JP2019520701A - １２面形の移送チャンバ、及び、かかる移送チャンバを有する処理システム - Google Patents

１２面形の移送チャンバ、及び、かかる移送チャンバを有する処理システム Download PDF

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JP2019520701A JP2018562289A JP2018562289A JP2019520701A JP 2019520701 A JP2019520701 A JP 2019520701A JP 2018562289 A JP2018562289 A JP 2018562289A JP 2018562289 A JP2018562289 A JP 2018562289A JP 2019520701 A JP2019520701 A JP 2019520701A
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栗田　真一
真一 栗田
真 稲川
真 稲川
ハンチョン エイチ． リン，
ハンチョン エイチ． リン，
松本　隆之
隆之 松本
スハール アンウォー，
スハール アンウォー，
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Applied Materials Inc
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Abstract

複数の基板の処理に適した処理システム用の移送チャンバ、及び、かかる移送チャンバを使用する方法が、提供される。この移送チャンバは、リッドと、リッドの反対側に配置された底部と、リッドと底部とを密封連結し、かつ内部空間を画定している複数の側壁とを含み、複数の側壁は１２面形の面を形成している。面の各々には開口が形成され、この開口は、基板がそこを通過するよう構成されている。移送ロボットが内部空間の中に配置されており、この移送ロボットは、１つの開口を通って別の開口まで基板を支持するよう構成された、エフェクタを有する。【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、概して、大面積基板（例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、及びその他の種類のフラットパネルディスプレイやソーラーパネルなど）を真空処理するための真空処理システムに関し、より具体的には、かかる処理システムの移送チャンバに関する。
関連技術の説明
大面積基板は、フラットパネルディスプレイ（すなわち、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、及びその他の種類のフラットパネルディスプレイ）やソーラーパネルなどを製造するために使用される。大面積基板は、通常、様々な堆積、エッチング、プラズマ処理、並びに、その他の回路及び／又はデバイスの製造プロセスが実施される、一又は複数の真空処理チャンバ内で処理される。真空処理チャンバ同士は、典型的には、共通の一真空移送チャンバによって連結されており、この真空移送チャンバは、種々の真空処理チャンバ間で基板を移送するロボットを包含する。移送チャンバと、この移送チャンバに接続された他のチャンバ（処理チャンバなど）との集合体は、処理システムと称されることが多い。
フラットパネルディスプレイの製造において、基板は、真空条件のもとにありつつ、様々な処理チャンバ間で動かされる。基板への膜の堆積にはかなり長い時間が必要になりうるので、多くの場合、生産目標の達成に必要な基板処理スループットを実現するために、複数の処理システムが利用される。しかし、複数の処理システムを使用することで貴重な工場フロアスペースが消費されると共に、堆積プロセスの単なるスピードアップは、不十分な膜品質につながることが多い。
ゆえに、改良型の処理システムが必要とされている。
本開示の実施形態は概して、大面積基板の真空処理に関する。一実施形態では、複数の基板の処理に適した処理システム用の移送チャンバ、及び、かかる移送チャンバを使用する方法が、提供される。この移送チャンバは、リッドと、リッドの反対側に配置された底部と、リッドと底部とを密封連結し、かつ内部空間を画定する複数の側壁とを含み、複数の側壁は、１２面形の面を形成している。面の各々には開口が形成され、この開口は、基板がそこを通過するよう構成されている。移送ロボットが内部空間の中に配置されており、この移送ロボットは、１つの開口を通って別の開口まで基板を支持するよう構成された、エフェクタを有する。
別の実施形態では、複数の基板を製造するための処理システムが提供される。このシステムは移送チャンバを含む。この移送チャンバは、リッドと、リッドの反対側に配置された底部と、リッドと底部とを密封連結し、かつ内部空間を画定する複数の側壁とを含み、複数の側壁は、１２面形の面を形成している。面の各々には開口が形成され、この開口は、基板がそこを通過するよう構成されている。移送ロボットが内部空間の中に配置される。ロードロックチャンバは、移送チャンバに連結され、かつ開口を有する。この開口は、移送チャンバの開口のうちの１つと位置が合っており、かつ、移送チャンバのこの開口に密封式に取り付けられている。マスクチャンバは、移送チャンバに連結され、かつ開口を有する。この開口は移送チャンバの開口のうちの別の開口と位置が合っており、かつ、移送チャンバのこの開口に密封式に取り付けられている。複数の処理チャンバは、移送チャンバに連結され、かつ複数の開口を有する。これらの開口はそれぞれ、移送チャンバの開口のうちの１つと位置が合っており、かつ、移送チャンバのこの開口に密封式に取り付けられている。移送ロボットは、移送チャンバに取り付けられたチャンバのうちの１つから別のチャンバまで、基板又はマスクを支持し、動かすよう構成された、エフェクタを有する。
別の実施形態では、複数の基板を処理する方法が提供される。この方法は、７つの基板を移送チャンバに移送することを含む。方法は、移送チャンバに直接取り付けられた７つの別個の処理チャンバ内で、この７つの基板にケイ素含有膜を堆積させることも含む。１度の膜堆積の後に７つの基板を移送チャンバの外に移送することにより、方法は終了する。
本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、（上記で簡単に要約した）本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
一実施形態による、移送チャンバを有する、複数の基板を真空処理するための処理システムの上方断面図である。 一実施形態による、図１の処理システムに図示しているロードロックチャンバの側方断面図である 一実施形態による、図１の移送チャンバの上面図である。 一実施形態による、図１の移送チャンバの側面図である。 一実施形態による、図１の移送チャンバ内で使用されるロボットの側方断面図である 一実施形態による、図１のバッファチャンバの側方断面図である。 一実施形態による、図１のマスクチャンバの側方断面図である。 一実施形態による、図１の処理システムの処理チャンバのうちの１つの側方断面図である 一実施形態による、図１の移送チャンバの動作のフロー図である。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに、同一の参照番号を使用した。１つの実施形態で開示されている要素は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態で有益に利用されうると想定される。
本開示の実施形態は概して、大面積基板（例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、及びその他の種類のフラットパネルディスプレイやソーラーパネルなど）を真空処理するための真空処理システムに関する。本書では、大面積基板上に堆積を実施するための真空処理システムについて説明しているが、この真空処理システムは、代替的には、基板にその他の真空プロセス（とりわけ、エッチング、イオン注入、アニーリング、プラズマ処理、及び物理的気相堆積など）を実施するようにも、構成されうる。
図１は、本開示の一実施形態による、複数の基板１０２に真空処理を実施するための処理システム１００の上方断面図である。処理システム１００は移送チャンバ１１０を有する。移送チャンバ１１０には複数の処理チャンバ１２０が連結されている。加えて、一又は複数のロードロックチャンバ１４０が移送チャンバ１１０に連結されている。オプションで、マスクチャンバ１３０とバッファチャンバ１５０の一方又は両方が、移送チャンバ１１０に連結されうる。処理システム１００を形成している、移送チャンバ１１０、処理チャンバ１２０、ロードロックチャンバ１４０、並びに、追加で取り付けられた任意のチャンバは、それらの中の真空環境を維持するために密封連結される。
処理システム１００は、複数の基板１０２を保持し、処理するよう構成されている。各基板１０２は、長さ、幅、及び厚さを有する。基板１０２の長さは、一部の実施形態では、幅よりも５０％以上長いものでありうる。例えば、一実施形態では、各基板１０２は、約１５００ｍｍの長さと約９２５ｍｍの幅とを有する。基板１０２の厚さは、数ミリメートル以下（例えば、約０．３ミリメートル〜約０．５ミリメートルの厚さ）でありうる。基板１０２は、ガラス、プラスチック、又はその他の材料からなりうる。
基板１０２は、ロードロックチャンバ１４０を通って処理システム１００を出入りするように動かされうる。ここで図２に示しているロードロックチャンバ１４０の概略図を簡潔に確認するに、ロードロックチャンバ１４０は２つの単一キャビティ（空洞部）を備えるロードロックでありうる。ロードロックチャンバ１４０は、第１ロードロックキャビティ２０１（例えば、下側ロードロック基板受容キャビティ）と、第１ロードロックキャビティ２０１の上方に配置された、第２ロードロックキャビティ２０２（例えば、上側ロードロック基板受容キャビティ）とを含む。第１ロードロックキャビティ２０１は、第１内部空間２２１を有する。第２ロードロックキャビティ２０２は、第２内部空間２２２を有する。各内部空間２２１、２２２は、その中に基板を収容するようサイズ決定される。
ロードロックチャンバ１４０は、オプションで、第１ロードロックキャビティ２０１及び第２ロードロックキャビティ２０２の内部空間２２１、２２２にそれぞれ連結された、下側と上側の排気システム２０４も含む。ロードロックチャンバ１４０は、オプションで、第１ロードロックキャビティ２０１及び／又は第２ロードロックキャビティ２０２にプロセスガスを提供するための、ガス供給システム２０５を含みうる。プロセスガスは、例えば、不活性ガス（アルゴンなど）、又はその他のプロセス不活性ガス（窒素など）を含みうる。
第１ロードロックキャビティ２０１と第２ロードロックキャビティ２０２の各々は、内部空間２２１、２２２の中に配置された基板支持体２０９であって、その上に一又は複数の基板１０２を支持するよう構成された、基板支持体２０９を含む。基板支持体２０９は、更に、基板１０２がロードロックキャビティ２０１、２０２内にある時にそれを回転させるよう、構成されうる。基板支持体２０９は、基板１０２を配向するために、少なくとも９０度まで（あるいは１８０度までのこともある）回転しうる。ロードロックチャンバ１４０は、各角部に、基板１０２の位置及び状態をモニタするための基板破損センサを有しうる。この構成を用いることで、ロードロックチャンバ１４０は、２５０マイクロメートルの範囲内で基板の位置合わせを維持することが可能になりうる。
第１ロードロックキャビティ２０１と第２ロードロックキャビティ２０２の各々は、それぞれドア２０６ａ、２０６ｂを含み、ドア２０６ａ、２０６ｂは、基板を出し入れするためにロードロックキャビティ２０１、２０２へのアクセスを可能にするために、開かれうる。例えば、ファクトリインターフェース（ＦＩ：図示せず）、又は、通常は大気圧に維持されているその他のエリアを通って、製造設備の諸部分に出入りする基板の移送を促進するために、ドア２０６ａ、２０６ｂが開かれうる。一例では、第１ロードロックキャビティ２０１へのアクセスを可能にして、大気圧に維持されている環境からの基板の移送を促進するために、ドア２０６ａが開かれうる一方、第２ロードロックキャビティ２０２のドア２０６ｂは、移送チャンバ１１０内に維持されている真空環境への基板の移送を促進するために閉ざされうる。
第１ロードロックキャビティ２０１と第２ロードロックキャビティ２０２の各々は、それぞれ、ロードロックチャンバ１４０を移送チャンバ１１０から密封するためのスリットバルブ２０７ａ、２０７ｂも含む。スリットバルブ２０７ａ、２０７ｂが動作することで、処理システム１００内で移送チャンバ１１０を出入りする、基板１０２の移送が促進される。一態様では、処理システム１００の移送チャンバ１１０による基板の移送を可能にするために、スリットバルブ２０７ａ、２０７ｂが開かれうる。例えば、第１ロードロックキャビティ２０１へのアクセスを可能にして、第１ロードロックキャビティ２０１から処理システム１００の移送チャンバ１１０への基板の移送を促進するために、スリットバルブ２０７ａが開かれうる一方、スリットバルブ２０７ｂは、第２ロードロックキャビティ２０２とＦＩ又は他の大気圧領域との間での基板の移送を促進するためにドア２０６ｂが開いている時に、大気圧から第２ロードロックキャビティ２０２へのアクセスが可能になるよう、閉ざされうる。
排気システム２０４は、第１ロードロックキャビティ２０１及び第２ロードロックキャビティ２０２に連結されている。排気システム２０４は、第１ロードロックキャビティ２０１及び第２ロードロックキャビティ２０２の内部空間からのガスの除去を促進する。排気システム２０４は、バルブ２１１、２１２を通じてロードロックキャビティ２０１、２０２に連結された、ポンプ２１３を含みうる。第１内部空間２２１及び第２内部空間２２２は、ポンプダウン（真空引き）され、約７８０Ｔｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ未満の圧力で動作しうる。ポンプ２１３は、約２０秒を下回る時間内で、第１又は第２の内部空間２２１、２２２の中の圧力をポンプダウンする（すなわち、７８０Ｔｏｒｒから約１００ｍＴｏｒｒ未満まで圧力を低減する）のに十分なものでありうる。同様に、バルブ２１１、２１２は、ベントを行うこと、及び、２０秒以下の時間内で１００ｍＴｏｒｒから約７８０Ｔｏｒｒまで圧力を戻すことが可能である。
プロセスガスが、ガス供給システム２０５を介して、第１又は第２のロードロックキャビティ２０１、２０２に供給されうる。ガス供給システム２０５は、ガス供給源２１７と第１又は第２のロードロックキャビティ２０１、２０２とを連結する、第１バルブ２１５、２１６を含む。
別の例では、ロードロックチャンバ１４０が一度に１つの基板だけを取り扱いうるように、ロードロックチャンバ１４０は単一のロードロックキャビティ（例えば第１ロードロックキャビティ２０１）を含みうる。単一基板キャビティ構成では、ロードロックチャンバ１４０は、処理システム１００と隣接した処理システムとを連結するための通過部（ｐａｓｓ ｔｈｒｏｕｇｈ）として機能してよく、これにより、基板は、真空を損なうことなく（すなわち、基板を大気圧に暴露することなく）処理システム同士の間で移送されうる。
図１に示している更に別の例では、ロードロックチャンバ１４０Ａは、一度に１つの基板だけを取り扱いうるように第１ロードロックキャビティ２０１のみを有しうる一方、ロードロックチャンバ１４０Ｂは、２つの基板を同時に取り扱いうるように、第１ロードロックキャビティ２０１と第２ロードロックキャビティ２０２の両方を含みうる。ゆえに、処理システム１００は、ロードロックチャンバ１４０Ａを通じて隣接する処理システム同士の間で基板を移送すると共に、ロードロックチャンバ１４０Ｂを通じて、大気圧のファクトリインターフェースとの間で基板を移送するよう、構成されうる。
図３Ａは、一実施形態による、図１の移送チャンバ１１０の上面図である。図３Ｂは、一実施形態による、図１の移送チャンバ１１０の側面図である。ここで図１、図３Ａ、及び図３Ｂを参照するに、ロードロックチャンバ１４０は、スリットバルブ２０７において、移送チャンバ１１０の面３１０に連結されている。移送チャンバ１１０は、リッド３６４と底面３６２とを有する。複数の側壁３１６が、リッド３６４と底面３６２とを密封連結し、かつ、内部空間３０２を画定している。リッド３６４は、側壁３１６にヒンジ止めされてよく、かつ、内部空間３０２を移送チャンバ１１０の外部の環境に露出する開放位置と、側壁３１６に対する気密密封を形成する閉鎖位置との間で、可動でありうる。複数の側壁３１６が移送チャンバ１１０の外周３１４を形成する。図３Ａの上面図に示しているように、外周３１４は、１２の面３１０を有する多角形状を有する。処理システム１００の中心１１１は、移送チャンバ１１０の中心３１１と一致しうる。あるいは、中心３１１は、処理システム１００の中心１１１と位置が合っていない。
移送チャンバ１１０の面３１０は、側壁３１６を貫通して形成された開口３１２を有する。開口３１２は、基板１０２が開口３１２を通過し、移送チャンバ１１０の内部空間３０２に入ることが可能になるよう、サイズ決定される。例えば、開口３１２は、基板１０２の幅を上回る水平方向幅を有する。一例では、開口３１２は、少なくとも９２５ｍｍの水平方向幅を有する。面３１０は、実質的に平らであり、かつ、他のチャンバ（１２０、１３０、１４０、１５０）のうちの１つと密封係合するよう構成されている。
面３１０の開口３１２及び当接している処理チャンバ（例えばロードロックチャンバ１４０、マスクチャンバ１３０、処理チャンバ１２０、バッファチャンバ１５０、又はその他のチャンバ）の周囲に密封を形成するために、密封、ガスケット、又はその他の技法が利用されうる。例えば、ロードロックチャンバ１４０と移送チャンバ１１０の面３１０の開口３１２との間に気密密封を提供するために、Ｏリング（図示せず）が利用されうる。ロードロックチャンバ１４０と移送チャンバ１１０との間の連結は、密封によって気密にされ、これにより、スリットバルブ２０７が移送チャンバ１１０に対して開いている時には、ロードロックチャンバ１４０の内部空間２２１、２２２の大気圧が移送チャンバ１１０の内部空間３０２でも維持されうる。
排気システム２０４が移送チャンバ１１０に連結される。排気システム２０４は、移送チャンバ１１０の内部空間３０２における真空環境を維持するために、内部空間３０２からガスを除去する。排気システム２０４は、内部空間３０２の中に約１０Ｔｏｒｒ〜約５０ｍＴｏｒｒの雰囲気を創出するよう、動作可能である。
２つのアーム付きの真空移送ロボット１１２が、移送チャンバ１１０の内部空間３０２の中に配置される。ロードロックチャンバ１４０内の基板１０２は、移送ロボット１１２によって移送チャンバ１１０内へと、スリットバルブ２０７を通じて移送されうる。ここで簡潔に図４を参照するに、図４は、一実施形態による、図１の移送チャンバ１１０内で使用されるロボット１１２の一実施形態の側方断面図である
移送ロボット１１２は、移送チャンバ１１０内に配置されており、かつ、基板１０２及びマスク１３２を、移送チャンバ１１０を取り囲んでいるチャンバ（例えば、処理チャンバ１２０、ロードロックチャンバ１４０、及びマスクチャンバ１３０）に出し入れするように動かすために、使用されうる。移送ロボット１１２は、基部４４８上に配置された本体４４６を有する。移送ロボット１１２は、オプションで、冷却プレート４４７を有しうる。冷却プレート４４７は、基板１０２から移送ロボット１１２に伝達される熱量を減少させるための熱伝達流体を提供する、冷却流体源（図示せず）に取り付けられうる。本体４４６は、基部４４８を通って延在する垂直軸の周りで回転可能である。
移送ロボット１１２は、第１エンドエフェクタ４４２（すなわち上側エンドエフェクタ）に取り付けられた、リスト（手首部）４４５を有する。リスト４４５及び第１エンドエフェクタ４４２は、ガイド４６４に取り付けられうる。ガイド４６４は、本体４４６のレール４６３に沿って動きうる。リスト４４５及び第１エンドエフェクタ４４２は、レール４６３に沿って水平に可動であり、かつ、基部４４８に対して回転する。第１エンドエフェクタ４４２は、基板１０２を、移送ロボット１１２によって動かされている間に支持するよう構成されている、基板支持面を含む。リスト４４５及び第１エンドエフェクタ４４２は、本体４４６の上方で実質的に中心方向に縮んでいる（ｃｅｎｔｅｒｅｄ）後退位置と、第１エンドエフェクタ４４２が、本体４４６の前方部分４４９を越えて横方向に伸長することにより、移送チャンバ１１０に取り付けられたチャンバのうちの１つの中に位置付けられて基板の移送が促進されうる、伸張位置との間で、可動である。本体４４６の前方部分４４９を、第１エンドエフェクタ４４２が伸長する方向に配向し、チャンバのうちのいずれかと位置を合わせるために、本体４４６は回転しうる。
別の例では、リスト４４５及び第１エンドエフェクタ４４２は、リスト４４５が反対側の端部と比べて移送チャンバ１１０の中心３１１に近くなるように、中心３１１から横方向にオフセットしている。ゆえに、移送ロボット１１２の重心４１１は、移送チャンバ１１０の中心３１１を中心とした基部４４８から、距離４１３だけオフセットしうる。第１エンドエフェクタ１４２を中心３１１からオフセットさせることで、第１エンドエフェクタ４４２の短く低コストになった可動域を使用する、他のチャンバ１２０、１３０、１４０、１５０との間での基板の移送を促進するための第１エンドエフェクタ４４２の横方向の伸長が、可能になる。第１及び／又は第２のエンドエフェクタ４４２、４４４で基板１０２を移送する時に移送ロボット１１２の重量のバランスを取るために、カウンターウェイト４６０がリスト４４５に隣接して配置されうる。
移送ロボット１１２は、２つの基板１０２又は２つのマスク１３２を、移送チャンバ１１０を取り囲んでいるチャンバのうちの１つ（処理チャンバ１２０など）に出し入れするように、同時に動かすことが可能である。移送ロボット１１２の第１エンドエフェクタ４４２は、基板１０２を支持するのに十分な長さ４１６と幅を有しうる。長さ４１６は径方向に平行であり、移送ロボット１１２は、この径方向において、例えば、移送チャンバ１１０の中心３１１から処理チャンバ１２０のうちの１つの中へと径方向に伸長しうる。移送ロボット１１２は、基板１０２を１つのチャンバから別のチャンバに動かすために、水平方向に約５０８５ミリメートルの距離だけ伸長し、かつ、垂直方向に約５５０ミリメートル動きうる。一実施形態では、移送ロボット１１２の第１エンドエフェクタ４４２は、水平方向に少なくとも約５０００ミリメートルの距離だけ伸長し、かつ、垂直方向に少なくとも約５４０ミリメートルの距離だけ動きうる。移送ロボット１１２は、基板の損傷を防止し、スループットを向上させるよう、０．５ミリメートル未満の位置再現性を有しうる。一部の実施形態では、移送ロボット１１２は、上側エンドエフェクタ（すなわち第１エンドエフェクタ４４２）と、下側エンドエフェクタ（すなわち第２エンドエフェクタ４４４）とを含んでよく、これらのエンドエフェクタにより、移送ロボット１１２が、第１と第２のエンドエフェクタ４４２、４４４上の複数の基板１０２及び／又はマスク１３２を、互いとは無関係に動かすことが可能になりうる。一部の実施形態では、第１と第２のエンドエフェクタ４４２、４４４は、２つの基板１０２又は２つのマスク１３２を同時に動かすために使用されうる。移送ロボット１１２が第１と第２のエンドエフェクタ４４２、４４４を含む場合、各エンドエフェクタは、モータによって個別に制御されうる。一実施形態では、移送ロボット１１２は、第１と第２のエンドエフェクタ４４２、４４４を有し、かつ、各アームについて別個のモータを有する、２つのアーム付きロボットである。別の実施形態では、移送ロボット１１２は、共通の連結部を通じて連結された、第１と第２のエンドエフェクタ４４２、４４４を有する。移送ロボット１１２は、約２０秒を下回る時間で処理チャンバ１２０とロードロックチャンバ１４０との間で基板１０２を交換するのに十分なほどに、迅速でありうる。加えて、移送ロボット１１２は、約４０秒間を下回る時間で、マスクチャンバ１３０と処理チャンバ１２０との間でマスクを交換しうる。
基板のキズ及び位置合わせの検出装置４５１（検出装置４５１）が、オプションで、移送ロボット１１２の本体４４６に取り付けられうる。第１エンドエフェクタ４４２上に配置された基板１０２は、第１エンドエフェクタ４４２が伸長し、後退する際に、検出装置４５１のそばを通る。第１エンドエフェクタ４４２上に位置付けられた基板１０２が、検出装置４５１内のセンサのそばを通って動く際に、第１と第２のエンドエフェクタ４４２、４４４に対する基板１０２の位置と共に、基板１０２のエッジにおける不具合が検出される。
移送ロボット１１２は、処理チャンバ１２０及びロードロックチャンバ１４０に出入りさせるように、基板１０２を動かしうる。しかし、プロセスの流れに沿って起こる事象により、処理チャンバ１２０を離れた基板１０２の行き場がなくなっている時には、基板１０２はバッファチャンバ１５０へと移送されうる。図５は、一実施形態による、図１に示しているバッファチャンバ１５０の側方断面図である。バッファチャンバ１５０は、基板１０２が処理システム１００内の別のチャンバに移送されるか、又は、処理システム１００の外部に移送されるのを待機している間、基板１０２を保持するよう構成されている。例えば、第１チャンバにおいて第１基板の処理が予定されているが、第１チャンバは、この時点では、その中で処理されている第２基板によって占有されていることがある。第１基板は、移送ロボット１１２によってバッファチャンバ１５０に移送されて、第１処理チャンバが使用可能になるのを第１基板が待機している間に他の基板が他のチャンバに出入りするように動かされるよう、移送ロボット１１２を解放しうる。
バッファチャンバ１５０は、内部空間５１０を画定し、封入している、リッド５０８と、壁５０６と、フロア５０４とを有しうる。壁５０６には開口５３０が形成されうる。開口５３０は、基板１０２がそこを通過するよう構成されている。バッファチャンバ１５０は、オプションで、開口５３０のための、スリットバルブ又はその他の閉鎖機構を有しうる。加えて、開口５３０は、移送チャンバ１１０の面３１０の開口３１２のうちの１つと位置が合うよう構成されている。バッファチャンバ１５０が移送チャンバ１１０の面３１０と気密密封を形成しうるように開口５３０の周囲に密封を形成するために、密封、ガスケット、又は他の好適な技法が利用されうる。バッファチャンバ１５０の内部空間５１０は、気密であり、かつ、約１０ｍＴｏｒｒ未満のベース圧力に維持されうる。バッファチャンバ１５０は、内部の圧力を維持するための真空ポンプを有しうる。あるいは、内部空間５１０のこの圧力は、バッファチャンバ１５０内の圧力が、開口３１２、５３０を通じて移送チャンバ１１０内の圧力と等しい場合に、実現されうる。ゆえに、バッファチャンバ１５０は、移送チャンバ１１０と類似した動作温度（すなわち、約５０ｍＴｏｒｒ〜約１００ｍＴｏｒｒ）を有しうる。
バッファチャンバは支持ラック５４０を有しうる。支持ラック５４０は、シャフト５４２によって支持されている。シャフト５４２は駆動ユニット５４４に取り付けられうる。駆動ユニット５４４は、支持ラック５４０を上昇及び下降させるために、シャフト５４２を伸張位置と後退位置との間で垂直に動かすことが可能な、線形モータ、機械的デバイス、液圧ユニット、又は他の好適な可動機構でありうる。支持ラック５４０はスロット５２４を有しうる。各スロット５２４は、そこに基板１０２を受け入れるよう構成されうる。支持ラック５４０は、複数の基板１０２を対応するスロット５２４内に保持するよう構成されうる。例えば、支持ラック５４０は、バッファチャンバ１５０の内部空間５１０の中に、６つの基板を内部に保持するための６つのスロット５２４を有しうる。
支持ラック５４０は、移送ロボット１１２によるアクセスのためにスロット５２４と開口５３０との位置が合うよう、駆動ユニット５４４によって上昇又は下降しうる。移送ロボット１１２は、スロット５２４からロードロックチャンバ１４０（又は、一部の事例では処理チャンバ１２０）に、基板を動かしうる。加えて、移送ロボット１１２は、マスク１３２を、マスクチャンバ１３０から、内部で基板１０２を処理するための処理チャンバ１２０に動かしうる。図６は、一実施形態による、図１のマスクチャンバ１３０の側方断面図である。
下記で詳述する、処理システム１００内で実施されるプロセスにおいては、複数のマスク１３２が利用されうる。マスクチャンバ１３０は、種々の処理チャンバ１２０の中で実施されるプロセス（堆積プロセスなど）で使用されるべきマスク１３２を保管するために、使用されうる。例えば、マスクチャンバ１３０は、一又は複数のカセット６２０内に、約４〜約３０のマスク１３２を保管しうる。各マスク１３２は、基板１０２の長さ及び幅に類似するようにサイズ決定されうる、長さ及び幅を有する。
マスクチャンバ１３０は、内部空間６０４を画定するチャンバ本体６０２を含む。スリットバルブ６１８が、チャンバ本体６０２に連結されうる。スリットバルブ６１８は、処理システム１００の移送チャンバ１１０に連結され、かつ、内部空間６０４を出入りするマスク１３２の通過を可能にするよう構成されている。移送ロボット１１２は、基板１０２を動かすことに類似した様態で、スリットバルブ６１８を出入りするように、第１エンドエフェクタ４４２上のマスク１３２を動かすことが可能である。
リッド部材６０６が、チャンバ本体６０２に連結されうる。リッド部材６０６は、リッド部材６０６が（図の）閉鎖位置にある時に内部空間６０４を封入するよう、構成されうる。軌道部材６２６が、チャンバ本体６０２に連結されうる。リッドアクチュエータ６２８により、リッド部材６０６が、開放位置と閉鎖位置のいずれかに位置付けられうる。一実施形態では、リッドアクチュエータ６２８はエアシリンダである。内部空間６０４へのアクセスを開き、閉ざすために、リッド部材６０６は、軌道部材６２６に沿って、チャンバ本体６０２に対して平行移動しうる。一実施形態では、リッド部材６０６は軌道部材６２６に沿って第１方向に平行移動してよく、カセット６２０は、内部空間６０４を出入りするように動かされうる。
内部空間６０４は、内部にマスク１３２を取り出し可能に保持するよう構成されたラック６２２を有するカセット６２０を受容するよう、サイズ決定されうる。カセット６２０は、クレーン又は他の類似の装置によってマスクチャンバ１３０に送られ、内部空間６０４の中に位置付けられうる。一又は複数の位置合わせアクチュエータ６２４が、チャンバ本体６０２に連結されうる。位置合わせアクチュエータ６２４は、カセット６２０の一部分と嵌合するよう、かつ、内部空間６０４への移送中のカセット６２０の位置付けを支援するよう、構成されうる。一実施形態では、位置合わせアクチュエータ６２４はエアシリンダである。洗浄又は調整が必要な使用後のマスク１３２は、リッド部材６０６を開くこと、及び、使用後のマスクを内包しているカセット６２０を取り出すことにより、マスクチャンバ１３０から取り出されうる。新しいマスク１３２は新しいカセット６２０によってマスクチャンバ１３０に提供されてよく、次いで、リッド部材６０６が閉ざされうる。
マスクチャンバ１３０は、マスク１３２を調整すること、より具体的にはマスク１３２を加熱及び冷却することに適した環境を内部空間６０４の中に創出するよう、構成されうる。ポンプ装置６１２は、チャンバ本体６０２に連結されてよく、かつ、この空間内に真空を発生させるよう構成されうる。一実施形態では、ポンプ装置６１２は低温ポンプである。ポンプ装置６１２は空間内に真空環境を発生させることが可能であり、この真空環境は、実質的に、マスクチャンバ１３０が連結されている移送チャンバ１１０の環境と類似していることがある。そのため、マスク１３２のうちの１つを受容するか又は放出するためにスリットバルブ６１８が開かれても、真空は損なわれないことがあり、これにより、マスク移送の効率が向上しうる。一実施形態では、マスクチャンバ１３０は、約１００ｍＴｏｒｒ〜約７６０Ｔｏｒｒの圧力で動作する。
加熱部材６４４が、カセット６２０及びマスク１３２に隣接して、内部空間６０４の中でチャンバ本体６０２に連結されうる。加熱部材６４４は、マスク１３２を加熱するよう、更に、マスク１３２の冷却を支援するよう、構成されうる。一実施形態では、加熱部材６４４は反射式又は抵抗式の加熱器でありうる。加熱部材６４４は、摂氏約２０度〜摂氏約１００度（例えば、摂氏約４０度〜摂氏約８０度）の温度に、マスク１３２を加熱し、冷却するよう構成されうる。通常、新しいマスクは加熱されることがあり、使用後のマスクは冷却されうる。温度センサが、チャンバ本体６０２に連結され、内部空間６０４内へと延在し、かつ、内部空間６０４の中に配置されたマスク１３２の温度を表示するよう構成されうる。
線形アクチュエータに連結され、内部空間６０４の中に配置されているプラットフォーム６３０は、カセット６２０に接触するよう、かつ、内部空間６０４を通してカセット６２０を平行移動させるよう、構成されうる。一実施形態では、プラットフォーム６３０は、約１５００ｍｍ〜約２５００ｍｍ（例えば、約２２００ｍｍ〜約２３００ｍｍ）の一ストローク距離だけ、垂直方向に平行移動するよう構成されている。プラットフォーム６３０は、マスク１３２がカセット６２０から取り出されうるか又はカセット６２０内に配置されうるように、スリットバルブ６１８に対してカセット６２０内のラック６２２を位置付けうる。移送ロボット１１２は、内部で基板１０２を処理するための処理チャンバ１２０内へと、マスクを動かしうる。
図７は、一実施形態による、図１に示している処理システム１００の処理チャンバ１２０のうちの１つの側方断面図である図１に示しているように、複数の処理チャンバ１２０（例えば処理チャンバ１２０Ａから１２０Ｆ）が存在しうる。処理チャンバ１２０Ａ〜１２０Ｆは各々、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバでありうる。あるいは、処理チャンバ１２０Ａ〜１２０Ｆ（集合的には処理チャンバ１２０）は各々、ＣＶＤチャンバ、プラズマＣＶＤチャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、又はその他の種類の堆積チャンバといった、多種多様なチャンバのうちの１つでありうる。処理チャンバ１２０は各々、一又は複数の基板１０２及びマスク１３２を収容して、各処理チャンバ１２０の中で一又は複数の基板１０２に対して実施されるべきプロセス（堆積プロセスなど）を実行可能にしうる。一実施形態では、処理チャンバ１２０は、詳細に後述するＣＶＤチャンバである。
処理チャンバ１２０はチャンバ本体７０２を含む。チャンバ本体７０２は側壁７０１を有する。側壁７０１は、チャンバ本体７０２の内部の処理スペース７１６を取り囲み、画定している。側壁７０１は、開口７０４を有する第１の壁７０３を含む。開口７０４は、スリットバルブ又は類似の器具が動作することによって、開閉しうる。第１の壁７０３は、移送ロボット１１２が伸張する方向に対して、概して直角である。第１の壁７０３は、移送チャンバ１１０の面３１０に対する気密密封を有しうる。開口７０４は、移送チャンバ１１０の開口３１２と位置が合ってよく、かつ、基板１０２及び／又はマスク１３２が、移送ロボット１１２によって、そこを通じて処理チャンバ１２０の処理スペース７１６の中へと移送されるよう、構成されている。
ポンプ装置（図示せず）は、チャンバ本体７０２に連結されてよく、かつ、処理スペース７１６内に真空を発生させるよう構成されうる。一実施形態ではポンプ装置は低温ポンプである。ポンプ装置は処理スペース７１６内に真空環境を発生させてよく、この真空環境は、実質的に、処理チャンバ１２０が連結されている移送チャンバ１１０の環境に類似していることがある。そのため、マスク１３２と基板１０２のうちの１つを受容するか又は放出するためにスリットバルブが開かれても、真空は損なわれないことがあり、これにより、処理チャンバ１２０の効率が向上しうる。一実施形態では、処理チャンバ１２０は約１００ｍＴｏｒｒ〜約２Ｔｏｒｒの圧力で動作する。
処理チャンバ１２０は、一又は複数の基板１０２を支持するための基板支持体７０９を含む。基板支持体２０９は、処理中に基板１０２が配置される支持面７１０を含む。基板支持体７０９は、一又は複数の加熱素子７１５を含みうる。一実施形態では、加熱素子７１５は、それを通って流れる熱伝達流体を有する別の実施形態では、加熱素子７１５は抵抗加熱器である。他の実施形態では、一又は複数の加熱素子７１５は、基板支持体７０９の加熱の個別制御を提供するよう、構成されうる。例えば、基板支持体７０９のための加熱素子７１５は、個別に制御され、複数の加熱ゾーンに配置されうる。加熱素子７１５は、摂氏約５０度〜摂氏約１００度まで基板支持体７０９を加熱しうる。加熱素子７１５は、基板支持体２０９に配置された基板１０２を、摂氏約７７．５度〜摂氏約８２．５度の温度に維持するよう、構成されうる。
処理チャンバ１２０は、その中に配置された、側壁７０１の内表面７０５、ディフューザー７１２、及びチャンバ本体７０２を加熱するための追加の加熱器を有しうる。ディフューザー７１２及び側壁７０１は、全体を通るように配置された、熱伝達流体を流すためのチャネル（図示せず）を有しうる。あるいは、ディフューザー７１２及び側壁７０１は、内部に配置された、抵抗式の又は他の好適な加熱器を有しうる。加熱器は、ディフューザー７１２を摂氏約５０度〜摂氏約１００度の温度に維持しうる。あるいは、側壁７０１内に配置された加熱器が、処理チャンバ１２０のチャンバ本体７０２を、摂氏約１２０度±摂氏約３０度の温度に維持しうる。
基板１０２は、処理中に、ディフューザー７１２に対向している支持面７１０上に配置される。ディフューザー７１２は、ディフューザー７１２と基板１０２との間に画定された処理スペース７１６に処理ガスが入ることを可能にする、複数の開口７１４を含む。処理ガスが、一又は複数のガス源７３２から、ディフューザー７１２の上方のバッキング板７３４に形成された開口を通って供給されると共に、無線周波数源７３６を用いて、ディフューザー７１２に電気バイアスが提供されうる。無線周波数源７３６は、マッチボックス（図示せず）を通じて連結されてよく、処理チャンバ１２０内のプラズマを維持するための、変動可能な周波数ＲＦを生成しうる。
処理のために、マスク１３２は、最初に、第１の壁の開口７０４を通じて処理チャンバ１２０内へと挿入され、複数の可動位置合わせ（ｍｏｔｉｏｎ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）要素７１８の上に配置される。可動位置合わせ要素７１８は、ｘ方向７５１及びｙ方向７５３に可動なアクチュエータ７２４であって、処理チャンバ１２０内のマスク１３２と基板１０２との位置を合わせるよう構成された、アクチュエータ７２４を有する。次いで、基板１０２も、第１の壁７０３の開口７０４を通じて挿入され、基板支持体７０９の支持面７１０を通って延在しうる複数のリフトピン７２０の上に配置される。次いで、基板１０２が支持面７１０上に配置されるように、基板支持体７０９が、基板１０２に接触するまで上昇する。基板１０２が支持面７１０上に配置されると、マスク１３２が基板１０２の上方で適切に位置合わせされているか否かを、一又は複数の可視化システム７２２が判定する。可視化システム７２２は、±約１０ミクロンの範囲内で、マスク１３２と基板１０２との位置合わせを判定しうる。加えて、可視化システム７２２は、±約５０ミクロンの範囲内でのマスク上でのＳＦローディングの位置合わせを、支援しうる。基板のローディング中に、マスク１３２が適切に位置合わせされていない場合には、位置合わせシステムの一又は複数のアクチュエータ７２４が、一又は複数の可動位置合わせ要素７１８をｘ方向７５１及び／又はｙ方向７５３に動かして、マスク１３２の場所を調整する。一又は複数の可視化システム７２２は次いで、マスク１３２の位置合わせを再確認する。アクチュエータ７２４でマスク１３２の位置を調整し、位置を再確認するこのプロセスは、基板１０２の上方でマスク１３２が適切に位置合わせされるまで反復されうる。
マスク１３２が基板１０２の上方で適切に位置合わせされると、マスク１３２は基板１０２まで下降し、次いで、基板支持体７０９が、接続されたシャフト７２６の運動を通じて、マスク１３２がオプションのシャドウフレーム７２８に接触するまで上昇する。シャドウフレーム７２８は、マスク１３２に載る前には、チャンバ本体７０２内の、チャンバ本体７０２の側壁７０１の一又は複数の内表面７０５から延在する棚状部７３０の上に、配置されている。基板支持体２０９は、基板１０２、マスク１３２、及びシャドウフレーム７２８が処理位置に配置されるまで、上昇し続ける。次いで、マスク１３２が各基板１０２の上に配置されている状態で、一又は複数の層７０７が、上述のプロセスを使用して、処理チャンバ１２０内の基板１０２に堆積されうる。例えば、一部の実施形態では、一又は複数の層７０７は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などといった、ケイ素含有材料でありうる。一又は複数の層７０７は、約５，０００オングストローム〜約１０，０００オングストロームの厚さに堆積されうる。
図１を再度参照するに、処理システム１００のレイアウトは、従来型のシステムと比較して、スループットを向上させ、かつシステムの設置面積を低減するよう、構成されている。処理システム１００は、一基板あたり約６０秒のスループットを有する従来型のシステムと比較すると、一基板あたり約５５秒のスループットを有しうる。
処理システム１００は、それぞれ約１５．４０メートル×１２．１２メートルである、長さ１６０Ｂ及び幅１６０Ａを有しうる。処理システム１００の設置面積は、同等のスループットを有する従来型のほとんどのシステムよりも小さい。有利には、処理システム１００は、従来型のほとんどのシステムと比較して、全体的な占有フロアスペースは約３／５であるが、スループットが向上している。これにより、クレーンのサイズ及び作業面積が減少するという更なる利点が生じる。例えば、カセット及びその他の器具を動かすクレーンは、それぞれ約１２．９メートルと１４．９メートルである幅１６２Ａと長さ１６２Ｂを越えて、伸長する必要がありうる。
処理システム１００のこの構成によってスループットから得られる利点が認識されるよう、これより、図８を参照しつつ、処理システムのサンプル動作について説明する。図８は、一実施形態による、図１に示している移送チャンバ１１０の動作のフロー図である。
７つの基板が移送チャンバ内へと移送されるブロック８１０において、方法８００が始まる。移送チャンバは、１２の面と、移送チャンバ内に配置された単一の移送ロボットとを有する。移送チャンバロボットによって基板の移送が実施される。移送チャンバの１２の面の各々は、チャンバ（処理チャンバ、バッファチャンバ、マスクチャンバ、又は、真空環境で基板を処理するために利用されるその他の処理器具など）を受け入れ、かかるチャンバを密封するよう、構成されている。７つの基板は、第１ロードロックチャンバの一又は複数のスロットを通じて移送されうる。一実施形態では、第１ロードロックチャンバは、基板を支持するための２つのスロットを有しており、移送チャンバの面のうちの１つに密封式に取り付けられる。第１と第２の基板が、移送チャンバロボットによって、ロードロックチャンバから移送チャンバを通って移送される。第３と第４の基板が、移送ロボットによる移送のために、第１ロードロック内へと動かされる。基板が移送ロボットによって移送チャンバ内へと動かされていくにつれ、次の基板が、第１ロードロックチャンバ内へと動かされることによって待機列内に配置される。
基板は、移送ロボットによって、移送チャンバに取り付けられた処理チャンバ内へと動かされる。移送チャンバは、外周に沿った１２の面を有しており、これらの面に１２のチャンバが密封式に取り付けられることが可能になっている。移送チャンバは、一又は複数のロードロックチャンバ及び複数の処理チャンバを有しうる。一実施形態では、移送チャンバには、７つ以上の処理チャンバが取り付けられている。加えて、移送チャンバは、処理チャンバ内で使用される複数のマスクを保持するためのマスクチャンバを有しうる。マスクは、内部で基板を処理するための処理チャンバの各々に、動かされうる。例えば、マスクは、移送チャンバに直接取り付けられているマスクチャンバから、処理チャンバのうちの１つに移送されうる。オプションで、移送チャンバは、移送チャンバを通って動かされるのを待機している待機列内の基板を保持するための、バッファチャンバを有しうる。
ブロック８２０において、移送チャンバに直接取り付けられた７つの別個の処理チャンバ内で、７つの基板に、ケイ素含有膜が堆積される。基板の各々は、対応する処理チャンバ内へと動かされる。あるいは、２つの基板が単一の処理チャンバ内に動かされ、１４の基板が同時に処理されることが可能になることもある。ケイ素含有膜は、とりわけ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮのうちの１つでありうる。
処理チャンバのうちの１つの中で単一回の膜堆積が実施された後、ブロック８３０において、７つの基板は移送チャンバの外部に移送される。あるいは、基板は、移送チャンバの外部への移送に先立ってバッファチャンバに移送されうる。バッファチャンバにより、基板を処理チャンバのうちの１つの中で待機又は停止させることを必要とせずに、処理を継続することが可能になりうる。各基板が処理チャンバから動かされるにつれて、新しい基板が処理チャンバ内に配置される。一実施形態では、ロボットは２つのエンドエフェクタを有し、第１エンドエフェクタが処理チャンバから基板を取り出すと共に、第２エンドエフェクタが、この処理チャンバ内に、処理のために基板を配置する。これにより、ロボットの運動が最小化され、ひいては、処理システムのスループットが向上する。基板は、処理システムからの取り出しのために、第１ロードロックチャンバ又は第２ロードロックチャンバに動かされうる。
上述の処理システムにより、比較的小さな設置面積だけを使用しつつ、多数の基板にプロセスを実施することが可能になる。単一の移送チャンバに取り付けられた複数の処理チャンバにより、有利には、基板のハンドリング時間が最小化されると共に、複数の基板が並行して処理されることが可能になり、基板処理のスループットの向上がもたらされる。スループットが向上すると共に設置面積が小さくなることで、システムの運転コスト及び製造の総コストが低減する。
上記の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱しなければ、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

  1. 移送チャンバであって、
    リッドと、
    前記リッドの反対側に配置された底部と、
    前記リッドと前記底部とを密封連結し、かつ内部空間を画定している複数の側壁であって、別のチャンバに連結するよう構成された１２の面を含み、各面が、当該各面を貫通して形成された開口であって、基板が通過可能に構成されている開口を有する、複数の側壁と、
    前記内部空間の中に配置された移送ロボットであって、前記開口を通して基板を移送するよう構成された少なくとも１つのエフェクタを有する、移送ロボットとを備える、移送チャンバ。
  2. 前記移送ロボットが、
    上側エンドエフェクタ及び下側エンドエフェクタを備え、各エンドエフェクタが当該各エンドエフェクタ上に基板を支持するよう構成されており、前記移送ロボットの前記上側エンドエフェクタ及び前記下側エンドエフェクタは、水平方向に少なくとも約５０００ミリメートルの距離だけ伸張し、かつ、垂直方向に少なくとも約５４０ミリメートルの距離だけ動きうる 、請求項１に記載の移送チャンバ。
  3. 複数の基板を処理するための処理システムであって
    リッドと、
    前記リッドの反対側に配置された底部と、
    前記リッドと前記底部とを密封連結し、かつ内部空間を画定している複数の側壁であって、別のチャンバに連結するよう構成された１２の面を含み、各面が、当該各面を貫通して形成された開口であって、基板が通過可能に構成されている開口を有する、複数の側壁と、
    前記内部空間の中に配置された移送ロボットであって、前記開口を通して基板を移送するよう構成された少なくとも１つのエフェクタを有する、移送ロボットとを備える、移送チャンバ、
    前記移送チャンバの前記面のうちの１つに連結され、かつ開口を有する第１ロードロックチャンバであって、前記第１ロードロックチャンバの前記開口は、前記第１ロードロックチャンバと前記移送チャンバとの間での基板の移送を可能にするために、前記移送チャンバの前記開口のうちの１つと位置が合っている、第１ロードロックチャンバ、
    前記移送チャンバの前記面のうちの１つに連結され、かつ開口を有するマスクチャンバであって、前記マスクチャンバの前記開口は、前記マスクチャンバと前記移送チャンバとの間でのマスクの移送を可能にするために、前記移送チャンバの前記開口のうちの１つと位置が合っている、マスクチャンバ、及び、
    前記移送チャンバの前記面のうちの１つに連結された複数の処理チャンバ であって、各々が、前記処理チャンバと前記移送チャンバとの間での基板及びマスクの移送を可能にするために、前記移送チャンバの前記開口のうちの１つと位置合わせされた開口を有する、複数の処理チャンバを備える、処理システム。
  4. 開口を有するバッファチャンバを更に備え、前記開口は前記移送チャンバの前記開口のうちの１つと位置が合っており、前記バッファチャンバは、真空環境で５つ以上の基板を保持するよう構成されている、請求項３に記載の処理システム。
  5. 前記移送ロボットが、別々の基板を支持するための上側エンドエフェクタと下側エンドエフェクタとを有する、請求項３に記載の処理システム又は請求項１に記載の移送チャンバ 。
  6. 前記移送ロボットが、少なくとも約５０００ミリメートルだけ基板を水平に動かし、かつ、少なくとも約５４０ミリメートルだけ基板を垂直に動かすよう構成されている、請求項５に記載の処理システム。
  7. 前記移送チャンバの前記内部空間に流体連結されている真空ポンプを更に備え、前記真空ポンプは、前記内部空間の中に約１０Ｔｏｒｒ〜約５０ｍＴｏｒｒの雰囲気を創出するよう動作可能である、請求項３に記載の処理システム又は請求項１に記載の移送チャンバ。
  8. 前記移送チャンバの前記面のうちの１つに連結され、かつ開口を有する第２ロードロックチャンバであって、前記第２ロードロックチャンバの前記開口は、前記第２ロードロックチャンバと前記移送チャンバとの間での基板の移送を可能にするために、前記移送チャンバの前記開口のうちの１つと位置が合っている、第２ロードロックチャンバを更に備える、請求項３に記載の処理システム。
  9. 前記第２ロードロックチャンバは２つの基板受容キャビティを伴って構成され、前記第１ロードロックチャンバは単一の基板受容キャビティを伴って構成されている、請求項８に記載の処理システム。
  10. 各面を貫通して形成されている前記開口が、約９２５ｍｍを上回る幅を有する、請求項３に記載の処理システム又は請求項１に記載の移送チャンバ。
  11. 前記複数の処理チャンバが、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、及びＳｉＮからなる群から選択されたケイ素含有膜を堆積させるよう構成されている、請求項３に記載の処理システム。
  12. 複数の基板を処理する方法であって、
    処理システムの移送チャンバに７つの基板を移送することと、
    前記移送チャンバに直接取り付けられた７つの別個の処理チャンバ内で、前記７つの基板にケイ素含有膜を堆積させることと、
    前記ケイ素含有膜堆積物だけを堆積させた後に、前記移送チャンバに連結されたロードロックチャンバ内へと、前記７つの基板を移送することとを含む、方法。
  13. 前記ケイ素含有膜がＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮのうちの１つである、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記７つの基板のうちの一又は複数をバッファチャンバに移送することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
  15. マスクを、前記移送チャンバに直接取り付けられたマスクチャンバから、前記処理チャンバのうちの一又は複数に移送することと、
    前記マスク及び前記基板を、前記移送チャンバ内に配置された共通の移送チャンバロボットで移送することとを更に含む、請求項１２に記載の方法。
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