JPH03218018A

JPH03218018A - バイアスｅｃｒｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH03218018A
Application number: JP1432390A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sato; 淳一佐藤; Tetsuo Gocho; 哲雄牛膓
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1990-01-23
Filing date: 1990-01-23
Publication date: 1991-09-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】以下の順序に従って本発明を説明する。

Ａ．産業上の利用分野Ｂ．発明の概要Ｃ．背景技術［第５図］Ｄ．発明が解決しようとする問題点Ｅ．問題点を解決するための手段Ｆ．作用Ｇ．実施例［第１図乃至第４図］ａ．第１の実施例［第１図］Ｃ．第３の実施例［第３図］ｄ．第４の実施例［第４図］Ｈ　．発明の効果（Ａ．産業上の利用分野）本発明はバイアスＥＣＲＣＶＤ装置、特にプラズマ生成
室と反応室との間をプラズマ引比窓により連通させ、プ
ラズマ生成室内にマイクロ波導入窓からマイクロ波を導
波して電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズマを発
生させるバイアスＥＣＲＣＶＤ装置に関する。

（Ｂ．発明の概要）本発明は、上記のバイアスＥＣＲＣＶＤ装置において、異方性エッチングができるようにし、更に異方性エッチ
ングのエッチングレートな高めることができるようにす
るため、反応室にエッチングガスを導入する手段を設け、更にプ
ラズマ発生位置と被処理体との距離を可変にしたもので
あり、また、プラズマ生成室内面に付着した膜がパーティクル
となって被処理体を汚染するのを防止できるようにする
ため、プラズマ引出窓を開閉するゲートバルブと、プラズマ生
成室を開閉する排気手段を設けたのものである。

（Ｃ．背景技術）［第５図］従来において、ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳ　Ｉ等半導体装置
の素子間分離は半導体基板の表面部を選択酸化すること
により形成した選択酸化膜（ＬＯＧＯＳ）により行うの
が普通であった。しかしながら、選択酸化膜による素子
間分離法はバーズビークが発生して寸法変換差が太き《
なるという欠点を有するため素子の微細化への対応が難
し《なりつつある。そこで、バーズビークが発生せず従
って寸法変換差が非常に小さいトレンチ分離法が注目さ
れている。

トレンチ分離法は例えば特開昭５７−１７６７４２号公
報あるいは特開昭６０−５３０４５号公報に紹介されて
いるように、半導体基板の表面部にトレンチ（溝）を形
成し、そのトレンチをバイアスＥＣＲＣＶＤによりＳｉ
ｎ２で埋め込むものである。

そして、本願発明者はかかる技術の開発過程で次のよう
な製造方法を案出した。

第５図（Ａ）乃至（Ｈ）はその製造方法を工程順に示す
断面図である。

（Ａ）半導体基板１の表面に同図（Ａ）に示すように、
トレンチ埋め込み用絶縁膜のエッチングに対してストッ
パとなる多結晶シリコンからなるエッチングストップ層
６を形成する。該エッチングストップ層６の膜厚は例え
ば５００〜２０００人程度である。

（Ｂ）次に、異方性エッチングにより同図（Ｂ）に示す
ように半導体基板の表面部にトレンチ２を形成する。

（Ｃ）次に、バイアスＥＣＲＣＶＤによって第３でトレ
ンチ２を過不足な《埋め込む。バイアスＥＣＲＣＶＤ条
件は、例えば供給ガスがＳ　ｉ　Ｈ　ａ（１７．５ＳＣ
ＣＭ）／Ｎ．Ｏ　（３５３ＣＣＭ）マイクロ波（２．４
５ＧＨｚ）のパワーが１０００Ｗ，ＲＦバイアスのパワ
ーが５００Ｗ、磁場が８７５ガウス、圧力が７Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒである。尚、３ａはトレンチ外、即ちアクテ
ィブ領域に成長した絶縁膜である。

