TW201802999A - 傳送腔室與具有其之處理系統以及對應處理基板之方法 - Google Patents

傳送腔室與具有其之處理系統以及對應處理基板之方法

Info

Publication number
TW201802999A
TW201802999A TW106115174A TW106115174A TW201802999A TW 201802999 A TW201802999 A TW 201802999A TW 106115174 A TW106115174 A TW 106115174A TW 106115174 A TW106115174 A TW 106115174A TW 201802999 A TW201802999 A TW 201802999A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
transfer
substrate
transfer chamber
processing
Prior art date
Application number
TW106115174A
Other languages
English (en)
Inventor
栗田真一
稻川真
涵錚 林
松本隆之
蘇海 安華
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201802999A publication Critical patent/TW201802999A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/308—Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32788—Means for moving the material to be treated for extracting the material from the process chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32908—Utilities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3326—Problems associated with coating high speed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供一種用於適於處理多個基板之處理系統的傳送腔室(transfer chamber)及一種使用其之方法。傳送腔室包括一蓋(lid)、與蓋相對設置的一底部、以及將蓋密封地耦接至底部並界定一內部容體的多個側壁，其中多個側壁形成十二邊形(dodecagon)的數個面。在每個面中形成一開口，其中開口係用以使基板通過。一傳送機器人(transfer robot)設置在內部容體中，其中傳送機器人具有用以支撐基板通過一個開口到另一開口的效應器(effector)。

Description

十二邊形傳送腔室與具有其之處理系統
本揭露的實施例通常有關於一種用於真空處理大面積基板(例如LCD、OLED、其他類型的平板顯示器、太陽能板等)的真空處理系統，且特別是有關於處理系統的一傳送腔室。
大面積基板係用於生產平板顯示器(即液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)及其他類型的平板顯示器)、太陽能板等。大面積基板通常在一個或多個真空處理腔室中處理，其中進行不同的沉積(deposition)、蝕刻(etching)、電漿處理(plasma processing)及其他電路和/或裝置製造之製程。數個真空處理腔室係典型地由包含傳送數個基板在不同的真空處理腔室之間的一機器人之一共用真空傳送腔室耦接。連接至傳送腔室的傳送腔室(例如為處理腔室)與其他腔室之組件經常被視為一處理系統。
在製造平板顯示器期間，基板於真空狀況下在不同的處理腔室之間移動。由於沉積薄膜在基板上可能需要大量的時間，故經常使用多個處理系統以達到滿足生產目標所需的基板處理輸出量。然而，使用多個處理系統耗盡有用的工廠樓面空間(factory floor space)且純粹地加速沉積處理通常會導致不符合要求的薄膜品質。
因此，亟需一種改善的處理系統。
本揭露的實施例一般有關於真空處理大面積基板。在一實施例中，提供一種用於適於處理多個基板之處理系統的傳送腔室(transfer chamber)及一種使用其之方法。傳送腔室包括一蓋(lid)、與蓋相對設置的一底部、以及將蓋密封地耦接至底部並界定一內部容體的多個側壁，其中多個側壁形成十二邊形(dodecagon)的數個面。在每個面中形成一開口，其中開口係用以使基板通過。一傳送機器人(transfer robot)設置在內部容體中，其中傳送機器人具有用以支撐基板通過一個開口到另一開口的效應器(effector)。
在另一實施例中，提供一種用於製造多個基板的處理系統。處理系統包括一傳送腔室。傳送腔室包括一蓋，與蓋相對設置的一底部，以及密封地耦接蓋至底部並界定一內部容體的多個側壁，其中多個側壁形成十二邊形的數個面。在每個面中形成一開口，其中開口係用以使基板通過。一傳送機器人設置在內部容體中。一負載鎖定腔室耦接至傳送腔室並具有一開口，其中負載鎖定腔室的開口與傳送腔室中的一開口對準並且密封地附接至此傳送腔室中的一開口。一遮罩腔室(mask chamber)耦接至傳送腔室並具有一開口，其中遮罩腔室的開口與傳送腔室中的另一開口對準並密封地附接至此傳送腔室中的另一開口。多個處理腔室(processing chamber)耦接至傳送腔室並具有數個開口，其中數個開口分別地與傳送腔室中的一開口對準並分別地密封地耦接至此傳送腔室中的一開口。傳送機器人具有用以將一基板或遮罩從附接至傳送腔室之腔室中的一者支撐並移動到另一個的數個效應器。
在另一實施例中，提供一種處理多個基板的方法。此方法包括傳送七個基板到一傳送腔室。在直接附接至傳送腔室之七個分離的處理腔室中，沉積一含矽薄膜在七個基板上。此方法以一薄膜沉積後將七個基板傳送出傳送腔室作結束。
本揭露的實施例一般有關於用於真空處理大面積基板(例如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)、其它類型的平板顯示器、太陽能電池板等)的一真空處理系統。雖然此處描述用於進行沉積於大面積基板上的一真空處理系統，但真空處理系統或者可用以進行其它的真空處理於基板上，例如蝕刻(etching)、離子佈植(ion implantation)，退火(annealing)，電漿處理(plasma treating)以及物理氣相沉積(physical vapor deposition)等。
第1圖係根據本揭露的一實施例之用於進行真空處理於多個基板102上的一處理系統100之頂剖面視圖。處理系統100具有傳送腔室110。多個處理腔室120係耦接至傳送腔室110。此外，一個或多個負載鎖定腔室140耦接至傳送腔室110。可選擇地，遮罩腔室130和緩衝腔室150中的一個或二個可以耦接至傳送腔室110。傳送腔室110、處理腔室120、負載鎖定腔室140以及形成處理系統100之任何額外附接的腔室係密封地耦接以保持在其中的真空環境。
處理系統100係用以支撐和處理多個基板102。每個基板102具有長度、寬度及厚度。基板102的長度可以比寬度長，在一些實施例中，基板102的長度可以比寬度長50%或更多。舉例來說，在一實施例中，每個基板102具有一約1500mm的長度和一約925mm的寬度。基板102的厚度可係為幾毫米(millimeter)或更小，例如約0.3毫米至約0.5毫米厚。基板102可以由玻璃、塑料或其它材料組成。
基板102可以通過負載鎖定腔室140移入和移出處理系統100。簡要地參照第2圖所示之負載鎖定腔室140的示意圖，負載鎖定腔室140可係為雙重的單一腔負載鎖定。負載鎖定腔室140包括第一負載鎖定腔201(例如為下負載鎖定基板接收腔，lower load lock substrate receiving cavity)和設置在第一負載鎖定腔201上的第二負載鎖定腔202(例如為上負載鎖定基板接收腔，upper load lock substrate receiving cavity)。第一負載鎖定腔201具有第一內部容體(volume)221。第二負載鎖定腔202具有一第二內部容體222。第一內部容體221和第二內部容體222的大小各可容納在其中的基板。
負載鎖定腔室140亦可選擇地包括分別耦接至第一負載鎖定腔201的第一內部容體221和第二負載鎖定腔202的第二內部容體222之下部和上部排氣系統204。負載鎖定腔室140可以選擇地包括用於提供處理氣體至第一負載鎖定腔201及/或第二負載鎖定腔202的一氣體供應系統205。處理氣體可包括例如惰性氣體如氬氣(argon)或其它的製程用惰性氣體(process-inert gas)如氮氣(nitrogen)。
第一負載鎖定腔201和第二負載鎖定腔202的每一個包括設置在第一內部容體221及第一內部容體222中之基板支撐件209，基板支撐件209用以支撐在其上的一個或多個基板102。基板支撐件209還可用以在負載鎖定腔201、202中旋轉基板102。基板支撐件209可以旋轉至少90度或甚至180度以使基板102定向(orientate)。負載鎖定腔室140可在每個角落具有一基板破損感應器(substrate breakage sensor)來監測基板102的位置與狀況。藉由此設置，負載鎖定腔室140能夠保持基板對準(substrate alignment)在250微米(micrometer)內。
第一負載鎖定腔201和第二負載鎖定腔202中的每一個包括各自的門206a、門206b，其可以被打開以允許用於基板進出第一負載鎖定腔201和第二負載鎖定腔202的通道。舉例來說，門206a、門206b可以被打開以促進一基板從製造設備的部件傳送通過一工廠介面(factory interface，FI，未繪示)或通常維持在氣壓的壓力(atmospheric pressure)下的其它區域，或促進一基板傳送通過一工廠介面或通常維持在氣壓的壓力(atmospheric pressure)下的其它區域到製造設備的部件。在一示例中，門206a可以被打開以允許進入第一負載鎖定腔201以促進基板從保持在氣壓的壓力(atmospheric pressure)的環境之傳送，同時第二負載鎖定腔202的門206b可以被關閉以促進基板至保持在傳送腔室110中的真空環境之傳送。
第一負載鎖定腔201和第二負載鎖定腔202中的每一個還包括各自的狹縫閥207a(slit valve)、狹縫閥207b以將負載鎖定腔室140從傳送腔室110密封。狹縫閥207a，狹縫閥207b的操作有利於基板102至處理系統100中的傳送腔室110之傳送，或基板102從處理系統100中的傳送腔室110之傳送。在一方面，狹縫閥207a、狹縫閥207b可以被打開以允許基板與處理系統100的傳送腔室110之傳送。舉例來說，狹縫閥207a可以被打開以允許進入第一負載鎖定腔201以促進將基板從第一負載鎖定腔201傳送到處理系統100的傳送腔室110，同時狹縫閥207b可以被關閉以允許在打開門206b時從氣壓(atmosphere)進入第二負載鎖定腔202以促進在第二負載鎖定腔202與工廠介面(FI)或其它的氣壓的區域(atmospheric region)之間的基板傳送。
排氣系統204係耦接至第一負載鎖定腔201和第二負載鎖定腔202。排氣系統204有利於從第一負載鎖定腔201和第二負載鎖定腔202的內部容體中排除氣體。排氣系統204可以包括透過閥211和閥212耦接至第一負載鎖定腔201和第一負載鎖定腔202的泵213。第一內部容體221和第二內部容體222可以被泵抽(pump)並且操作在約780托(Torr)至低於100 mTorr之間的壓力。泵213可足以在少於約20秒內泵抽第一內部容體221或第二內部容體222內的壓力，即，將壓力從780 Torrr降低至低於約100 mTorr。類似地，閥211和閥212可以在20秒或更少的時間內進氣(vent)並使壓力從100 mTorr回至約780 Torr。
可以透過氣體供應系統205將處理氣體供應至第一負載鎖定腔201或第二負載鎖定腔202。氣體供應系統205包括第一閥215和第一閥216，其將一氣體供應源217耦接至第一負載鎖定腔201或第二負載鎖定腔202。
在另一示例中，負載鎖定腔室140可以包括單一個負載鎖定腔，例如第一負載鎖定腔201，使得負載鎖定腔室140可以一次只處理單一個基板。在單一基板腔配置中，負載鎖定腔室140可以用作為一通過口(pass-through)以將處理系統100耦接至一鄰接的處理系統，使得基板可被傳送在處理系統之間而不破壞真空，即，不使基板暴露於氣壓的壓力(atmospheric pressure)。
在如第1圖所示的另一個示例中，負載鎖定腔室140A可以僅具有第一負載鎖定腔201，使得負載鎖定腔室140A可以一次只處理單一個基板，而負載鎖定腔室140B可以包括第一負載鎖定腔201和第二負載鎖定腔202，使得負載鎖定腔室140B可以同時地處理二個基板。因此，處理系統100可用以在相鄰的處理系統之間傳送基板通過負載鎖定腔室140A，同時以氣壓的工廠介面(atmospheric factory interface)傳送基板通過負載鎖定腔室140B。
第3A圖係根據一實施例之第1圖的傳送腔室110的頂平面視圖。第3B圖係根據一實施例之第1圖的傳送腔室110的側平面視圖。現在參照第1、2、3A及3B圖，負載鎖定腔室140在狹縫閥207處耦接至傳送腔室110的一表面310。傳送腔室110具有一蓋364和一底部362。多個側壁316將蓋364密封地耦接至底部362並界定一內部容體302。蓋364可被鉸接(hing)至側壁316且係可在將內部容體302暴露於處理腔室110之外的環境的一開口位置與形成對側壁316密閉之封口的一關閉位置之間移動。多個側壁316形成傳送腔室110的外周邊314。如在第3A圖的頂平面視圖中所示，外周邊314具有一多邊形形狀，且具有十二個面310。處理系統100的中心111可與傳送腔室110的中心311重合。或者，中心311與處理系統100的中心111不對準。
傳送腔室110的面310具有貫通側壁316形成的開口312。開口312的尺寸設計為允許基板102通過開口312並進入傳送腔室110的內部容體302。舉例來說，開口312具有大於基板102之寬度的一水平寬度。在一示例中，開口312具有至少925mm的一水平寬度。面310係實實上平坦的且用以密封地接合(engage)其它的腔室(120、130、140及​​150）的其中之一。
一密封件(seal)、墊圈(gasket)或其它合適的技術可用於在面310與鄰接的處理腔室(例如負載鎖定腔室140、遮罩腔室130、處理腔室120、緩衝腔室150或其他腔室)中於開口312的周圍形成一密封件。舉例來說，可以使用一O型環(未繪示)以提供一氣密的密封件於負載鎖定腔室140與傳遞腔室110之面310上的開口312之間。負載鎖定腔室140和傳送腔室110之間的耦合係由密封件製成氣密的，使得當狹縫閥207對傳送腔室110開放時，負載鎖定腔室140的第一內部容體221和第二內部容體222之間的氣壓的壓力(atmospheric pressure)與傳送腔室110的內部容體302可被維持。
排氣系統204係耦接至傳送腔室110。排氣系統204從傳送腔室110的內部容體302內排除氣體以在維持其內的真空環境。排氣系統204係可操作以在內部容體302內產生約10 Torr至約50m Torr之間的氣壓(atmosphere)。
一雙臂真空的傳送機器人112(dual arm vacuum transfer robot)設置在傳送腔室110的內部容體302中。在負載鎖定腔室140中的基板102可被傳送機器人112傳送通過狹縫閥207到傳送腔室110中。簡要地參照至第4圖，第4圖係為根據一實施例的使用於第1圖之傳送腔室110的傳送機器人112的側剖面視圖。
傳送機器人112設置在傳送腔室110中並且可被用於將基板102及遮罩132移動到傳送腔室110周圍的腔室以及將基板102及遮罩132從傳送腔室110周圍的腔室移動，傳送腔室110周圍的腔室例如為處理腔室120、負載鎖定腔室140及遮罩腔室130。傳送機器人112具有設置在一基部448上的主體446。傳送機器人112可選擇地具有一冷卻板447。冷卻板447可以附接至提供用以減少從基板102傳遞到傳送機器人112的熱量之熱傳流體的一冷卻流體源(未繪示)，主體446係可在延伸通過基部448的一垂直軸上旋轉。
傳送機器人112具有附接至一第一端效應器442(即，上端效應器)的一腕445(wrist)。腕445和第一端效應器442可以附接至一導引464(guide)。導引464可以沿主體446上的軌道463移動。腕445和第一端效應器442係可沿軌道463水平移動並相對於基部448旋轉。第一端效應器442包括一基板支撐表面，此基板支撐表面用以在基板102被機器人112移動的同時支撐基板102。腕445和第一端效應器442係可在實質上集中於主體446上的一縮回位置(retracted position)與一延伸位置之間移動，此延伸位置使第一端部效應器442橫向地延伸超過主體446的一前部449，使得第一端效應器442可以定位在附接至傳送腔室110之數個腔室的其中之一內，以促進與腔室的基板傳送。主體446可以旋轉以使主體446的前部449在第一端效應器442的延伸方向上與任一腔室定向(orientate)及對準(align)。
在另一示例中，腕445和第一端效應器442從傳送腔室110的中心311橫向偏移，使得腕445相對於相對端(the opposite end)更靠近中心311。因此，傳送機器人112的平衡中心411(center of balance)可從以傳送腔室110之中心311為中心的基部448偏移一距離413。使第一端效應器442從中心311偏移允許第一端效應器442被橫向延伸而促進使用更短且成本更低的第一端效應器442之移動範圍以與其它腔室120、130、140、150進行基板傳送。為了平衡傳送機器人112的重量，當傳送基板102在第一端效應器442及/或第二端效應器444上時，一平衡配重460(counter balance weight)可設置鄰近於腕445。
傳送機器人112能夠同時將二個基板102或二個遮罩132移動到數個腔室的其中之一或同時將二個基板102或二個遮罩132從數個腔室的其中之一移動，此腔室的其中之一例如為傳送腔室110周圍的處理腔室120。傳送機器人112的第一端效應器442可以具有一長度416及足以支撐基板102的一寬度。長度416係平行於傳送機器人122可延伸的徑向方向上，例如徑向地從傳送腔室110的中心311延伸進入處理腔室120的其中之一。傳送機器人112可以在水平方向上延伸約5085毫米的一距離以及在垂直方向上移動約550毫米以使基板102從一腔室移動到另一腔室。在一實施例中，傳送機器人112的第一端效應器442可以在水平方向上延伸約至少5000毫米的距離以及在垂直方向上移動約至少540毫米的一距離。傳送機器人112可以具有小於0.5毫米的位置重複性(position repeatability)以防止基板損壞並增加產量。在一些實施例中，傳送機器人112可以包括一上端效應器(即，第一端效應器442)和下端效應器(即，第二端效應器444)，上端效應器和下端效應器可允許傳送機器人112在第一端效應器442和第二端效應器444上彼此獨立地移動基板102及/或遮罩132。在一些實施例中，第一端效應器442和第二端效應器444可被用以同時移動二個基板102或二個遮罩132。當傳送機器人112包括第一端效應器442和第二端效應器444時，第一端效應器442與第二端效應器44的每一者可以被一馬達(motor)獨立地控制。在一實施例中，傳送機器人112係為具有第一端效應器442和第二端效應器444的一雙臂機器人，且每個臂各有一分離式馬達。在另一實施例中，傳送機器人112具有透過一共有連桿(common linkage)耦接的第一端效應器442與第二端效應器444。傳送機器人112可以足夠迅速在少於約20秒內交換處理腔室120與負載鎖定腔室140之間的基板102。此外，傳送機器人112可以在少於約40秒內交換遮罩腔室130與處理腔室120之間的一遮罩。
一基板晶片對準偵測器451(substrate chip and alignment detector；偵測器451)可選擇地附接至傳送機器人112的主體446。基板102，設置在第一端效應器442上，當第一端效應器442延伸和縮回時行進通過偵測器451。當定位在第一端效應器442上的基板102移動通過偵測器451中的感應器時，相對於第一端效應器442和第二端效應器444之基板102的位置與基板102之邊緣上的缺陷一起待受偵測。
傳送機器人112可以移動處理腔室120內和外的基板102到負載鎖定腔室140以及從負載鎖定腔室140移動處理腔室120內和外的基板102。然而，在此過程中下游發生離開處理腔室120的基板102無處可去的期間，基板102可被傳送進入緩衝腔室150。第5圖係根據一實施例之第1圖所示的緩衝腔室150的側剖面視圖。緩衝腔室150係用以容納(hold)基板102，同時基板102等待被傳送到處理系統100中的另一腔室，或者被移出處理系統100。舉例來說，第一基板可被安排在一第一處理腔室內進行處理，而第一處理腔室目前被在其內進行處理的一第二基板佔據。第一基板可以由傳送機器人112傳送到緩衝腔室150以釋放(free up)傳送機器人112去將其他基板移入及移出其他的腔室，同時第一基板等待第一處理腔室的可利用性(availability)。
緩衝腔室150可以具有界定且包圍出一內部容體510的一蓋508、壁506及一底板504(floor)。一開口530可以形成於壁506中。開口530係用以使基板102通過。緩衝腔室150可選擇地具有用於開口530的一狹縫閥或其他的關閉機構。開口530係另外地用以與傳送腔室110的面310中的開口312的其中之一對準。一密封件、墊圈或其他合適的技術可用以在開口530周圍形成一密封，使得緩衝腔室150可以與傳送腔室110的面310形成一氣密封(air seal)。緩衝腔室150的內部容體510可係為氣密的且保持在低於約10 mTorr的一基礎壓力。緩衝腔室150可以具有一真空泵，用以保持其內的壓力。或者，當透過開口312及開口530使緩衝腔室150內的壓力與傳送腔室110內的壓力相等時，可達到前述內部容體510中的壓力。因此，緩衝腔室150可具有類似於傳送腔室110的一操作溫度，即，介於約50 mTorr與約100 mTorr之間。
緩衝腔室可以具有一支撐框架540。支撐框架540係由一軸542(shaft)支撐。軸542可以附接至一驅動單元544。驅動單元544可係為線性馬達、機械裝置、液壓單元或能夠在延伸位置(extended position)和縮回位置(retracted position)之間垂直地移動軸542以升高及降低支撐框架540的其他合適之移動機構。支撐框架540可具有數個槽524(slot)。每個槽524可用以在其上接受基板102。支撐框架540可用以容納多個基板102於各別的狹槽524中。例如，在緩衝腔室150的內部容體510內，支撐框架540可以具有六個槽524，用以容納六個基板於其中。
支撐框架540可以由驅動單元544升高或降低以使槽524與用於使傳送機器人112進入的開口530對準。傳送機器人112可以將基板從槽524移動到負載鎖定腔室140或在一些情況下移動到處理腔室120。傳送機器人112可以另外地將遮罩132從遮罩腔室130移動到處理腔室120以在處理腔室120中處理基板102。第6圖係根據一實施例之第1圖1的遮罩腔室130的側剖面視圖。
在如下面進一步說明的處理系統100中所進行的處理(process)期間，可以使用多個遮罩132。遮罩腔室130可用以儲存待使用於在不同的處理腔室120中所進行之處理(例如為沉積處理)中的遮罩132。舉例而言，遮罩腔室130可以在一個或多個匣620(cassette)中儲存約4個至約30個遮罩132。每個遮罩132具有可以與基板102的長度和寬度相似的一長度和一寬度。
遮罩腔室130包括界定一內部容體604的腔室主體602。一狹縫閥618可以耦接至腔室主體602。狹縫閥618耦接至處理系統100的傳送腔室110，且狹縫閥618係用以允許通往及來自內部容體604之遮罩132的通道。傳送機器人112能夠以類似於移動基板102的方式將第一端效應器442上的遮罩132移入及移出狹縫閥618。
一蓋構件606(lid member)可以耦接至腔室主體602。蓋構件606可以用以當蓋構件606位於關閉位置(如圖所示)時，封閉內部容體604。一軌道構件626(track member)可以耦接至腔室主體602。一蓋致動器628(lid actuator)可以將蓋構件606定位在開啟位置或關閉位置上。在一實施例中，蓋致動器628係為氣缸(air cylinder)。蓋構件606可以相對於腔室主體602沿著軌道構件626平移以開啟和關閉內部容體604的入口(acess)。在一實施例中，蓋構件606可在一第一方向上沿著軌道構件626平移，且匣620可以移入及移出內部容體604。
內部容體604的尺寸設計為接收數個具有用以可移除地將遮罩132容納在其中的框架622的匣620。匣620可以被起重機(crane)或其他類似的裝置輸送到遮罩腔室130，並被定位在內部容體604中。一個或多個對準致動器624(alignment actuator)可以耦接至腔室主體602。對準致動器624可用以接合一部分的匣620，並且在傳送進入內部容體604的期間，協助將匣620定位。在一實施例中，對準致動器624係為氣缸。透過開啟蓋構件606並移除包含使用過的遮罩的匣620，可將需要清潔或調節之使用過的遮罩132從遮罩腔室130移除。可透過一新的匣620將新的遮罩132提供至遮罩腔室130，然後可關閉蓋構件606。
遮罩腔室130可用以在內部容體604中產生適於調節遮罩132的環境，更具體而言，係適於加熱和冷卻遮罩132。泵抽裝置612(pumping apparatus)可以耦接至腔室主體602和用以在內部容體中產生真空。在一實施例中，泵抽裝置612係為一低溫泵(cryogenic pump)。泵抽裝置612可以在內部容體中產生一真空環境，此真空環境可以實質上類似於遮罩腔室130所耦接至的傳送腔室110的環境。因此，當開啟狹縫閥618以接收或排出遮罩132中的一個時，真空不會被破壞，此可提升遮罩傳送的效率。在一實施例中，遮罩腔室130操作於約100 mTorr至約760 Torr的壓力下。
一加熱元件644可以耦接至內部容體604內的腔室主體602並且與匣620和遮罩132相鄰。加熱元件644可用以加熱遮罩132以及亦助於冷卻遮罩132。在一實施例中，加熱元件644可係為反射加熱器(reflective heater)或電阻加熱器(resistive heater)。加熱元件644可用以加熱和冷卻遮罩132至介於約20℃與約100℃之間的溫度，例如介於約40℃和約80℃之間。一般而言，可以加熱新的遮罩和冷卻使用過的遮罩。一溫度感應器可以耦接至腔室主體602並延伸進入到內部容體604中且用以標示設置於其中的遮罩132的溫度。
一平台630，其耦接至線性致動器(linear actuator)且設置於內部容體604內，可用以接觸匣620並將內部容體604平移通過匣620。在一實施例中，平台630係用以在垂直方向上平移介於約1500 mm與約2500 mm之間的一行程距離(stroke distance)，例如介於約2200 mm與約2300 mm之間。平台630可以將框架622相對於狹縫閥618定位於匣620中，使得可從匣620中移除遮罩132，或將匣620放置於匣620中。傳送機器人112可以將遮罩移動進入處理腔室120中以在其中處理基板102。
第7圖係為根據一實施例之第1圖所示的處理系統100的處理腔室120中的一者之側剖面視圖。 如第1圖所示，可以存在多個處理腔室120，例如處理腔室120A至120G。處理腔室120A-120G可分別為一化學氣相沉積(CVD)腔室。或者，處理腔室120A-120G(統稱為處理腔室120)可各自來自於各式各樣的腔室，例如一化學氣相沉積腔室、一電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced CVD)腔室，一原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)腔室或其它類型的沉積腔室。處理腔室120可以各自容納一個或多個基板102和遮罩132，以使諸如沉積處理的製程能夠進行於各個處理腔室120內的一個或多個基板102上。在一實施例中，處理腔室120係為如下將進一步詳細說明的一化學氣相沉積腔室。
