JPS63229719A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS63229719A JPS63229719A JP6467787A JP6467787A JPS63229719A JP S63229719 A JPS63229719 A JP S63229719A JP 6467787 A JP6467787 A JP 6467787A JP 6467787 A JP6467787 A JP 6467787A JP S63229719 A JPS63229719 A JP S63229719A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- field
- disturbance
- peripheral part
- ring type
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチング装置に関する。
従来、エツチング装置は試料台と下部電極とが一体構造
となっている。
となっている。
従来のドライエツチング装置は試料台と下部電極が一体
構造となっているのでウェハー面内でのエツチング処理
の均一性を改善するため、エツチング条件を考慮して改
善を行ってきた。しかし、ウェハーの直径が大きくなる
につれエツチング条件だけの変更では対応できなくなっ
ており、すなわち試料台上のウェハー内のエッチレート
差が大きく生じることを免れ得ない。
構造となっているのでウェハー面内でのエツチング処理
の均一性を改善するため、エツチング条件を考慮して改
善を行ってきた。しかし、ウェハーの直径が大きくなる
につれエツチング条件だけの変更では対応できなくなっ
ており、すなわち試料台上のウェハー内のエッチレート
差が大きく生じることを免れ得ない。
詳細に述べると、第３図に示すエツチング装置において
、チャンバー８の中央部にガス導入口１０を接続し、円
形上部電極９と対向する下部電極７の上部に試料台５を
配してエツチングを行った場合、第４図に示すように、
ウェハー２の周辺部に電界１の乱れを生じ解難したイオ
ンが入射するため、ウェハー２の周辺部と中心部とのエ
ッチレート（エツチング速度）にバラツキが生じ、第５
図に示すようにエツチング処理の均一性が悪くなる。
、チャンバー８の中央部にガス導入口１０を接続し、円
形上部電極９と対向する下部電極７の上部に試料台５を
配してエツチングを行った場合、第４図に示すように、
ウェハー２の周辺部に電界１の乱れを生じ解難したイオ
ンが入射するため、ウェハー２の周辺部と中心部とのエ
ッチレート（エツチング速度）にバラツキが生じ、第５
図に示すようにエツチング処理の均一性が悪くなる。
本発明のドライエツチング装置は半導体ウェハーを載置
する試料台と、この試料台に載置された半導体ウェハー
の外周を取り囲む高さ調整可能なリング状補助板とを備
える。
する試料台と、この試料台に載置された半導体ウェハー
の外周を取り囲む高さ調整可能なリング状補助板とを備
える。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
本発明のドライエツチング装置の一実施例を示す第１図
および第２図を参照すると、ウェハー２の周辺部の電界
の乱れを補償するため、試料台５にウェハー２の外周を
取り囲むリング状補助板３を配置している。このリング
状補助板３はエツチング処理時の均一性向上のため、高
さ調整を取付はネジ６によって行うことにより、第１図
に示す電界モデルのように、電界１の乱れがウェハー２
上に生じない。したがって、第５図に示すように、ウェ
ハー全面内のエッチレートが中心からの距離に拘わりな
くほぼ均一となる。なお、第１図および第２図において
、参照数字４はネジ６を備えたリング上の支持板であり
、７は下部電極である。
および第２図を参照すると、ウェハー２の周辺部の電界
の乱れを補償するため、試料台５にウェハー２の外周を
取り囲むリング状補助板３を配置している。このリング
状補助板３はエツチング処理時の均一性向上のため、高
さ調整を取付はネジ６によって行うことにより、第１図
に示す電界モデルのように、電界１の乱れがウェハー２
上に生じない。したがって、第５図に示すように、ウェ
ハー全面内のエッチレートが中心からの距離に拘わりな
くほぼ均一となる。なお、第１図および第２図において
、参照数字４はネジ６を備えたリング上の支持板であり
、７は下部電極である。
以上説明したように本発明によれば、リング状補助板に
よって半導体ウェハーの外周を取り囲むことにより、ウ
ェハー周辺の電界が乱れることを防止し、ウェハー内で
のエッチレートか均一なエツチング処理を行うことがで
きる。
よって半導体ウェハーの外周を取り囲むことにより、ウ
ェハー周辺の電界が乱れることを防止し、ウェハー内で
のエッチレートか均一なエツチング処理を行うことがで
きる。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す構成図、
第３図および第４図は従来の一例を示す構成図、第５図
は従来および本発明のエッチレートを示す図である。 ２・・・ウェハー、３・・・リング状補助板、５・・・
試料台、６・・・ネジ。 島Ｎ。 第１図 第３図
第３図および第４図は従来の一例を示す構成図、第５図
は従来および本発明のエッチレートを示す図である。 ２・・・ウェハー、３・・・リング状補助板、５・・・
試料台、６・・・ネジ。 島Ｎ。 第１図 第３図
Claims (1)
- 半導体ウェハーを載置する試料台と、この試料台に載置
された半導体ウェハーの外周を取り囲む高さ調整可能な
リング状補助板とを備えることを特徴とするドライエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6467787A JPS63229719A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6467787A JPS63229719A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229719A true JPS63229719A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13265039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6467787A Pending JPS63229719A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63229719A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716486A (en) * | 1994-01-13 | 1998-02-10 | Selwyn; Gary S. | Method and apparatus for tuning field for plasma processing using corrected electrode |
| US8057634B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-11-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP6467787A patent/JPS63229719A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716486A (en) * | 1994-01-13 | 1998-02-10 | Selwyn; Gary S. | Method and apparatus for tuning field for plasma processing using corrected electrode |
| US8057634B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-11-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
| US8366870B2 (en) | 2004-04-14 | 2013-02-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
| US8632637B2 (en) | 2004-04-14 | 2014-01-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
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