（Ｄ）次に、同図（Ｄ）に示すように、平坦面がエッチ
ングされない条件でバイアスＥＣＲＣＶＤにより絶縁膜
３ａを水平戻しエッチングする。このときのバイアスＥ
ＣＲＣＶＤ条件は工程（Ｃ）における条件のうちのＳ　
ｉ　Ｈ　４供給量だけを７３ＣＣＭ以下に変えたもので
ある。尚、このエッチングはトレンチ２外の絶縁膜３ａ
を除去するためにトレンチ２内の絶縁膜３を覆うレジス
ト膜を形成するに必要なスペースを確保すべ《行うもの
で、水平方向にエッチングが進行して絶縁膜３ａの側面
を後退させるので水平戻しエッチング本工程は元来上述
したようにトレンチ２内の絶縁膜３を確実にマスクする
レジスト膜を形成するに必要な場所をトレンチ２上及び
その近傍に確保するために行うものであるが、裾引き部
５が生じているので、この段階ではレジスト膜を形成す
るに必要な場所を完全に確保するには至っていない。

尚、第５図（Ｄ）において２点鎖線は水平戻しエッチン
グ前における絶縁膜３、３ａの状態を示している。

（Ｅ）次に同図（Ｅ）に示すように、ＲＩＥにより異方
性エッチングを行って絶縁膜３、３ａを上記エッチング
ストップ層６の厚さ分エッチングする。この異方性エッ
チングは、例えば、供給ガスがＣＨＦ３　　（７５３Ｃ
ＣＭ）／０２　（８ＳＣＣＭ）．ＲＦバイアスのパワー
が１３５０Ｗ，圧力が８０ｍＴｏｒｒでの平行平板型Ｒ
ＩＥにより行えばよい。これにより上述したレジスト膜
を形成するためのスペースを確保することができるので
ある。

（Ｆ）次に、フォトソグラフィ技術を駆使して同図（Ｆ
）に示すようにレジスト膜４でトレンチ２内絶縁膜３を
マスクする。

（Ｇ）次に、同図（Ｇ）に示すようにトレンチ２外の絶
縁膜３ａを除去する。

（Ｈ）その後、レジスト膜４を剥離し、次いで多結晶シ
リコンからなるエッチングストップ層４を例えばＫＯＨ
でエッチングする。

これにより、トレンチ２を絶縁膜３により過不足なく埋
め込み且つトレンチ２外の絶縁膜３ａを完全に除去した
状態になる。

このような半導体装置の製造方法によれば、予めエッチ
ングストップ層６を形成しておき、トレンチ２、絶縁膜
３の形成及びトレンチ外絶縁膜３ａの水平戻しエッチン
グをした後、異方性エッチングをするのでトレンチ外絶
縁膜３ａの裾引き状の部分５を完全に除去することがで
きる。従って、トレンチ２内絶縁膜３をマスクするレジ
スト膜４を形成するに必要なスペースを確保することが
でき、延いては、トレンチ外絶縁膜３ａの完全な除去が
可能になる。

そして、水平戻しエッチング後の異方性エッチングによ
ってトレンチ内の絶縁膜３の表面部がエッチングされる
が、もともと絶縁膜３はエッチングストップ層６の厚さ
分厚く形成されているので、その異方性エッチングによ
り絶縁膜３の表面を半導体基板の表面と同じ高さにする
ことができるのである。

この技術については既に特願平１−２７７９２９により
提案済である。

ところで、かかる技術の実施には異方性エッチングので
きるバイアスＥＣＲＣＶＤ装置が必要である。というの
は、普通のバイアスＥＣＲＣＶＤ装置においてはデポジ
ションとエッチングが同時に進行するバイアスＥＣＲＣ
ＶＤを行うことができるが、異方性エッチングを行うこ
とができない。にも拘らずトレンチ外絶縁膜３ａの少な
くとも裾引き部５を異方性エッチングによって除去する
必要があるからである。

拳　、雫　マ慴　　　工　ｈｌ＋　げ一　与　ヱ　ヘ　
広Ｊ呼　　　Ｇ；Ｉｉ？嗜？啼　ぼけｍ膚ｍ（即ち絶縁
膜形成用）のガスを導入する手段とは別に反応室に絶縁
膜エッチング用のガスを導入する手段を設けてＲＩＥに
よる異方性エッチングを行うことができるようにしたバ
イアスＥＣＲＣＶＤ装置を本願発明者等が案出したので
ある。これによれば、異方性エッチング時には反応室に
成膜用のガスではなくエッチング用のガスを導入するこ
とによりＲＩＥにより異方性の高いエッチング処理を絶
縁膜に対して施すことができるのである。このようなバ
イアスＥＣＲＣＶＤ装置についても既に前記特願平１−
２７７９２９によって提案が為されている。

（Ｄ．発明が解決しようとする問題点）ところで、上述
したバイアスＥＣＲＣＶＤ装置によって異方性エッチン
グした場合においてエッチングレートの向上を図ること
が強《望まれている。というのは、上述したトレンチ分
離法にはエッチングレートを高めることが難しい水平戻
しイ　．．，　　：ｔ−”ノＨ礒《】τ７Ｊｈア一七、
ス、Ｊ｛　　　冫啼　ノ、怖４−，乙　→ド匍１　口の
低価格化のため製造のスルーブットの向上が不可欠とさ
れる結果、異方性エッチングのエッチングレートの向上
が強く要求されるのである。

また、バイアスＥＣＲＣＶＤ装置には異方性エッチング
ができるものであるか否を問わずパーティクルが半導体
基板表面を汚染するという問題があった。というのは、
バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の使用時に反応室内に供給さ
れた成膜用ガス、例えばＳ　Ｉ　Ｈ　４の一部がプラズ
マ生成室内に入り、その結果、プラズマ生成室内面に絶
縁膜やシリコン膜が付看することは避け得ない。そして
、付着した絶縁膜やシリコン膜が剥れるとそれがパーテ
ィクルとなって半導体基板を汚染することとなる。また
、シリコン膜がマイクロ波をプラズマ生成室へ導波する
マイクロ波導波窓に付着するとマイクロ波の導波に悪影
響を及ぼす虞れもある。

本発明はこのような問題点を解決すべ《為されたもので
あり、第１に異方性エッチングができるようにしたバイ
アスＥＣＲＣＶＤ装置の異方性エッチングのエッチング
レートを高《できるようにすることを目的とするもので
あり、第２にバイアスＥＣＲＣＶＤ装置のプラズマ生成
室内面に付着した膜がパーティクルとなって被処理体を
汚染するのを防止できるようにすることを目的とするも
のである。

（Ｅ．問題点を解決するための手段）本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第１のものは、反応
室にエッチングガスを導入する手段を設け、更にプラズ
マ発生位置と被処理体との距離を可変にしたことを特徴
とする。

本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第２のものは、プラ
ズマ引出窓を開閉するゲートバルブと、プラズマ生成室
を開閉する排気手段を設けたことを特徴とする。

（Ｆ．作用）本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第１のものによれば
、プラズマ発生位置と被処理体との距離を可変にしたの
で、異方性エッチング時にその距離を短か《することに
より高エネルギだが短寿命の中性なラジカルをもエッチ
ングに寄与させることができる。

従って、異方性エッチングのエッチングレートを向上さ
せることができる。

本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第２のものによれば
、プラズマ引出窓を開閉するゲートバルブを閉じて排気
手段でプラズマ生成室を排気することにより該プラズマ
生成室内をプラズマクリーニングすることができる。従
って、プラズマ生成室内を常にクリーンな状態に保ち、
パーティクルの発生を防止することができる。

（Ｇ．実施例）［第１図乃至第４図］以下、本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置を図示実施例に
従って詳細に説明する。

（ａ．第１の実施例）［第１図］第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装
置の第１の実施例を示す断面図で、同図（Ａ）はＣＶＤ
及び水平戻しエッチング時における状態を示し、同図（
Ｂ）は異方性エッチング時における状態を示す。

図面において、７はプラズマ生成室、８は冷却水の通流
室、９はプラズマ生成室７の上部を閉塞するマイクロ波
導入窓で、石英ガラス板からなる。１０はプラズマ生成
室７の上側に設けられたマイクロ波導波管、１１はプラ
ズマ生成室１の底部に形成されたプラズマ引出窓である
。１２はプラズマ生成室７の周囲に配置された励磁コイ
ル、１３はプラズマ生成室７の下側に配置された反応室
で、この内部の上記プラズマ引出窓１１の下側にあたる
部分に試料を支持する支持台１４が配置され、該支持台
１４上に被処理基板、例えば半導体ウエハ１５が支持さ
れる。該支持台１４は図示しない昇降機構によって高さ
を変えることができるようになっている。このことが本
バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の大きな特徴である。

１６はプラズマ生成室７ヘプラズマ生成用ガス？１）、
例えば０■等を供給するガス導入管、１７はプラズマ流
、１８ａはＣＶＤ用反応ガス（２）、例えばＳ　Ｉ　Ｈ
　４等を反応室１３内に導入するガス導入リング、１８
ｂはエッチング用ガス（３）、例えばＣＨＦ３あるいは
ＮＦ．等を導入するガス導入リング、１９はバイアス用
ＲＦ電源、２０は装置の排気部である。

このプラズマ装置は、第１図（Ａ）に示すように支持台
１４を低いところ（例えば、プラズマ引出窓１１から１
８５ｍｍ程度下側へ離れた所）に位置させた状態でＣＶ
Ｄ、水平戻しエッチングを行う。即ち、プラズマ生成室
７、反応室１３ヘプラズマ生成ガス（１）、反応ガス（
２）を供給し、励磁コイル１２によって磁界を形成しつ
つマイクロ波を導入することによりプラズマ生成室１内
にガス（１）のプラズマを生成し、生成されたプラズマ
イオンを励磁コイル１２が作る発散磁界によって上記反
応室１３内の半導体ウエハ１８上に投射し、該反応室１
３内に供給された反応ガス（２）の気相反応によって半
導体ウエハ？５０表面上に成膜を行なうようになってい
る。

このときのＥＣＲＣＶＤ条件は、例えば、Ｓ　Ｉ　Ｈ　
４の供給量が２　１　３ＣＣＭ、０■の供給量［ガス（
１）として供給］が３５ＳＣＣＭ、マイクロ波のパワー
がＩＯＯＯＷ、内部圧力７×１０−’Ｔｏｒｒ、磁場が
８７５ガウスである。

そして、そのときＲＦバイアス電源１９によりバイアス
（パワー例えば５００Ｗ）をかけて絶縁膜のＣＶＤの制
御ができる。そして、ガス導入リング１８ａを通して導
入するＣＶＤ用反応ガス（２）の流量（本例では２　１
　８ＣＣＭ）を例えば５．３８ＣＣＭに変えることによ
り絶縁膜のＣＶＤ状態から水平戻しエッチング状態に切
換ができる。従って、第５図（Ｃ）に示す絶縁膜３のＣ
ＶＤ工程と、同図（Ｄ）に示す水平戻しエッチング工程
とを連続的に行うことができるのである。

次に、ガス導入リング１８ａを通じてのＣＶＤ用ガス（
２）の供給を停止し、ガス導入リング１８ｂを通じて絶
縁膜異方性エッチング用のガス（３）、例えばＣＨＦ３
あるいはＮＦ３を供給することにより絶縁膜３、３ａに
対するＲＩＥによる異方性エッチング［第５図（Ｅ）参
照］を行うが、その際に支持台１４を上昇させて半導体
ウエハｌ５をプラズマ引出窓１ｌ近傍に位置させる。

このように、支持台１４を上昇させるのはプラズマ生成
室７でプラズマの発生位置に半導体ウエハ１５を近づけ
ることにより半導体ウエハ１５をイオンのみならず電気
的に中性で寿命が一般に短かいラジカルに曝してエッチ
ングレートを高めるためである。即ち、ラジカルは中性
であるためイオンのように発散磁界では引出されること
はな《拡散のみによって進み、寿命が短かい。従って、
第１図（Ａ）に示すように半導体ウエハｌ５がプラズマ
発生位置から離れているときはラジカルは半導体ウエハ
１５にほとんど影響を及ぼし得ないが、同図（Ｂ）に示
すようにプラズマ発生位置に近い場合にはラジカルもエ
ッチングに寄与することができる一俵って、工・ソチン
グレートを高くすることかでき、延いてはスルーブット
の向上を図ることかできるのである。

（ｂ．第２の実施例）［第２図］第２図（Ａ）、（Ｂ）は本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装
置の第２の実施例を示すもので、同図（Ａ）はＣＶＤ及
び水平戻しエッチング時における状態を示し、同図（Ｂ
）は異方性エッチング時における状態を示す。

本実施例は励磁コイルとしてプラズマ生成室７内にプラ
ズマを発生させるもの１６ａと、反応室１３内の半導体
ウエハ１５近傍にプラズマを発生させるもの１６ｂとを
設け、ＣＶＤ時及び水平戻しエッチング時には第２図（
Ａ）に示すようにプラズマ生成室７内にプラズマを発生
させるコイル１６ａに電流を供給し、異方性エッチング
時には同図（Ｂ）に示すように反応室１３内にプラズマ
を発生させるコイル１６ｂに電流を供給するようにした
ものである。本バイアスＥＣＲＣＶＤ装置は、第１図に
示す実施例とは半１休ウエハ１５を支持する支持台１４
ではなくプラズマ発生位置（ＥＣＲ点）を動かすことに
よりプラズマ発生位置七半導体ウエハ１４との距離を変
化させる点で異なっている。しかし、それ以外の点では
相違しない。

本実施例によっても半導体ウエハ１５をラジカルに曝す
ことができ、異方性エッチングのエッチングレートを高
めることができる。

（ｃ．第３の実施例）［第３図］第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装
置の第３の実施例を示すもので、ＣＶＤ及び水平戻しエ
ッチング時における状態を示し、同図（Ｂ）は異方性エ
ッチング時における状態を示す。

本実施例は励磁コイル１６を上下させることによりプラ
ズマ生成室７内にプラズマを発生させたり反応室１３内
の半導体ウエハ１５近傍にプラズマを発生させたりでき
るようにしたものである。

即ち、ＣＶＤ時及び水平戻しエッチング時には同図（Ａ
）に示すように励磁コイル１６を高いところに位置させ
てプラズマ生成室７内にプラズマを発生させ、異方性エ
ッチング時には同図（Ｂ）に示すように励磁コイル１６
を低いところに位置させて反応室ｌ３内の半導体ウエハ
１５近傍にプラズマを発生させる。

このようにプラズマ発生位置（ＥＣＲ点）と被処理体た
る半導体ウエハとの距離を変化させる手段には種々のも
のが考えられるのである。

（ｄ．第４の実施例）［第４図］第４図（Ａ）　　　（Ｂ）は本発明バイアスＥＣＲＣＶ
Ｄ装置の第４の実施例を示す断面図で、同図（Ａ）はＥ
ＣＲＣＶＤ時における状態を示し、同図（Ｂ）はクリー
ニング時における状態を示す。

本バイアスＥＣＲＣＶＤ装置は一般のバイアスＥＣＲＣ
ＶＤ装置とはプラズマ生成室のみを開閉する手段を有し
且つプラズマ引出窓を開閉するゲートバルブを有する点
で大きく異なっているが、それ以外の点では共通してお
り、特徴点のみを説明する。

２１はプラズマ生成室７を排気する排気管、２２は該排
気管２１に設けられた電磁バルブ、２３はプラズマ引出
窓１１を開閉するゲートバルブである。

普通にＣＶＤを行うときには第４図（Ａ）に示すように
ゲートバルブ２３を開き、そして電磁バルブ２２を閉じ
た状態にしてお《。

そして、ＣＶＤ処理をある量をこなしたらプラズマクリ
ーリングをするために同図（Ｂ）に示すようにゲートバ
ルブ２３を閉じる。また、反応室ｌ３の排気口２０も閉
じる。

次に、電磁バルブ２２を開いて図示しない真空装置によ
り排気管２ｌによってプラズマ生成室７を排気しながら
ガス（１）としてたとえばＮＦ．を供給してプラズマク
リーニングを行う。

プラズマ条件はガスＮＦ３の供給量が例えば２０３ＣＣ
Ｍ、プラズマ生成室７内ガス圧が例え例えば８００Ｗで
ある。

これによりプラズマ生成室７内面に生じたＳｉｎ．やＳ
ｉを除去することができ、パーティクルの発生を防止し
てプラズマ生成室７内をいつもクリーンな状態に保つこ
とができる。

尚、ゲートバルブ２３やプラズマ生成室排気手段を設け
ない従来の装置のままプラズマクリーニングを行うよう
にするという方法も考えられないわけではないが、この
ようにするとクリーニングに寄与するイオンやラジカル
がプラズマ生成室７かもプラズマ引出窓１１を通って反
応室１３内に引き出されてしまい、プラズマ生成室７内
面の付着物の除去を有効に除去し得ない。そして、反応
室１３内に入ったエッチャントは発散磁界により拡がっ
ているだけなので半導体ウエハ１５を支持する支持台１
４上及びその回りをクリーニングするにすぎない。そし
て、支持台１４のまわりについた膜は一般に安定で、そ
れがすぐにパーティクルになるものではない。従って、
ほとんどク１　　−１ｉ）／酩田ｌ４閤仕づ遵ｂ昌小づ
七２やはり、第４図に示すバイアスＥＣＲＣＶＤ装置の
ようにプラズマ引出窓１１をゲートバルブ２３で閉じて
プラズマ生成室７を開閉できるようにした方がプラズマ
生成室７内を有効にクリーニングできるのである。

尚、プラズマ引出窓１１をゲートバルブ２３で閉じてプ
ラズマ生成室７を開閉できるようにするという技術は、
第１図乃至第３図に示すような異方性エッチングをも行
うことができるようにしたバイアスＥＣＲＣＶＤ装置に
対してもそうでないバイアスＥＣＲＣＶＤ装置に対して
も適用することができることはいうまでもない。

（Ｈ．発明の効果）以上に述べたように、本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第１のものは、反応室にエッチング
ガスを導入する手段を設け、プラズマ発生位置と上記反
応室内の被処理体の配置位置との距離を変化させること
ができるようにしたことを特徴とするものである。

従って、本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第１のもの
によれば、プラズマ発生位置と被処理体との距離を可変
にしたので、異方性エッチング時にその距離を短かくす
ることにより高エネルギだが短寿命の中性なラジカルを
もエッチングに寄与させることができる。

本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第２のものは、プラ
ズマ引出窓を開閉するゲートバルブと、プラズマ生成室
を開閉する排気手段を設けてなることを特徴とするもの
である。

従って、本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第２のもの
によれば、プラズマ引出窓を開閉するゲートバルブを閉
じて排気手段でプラズマ生成室を排気することにより該
プラズマ生成室内をクリーニングすることができる。従
って、プラズマ生成室内を常にクリーンな状態に保ち、
パーティクルの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）　　　（Ｂ）は本発明バイアスＥＣＲＣＶ
Ｄ装置の第１の実施例を示す断面図で、同図（Ａ）はＣ
ＶＤ、水平戻しエッチング時における状態を示し、同図
（Ｂ）は異方性エッチング時における状態を示し、第２
図（Ａ）（Ｂ）は本発．明バイアスＥ　Ｃ　Ｒ　Ｃ　Ｖ
．Ｄ装置の第２の実施例を示す断面図で、同図（Ａ）は
ＣＶＤ、水平戻しエッチング時における状態を示し、同
図（Ｂ）は異方性エッチング時における状態を示し、第
３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置
の第３の実施例を示す断面図で、同図（Ａ）はＣＶＤ、
水平戻しエッチング時における状態を示し、同図（Ｂ）
は異方性エッチング時における状態を示し、第４図（Ａ
）（Ｂ）は本発明バイアスＥＣＲＣＶＤ装置の第４の実
施例を示す断面図で、同図（Ａ）はＣＶＤ時における状
態を示し、同図（Ｂ）はプラズマクリーニング時におけ
る状態を示し、第５図ｒＡ）乃不ｔ葺）Ｌ十費畳姑漆ル
Ｔ理狛Ｌ７千才Ｋ面図である。符号の説明７　・　・　・１１・・１３・・１８ｂ・２１・・２３・・プラズマ生成室、・プラズマ引出窓、・反応室、・・エッチングガス導入手段、・排気手段、・プラズマ引出窓を開閉する手段。（Ａ）第１反応室工、，チン７力゛ス導入手段冥カ性工、ソチンク笥の状顛（Ｂ）の実Ｖ］の断面図第１図（，４）第２の実施作第２ｗｉ９＋６１の断面図図１１の断面図図背ｆ！ｌ技淋ε工程願に示す断面図第５図背景技術Ｅ工程順Ｃ：示ｔ断面図第５図手続補正書（自発）平成２年４月２日平成２年特許願第１４３２３号２．発明の名称バイアスＥＣＲＣＶＤ装置３．補正をする者事件との関係　　特許出願人住所　東京都品川区北品川６丁目７番３５号名称　（２
１８）　　　ソニー株式会社４．代理人住所　東京都荒川区西日暮里２丁目５３番５号明細書の
発明の詳細な説明の欄乙落＼６．補正の内容（１）下記の各箇所にあるｒｌ６ａＪを「１２ａ」に訂
正する。ａ．明細書第１８頁下から１０行目、ｂ．明細書第１８頁下から５行目、（２）下記の各箇所にあるｒｌ６ｂＪを「１２ｂ」に訂
正する。ａ．明細書第１８頁下から８行目、ｂ．明細書第１８頁下から３行目、（３）下記の各箇所にある「１６」を「１２」に訂正す
る。ａ．明細書第１９頁下から５行目、ｂ．明細書第２０頁１行目、Ｃ．明細書第２０頁４行目、（４）明細書第２２頁下から８行目、「の除去」を削除
する。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）プラズマ生成室と反応室との間をプラズマ引出窓
により連通させ、プラズマ生成室内にマイクロ波導入窓
からマイクロ波を導波して電子サイクロトロン共鳴を利
用してプラズマを発生させるバイアスＥＣＲＣＶＤ装置
において、上記反応室にエッチングガスを導入する手段を設け、プラズマ発生位置と上記反応室内の被処理体の配置位置
との距離を変化させることができるようにしたことを特徴とするバイアスＥＣＲＣＶＤ装置（２）プラ
ズマ生成室と反応室との間をプラズマ引出窓により連通
させ、プラズマ生成室内にマイクロ波導入窓からマイク
ロ波を導波して電子サイクロトロン共鳴を利用してプラ
ズマを発生させるバイアスＥＣＲＣＶＤ装置において、上記プラズマ引出窓を開閉するゲートバルブと、プラズマ生成室を独立して排気する排気手段と、を設けてなることを特徴とするバイアスＥＣＲＣＶＤ装置