處理腔室120包括一腔室主體702。腔室主體702具有側壁701。側壁701圍繞並界定腔室主體702內的一處理空間716。側壁701包括具有一開口704的第一壁703。開口704可透過一狹縫閥或類似裝置之操作而開啟和關閉。第一壁703係通常垂直於傳送機器人112的延伸方向。第一壁703可以具有抵靠在傳送腔室110之表面310的一氣密的密封件。開口704可與傳送腔室的開口312對準，且係用於讓基板102及/或遮罩132透過傳送機器人112傳送通過開口704後進入處理腔室120的處理空間716中。
一泵抽裝置(未繪示)可耦接至腔室主體702且可用以在處理空間716中產生真空。在一實施例中，泵抽裝置係為一低溫泵。泵抽裝置可以在處理空間716中產生一真空環境，其可以實質上類似於處理腔室120所耦接至的傳送腔室110的環境。因此，當狹縫閥打開以接收或排出遮罩132或基板102中的一個時，真空不會被破壞，此可提升處理腔室120的效率。在一實施例中，處理腔室120操作在約100 mTorr至約2 Torr的一壓力下。
處理腔室120包括用於支撐一個或多個基板102的一基板支撐件709。基板支撐件709包括一支撐表面710，基板102在處理期間設置在支撐表面710上。基板支撐件709可以包括一個或多個加熱元件715。在一實施例中，加熱元件715具有流通過其中的熱傳流體。在另一實施例中，加熱元件715係為電阻加熱器。在其他的實施例中，一個或多個加熱元件715可用以提供基板支撐件709之加熱的獨立控制。舉例來說，用於基板支撐件709的加熱元件715可被獨立地控制並設置進入加熱區域中。加熱元件715可以將基板支撐件709加熱至約50℃與約100℃之間。加熱元件715可用以將設置在基板支撐件209上的基板102保持在約77.5℃與約82.5℃之間的一溫度。
處理腔室120可以具有設置在其中的附加加熱器(additional heater)，用於加熱側壁701的內表面705、一擴散器712(diffuser)以及腔室主體702。擴散器712和側壁701可以具有設置成貫穿的數個通道(未繪示)以流動熱傳流體。或者，擴散器712和側壁701可以具有設置在其中的電阻加熱器或其它合適的加熱器。加熱器可以將擴散器712保持在約50℃和約100℃之間的一溫度。此外，設置在側壁701中的加熱器可以將處理腔室120的腔室主體702保持在約120℃±約30℃的一溫度。
基板102，在處理期間，係設置在與擴散器712相對的支撐表面710上。擴散器712包括多個開口714以允許處理氣體進入界定在擴散器712與基板102之間的處理空間716。處理氣體從一個或多個氣體源732輸送通過形成於擴散器712上方的背板734中的一開口，同時藉一射頻源736提供一電偏壓(electrical bias)至擴散器712。射頻源736可係為透過一匹配箱(matchbox，未繪示)耦合，並產生用於保持處理腔室120中的電漿之一可變頻率射頻(variable frequency RF)。
為了處理，遮罩132通過第一壁703中的開口704最初被插入處理腔室120中並且被設置在多個動作對準元件718(motion alignment element)上。動作對準元件718具有一致動器724，其可以在x方向751和y方向753上移動並且用以將處理腔室120中的遮罩132與基板102對準。基板102接著也插入通過第一壁703中的開口704並且被設置在可延伸通過基板支撐件709之支撐表面710的多個升舉銷720(lift pin)上。基板支撐件709接著上升以接觸(meet)基板102，使得基板102設置於支撐表面710上。一旦基板102係設置在支撐表面710上，一個或多個視覺化系統722係決定遮罩132是否適當地對準於基板102之上。視覺化系統722可以決定遮罩132與基板102的對準至約±10微米(micron)內。視覺化系統722還可輔助將遮罩上的選擇頻率負載(SF loading)之對準至約±50微米內。在負載基板的期間，如果遮罩132未適當地對準，則對準系統的一個或多個致動器724使一個或多個動作對準元件718在x方向751及/或y方向753上移動以調整遮罩132的位置。一個或多個視覺化系統722接著重新檢查遮罩132的對準。可以重複以致動器724調整遮罩132的位置及重新檢查位置，直到遮罩132適當地對準於基板102之上。
一旦遮罩132適當地對準基板102之上，遮罩132下降至基板102上，然後基板支撐件709透過一連接的軸726之移動而上升，直到遮罩132接觸一選擇性的遮蔽框架728(shadow frame)。遮蔽框架728在放置於遮罩132上之前，係設置於在腔室主體702中的從腔室主體702的側壁701的一個或多個內表面705延伸的一壁架730(ledge)上。基板支撐件209繼續上升，直到基板102、遮罩132以及遮蔽框架728係設置於一處理位置中。使用設置於各基板102之上方的遮罩132之上述製程，一個或多個層707可以接著沉積於處理腔室120中的基板102上。舉例來說，在一些實施例中，一個或多個層707可以是一含矽材料(silicon containing material)，例如氮化矽(silicon nitride)、氧化矽(silicon oxide)及氮氧化矽(silicon oxynitride)等。一個或多個層707可以沉積至約5000埃(Angstrom)至約10000埃厚的一厚度。
回到第1圖，相較於傳統系統，處理系統100的佈局(layout)係用以提高輸出量(throughput)並減少系統佔地面積(system footprint)。相較於具有約每個基板約60秒之輸出量的傳統系統，處理系統100可以具有每個基板約55秒之輸出量。
處理系統100可以具有約15.40 m的一長度160B及約12.12m的一寬度160A。處理系統100的佔地面積係小於具有相當輸出量的大多數傳統系統。有利地，相較於大多數傳統系統，處理系統100佔總體樓面空間(overall floor space)的約五分之三且具有一更大的輸出量。此具有縮減起重機與服務區域(service area)之尺寸的額外優點。舉例而言，移動匣的起重機和其他裝置係需要分別地延伸於約12.9m的寬度162A和約14.9m的長度162B上。
為了理解透過處理系統100的配置對於輸出量中所獲致的優點，現在將討論關於第8圖之處理系統的示範操作。第8圖係為根據一實施例之第1圖的傳送腔室110的操作之流程圖。
方法800開始於方框810，其中將七個基板傳送到傳送腔室中。傳送腔室具有十二個側面和設置於傳送腔室中的一傳送機器人。傳送機器人進行傳送基板。傳送腔室的十二個側面中的每一者係用以接受及密封諸如用使用於在真空環境中處理基板的處理腔室、緩衝腔室，遮罩腔室或其他處理設備的一腔室。七個基板可以傳送通過第一負載鎖定腔室中的一個或多個槽。在一實施例中，第一負載鎖定腔室具有用以支撐基板的二個槽，且第一負載鎖定腔室密封地附接至傳送腔室的其中一側。一第一基板和一第二基板係被傳送機器人從負載鎖定腔室傳送通過傳送腔室。一第三基板和一第四基板係由傳送機器人移動進入用於傳送之第一負載鎖定腔室(first load lock chamber)中。當基板由傳送機器人移動到傳送腔室中時，下一個基板被移動進入第一負載鎖定腔室中而排入隊列(queue)中。
基板被傳送機器人移動進入附接至傳送腔室的處理腔室中。傳送腔室具有沿著一周邊的十二個側面，允許12個腔室密封地附接至其。傳送腔室可以具有一個或多個負載鎖定腔室和多個處理腔室。在一實施例中，傳送腔室具有附接至其的七個或更多個處理腔室。傳送腔室可以額外具有用以容納多個使用於處理腔室中之遮罩的一遮罩腔室。可以將遮罩移動到各自的處理腔室以在其中處理基板。舉例來說，來自直接附接至傳送腔室的遮罩腔室之一遮罩可傳送到其中一個處理腔室。可選擇地，傳送腔室可以具有一緩衝腔室以容納排隊等待移動通過傳送腔室的基板。
在方框820，在七個分開的處理腔室中，沉積一含矽薄膜於七個基板上。每個基板被移動到對應的處理腔室中。或者，二個基板可被移動到允許十四個基板同時被處理的單一個處理腔室中。含矽薄膜可以是SiO2 ，SiON或SiN的其中之一等。
在方框830，在其中一個處理腔室中進行單一薄膜沉積之後，將七個基板傳送出傳送腔室。或者，可以在傳送出傳送腔室之前，將基板傳送到緩衝腔室。緩衝腔室可允許處理繼續，而不必等待或停放一基板在其中一個處理腔室中。當每一基板從處理腔室移動時，一新的基板係放置於其中。在一實施例中，傳送機器人具有二個端效應器，並且一第一端效應器從一處理腔室移除一基板，同時一第二端效應器將一基板放置於其中以處理。此可最小化機器人運動且因此提升處理系統的輸出量。基板可以被移動到第一負載鎖定腔室或第二載鎖定腔室以從處理系統移除。
上述處理系統允許在大量基板上進行處理，同時只使用相對小的佔地面積。附接至單一個傳送腔室的多個處理腔室有利地提供對於基板之最少的處理時間，同時允許同時處理多個基板以產生一較高的基板處理之輸出量。較高的輸出量及較小的佔地面積降低系統的操作成本及整體製造成本。
為了便於理解，在可行的情況下，相同參考編號係使用，以意指在此些圖式所共有之相同的元件。可預期的是，於一實施例中揭露之元件可有利地使用於其他實施例而不必進一步的說明。
100‧‧‧處理系統
102‧‧‧基板
110‧‧‧傳送腔室
111‧‧‧中心
112‧‧‧傳送機器人
120A-120G‧‧‧處理腔室
120‧‧‧處理腔室
130‧‧‧遮罩腔室
132‧‧‧遮罩
140、140A、140B‧‧‧負載鎖定腔室
150‧‧‧緩衝腔室
160A、162A‧‧‧寬度
160B、162B‧‧‧長度
201‧‧‧第一負載鎖定腔
202‧‧‧第二負載鎖定腔
204‧‧‧上部排氣系統
205‧‧‧氣體供應系統
206a、206b‧‧‧門
207a、207b‧‧‧狹縫閥
209‧‧‧基板支撐件
211、212‧‧‧閥
213‧‧‧泵
215、216‧‧‧第一閥
217‧‧‧氣體供應源
221‧‧‧第一內部容體
222‧‧‧第二內部容體
302‧‧‧內部容體
310‧‧‧面
311‧‧‧中心
312‧‧‧開口
314‧‧‧外周邊
316‧‧‧側壁
362‧‧‧底部
364‧‧‧蓋
411‧‧‧平衡中心
413‧‧‧距離
416‧‧‧長度
442‧‧‧第一端效應器
444‧‧‧第二端效應器
445‧‧‧腕
446‧‧‧主體
447‧‧‧冷卻板
448‧‧‧基部
449‧‧‧前部
451‧‧‧偵測器
460‧‧‧平衡配重
463‧‧‧軌道
464‧‧‧導引
504‧‧‧底板
506‧‧‧壁
508‧‧‧蓋
510‧‧‧內部容體
524‧‧‧狹槽
530‧‧‧開口
540‧‧‧支撐框架
542‧‧‧軸
544‧‧‧驅動單元
602‧‧‧腔室主體
604‧‧‧內部容體
606‧‧‧蓋構件
612‧‧‧泵抽裝置
618‧‧‧狹縫閥
620‧‧‧匣
622‧‧‧框架
624‧‧‧對準致動器
626‧‧‧軌道構件
628‧‧‧蓋致動器
630‧‧‧平台
644‧‧‧加熱元件
701‧‧‧側壁
702‧‧‧腔室主體
703‧‧‧第一壁
704‧‧‧開口
705‧‧‧內表面
707‧‧‧層
709‧‧‧基板支撐件
710‧‧‧支撐表面
712‧‧‧擴散器
714‧‧‧開口
715‧‧‧加熱元件
716‧‧‧處理空間
718‧‧‧動作對準元件
720‧‧‧升舉銷
722‧‧‧視覺化系統
724‧‧‧致動器
726‧‧‧軸
728‧‧‧遮蔽框架
730‧‧‧壁架
732‧‧‧氣體源
734‧‧‧背板
736‧‧‧射頻源
751‧‧‧x方向
753‧‧‧y方向
800‧‧‧方法
810、820、830‧‧‧方框
為了對本揭露之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下。應當注意，所附圖式僅繪示本揭露的典型實施例，但並不因此被認為係對其範圍的限制，因為本揭露可以允許其他等效的實施例。 第1圖係為根據一實施例之用於真空處理多個基板並具有一傳送腔室的一處理系統之頂剖面視圖。 第2圖係為根據一實施例之第1圖的處理系統中的一負載鎖定腔室之側剖面視圖。 第3A圖係為根據一實施例之第1圖的傳送腔室之頂平面視圖。 第3B圖係為根據一實施例之第1圖的傳送腔室之側平面視圖。 第4圖係為根據一實施例之第1圖的傳送腔室所使用的一機器人之側剖面圖。 第5圖係為根據一實施例之第1圖的一緩衝腔室之側剖面圖。 第6圖係為根據一實施例之第1圖的一遮罩腔室之側剖面圖。 第7圖係為根據一實施例之第1圖的處理系統的數個處理腔室的其中之一的側剖面圖。 第8圖係為根據一實施例之第1圖的傳送腔室的操作之流程圖。 為了利於理解，在可能的情況下，相同的元件符號係表示圖式中所共有的相同元件。應可理解到，在一實施例中揭露的元件可以有利地使用於其它的實施例，而無需特別說明。
110‧‧‧傳送腔室
112‧‧‧傳送機器人
302‧‧‧內部容體
310‧‧‧面
311‧‧‧中心
312‧‧‧開口
314‧‧‧外周邊

Claims (20)

  1. 一種傳送腔室，包括： 一蓋(lid)； 一底部，與該蓋相對設置； 多個側壁，密封地耦接該蓋至該底部並界定出一內部容體(volume)，其中該些側壁包括用以耦接至另一腔室的十二個面，每一該面具有形成穿過其中的一開口，該開口用以允許一基板通過其中；以及 一傳送機器人(transfer robot)，設置在該內部容體中，該傳送機器人具有用以傳送複數個基板通過該些開口的至少一效應器(effector)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之傳送腔室，其中該傳送機器人具有一上端效應器(upper end effector)及一下端效應器(lower end effector)，該上端效應器和該下端效應器的每一者係用以在其上支撐一基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之傳送腔室，其中該傳送機器人的該上端效應器和該下端效應器能在一水平方向上延伸約至少5000mm的一距離及在一垂直方向上移動約至少540mm的一距離。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之傳送腔室，更包括： 一真空泵，流體地耦接至該內部容體，其中該真空泵係可操作以在該內部容體中產生介於約10 Torr與約50 mTorr之間的一氣壓(atmosphere)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之傳送腔室，其中該傳送機器人更包括： 一上端效應器及一下端效應器，該上端效應器和該下端效應器中的每一者用以支撐一基板在其上，且其中該上端效應器及該下端效應器能在一水平方向上延伸約至少5000mm的一距離及在一垂直方向上移動約至少540mm的一距離。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之傳送腔室，其中每一該面的該開口具有大於925mm的一寬度。
  7. 一種用於處理多個基板的處理系統，包括： 一傳送腔室，包括： 一蓋； 一底部，與該蓋相對設置； 多個側壁，密封地耦接該蓋至該底部並界定出一內部容體，其中該些側壁包括用以耦接至另一腔室的十二個面，每一該面具具有形成穿過其中的一開口，該開口用以允許一基板通過其中；及 一傳送機器人，設置在該內部容體中，該傳送機器人具有用以傳送複數個基板通過該些開口的至少一效應器(effector)； 一第一負載鎖定腔室，耦接至該傳送腔室的該些面的其中之一及具有一開口，其中該第一負載鎖定腔室的該開口係與該傳送腔室的該些開口的其中之一對準以允許在該第一負載鎖定鎖定腔室與該傳送腔室之間的基板傳送(substrate transfer)； 一遮罩腔室(mask chamber)，耦接至該傳送腔室的該些面的其中之一及具有一開口，其中遮罩腔室的該開口係與該傳送腔室的該些開口的其中之一對準以允許在該遮罩腔室與該傳送腔室之間的遮罩傳送(mask transfer)； 多個處理腔室，耦接至該傳送腔室的該些面的其中之一，每一該處理腔室具有與該傳送腔室中的該些開口的其中之一對準的一開口以允許在該些處理腔室與該傳送腔室之間的基板和遮罩傳送(substrate and mask transfer)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之處理系統，更包括： 一緩衝腔室(buffer chamber)，具有一開口，其中該開口與該傳送腔室中的該些開口的其中之一對準，該緩衝腔室用以在一真空環境中支撐五個或更多個基板。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之處理系統，其中該傳送機器人具有用於支撐分離的該些基板之一上端效應器及一下端效應器。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之處理系統，其中該傳送機器人係用以使一基板水平地移動至少約5000mm及使一基板垂直地移動至少約540mm。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之處理系統，更包括： 一真空泵(vaccum pump)，流體地耦接至該傳送腔室的該內部容體，其中該真空泵係可操作以在該內部容體中產生介於約10 Torr與約50 mTorr之間的一氣壓(atmosphere)。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之處理系統，更包括： 一第二負載鎖定腔室，耦接至該傳送腔室的該些面的其中之一及具有一開口，其中該第二負載鎖定腔室的該開口係與該傳送腔室的該些開口的其中之一對準以允許在該第二負載鎖定腔室與該傳送腔室之間的基板傳送。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之處理系統，其中該第二負載腔室係配置有二基板接收腔(substrate receiving cavity)，且其中該第一負載腔室係配置有一單個基板接收腔。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之處理系統，其中形成穿過每一該面的該些開口具有大於約925mm的一寬度。
  15. 如申請專利範圍第7項所述之處理系統，其中該些處理腔室係用以沉積一選自由SiO2 、SiON及SiN組成之群組的含矽薄膜。
  16. 一種處理多個基板的方法，包括： 傳送七個基板到一處理系統的一傳送腔室； 在直接附接至該傳送腔室之七個分離的處理腔室中沉積一含矽薄膜在該七個基板上；以及 在只沉積該含矽薄膜沉積之後，傳送該七個基板到耦接至該傳送腔室的一負載鎖定腔室。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該含矽薄膜係SiO2 、SiON或SiN的其中之一。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括： 傳送該七個基板的一個或多個到一緩衝腔室。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括： 從直接附接至該傳送腔室的一遮罩腔室傳送一遮罩到該些處理腔室的一個或多個。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中傳送該遮罩更包括： 傳送該遮罩和該些基板到設置於該傳送腔室中的一共有的(common)傳送機器人上。
TW106115174A 2016-06-02 2017-05-08 傳送腔室與具有其之處理系統以及對應處理基板之方法 TW201802999A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/171,783 US20170352562A1 (en) 2016-06-02 2016-06-02 Dodecadon transfer chamber and processing system having the same
US15/171,783 2016-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201802999A true TW201802999A (zh) 2018-01-16

Family

ID=60478813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106115174A TW201802999A (zh) 2016-06-02 2017-05-08 傳送腔室與具有其之處理系統以及對應處理基板之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20170352562A1 (zh)
JP (1) JP2019520701A (zh)
KR (1) KR102267964B1 (zh)
CN (2) CN115440641A (zh)
TW (1) TW201802999A (zh)
WO (1) WO2017209881A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11521876B2 (en) * 2018-03-07 2022-12-06 Tokyo Electron Limited Horizontal substrate boat
KR20190125292A (ko) * 2018-04-26 2019-11-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 프로세싱 시스템 및 진공 프로세싱 시스템의 작동 방법
CN110211910B (zh) * 2019-07-02 2021-06-11 赣州卡奥斯新能源有限公司 一种光伏太阳能硅板传动装置
CN112928043B (zh) * 2019-12-05 2022-07-22 应用材料公司 具有可替换接口板的可重新构造的主机

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122566A (en) * 1998-03-03 2000-09-19 Applied Materials Inc. Method and apparatus for sequencing wafers in a multiple chamber, semiconductor wafer processing system
KR100342254B1 (ko) * 1999-06-25 2002-06-27 윤종용 중량편재 보상용 밸런싱부를 갖는 하물 적재용 로봇
US20080025821A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Applied Materials, Inc. Octagon transfer chamber
US20080099451A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Richard Lewington Workpiece rotation apparatus for a plasma reactor system
JP5419581B2 (ja) * 2009-07-31 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 搬送機構の組み立て方法および搬送室
JP5482500B2 (ja) * 2010-06-21 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5885404B2 (ja) * 2010-08-04 2016-03-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5503006B2 (ja) * 2010-08-06 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
WO2012173692A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Applied Materials, Inc. Cvd mask alignment for oled processing
KR101293025B1 (ko) * 2011-12-22 2013-08-05 에스엔유 프리시젼 주식회사 마스크 적재 및 기판 반송 챔버와, 마스크 적재 및 기판 반송 챔버의 운용방법
WO2015066624A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Applied Materials, Inc Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods
CN105934837B (zh) * 2014-01-21 2018-12-28 应用材料公司 允许低压工具替换的原子层沉积处理腔室
KR101612416B1 (ko) * 2014-04-22 2016-04-15 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10236197B2 (en) * 2014-11-06 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Processing system containing an isolation region separating a deposition chamber from a treatment chamber

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017209881A1 (en) 2017-12-07
CN115440641A (zh) 2022-12-06
CN109314071B (zh) 2022-09-09
US20170352562A1 (en) 2017-12-07
CN109314071A (zh) 2019-02-05
KR102267964B1 (ko) 2021-06-21
KR20190000934A (ko) 2019-01-03
JP2019520701A (ja) 2019-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6728412B2 (ja) 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）デバイスを封止する方法及びシステム
US7690881B2 (en) Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US7019263B2 (en) Substrate heating apparatus and multi-chamber substrate processing system
KR100310249B1 (ko) 기판처리장치
JP4642619B2 (ja) 基板処理システム及び方法
US20030053893A1 (en) Substrate processing apparatus and a method for fabricating a semiconductor device by using same
TWI570266B (zh) Batch processing device
JP4916140B2 (ja) 真空処理システム
KR20020019414A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법
JP2000195925A (ja) 基板処理装置
TW201802999A (zh) 傳送腔室與具有其之處理系統以及對應處理基板之方法
JP2010283356A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004534379A (ja) 連続堆積システム
JPWO2007018139A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
KR19980018359A (ko) 기판처리장치
JP2006253683A (ja) クリーニングステージを備えた半導体製造装置及びそれを使った半導体製造方法
JPH09104982A (ja) 基板処理装置
JPH11102951A (ja) 処理装置
JP2000323551A (ja) 基板処理装置
JP2008235800A (ja) ロードロック装置および基板の処理システム
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JP3160691B2 (ja) 処理装置
JPH09107015A (ja) 基板処理装置
JP4115331B2 (ja) 基板処理装置
JP2002173775A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法