JPH03291928A - 半導体ウェハのドライエッチング方法 - Google Patents
半導体ウェハのドライエッチング方法Info
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- JPH03291928A JPH03291928A JP9221590A JP9221590A JPH03291928A JP H03291928 A JPH03291928 A JP H03291928A JP 9221590 A JP9221590 A JP 9221590A JP 9221590 A JP9221590 A JP 9221590A JP H03291928 A JPH03291928 A JP H03291928A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はシリコン酸化膜上に形成された膜をエツチン
グするドライエツチング装置に関するものである。
グするドライエツチング装置に関するものである。
ドライエツチング装置によりシリコン酸化膜（Ｓ ｉ
Ｏ，）上に形成されたシリコンナイトライド膜（Ｓ１ｍ
Ｎ４）をエツチングする場合には、シリコンナイトライ
ド膜のエツチング速度のシリコン酸化膜のエツチング速
度に対する比すなわちシリコンナイトライド膜のシリコ
ン酸化膜に対する選択比が小さいから、シリコンナイト
ライド膜をオーバエツチングしたときに、シリコン酸化
膜の膜厚が小さくなってしまう。
Ｏ，）上に形成されたシリコンナイトライド膜（Ｓ１ｍ
Ｎ４）をエツチングする場合には、シリコンナイトライ
ド膜のエツチング速度のシリコン酸化膜のエツチング速
度に対する比すなわちシリコンナイトライド膜のシリコ
ン酸化膜に対する選択比が小さいから、シリコンナイト
ライド膜をオーバエツチングしたときに、シリコン酸化
膜の膜厚が小さくなってしまう。
そこで、従来のドライエツチング装置（特開昭６３−１
０２２３２号公報、プラズマエッチング二選択性と非ダ
メージ性（Ｊ、 Ｄｉｅｌｅｍａｎ、 Ｆ、ＨＭ、５ａ
ｎｄｅｒｓ。
０２２３２号公報、プラズマエッチング二選択性と非ダ
メージ性（Ｊ、 Ｄｉｅｌｅｍａｎ、 Ｆ、ＨＭ、５ａ
ｎｄｅｒｓ。
Ｊｕｎｅ、 ＋９８４．５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ／日本版））においては、エツチング
ガスの他に堆積性のガスを導入して、選択比を大きくし
ている。
ｃｈｎｏｌｏｇｙ／日本版））においては、エツチング
ガスの他に堆積性のガスを導入して、選択比を大きくし
ている。
しかし、このようなドライエツチング装置においては、
ドライエツチング工程が複雑になり、また堆積性のガス
によってチャンバが汚れやすく、さらに堆積性のガスの
導入装置を設ける必要があるから、装置の構造が複雑に
なる。
ドライエツチング工程が複雑になり、また堆積性のガス
によってチャンバが汚れやすく、さらに堆積性のガスの
導入装置を設ける必要があるから、装置の構造が複雑に
なる。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、選択比が大きく、しかもドライエツチング工程が簡単
であり、チャンバが汚れることがなく、装置の構造が簡
単であるドライエッチング装置を提供することを目的と
する。
、選択比が大きく、しかもドライエツチング工程が簡単
であり、チャンバが汚れることがなく、装置の構造が簡
単であるドライエッチング装置を提供することを目的と
する。
〔課題を解決するための手段ｊ
この目的を達成するため、この発明においては、シリコ
ン酸化膜上に形成された膜をエツチングするドライエツ
チング装置において、上部電極と下部電極との間の近傍
に石英からなる石英部材を設ける。
ン酸化膜上に形成された膜をエツチングするドライエツ
チング装置において、上部電極と下部電極との間の近傍
に石英からなる石英部材を設ける。
［作用］
このドライエツチング装置においては、シリコン酸化膜
が露出したときに、石英部材とシリコン酸化膜とは同じ
材料であるから、シリコン酸化膜とともに石英部材がエ
ツチングされる。
が露出したときに、石英部材とシリコン酸化膜とは同じ
材料であるから、シリコン酸化膜とともに石英部材がエ
ツチングされる。
第１図はこの発明に係るドライエツチング装置の一部を
示す断面図、第２図は同じく全体を示す概略断面図であ
る。Ｂ！ｌにおいて、１はアルミニウムからなるチャン
バ、５はチャンバｌに取り付けられた絶縁性のインシュ
レータ、４はインシュレータ５に取り付けられた導電性
の上部電極サポート、２は上部電極サポート４に取り付
けられたカソード電極としての上部電極、６は上部電極
サポート４を介して上部電極２に接続された高周波電源
、３はチャンバ１に取り付けられたアノード電極として
の下部電極で、下部電極３は上部電極２に対向して設け
られており、下部電極３は接地状態に保持されている。
示す断面図、第２図は同じく全体を示す概略断面図であ
る。Ｂ！ｌにおいて、１はアルミニウムからなるチャン
バ、５はチャンバｌに取り付けられた絶縁性のインシュ
レータ、４はインシュレータ５に取り付けられた導電性
の上部電極サポート、２は上部電極サポート４に取り付
けられたカソード電極としての上部電極、６は上部電極
サポート４を介して上部電極２に接続された高周波電源
、３はチャンバ１に取り付けられたアノード電極として
の下部電極で、下部電極３は上部電極２に対向して設け
られており、下部電極３は接地状態に保持されている。
１３は下部電極３に設けられた排気口、７は上部電極サ
ポート４に設けられた温調用通路、８は下部電極３に設
けられた温調用通路、１０は上部電極サポート４に設け
られたガス供給通路、１９はガス供給通路１０に接続さ
れたガスボンベ、１１はガスボンベ１９とガス供給通路
１０との間に設けられたマスフローコントローラ、１２
はマスフローコントローラ１１とガス供給通路１０との
間に設けられたガスバルブ、１６は上部電極２に設けら
れたガス導入口で、ガス導入口１６はガス供給通路１０
と連通している。
ポート４に設けられた温調用通路、８は下部電極３に設
けられた温調用通路、１０は上部電極サポート４に設け
られたガス供給通路、１９はガス供給通路１０に接続さ
れたガスボンベ、１１はガスボンベ１９とガス供給通路
１０との間に設けられたマスフローコントローラ、１２
はマスフローコントローラ１１とガス供給通路１０との
間に設けられたガスバルブ、１６は上部電極２に設けら
れたガス導入口で、ガス導入口１６はガス供給通路１０
と連通している。
２ｏはチャンバ１に取り付けられた真空予備室、２１は
チャンバ１、真空予備室２０に接続された真空排気シス
テム、２２はローダ、２３はアンローダ、１４はインシ
ュレータ５に取り付けられたシールドで、シールド１４
は石英からなる。２４は下部電極３上に載置された半導
体ウェハ、９は半導体ウェハ２４を押さえるためのクラ
ンプで、クランプ９は石英からなる。１５は下部電極３
上に設けられたリングで、リング１５は石英からなる。
チャンバ１、真空予備室２０に接続された真空排気シス
テム、２２はローダ、２３はアンローダ、１４はインシ
ュレータ５に取り付けられたシールドで、シールド１４
は石英からなる。２４は下部電極３上に載置された半導
体ウェハ、９は半導体ウェハ２４を押さえるためのクラ
ンプで、クランプ９は石英からなる。１５は下部電極３
上に設けられたリングで、リング１５は石英からなる。
このドライエツチング装置においては、シリコン酸化膜
上にシリコンナイトライド膜が形成された半導体ウェハ
２４を下部電極３上に載置し、真空排気システム２１に
よりチャンバ１内を真空排気し、ガスバルブ１２を開放
するとともに、マスフローコントローラ１１によって流
量制御して、ＣＦ４ガス、０゜ガスをチャンバ１内に導
入し、高周波電源６により高周波電力を印加すると、上
部電極２、下部電極３間に発生したイオン、ラジカル、
分子が半導体ウェハ２４の表面に衝突、反応して、シリ
コンナイトライドがエツチングされる。この場合、シリ
コンナイトライドはＳ ｉ Ｆ４ 、Ｎ０１Ｎｏ、とな
って排気される。そして、シリコン酸化膜が露出したと
きには、シリコン酸化膜はＳ ｉ Ｆ４、Ｃｏ、Ｇｏ、
−となって排気される。
上にシリコンナイトライド膜が形成された半導体ウェハ
２４を下部電極３上に載置し、真空排気システム２１に
よりチャンバ１内を真空排気し、ガスバルブ１２を開放
するとともに、マスフローコントローラ１１によって流
量制御して、ＣＦ４ガス、０゜ガスをチャンバ１内に導
入し、高周波電源６により高周波電力を印加すると、上
部電極２、下部電極３間に発生したイオン、ラジカル、
分子が半導体ウェハ２４の表面に衝突、反応して、シリ
コンナイトライドがエツチングされる。この場合、シリ
コンナイトライドはＳ ｉ Ｆ４ 、Ｎ０１Ｎｏ、とな
って排気される。そして、シリコン酸化膜が露出したと
きには、シリコン酸化膜はＳ ｉ Ｆ４、Ｃｏ、Ｇｏ、
−となって排気される。
この場合、シールド１４、クランプ９、リング１５とシ
リコン酸化膜とは同じ材料であるから、シリコン酸化膜
とともにシールド１４、クランプ９、リング１５がエツ
チングされるので、シリコン酸化膜のエツチング速度が
小さくなるため、シリコンナイトライド膜のシリコン酸
化膜に対する選択比が大きくなる。発明者等の実験によ
れば、シールド１４、クランプ９、リング１５を使用し
ない場合と比較して選択比が約２．５倍であった。
リコン酸化膜とは同じ材料であるから、シリコン酸化膜
とともにシールド１４、クランプ９、リング１５がエツ
チングされるので、シリコン酸化膜のエツチング速度が
小さくなるため、シリコンナイトライド膜のシリコン酸
化膜に対する選択比が大きくなる。発明者等の実験によ
れば、シールド１４、クランプ９、リング１５を使用し
ない場合と比較して選択比が約２．５倍であった。
したがって、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることは
ない。しかも、エツチングガスの他に堆積性のガスを導
入する必要がないから、ドライエツチング工程が簡単に
なり、またチャンバ１が汚れることがなく、さらに堆積
性のガスの導入装置を設ける必要がないから、装置の構
造が簡単になる。
ない。しかも、エツチングガスの他に堆積性のガスを導
入する必要がないから、ドライエツチング工程が簡単に
なり、またチャンバ１が汚れることがなく、さらに堆積
性のガスの導入装置を設ける必要がないから、装置の構
造が簡単になる。
また、シールド１４を設けているので、エツチング速度
を均一にかつ大きくすることができる。
を均一にかつ大きくすることができる。
第３図はこの発明に係る他のドライエツチング装置の一
部を示す断面図である。図において、１７は上部電極２
に取り付けられた拡散板で、拡散板１７は石英からなる
。１８は拡散板１７に設けられた拡散口で、拡散口１８
はガス導入口１６と連通している。
部を示す断面図である。図において、１７は上部電極２
に取り付けられた拡散板で、拡散板１７は石英からなる
。１８は拡散板１７に設けられた拡散口で、拡散口１８
はガス導入口１６と連通している。
このドライエツチング装置においては、シリコン酸化膜
が露出したときに、シリコン酸化膜とともにシールド１
４、拡散板１７がエツチングされるから、シリコン酸化
膜のエツチング速度が小さくなるので、シリコンナイト
ライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなる
ため、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。
が露出したときに、シリコン酸化膜とともにシールド１
４、拡散板１７がエツチングされるから、シリコン酸化
膜のエツチング速度が小さくなるので、シリコンナイト
ライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなる
ため、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。
第４図はこの発明に係る他のドライエツチング装置の一
部を示す断面図である。図において、２・５はシールド
１４に取り付けられた拡散板で、拡散板２５は石英から
なる。２６は拡散板２５に設けられた拡散口である。
部を示す断面図である。図において、２・５はシールド
１４に取り付けられた拡散板で、拡散板２５は石英から
なる。２６は拡散板２５に設けられた拡散口である。
このドライエツチング装置においては、シリコン酸化膜
が露出したときに、シリコン酸化膜とともにシールド１
４、拡散板２５がエツチングされるから、シリコン酸化
膜のエツチング速度が小さくなるので、シリコンナイト
ライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなる
ため、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。
が露出したときに、シリコン酸化膜とともにシールド１
４、拡散板２５がエツチングされるから、シリコン酸化
膜のエツチング速度が小さくなるので、シリコンナイト
ライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなる
ため、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。
なお、上述実施例においては、石英部材としてシールド
１４、クランプ９、リング１５、拡散板エフ、２５を用
いたが、他の石英部材を用いてもよい。
１４、クランプ９、リング１５、拡散板エフ、２５を用
いたが、他の石英部材を用いてもよい。
以上説明したように、この発明に係るドライエツチング
装置においては、シリコン酸化膜が露出したときに、シ
リコン酸化膜とともに石英部材がエツチングされるから
、選択比が大きくなり、シリコン酸化膜の膜厚が小さく
なることはない。しかも、エツチングガスの他に堆積性
のガスを導入する必要がないから、ドライエツチング工
程が簡単に、チャンバが汚れることがなく、装置の構造
が簡単になる。このように、この発明の効果は顕著であ
る。
装置においては、シリコン酸化膜が露出したときに、シ
リコン酸化膜とともに石英部材がエツチングされるから
、選択比が大きくなり、シリコン酸化膜の膜厚が小さく
なることはない。しかも、エツチングガスの他に堆積性
のガスを導入する必要がないから、ドライエツチング工
程が簡単に、チャンバが汚れることがなく、装置の構造
が簡単になる。このように、この発明の効果は顕著であ
る。
第１図はこの発明に係るドライエツチング装置の一部を
示す断面図、第２図は同じく全体を示す概略断面図、第
３図、第４図はそれぞれこの発明に係る他のドライエツ
チング装置の一部を示す断面図である。 ２・・・上部電極 ３・・・下部電極 ９・・・クランプ １４・・・シールド １５・・・リング 】７・・・拡散板 ２５・・・拡散板 １５−一一リング 第２図 ６ 第３図 第４図
示す断面図、第２図は同じく全体を示す概略断面図、第
３図、第４図はそれぞれこの発明に係る他のドライエツ
チング装置の一部を示す断面図である。 ２・・・上部電極 ３・・・下部電極 ９・・・クランプ １４・・・シールド １５・・・リング 】７・・・拡散板 ２５・・・拡散板 １５−一一リング 第２図 ６ 第３図 第４図
Claims (1)
- １．シリコン酸化膜上に形成された膜をエッチングする
ドライエッチング装置において、上部電極と下部電極と
の間の近傍に石英からなる石英部材を設けたことを特徴
とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092215A JP3002496B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体ウェハのドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092215A JP3002496B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体ウェハのドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291928A true JPH03291928A (ja) | 1991-12-24 |
| JP3002496B2 JP3002496B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=14048220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2092215A Expired - Lifetime JP3002496B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体ウェハのドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3002496B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0649165A1 (en) * | 1993-09-21 | 1995-04-19 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices |
| EP0676790A1 (en) * | 1994-04-05 | 1995-10-11 | Applied Materials, Inc. | Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor |
| JPH11195644A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-07-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| US6120608A (en) * | 1997-03-12 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Workpiece support platen for semiconductor process chamber |
| US6508199B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-01-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2092215A patent/JP3002496B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0649165A1 (en) * | 1993-09-21 | 1995-04-19 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices |
| EP0676790A1 (en) * | 1994-04-05 | 1995-10-11 | Applied Materials, Inc. | Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor |
| US5685914A (en) * | 1994-04-05 | 1997-11-11 | Applied Materials, Inc. | Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor |
| US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US6120608A (en) * | 1997-03-12 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Workpiece support platen for semiconductor process chamber |
| JPH11195644A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-07-21 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| US6508199B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-01-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3002496B2 (ja) | 2000-01-24 |
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Legal Events
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