JP6529943B2 - 半導体素子の製造方法及びその製造方法に用いられるプラズマエッチング装置 - Google Patents
半導体素子の製造方法及びその製造方法に用いられるプラズマエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6529943B2 JP6529943B2 JP2016176223A JP2016176223A JP6529943B2 JP 6529943 B2 JP6529943 B2 JP 6529943B2 JP 2016176223 A JP2016176223 A JP 2016176223A JP 2016176223 A JP2016176223 A JP 2016176223A JP 6529943 B2 JP6529943 B2 JP 6529943B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- plasma
- semiconductor substrate
- height
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 301
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 158
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 110
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 69
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 65
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 48
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 148
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 115
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
[プラズマエッチング装置]
図1は、本実施形態の半導体素子の製造方法に利用されるプラズマエッチング装置の模式図である。
[概要]
上述のとおり、プラズマエッチング装置1では、半導体素子の製造工程中において、試料台5が昇降可能である。
本実施形態の半導体素子の製造方法は、昇降装置6により試料台5の高さを調整することにより、基準高さに試料台5を配置してエッチングを実施する工程と、基準高さと異なる特定高さに試料台5を配置してエッチングを実施する工程とを含む。本製造方法は、半導体素子の製造工程中において、エッチングの種類(物理エッチング、化学エッチング等)に応じて試料台5の高さを調整できる。そのため、各エッチングの種類に応じた最適なプラズマ密度分布下においてエッチングを実施でき、エッチングにより形成される孔(トレンチ等)の加工精度を高めることができる。
初めに、半導体基板K上にエッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、周知の方法で形成される。エッチングマスクはたとえば、フォトレジストをスピンコート装置で塗布して形成される。エッチングマスクを形成した後、周知の方法で、エッチングマスクにマスクパターン(開口)を形成する。エッチングマスクの素材はフォトレジストが一般的であるが、特に限定されない。エッチングマスクは二酸化珪素(SiO2)であってもよい。
孔K10の形成では、初めに、等方性エッチング工程を実施する。等方性エッチング工程では、化学エッチングが実施される。図9を参照して、化学エッチングの場合、図9(A)に示す凸状のプラズマ密度分布の雰囲気下でエッチングするのが好ましい。そこで、図9及び図10を参照して、等方性エッチング工程では、昇降装置6により試料台5を特定高さH2に配置する。特定高さH2に試料台5を配置した後、等方性エッチング工程を実施する。ガス供給装置3からプラズマ生成空間SP1に供給されたエッチングガスは、プラズマ生成装置4によりプラズマ生成空間SP1でプラズマ化される。プラズマ化により生成したラジカルにより、化学エッチングが進行する。このとき、エッチングマスク下にサイドエッチが進行し、テーパ状の上部K11が形成される。
上部K11を形成した後、深掘りエッチング工程を実施する。深掘りエッチング工程は、保護膜形成工程と、除去工程と、孔形成工程とを含む。深掘りエッチング工程は、保護膜形成工程、除去工程、孔形成工程の順で繰り返し実施する。深掘りエッチング工程はたとえば、ボッシュ(商標)プロセスである。
深掘りエッチング工程では初めに、保護膜形成工程を実施する。保護膜形成工程では、ガス供給部32及び33から保護膜形成ガスをプラズマ生成空間SP1に供給し、プラズマ化する。プラズマによって生成された生成物は孔のエッチングマスク上、側壁、及び底に堆積し、保護膜を形成する。保護膜形成工程時の試料台5の高さは基準高さH1である。次の除去工程と試料台高さを揃えることにより、工程間の動作がスムーズになる利点がある。ただし、保護膜形成工程時の試料台5の特定高さは、特に限定されず、特定高さH2でもよいし、基準高さH1でもよい。
保護膜を形成した後、除去工程を実施する。図10を参照して、除去工程では初めに、試料台5を、特定高さH2よりもプラズマ生成空間SP1に近い高さである基準高さH1の位置に維持する(保護膜形成工程時の試料台5の高さが特定高さH2の場合、基準高さをH1の位置に移動させる)。続いて、ガス供給部31から、エッチングガス(SF6ガス)をプラズマ生成空間SP1に供給する。さらにコイル41及び試料台5に高周波電力を印加する。コイル41への高周波電力の印加により、エッチングガスがプラズマ化される。
