
室１５０側の面をはじめとして，排気室１５０内に形成
されている部材に損傷が生じることがない。

【００８１】そして，排気経路１２８ａ，１２８ｂ，１
２８ｃ，第１多孔質体板１４２及び第２多孔質体板１５
４は，ヒータ１３２，１４０ａ，１４０ｂによって，ま
た絶縁リング１４６は，ヒータ１４８によって，それぞ
れ加熱されるため，例えば反応生成物が付着しても，気
化して排気されてしまい，メンテナンスが容易である。

【００８２】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。

【００８３】例えば，上記第２の実施の形態において，
多孔質体から成る第１多孔質体板１４２及び第２多孔質
体板１５４をエッチング装置１００に設けた構成を例を
挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されな
い。例えば，図７に示したように，導電性素材，例えば
アルミニウムから成る，略円盤状の多孔板２００を，本
発明を実施する装置に設けた構成としてもよい。この多
孔板２００には，複数の貫通孔２００ａが設けられてい
ると共に，この貫通孔２００ａの内径は，１ｍｍ以下に
設定されて，貫通孔２００ａの内部で異常放電が生じる
ことがないように構成されている。また，第１多孔質体
板１４２に変えて，多孔板２００を設けた場合には，処
理ガスが多孔板２００内で排気経路に流れることがない
ため，供給口１３８ａ，１３８ｂに隣接する面に溝や切
欠き部などを設ける必要がない。

【００８４】なお，第１多孔質体板１４２または第２多
孔質体板１５４のいずれかを多孔板２００に変更しても
よく，または第１多孔質体板１４２及び第２多孔質体板
１５４の両方を，多孔板２００に変更しても，本発明は
実施可能であることは言うまでもない。しかしながら，
成形の容易性やコストなどを考慮すると，多孔質体から
成る例えば第１多孔質体板１４２及び第２多孔質体板１
５４を設けた方が利点が多い。

【００８５】また，上記第２の実施の形態において，エ
ッチング装置１００にヒータ１３２，１４０ａ，１４０
ｂ，１４８を設けた構成を例に挙げて説明したが，本発
明はかかる構成に限定されるものではなく，例えば熱媒
を循環させて，加熱する構成としてもよい。

【００８６】さらに，前記した実施の形態は，ウエハ表
面をエッチングするエッチング装置として具現化された
ものであったが，これに限らず，本発明は減圧雰囲気下
で所定の処理を行う他の処理装置に対しても適用するこ
とができる。例えば，アッシング装置，成膜装置，スパ
ッタリング装置としても具体化できる。もちろん処理に
あたってプラズマを発生させない他の装置，例えばいわ
ゆる熱ＣＶＤ装置としても実施できる。また被処理基板
も，ウエハに限らず，ＬＣＤ基板であってもよい。

【００８７】

【発明の効果】請求項１の減圧処理装置によれば，排気
口の径を大きくして排気面積を稼いでも，異常放電のお
それはない。また圧力分布の調整も可能になる。請求項
２の場合には，全体の構成が極めて簡易であり，排気口
の数を増加させることが容易であり，従来のように供給
系と排気系とを複雑に供給排気部に形成する必要はな
い。請求項３のように，前記排気チャンバの外方側に処
理ガス供給系に通ずる供給チャンバを設け，供給経路を
この供給チャンバに接続すれば，より一層簡易な供給排
気部を構成することができる。

【００８８】また，請求項４の減圧処理装置によれば，
供給排気部の被処理基板側は，多孔質体により覆われて
いるため，供給排気部が損傷を受けることがないと共
に，異常放電が生じることがない。さらに，請求項５の
減圧処理装置によれば，供給排気部の被処理基板側は，
多孔体により覆われているため，被処理基板上に均一に
処理ガスを導入することが可能であると共に，被処理基
板上から均一に排ガスを排気することができる。さらに
また，請求項６または７によれば，供給排気部の排気室
側の面の上方には，接地された他の多孔質体または他の
多孔体が配置されているため，異常放電によって供給排
気部や排気室内に配置される部材に損傷が生じることが
ない。そして，請求項８によれば，排気経路を形成する
多孔質材や，多孔質体または多孔体を加熱する構成のた
め，例えば反応生成物の付着を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるエッチング
装置の断面説明図である。

【図２】図１のエッチング装置における上部電極の底面
図である。

【図３】図１のエッチング装置に適用可能な他の電極板
の底面図である。

【図４】図３の電極板を用いた際の上部電極の縦断面説
明図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態にかかるエッチング
装置の概略的な断面図である。

【図６】図１のエッチング装置における第１多孔質体板
の上部電極側の概略的な平面図である。

【図７】図１のエッチング装置に適用可能な多孔板の概
略的な平面図である。

【符号の説明】

２処理室３，１０２処理容器６，１０６サセプタ２２，１１８上部電極２３電極板２３ａ小孔２３ｂ，１３８供給口２４，２５隔壁２６，１２６供給経路１２８排気経路１３０ガス供給部１３２，１４０ａ，１４０ｂ，１４８ヒータ１３４遮蔽部材１４２第１多孔質体板１４４溝１５０排気室１５４第２多孔質体板Ｗウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器内にある被処理基板に対して処
理ガスを供給すると共に，処理容器内の雰囲気を排気し
て，所定の減圧雰囲気の下で被処理基板に対して所定の
処理を施す装置であって，供給口と排気口とが，被処理
基板に対向した位置にある供給排気部に設けられた減圧
処理装置において，供給排気部に供給口を複数形成する
と共に，この供給口よりも大径の排気口を複数形成し，
さらに前記排気口には，通気性のある多孔質体を設けた
ことを特徴とする，減圧処理装置。
【請求項２】処理容器内にある被処理基板に対して処
理ガスを供給すると共に，処理容器内の雰囲気を排気し
て，所定の減圧雰囲気の下で被処理基板に対して所定の
処理を施す装置であって，供給口と排気口が，被処理基
板に対向した位置にある供給排気部に設けられた減圧処
理装置において，供給排気部を通気性のある多孔板で構
成し，この多孔板の外方側に該多孔板がその一部を構成
する排気チャンバを形成し，さらにこの排気チャンバと
前記多孔板とからは気密に隔離された供給経路を前記多
孔板に貫設し，当該供給経路の被処理基板側開口部を供
給口とし，前記排気チャンバを排気系に，前記供給経路
を処理ガス供給系に各々接続したことを特徴とする，減
圧処理装置。
【請求項３】排気チャンバの外方側に処理ガス供給系
に通ずる供給チャンバを設け，供給経路はこの供給チャ
ンバに接続されていることを特徴とする，請求項２に記
載の減圧処理装置。
【請求項４】処理容器内にある被処理基板に対して処
理ガスを供給すると共に，前記処理容器内の雰囲気を排
気して，所定の減圧雰囲気の下で前記被処理基板に対し
て所定の処理を施す装置であって，処理ガス供給手段に
接続された供給経路と排気手段に接続された排気経路と
が，前記被処理基板に対向した位置にある供給排気部に
設けられた減圧処理装置において，前記供給経路は，前
記排気経路とは遮蔽部材により気密に隔離されると共
に，前記供給経路の供給口が前記供給排気部の前記被処
理基板側に形成され，前記排気経路は，多孔質材から構
成されると共に，前記排気経路の排気面積は，前記供給
経路の供給面積よりも実質的に大きく設定され，前記供
給排気部の前記被処理基板側は，通気性のある多孔質体
によって覆われる共に，前記多孔質体の前記供給口側に
は，空間部が形成されることを特徴とする，減圧処理装
置。
【請求項５】処理容器内にある被処理基板に対して処
理ガスを供給すると共に，前記処理容器内の雰囲気を排
気して，所定の減圧雰囲気の下で前記被処理基板に対し
て所定の処理を施す装置であって，処理ガス供給手段に
接続された供給経路と排気手段に接続された排気経路と
が，前記被処理基板に対向した位置にある供給排気部に
設けられた減圧処理装置において，前記供給経路は，前
記排気経路とは遮蔽部材により気密に隔離されると共
に，前記供給経路の供給口が前記供給排気部の前記被処
理基板側に形成され，前記排気経路は，多孔質材から構
成されると共に，前記排気経路の排気面積は，前記供給
経路の供給面積よりも実質的に大きく設定され，前記供
給排気部の前記被処理基板側は，通気性のある多孔体に
よって覆われることを特徴とする，減圧処理装置。
【請求項６】前記供給排気部を挟んで前記被処理基板
の反対側には，排気室が形成されると共に，この排気室
は前記排気手段と前記排気経路との間に介在しており，
さらに前記供給排気部の排気室側の面から所定の間隔を
隔てた前記排気室内には，導電性を有し通気性のある他
の多孔質体が配置されると共に，この他の多孔質体は接
地されることを特徴とする，請求項４または５に記載の
減圧処理装置。
【請求項７】前記供給排気部を挟んで前記被処理基板
の反対側には，排気室が形成されると共に，この排気室
は前記排気手段と前記排気経路との間に介在しており，
さらに前記供給排気部の排気室側の面から所定の間隔を
隔てた前記排気室内には，導電性を有し通気性のある他
の多孔体が配置されると共に，この他の多孔体は接地さ
れることを特徴とする，請求項４または５に記載の減圧
処理装置。
【請求項８】前記遮蔽部材内には，温度調整手段が備
えられていることを特徴とする，請求項４〜７のいずれ
かに記載の減圧処理装置。