孔の底の保護膜を除去した後、孔形成工程を実施する。ガス供給装置3からプラズマ生成空間SP1に供給されたエッチングガスは、プラズマ生成空間SP1でプラズマ化される。孔の側壁には保護膜が残存するため、孔の底において化学エッチングが進行する。孔形成工程後、保護膜形成工程を再び実施する。
上述の実施の形態では、深掘りエッチング工程と等方性エッチング工程とを含む半導体素子の製造方法について説明した。本製造方法はさらに、炭化珪素(SiC)半導体素子の製造方法にも適用できる。
本実施形態のSiC半導体素子の製造方法は、マスクパターン形成工程と、孔形成工程とを含む。なお、本製造方法は、第1の実施形態と同様に、図1に示すプラズマエッチング装置1を使用する。ただし、ガス供給部32及び33からプラズマ生成空間SP1に供給される保護膜形成ガスは、珪素含有ガス及び酸素ガスである。珪素含有ガスはたとえば、SiF4ガスである。プラズマエッチング装置1のその他の構成は第1の実施形態と同じである。
初めに、SiCからなる半導体基板K上にエッチングマスクを成膜する。エッチングマスクは、周知の方法で成膜される。エッチングマスクの成膜方法はたとえば、化学気相蒸着法(CVD)や、物理気相蒸着法(PVD)等の蒸着法である。エッチングマスクの材質はたとえば、SiO2である。
マスクパターン形成工程の後、孔形成工程を実施する。初めに、昇降装置6により試料台5を上昇して、基準高さH1よりもプラズマ生成空間SP1に近い特定高さH0に配置する。続いて、各ガス供給部31〜33から、エッチングガス(SF6ガス)及び保護膜形成ガス(SiF4ガス及びO2ガス)をプラズマ生成空間SP1内に供給する。さらに、コイル41及び試料台5に高周波電力を印加する。コイル41への高周波電力の印加により、各ガスがプラズマ化される。
2 チャンバ
SP1 プラズマ生成空間
SP2 処理空間
5 試料台
Claims (11)
- プラズマが生成されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間の下方に配置され前記プラズマ生成空間とつながる処理空間とを有するチャンバ内において、半導体基板が載置された試料台を基準高さに配置し、前記プラズマ生成空間でプラズマを生成して前記半導体基板に対してエッチングを実施する工程と、
前記プラズマ生成空間との距離が前記基準高さよりも遠い特定高さに前記試料台を配置し、前記プラズマ生成空間でプラズマを生成して前記半導体基板に対して前記エッチングを実施する工程とを備え、
前記基準高さにおける前記半導体基板上のプラズマ密度分布は、前記特定高さにおける前記プラズマ密度分布よりも均一であり、
前記基準高さに前記試料台を配置して前記エッチングを実施する工程は、
バイアス電位を前記試料台に印加して、前記半導体基板に対して物理エッチングを実施する工程を含み、
前記特定高さに前記試料台を配置して前記エッチングを実施する工程は、
前記半導体基板に対して化学エッチングを実施する、半導体素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体素子の製造方法であって、
等方性エッチングを実施する等方性エッチング工程と、
深掘りエッチングを実施する深掘りエッチング工程とを備え、
前記等方性エッチング工程は、前記特定高さに前記試料台を配置して、前記半導体基板に対して前記化学エッチングを実施し、
前記深掘りエッチング工程は、
前記プラズマ生成空間で保護膜形成ガスをプラズマ化して、前記半導体基板の孔の側壁及び底に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記プラズマ生成空間との距離が前記特定高さよりも近い前記基準高さに前記試料台を配置して、前記プラズマ生成空間でエッチングガスをプラズマ化し、さらに、前記試料台にバイアス電位を印加して、前記保護膜のうち前記底の保護膜部分を前記物理エッチングにより除去する除去工程と、
前記プラズマ生成空間で前記エッチングガスをプラズマ化して、前記保護膜部分が除去された前記底に対して前記化学エッチングを実施する孔形成工程とを繰り返し実施する、半導体素子の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記孔形成工程では、前記特定高さに前記試料台を配置して、前記底に対して前記化学エッチングを実施する、半導体素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体素子の製造方法であって、
深掘りエッチングを実施する深掘りエッチング工程を備え、
前記深掘りエッチング工程は、
前記プラズマ生成空間で保護膜形成ガスをプラズマ化して、前記半導体基板の孔の側壁及び底に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記基準高さに前記試料台を配置して、前記プラズマ生成空間でエッチングガスをプラズマ化し、さらに、前記試料台にバイアス電位を印加して、前記保護膜のうち前記底の保護膜部分を前記物理エッチングにより除去する除去工程と、
前記プラズマ生成空間との距離が前記基準高さよりも遠い前記特定高さに前記試料台を配置して、前記プラズマ生成空間で前記エッチングガスをプラズマ化して、前記保護膜部分が除去された前記底に対して前記化学エッチングを実施する孔形成工程とを繰り返し実施する、半導体素子の製造方法。 - 半導体素子の製造方法であって、
プラズマが生成されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間の下方に配置され前記プラズマ生成空間とつながる処理空間とを有するチャンバ内において、SiC基板である半導体基板が載置された試料台を基準高さに配置し、前記プラズマ生成空間でプラズマを生成して前記半導体基板に対してエッチングを実施する工程と、
前記基準高さと異なる特定高さに前記試料台を配置し、前記プラズマ生成空間でプラズマを生成して前記半導体基板に対して前記エッチングを実施する工程とを備え、
前記基準高さにおける前記半導体基板上のプラズマ密度分布は、前記特定高さにおける前記プラズマ密度分布よりも均一であり、
前記半導体素子の製造方法はさらに、
前記半導体基板上にマスクを形成する工程を備え、
前記基準高さで前記エッチングを実施する工程では、前記プラズマ生成空間でエッチングガスをプラズマ化して、前記マスクに対して前記エッチングによりマスクパターンを形成し、
前記特定高さで前記エッチングを実施する工程では、前記基準高さで前記エッチングを実施した後、前記プラズマ生成空間との距離が前記基準高さよりも近い前記特定高さに前記試料台を配置して、前記プラズマ生成空間で前記エッチングガスをプラズマ化して、前記半導体基板に対して前記エッチングを実施する、半導体素子の製造方法。 - プラズマが生成されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間の下方に配置され前記プラズマ生成空間とつながる処理空間とを有するチャンバ内において、半導体基板が載置された試料台を基準高さに配置し、前記プラズマ生成空間でSF 6 を含むエッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板に対してエッチングを実施する工程と、
前記基準高さと異なる特定高さに前記試料台を配置し、前記プラズマ生成空間で前記エッチングガスをプラズマ化して前記半導体基板に対してエッチングを実施する工程とを備える、半導体素子の製造方法。 - プラズマを生成して半導体基板に対してエッチング処理を実施するプラズマエッチング装置であって、
前記プラズマが生成されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間の下方に配置され前記プラズマ生成空間とつながる処理空間とを有するチャンバと、
前記半導体基板の孔の側壁及び底に保護膜を形成するための保護膜形成ガス、及び、前記半導体基板に前記孔を形成するためのエッチングガスの少なくとも1種以上を含有するガスを前記プラズマ生成空間内に供給するガス供給装置と、
前記チャンバ内に配置され、前記半導体基板が上面に載置される試料台と、
前記試料台にバイアス電位を印加可能な電源と、
前記エッチング処理中において、前記ガスの種類及び/又は前記バイアス電位が変更されるとき、前記試料台を昇降して前記試料台の高さを変更可能な昇降装置とを備え、
前記試料台を基準高さに配置したとき、前記試料台に前記バイアス電位を印加して物理エッチングを実施し、
前記試料台を、前記プラスマ生成空間との距離が前記基準高さよりも遠い特定高さに配置したとき、化学エッチングを実施し、
前記基準高さにおける前記半導体基板上のプラズマ密度分布は、前記特定高さにおける前記プラズマ密度分布よりも均一である、プラズマエッチング装置。 - 請求項7に記載のプラズマエッチング装置であって、
前記昇降装置は、
前記試料台を昇降可能な昇降機構と、
前記エッチング処理中において、前記ガスの種類及び/又は前記バイアス電位が変更されるときに、前記昇降機構を制御して、前記試料台の高さを前記変更に応じた高さに変更する制御装置とを備える、プラズマエッチング装置。 - 請求項7に記載のプラズマエッチング装置であって、
前記エッチング処理は、
等方性エッチングを実施する等方性エッチング工程と、
深掘りエッチングを実施する深掘りエッチング工程とを含み、
前記等方性エッチング工程は、前記半導体基板に対して化学エッチングを実施し、
前記深掘りエッチング工程は、
前記プラズマ生成空間で前記保護膜形成ガスをプラズマ化して、前記半導体基板の前記孔の側壁及び底に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記プラズマ生成空間で前記エッチングガスをプラズマ化し、かつ、前記試料台に前記バイアス電位を印加して、前記保護膜のうち前記底の保護膜部分をエッチングにより除去する除去工程と、
前記プラズマ生成空間で前記エッチングガスをプラズマ化して、前記保護膜部分が除去された前記底に対して前記化学エッチングを実施する孔形成工程とを繰り返し実施し、
前記昇降装置は、前記等方性エッチング工程において、前記試料台を特定高さに配置し、前記深掘りエッチング工程中の少なくとも前記除去工程において、前記プラズマ生成空間との距離が前記特定高さよりも近い基準高さに、前記試料台を配置する、プラズマエッチング装置。 - 請求項9に記載のプラズマエッチング装置であって、
前記昇降装置は、前記孔形成工程において、前記特定高さに前記試料台を配置して、前記底に対して前記化学エッチングを実施する、プラズマエッチング装置。 - プラズマを生成して半導体基板に対してエッチング処理を実施するプラズマエッチング装置であって、
前記プラズマが生成されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間の下方に配置され前記プラズマ生成空間とつながる処理空間とを有するチャンバと、
ガス供給装置であって、
前記半導体基板の孔の側壁及び底に保護膜を形成するための保護膜形成ガス、及び、
SF 6 ガスを含有し前記半導体基板に前記孔を形成するためのエッチングガス、
の少なくとも1種以上を前記プラズマ生成空間内に供給する、前記ガス供給装置と、
前記チャンバ内に配置され、前記半導体基板が上面に載置される試料台と、
前記試料台にバイアス電位を印加可能な電源と、
前記エッチング処理中において、前記ガスの種類及び/又は前記バイアス電位が変更されるとき、前記試料台を昇降して前記試料台の高さを変更可能な昇降装置とを備える、プラズマエッチング装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015209188 | 2015-10-23 | ||
JP2015209188 | 2015-10-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017085083A JP2017085083A (ja) | 2017-05-18 |
JP6529943B2 true JP6529943B2 (ja) | 2019-06-12 |
Family
ID=58711131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016176223A Active JP6529943B2 (ja) | 2015-10-23 | 2016-09-09 | 半導体素子の製造方法及びその製造方法に用いられるプラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6529943B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230079304A (ko) | 2020-10-05 | 2023-06-07 | 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 플라스마 처리용 가스, 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022079159A (ja) * | 2020-11-16 | 2022-05-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03218018A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-25 | Sony Corp | バイアスecrcvd装置 |
JPH0855835A (ja) * | 1994-08-15 | 1996-02-27 | Sony Corp | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
JP3427534B2 (ja) * | 1995-01-11 | 2003-07-22 | ソニー株式会社 | 接続孔の形成方法 |
WO2014050903A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング装置 |
-
2016
- 2016-09-09 JP JP2016176223A patent/JP6529943B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230079304A (ko) | 2020-10-05 | 2023-06-07 | 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 플라스마 처리용 가스, 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017085083A (ja) | 2017-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI743072B (zh) | 蝕刻方法及蝕刻裝置 | |
CN106992121B (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
KR101384589B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
US9607811B2 (en) | Workpiece processing method | |
US11380551B2 (en) | Method of processing target object | |
US9911622B2 (en) | Method of processing target object | |
KR20160140467A (ko) | 에칭 방법 | |
KR101937727B1 (ko) | 에칭 방법 | |
JP6438831B2 (ja) | 有機膜をエッチングする方法 | |
JP6017928B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
US20160379834A1 (en) | Etching method | |
KR20150069514A (ko) | 에칭 방법 | |
WO2012173122A1 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
US20220181162A1 (en) | Etching apparatus | |
TW201742147A (zh) | 基板處理裝置 | |
KR101835683B1 (ko) | 다층막을 에칭하는 방법 | |
JP6180824B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
US11289339B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP2014003085A (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
JP6529943B2 (ja) | 半導体素子の製造方法及びその製造方法に用いられるプラズマエッチング装置 | |
JP2014220387A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
US9754797B2 (en) | Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride | |
US12051595B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP7431260B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JPWO2015170676A1 (ja) | プラズマエッチング処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6529943 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |