KR101612416B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101612416B1
KR101612416B1 KR1020140048143A KR20140048143A KR101612416B1 KR 101612416 B1 KR101612416 B1 KR 101612416B1 KR 1020140048143 A KR1020140048143 A KR 1020140048143A KR 20140048143 A KR20140048143 A KR 20140048143A KR 101612416 B1 KR101612416 B1 KR 101612416B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
sub
processing
load lock
Prior art date
Application number
KR1020140048143A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150122322A (ko
Inventor
김병훈
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020140048143A priority Critical patent/KR101612416B1/ko
Priority to TW103139617A priority patent/TWI579955B/zh
Priority to US14/576,822 priority patent/US20150303094A1/en
Publication of KR20150122322A publication Critical patent/KR20150122322A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101612416B1 publication Critical patent/KR101612416B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판에 대해 메인처리를 수행하는 메인공정챔버를 가지는 처리 모듈과 기판이 수용된 용기가 놓이는 로드포트, 기판에 대해서 보조처리를 수행하는 보조공정챔버, 그리고 기판을 이송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈과, 그리고 처리 모듈과 상기 인덱스 모듈 사이에 배치된 로드락 챔버를 포함하되, 상기 처리 모듈, 상기 로드락 챔버, 그리고 상기 보조공정챔버는 제1방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 인덱스 로봇은 상기 로드포트, 상기 보조공정챔버, 상기 로드락 챔버에 각각 기판을 반송 가능하게 제공되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 복수의 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 증착, 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정을 포함한 다양한 공정을 거쳐 웨이퍼 등의 기판상에 회로패턴을 형성하여 제조된다. 이러한 공정들은 그 공정을 수행하도록 고안된 각각의 챔버에서 수행된다. 따라서 반도체 소자의 제조는 기판을 챔버로 반입하여 공정을 수행하고, 다른 공정을 위해 다른 챔버로 기판을 반입하는 과정을 반복하여 진행된다.
최근에는 반도체 소자가 미세화됨에 따라, 반도체소자의 제조를 위해 더 많은 공정이 필요하며, 이에 따라 반도체소자의 총 제조시간 중 챔버 간에 기판을 반송하는데 소요되는 시간이 점차 증가하고 있다.
본 발명의 일 과제는 효율적인 기판 이송으로 기판 처리 시간을 최소화하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 하나 또는 복수의 공정챔버를 제공하여 하나의 기판 처리 장치로부터 다양한 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치로 기판에 대해 메인처리를 수행하는 메인공정챔버를 가지는 처리 모듈; 기판이 수용된 용기가 놓이는 로드포트, 기판에 대해서 보조처리를 수행하는 보조공정챔버, 그리고 기판을 이송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈; 그리고 상기 처리 모듈과 상기 인덱스 모듈 사이에 배치된 로드락 챔버를 포함하되, 상기 처리 모듈, 상기 로드락 챔버, 상기 보조공정챔버는 제1방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 인덱스 로봇은 상기 로드포트, 상기 보조공정챔버, 상기 로드락 챔버에 각각 기판을 반송 가능하게 제공된다.
상기 인덱스 모듈은 그 길이방향이 상기 제1방향을 따라 제공되는 가이드를 포함하며, 상기 인덱스 로봇은 상기 가이드를 따라서 이동 가능하게 제공 될 수 있다.
상기 메인공정챔버는 건식 세정 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공될 수 있다.
상기 메인공정챔버는 건식 식각 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공될 수 있다.
상기 로드락 챔버는 상기 보조공정챔버와 상기 처리 모듈간에 기판 이송시 상기 기판이 머무르는 버퍼 유닛과; 기판을 냉각시키는 냉각 유닛을 포함할 수 있다.
상기 버퍼 유닛과 상기 냉각 유닛은 상하로 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 보조공정챔버는 기판에 대해 열처리를 수행하는 열처리 챔버를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 보조공정챔버는 기판에 대해 습식 세정을 수행하는 습식 세정 챔버를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 보조공정챔버는 기판에 대해 애싱 공정을 수행하는 열처리 챔버를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면 상기 보조공정챔버는, 기판에 대해 열처리를 수행하는 열처리 챔버와; 기판에 대해 습식 세정을 수행하는 습식 세정 챔버를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면 상기 보조공정챔버는, 기판에 대해 애싱을 수행하는 열처리 챔버와; 기판에 대해 습식 세정을 수행하는 습식 세정 챔버를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면 상기 로드락 챔버와 상기 보조공정챔버는 각각 복수 개로 제공되며, 상기 로드락 챔버들은 상기 인덱스 로봇을 기준으로 상기 제1방향의 일측 및 타측에 각각 제공되며, 상기 보조공정챔버들은 상기 인덱스 로봇을 기준으로 상기 제1방향의 일측 및 타측에 각각 제공될 수 있다.
일 예에 의하면 상기 로드락 챔버들은 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 배치 되고, 상기 보조공정챔버들은 상기 제2방향에 따라 배치되어 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 처리 모듈은 기판을 반송하는 이송로봇이 제공된 이송 챔버를 더 포함하며, 상기 이송 챔버의 둘레에 상기 메인공정챔버와 상기 로드락 챔버가 배치될 수 있다.
상기 열처리 챔버는; 하우징과 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 지지하는 기판 지지유닛과; 상기 하우징 내에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와; 상기 기판 지지 유닛에 제공되어 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 의하면, 상기 기판처리장치는 기판에 대해 메인처리를 수행하는 메인공정챔버와, 기판을 반송시키는 이송 챔버를 포함하는 처리 모듈; 기판이 수용된 용기가 놓이는 로드포트, 기판에 대해서 보조처리를 수행하는 보조공정챔버, 그리고 기판을 이송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈; 상기 처리 모듈과 상기 인덱스 모듈 사이에 배치된 로드락 챔버를 포함하되, 상기 인덱스 로봇의 양측면에 로드락 챔버가 각 측면에 한 개씩 배치되고, 상기 로드락 챔버는 제1로드락 챔버와 제2로드락 챔버로 제공되며, 상기 보조공정챔버는 제1보조공정챔버와 제2보조공정챔버로 제공되며, 상기 인덱스 로봇의 일측에 제1로드락 챔버가 제공되고, 상기 인덱스 로봇의 타측에 제2로드락 챔버가 제공되며, 상기 제1보조공정챔버는 상기 인덱스 로봇의 일측에 배치된 제1로드락 챔버와 제1방향으로 제공되고, 상기 제2보조공정챔버는 상기 인덱스 로봇의 타측에 배치된 제2로드락 챔버와 상기 제1방향으로 제공되며, 상기 제1로드락 챔버와 상기 제1보조공정챔버와 상기 로드포트는 순차적으로 상기 제1방향을 따라 배치되며, 상기 제2로드락 챔버와 상기 제2보조공정챔버와 상기 로드포트는 순차적으로 상기 제1방향을 따라 배치되며, 상기 인덱스 로봇은 상기 제1로드락 챔버, 상기 제2로드락 챔버, 상기 제1보조공정챔버, 상기 제2보조공정챔버, 상기 로드포트에 기판을 반송 가능하게 제공되고, 상기 제1보조공정챔버는 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 열처리 챔버로 제공되고, 상기 제2보조공정챔버는 기판에 대해 습식 세정 공정을 수행하는 습식 세정 챔버로 제공될 수 있다.
일 예에 의하면 상기 기판처리장치에서, 상기 인덱스 모듈은 그 길이방향이 상기 제1방향을 따라 제공되는 가이드를 포함하며, 상기 인덱스 로봇은 상기 가이드를 따라서 이동 가능하게 제공된다.
또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 기판 처리 방법의 일 예에 의하면, 기판에 따라 복수의 모드 중 선택된 모드에 따라 기판을 처리하며, 상기 복수의 모드는 상기 기판에 대해 처리를 수행하는 공정이 서로 상이하게 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 복수의 모드는 제1처리모드를 포함하며, 상기 제1처리모드는, 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계;및
상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1처리모드에서, 상기 막 제거 단계는 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정에 의해 이루어지는 습식 세정 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1처리모드에서, 상기 막 제거 단계는 상기 열처리 챔버에서 열처리 공정에 의해 이루어지는 열처리 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1처리모드에서, 상기 막 제거 단계는, 상기 열처리 챔버에서 열처리 공정에 의해 이루어지는 열처리 단계; 및 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정에 의해 이루어지는 습식 세정 단계를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 복수의 모드는 제2처리모드를 포함하며, 상기 제2처리 모드는 상기 보조공정챔버에서 상기 기판에 대해 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변화시키는 표면처리 단계;및 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계;및 상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2처리모드에서, 상기 막 제거 단계는 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정에 의해 이루어지는 습식 세정 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2처리모드에서, 상기 막 제거 단계는 상기 열처리 챔버에서 열처리 공정에 의해 이루어지는 열처리 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2처리모드에서, 상기 열처리 챔버는 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변경하는 가스를 공급하는 구조로 제공되고, 상기 표면 처리 단계는 상기 열처리 챔버에서 수행되는 기판 처리 방법일 수 있다.
상기 제2처리모드에서, 상기 습식 세정 챔버는 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변화시키는 화학액을 공급하는 구조로 제공되고, 상기 표면 처리 단계는 상기 습식 세정 챔버에서 수행되는 기판 처리 방법일 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 보조공정챔버는 애싱 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되고, 상기 복수의 모드는 제3처리모드를 포함하며, 상기 제3처리 모드는 상기 보조공정챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계;및 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계를 포함할 수 있다.
상기 제3처리모드에서, 상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 열처리 챔버는 애싱 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되며, 상기 복수의 모드는 제4처리모드를 포함하며 상기 제4처리모드는 상기 열처리 챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계;및 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정 공정을 수행하는 습식 세정 단계를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 제1처리모드, 상기 제2처리모드, 그리고 상기 제3처리모드에서, 상기 로드락 챔버는 상기 기판 이송시 상기 기판이 머무르는 버퍼 유닛과 기판을 냉각시키는 냉각 유닛을 포함하고, 상기 메인 처리 단계 이후에, 상기 냉각 유닛에서 상기 기판을 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 기판에 따라 복수의 모드 중 선택된 모드에 따라 기판을 처리 하되,
상기 보조공정챔버는 애싱 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되고,
상기 복수의 모드는 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계 및 상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함하는 제1처리 모드;
상기 보조공정챔버에서 상기 기판에 대해 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변화시키는 표면처리 단계 및 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계 및 상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함하는 제2처리 모드;
상기 보조공정챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계 및 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계를 포함하는 제3처리 모드;
상기 열처리 챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계;및 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정 공정을 수행하는 습식 세정 단계를 포함하는 제4처리 모드 중에서 적어도 2개 이상의 모드를 포함하여 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치에서, 인덱스 모듈은 인덱스 로봇, 보조공정챔버, 로드포트을 포함하며, 인덱스 로봇이 로드락 챔버, 보조공정챔버, 로드포트에 접근 가능하게 제공되어 효율적인 기판 처리를 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법이 기판에 따라 복수의 모드 중 선택된 모드로 처리 가능하여 효율적인 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도1의 로드락 챔버의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도1의 로드락 챔버의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 보조공정챔버로 제공되는 열처리 챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 5은 보조공정챔버로 제공되는 습식 세정 챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 6은 도1의 기판처리장치의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도1의 기판처리장치의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도1의 기판처리장치의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 9는 보조공정챔버로 제공되는 열처리 챔버의 다른 실시예의 단면도이다.
도 10은 기판 처리 장치에서 제1처리모드의 일 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 11은 기판 처리 장치에서 제1처리모드의 다른 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 12는 기판 처리 장치에서 제1처리모드의 또 다른 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 13은 기판 처리 장치에서 제2처리모드의 일 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 14는 기판 처리 장치에서 제2처리모드의 다른 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 15는 기판 처리 장치에서 제3처리모드에 일 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 16은 기판 처리 장치에서 제3처리모드에 다른 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 17은 기판 처리 장치에서 제3처리모드에 또 다른 실시예로 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
도 18은 기판 처리 장치에서 제4처리모드에 따른 기판의 반송 경로를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
기판 처리 장치는 기판에 대하여 복수의 처리공정을 수행할 수 있다. 기판은 반도체 소자, 평판 디스플레이(FPD: flat panel disply) 및 그 밖에 박막에 회로가 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판일 수 있다. 공정은 반도체 소자, 평판 디스플레이, 및 그 밖에 박막에 회로가 형성된 물건의 제조에 필요한 다양한 공정일 수 있다. 또한 예를 들어, 기판으로는 웨이퍼, 유기기판 또는 유리기판 등일 수 있다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 평면도이다.
도1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 처리 모듈(Process module)(1100), 로드락 챔버(Loadlock chamber)(1300), 그리고 인덱스 모듈(Index module)(1200)를 가진다. 처리 모듈(1100)과 로드락 챔버(1300), 인덱스 모듈(1200)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이 때, 처리 모듈(1100)과 로드락 챔버(1300), 인덱스 모듈(1200)이 배치된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 한다. 그리고 제1방향(12) 및 제2방향(14)에 각각 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다.
처리 모듈(1100)은 메인공정챔버(Main Process chamber)(1130)와 이송 챔버(Transfer chamber)(1110)를 포함한다. 처리 모듈(1100)은 기판에 대해서 메인 공정을 수행한다.
이송 챔버(1110)는 로드락 챔버(1300)에 인접하게 배치된다. 이송 챔버(1110)는 하우징(1111)과 이송로봇(1113)을 포함한다. 하우징(1111)은 상부에서 바라볼 때 다각형의 형상을 가질 수 있다. 일 실시예로 하우징(1111)은 육각형의 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리 이송 챔버(1110)는 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
하우징(1111)의 외측에는 로드락 챔버(1300)들과 복수 개의 메인공정챔버(1130)들이 하우징(1111)에 인접하여 배치된다. 하우징(1111)의 각 측벽에는 이송 챔버(1110)와 로드락 챔버(1300) 간에, 또는 이송 챔버(1110)와 메인공정챔버(1130) 간에 기판이 출입하는 통로가 형성된다. 각 통로에는 통로를 개폐하는 도어가 제공된다.
이송 챔버(1110)의 내부에는 이송로봇(1113)이 제공된다. 이송로봇(1113)은 로드락 챔버(1300)에서 대기하는 미처리 기판을 메인공정챔버(1130)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판을 로드락 챔버(1300)로 이송한다.
메인공정챔버(1130)는 이송 챔버(1110)에 인접하게 배치된다. 일 실시예에 따르면 메인공정챔버(1130)는 이송 챔버(1110)의 하우징(1111)의 측부에 복수 개로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면 메인공정챔버(1130)는 4개가 제공될 수 있다. 메인공정챔버(1130)가 4개로 제공 시 이송 챔버(1110)의 인접하는 측면에 연속하여 배치된다. 메인공정챔버(1130)는 기판에 대해서 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정이 가능한 구조로 제공될 수 있다.
로드락 챔버(1300)는 처리 모듈(1100)과 인덱스 모듈(1200)의 사이에 위치한다. 일 예에 의하면, 로드락 챔버(1300)는 두 개가 제공된다. 이하 2개의 로드락 챔버(1300)를 제1로드락 챔버(1301)와 제2로드락 챔버(1302)라 한다. 제1로드락 챔버(1301)와 제2로드락 챔버(1302)는 이송 챔버(1110)에 인접하게 배치된다. 로드락 챔버(1300)들은 그 길이방향이 제1방향(12)에 대해 경사지게 배치 될 수 있다. 또한 인덱스 로봇(1231)은 제1로드락 챔버(1301)와, 제2로드락 챔버(1302) 사이에 배치된다.
이송 챔버(1110) 및 메인공정챔버(1130) 내부는 진공으로 유지되고, 로드락 챔버(1300) 내부는 진공 및 대기압간에 전환될 수 있다.
일 예에 의하면, 제1로드락 챔버(1301)는 제2로드락 챔버(1302)와 동일 구조로 제공된다.
로드락 챔버(1300)는 버퍼 유닛(1330)과 냉각 유닛(1310)을 포함할 수 있다.
도 2는 도1의 제2로드락 챔버(1302)의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다. 버퍼 유닛(1330)과 냉각 유닛(1310)은 서로 적층되어 제공된다. 일 예에 의하면 버퍼 유닛(1330)이 냉각 유닛(1310) 위에 위치 할 수 있다. 다른 예로는 냉각 유닛(1310)이 버퍼 유닛(1330) 위에 위치 할 수 있다.
버퍼 유닛(1330)은, 인덱스 모듈(1200)에서 처리 모듈(1100)로 반송되는 기판이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(1330)은 진공압과 상압간에 전환이 가능하도록 제공된다.
버퍼 유닛(1330)은 하우징(1331)과 지지플레이트(1333)를 포함한다. 지지플레이트(1333)는 하우징(1331) 내에 제공된다. 지지플레이트(1333)는 복수 개가 제공된다. 지지플레이트(1333)는 서로 적층되게 제공된다. 지지플레이트(1333)는 기판의 양측 가장자리를 지지하도록 제공될 수 있다.
냉각 유닛(1310)은, 처리 모듈(1100)에서 인덱스 모듈(1200)로 반송되는 기판을 냉각한다. 냉각 유닛(1310)은 진공압과 상압간에 전환이 가능하도록 제공된다.
냉각 유닛(1310)은 하우징(1311), 지지플레이트(1313) 그리고 가스 공급 유닛(1315)을 포함한다. 지지플레이트(1313)는 하우징(1311)내에 복수 개로 제공된다. 지지플레이트(1313)는 서로 적층되게 제공된다. 지지플레이트(1313)는 기판의 양측 가장자리를 지지하도록 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(1315)은 하우징(1311) 내부의 상부에 제공된다. 가스 공급 유닛(1315)은 기판을 냉각하는 냉각 가스를 공급한다.
도 3은 도1의 로드락 챔버(1401)의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
로드락 챔버(1401)는 하우징(1411), 지지플레이트(1413) 그리고 냉각 부재(1415)를 포함한다. 하우징(1411)의 내부에는 지지플레이트(1413)가 제공된다. 지지플레이트(1413)는 판 형상으로 제공된다. 냉각 부재(1415)는 지지 플레이트(1413)의 내에 위치한다. 냉각 부재(1415)는 냉각 유체가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다.
상술한 예와는 달리, 제1로드락 챔버(1301)와 제2로드락 챔버(1302)는 각각 동일한 구조의 유닛들이 서로 적층되게 제공 될 수 있다. 일 예로 제1로드락 챔버(1301)는 복수의 버퍼 유닛(1330)이 적층되어 제공될 수 있다. 제2로드락 챔버(1302)는 복수의 냉각 유닛(1310)이 적층되게 제공될 수 있다.
인덱스 모듈(1200)은 보조공정챔버(1210), 이송프레임(1230), 그리고 로드포트(1250)를 포함한다. 일 실시예로 보조공정챔버(1210)는 두 개가 제공된다. 이하 2개의 보조공정챔버(1210)를 각각 제1보조공정챔버(1211)와 제2보조공정챔버(1212)라 한다. 보조공정챔버(1210)는 로드락 챔버(1300)와 로드포트(1250) 사이에 제공된다. 제1로드락 챔버(1301), 제1보조공정챔버(1211), 로드포트(1250)는 제1방향(12)을 따라 순차적으로 제공된다. 제2로드락 챔버(1302)와 제2보조공정챔버(1212), 로드포트(1250)는 제1방향(12)을 따라 순차적으로 제공된다.
보조공정챔버(1210)는 열처리 챔버(heat treatment chamber)와 습식 세정 챔버(wet clean chamber)를 포함한다. 일 실시예로 제1보조공정챔버(1211)는 열처리 챔버로 제공되며, 제2보조공정챔버(1212)는 습식 세정 챔버로 제공될 수 있다.
도 4는 보조공정챔버로 제공되는 열처리 챔버(100)의 일 실시예의 단면도이다.
열처리 챔버(100)는 하우징(110), 가열유닛(130) 그리고 기판 지지부재(150)을 포함한다. 기판 지지부재(150)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 가열유닛(130)은 기판 지지부재(150) 내부에 제공된다. 열처리 챔버(100)는 기판에 대해서 열처리 공정을 수행한다.
다른 실시예로는 열처리 챔버는 표면처리 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공될 수 있다. 예컨대, 열처리 챔버는 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변환하는 가스를 공급하는 가습 공급 유닛을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판의 표면을 친수성으로 변환가능한 산소(O2)등이 제공될 수 있다.
도 5은 보조공정챔버로 제공되는 습식 세정 챔버(200)의 일 실시예의 단면도이다.
습식 세정 챔버(200)는 하우징(210), 세정 유닛(230), 용기(250), 지지 유닛(270) 그리고 회전 유닛(290)을 제공한다. 하우징(210)의 내부에 세정 유닛(230)이 제공된다. 용기(250)는 하우징(210) 내에 배치되며, 상부가 개방된 형태로 제공된다. 용기(250)의 상부의 개방된 부분과 인접해 세정 유닛(230)의 일부분이 인접해 위치한다. 지지 유닛(270)은 용기(250)의 내부에 위치한다. 지지 유닛(270)은 기판이 수평 상태로 놓여지도록 기판을 지지한다. 지지 유닛(270)의 하부에는 회전 유닛(290)이 제공되며, 기판의 세정공정 진행 시 회전된다. 세정 유닛(230)은 기판에 세정액을 공급한다.
습식 세정 챔버(200)에서는 기판에 세정액을 공급하여 기판을 처리한다. 기판을 세정 시 제공되는 세정액은 불화수소(HF), 탈이온수(DI-WATER), 암모니아수와 과산화 수소, 물, 염산, 불화수소등의 화확물질을 포함하는 세정액 등을 포함한 일련의 세정관련 화학물질을 포함한다.
다른 실시예로는 습식 세정 챔버는 표면 처리 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공될 수 있다. 예컨대, 습식 세정 챔버는 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변환하는 표면 처리액을 공급하는 표면 처리 유닛을 포함하여 제공될 수 있다.
이송 프레임(1230)은 인덱스 로봇(1231)과 하우징(1233)을 포함한다.
인덱스 로봇(1231)은 로드포트(1250), 제1보조공정챔버(1211), 제2보조공정챔버(1212), 제1로드락 챔버(1301), 그리고 제2로드락 챔버(1302)에 각각 기판을 반송 가능하게 제공된다.
인덱스 로봇(1231)은 상하 이동이 가능하게 제공된다. 인덱스 로봇(1231)의 핸드는 수평면 상에서 전진, 후진 및 회전 등이 가능하도록 제공된다. 핸드는 하나 또는 복수 개가 제공 될 수 있다.
일 실시예로 하우징(1233)은 제1영역과 제2영역을 포함한다. 제1영역은 그 길이 방향이 제1방향(12)을 따라 제공되며, 제2영역은 그 길이 방향이 제2방향(14)을 따라 제공된다. 제1영역은 제1로드락 챔버(1301)와 제2로드락 챔버(1302) 사이에서 제1보조공정챔버(1211)와 제2보조공정챔버(1212)사이까지 연장된다. 제2영역은 제1보조공정챔버(1211)를 기준으로 로드락 챔버(1300)의 반대편에 위치한다. 제1영역은 제2영역의 중앙영역에서 연장되게 제공된다.
로드포트(1250)에는 용기가 탑재된다. 로드포트(1250)는 제2영역에 인접하여 배치된다.
용기는 외부로부터 반송되어 로드포트(1250)에 로딩되거나 또는 로드포트(1250)로부터 언로딩되어 외부로 반송될 수 있다. 예를 들어, 용기는 오버해드트랜스퍼와 같은 반송수단에 의해 로드포트(1250)에도 반송될 수 있다. 선택적으로 용기는 자동 안내차량(automatic guided vehicle), 레일안내차량(rail guided vehicle) 또는 작업자에 로드포트(1250)에 인접한 곳에 놓일 수 있다.
용기에는 기판이 수납되는 수납공간을 가진다. 용기는 수납공간에 밀폐되는 구조로 제공된다. 용기로는 전면개방일체형포트(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 전면개방일체형포드는 약 25매의 기판을 그 내부에 수납하도록 제공될 수 있다.
이하 도1의 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 따라 복수의 모드 중 선택된 모드에 따라 기판을 처리한다. 복수의 모드는 기판에 대해 서로 상이한 처리 공정을 수행한다. 복수의 모드는 제1처리모드(S100)와 제2처리모드(S200)를 포함한다.
제1처리모드(S100)는 메인 처리 단계와 막 제거 단계를 포함한다. 메인 처리 단계와 막 제거 단계는 순차적으로 진행된다. 메인 처리 단계는 메인공정챔버(1130)에서 수행된다. 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 막 제거 단계는 보조공정챔버(1210)에서 수행된다. 보조공정챔버(1210)에서는 메인 처리 단계 이후에 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 막 제거 공정을 수행할 수 있다.
일 실시예로는 제1처리모드(S100)의 막 제거 단계는 습식 세정 챔버에서 제공 될 수 있다. 습식 세정 챔버에서 습식 세정 공정에 의해 막 제거 공정이 수행 될 수 있다.
도10은 도1의 기판처리장치에서 제1처리모드(S100)의 일 실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도10을 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓인 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S111). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S112). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S113). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 습식 세정 챔버(1212)로 이송된다(S114). 습식 세정 챔버(1212)에서는 습식 세정 공정을 통해서 막 제거 공정을 수행할 수 있다. 막 제거 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S115).
다른 실시예로는 제1처리모드(S100)의 막 제거 단계는 열처리 챔버(1211)에서 열처리 공정에 의해 막 제거 공정이 수행 될 수 있다.
도11은 도1의 기판처리장치에서 제1처리모드(S100)의 다른 실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도11를 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓인 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S121). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S122). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S123). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 열처리 챔버(1211)로 이송된다(S124). 열처리 챔버(1211)에서는 열처리 공정을 통해서 막 제거 공정을 수행할 수 있다. 막 제거 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S125).
다른 실시예로는 제1처리모드(S100)의 막 제거 단계는 열처리 챔버(1211)에서 열처리 공정에 의해 이루어지는 열처리 단계와 습식 세정 챔버(1212)에서 습식 세정 공정을 겪는 습식 세정 단계를 포함하는 막 제거 공정이 수행 될 수 있다.
도12는 도1의 기판처리장치에서 제1처리모드(S100)의 다른 실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도12를 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓인 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S131). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S132). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S133). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 열처리 챔버(1211)로 이송된다(S134). 열처리 챔버(1211)에서는 열처리 공정 수행할 수 있다. 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 열처리 챔버(1211)에서 습식 세정 챔버(1212)로 이송된다(S135). 습식 세정 챔버(1212)에서는 습식 세정 공정을 통해서 막 제거 공정을 수행할 수 있다. 막 제거 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S136).
제2처리모드(S200)는 표면 처리 단계, 메인 처리 단계, 그리고 막 제거 단계를 포함한다. 표면 처리 단계, 메인 처리 단계, 그리고 막 제거 단계는 순차적으로 진행된다. 보조공정챔버(1210)에서 기판에 대해 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변화시키는 표면 처리 단계를 수행한다. 메인 처리 단계는 메인공정챔버(1130)에서 수행된다. 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행한다. 막 제거 단계는 보조공정챔버(1210)에서 수행된다. 보조공정챔버(1210)에서는 메인 처리 단계 이후에 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 막 제거 공정을 수행한다.
일 실시예로 제2처리모드(S200)에서 표면 처리 단계는 표면 처리 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되는 열처리 챔버(1211)에서 제공된다.
도13은 도1의 기판처리장치에서 제2처리모드(S200)의 일실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도13을 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓은 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 열처리 챔버(1211)로 이동한다(S211). 열처리 챔버(1211)에서는 기판에 대해서 표면 처리 공정을 수행할 수 있다. 기판은 열처리 챔버(1211)에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S212). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S213). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S214). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 보조공정챔버(1210)로 이송된다(S215). 보조공정챔버(1210)에서는 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 막 제거 공정을 수행한다. 막 제거 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S216).
다른 실시예로 제2처리모드(S200)에서 표면 처리 단계는 표면 처리 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되는 습식 세정 챔버(1212)에서 제공된다.
도14는 도1의 기판처리장치에서 제2처리모드(S200)의 다른 실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도14를 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓은 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 열처리 챔버(1211)로 이동한다(S221). 습식 세정 챔버(1212)에서는 기판에 대해서 표면 처리 공정을 수행할 수 있다. 기판은 습식 세정 챔버(1212)에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S222). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S223). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S224). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 보조공정챔버(1210)로 이송된다(S225). 보조공정챔버(1210)에서는 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 막 제거 공정을 수행한다. 막 제거 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S226).
도6은 도1의 기판처리장치(20)의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
기판 처리 장치(20)는 처리 모듈(2100), 로드락 챔버(2300), 그리고 인덱스 모듈(2200)를 가진다. 처리 모듈(2100)과 로드락 챔버(2300), 인덱스 모듈(2200)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 처리 모듈(2100)과 로드락 챔버(2300)는 도1의 처리 모듈(1100), 로드락 챔버(1300)와 동일하게 제공된다. 인덱스 모듈(2200)은, 보조공정챔버(2210), 이송프레임(2230), 로드포트(2250)를 포함한다. 이송 프레임(2230)과 로드포트(2250)는 도1의 이송프레임(1230), 로드포트(1250)와 동일하게 제공된다. 보조공정챔버(2210)는 제1보조공정챔버(2211)와 제2보조공정챔버(2212)가 제공된다. 제1보조공정챔버(2211)와 제2보조공정챔버(2212)는 모두 열처리 챔버로 제공 될 수 있다.
도 7은 도1의 기판처리장치(30)의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
기판 처리 장치는 처리 모듈(3100), 로드락 챔버(3300), 그리고 인덱스 모듈(3200)를 가진다. 처리 모듈(3100)과 로드락 챔버(3300), 인덱스 모듈(3200)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 처리 모듈(3100)과 로드락 챔버(3300)는 도1의 처리 모듈(1100), 로드락 챔버(1300)와 동일하게 제공된다. 인덱스 모듈(3200)은, 보조공정챔버(3210), 이송프레임(3230), 로드포트(3250)를 포함한다. 이송프레임(3230)과 로드포트(3250)는 도1의 이송프레임(1230), 로드포트(1250)와 동일하게 제공된다. 보조공정챔버(3210)는 제1보조공정챔버(3211)와 제2보조공정챔버(3212)가 제공된다. 제1보조공정챔버(3211)와 제2보조공정챔버(3212)는 모두 습식 세정 챔버로 제공 될 수 있다.
도 8은 도1의 기판처리장치(40)의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
기판 처리 장치(40)는 처리 모듈(4100), 로드락 챔버(4300), 그리고 인덱스 모듈(4200)를 가진다. 처리 모듈(4100)과 로드락 챔버(4300), 인덱스 모듈(4200)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 처리 모듈(4100)과 로드락 챔버(4300)는 도1의 처리 모듈(1100), 로드락 챔버(1300)와 동일하게 제공된다. 인덱스 모듈(4200)은 보조공정챔버(4210), 이송프레임(4230), 로드포트(4250)를 포함한다. 보조공정챔버(4210)는 4개가 제공되며, 각각 제1보조공정챔버(4211), 제2보조공정챔버(4212), 제3보조공정챔버(4213), 제4보조공정챔버(4214)가 제공된다.
제1보조공정챔버(4211)와 제2보조공정챔버(4212)는 순차적으로 제1방향(12)을 따라 제공된다. 제3보조공정챔버(4213)와 제4보조공정챔버는 순차적으로 제1방향(12)을 따라 제공된다. 이송프레임을 기준으로 양 측면에 각각 일측에는 제1보조공정챔버(4211)와 제2보조공정챔버(4212)가 제공되며, 타측에는 제3보조공정챔버(4213)와 제4보조공정챔버(4214)가 제공된다. 제1보조공정챔버(4211) 및 제2보조공정챔버(4212)는 열처리 챔버로 제공 될 수 있다. 제3보조공정챔버(4213) 및 제4보조공정챔버(4214)는 습식 세정 챔버로 제공 될 수 있다. 다른 실시예로는 제1보조공정챔버(4211), 제2보조공정챔버(4212), 제3보조공정챔버(4213), 제4보조공정챔버(4214)는 열처리 챔버 또는 습식 세정 챔버로 선택적으로 제공될 수 있다.
도 9는 보조공정챔버로 제공되는 열처리 챔버(300)의 다른 실시예의 단면도이다.
열처리 챔버(300)는 하우징(310)이 제공된다. 하우징(310) 내에는 기판을 지지하는 기판 지지유닛(330)이 제공된다. 하우징(310) 내부에는 가스를 공급하는 가스 공급 유닛(350)과 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스(370), 그리고 상기 기판 지지유닛(330)에 제공되어 기판을 가열하는 가열 유닛(390)을 포함한다. 열처리 챔버(300)는 애싱 공정을 수행할 수 있다.
이하 도1의 기판 처리 장치에서 도9의 열처리 챔버(300)로 제공되는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 따라 복수의 모드 중 선택된 모드에 따라 기판을 처리한다. 복수의 모드는 기판에 대해 서로 상이한 처리 공정을 수행한다. 복수의 모드는 제1처리모드(S100), 제2처리모드(S200), 제3처리 모드(S300) 그리고 제4처리모드(S400)를 포함한다.
제1처리모드(S100)와 제2처리모드(S200)는 도1의 기판 처리 장치에서 수행되는 제1처리모드(S100)와 제2처리모드(S200)와 동일하다.
제3처리모드(S300)는 애싱 단계와 메인 처리 단계를 포함한다. 애싱 단계와 메인 처리 단계는 순차적으로 진행된다. 애싱 단계는 보조공정챔버(1210)에서 수행된다. 보조공정챔버(1210)에서는 기판에 대해 애싱 공정을 수행한다. 메인 처리 단계는 메인공정챔버(1130)에서 수행된다. 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행한다.
도15는 도1의 기판 처리 장치에서 제3처리모드(S300)의 일실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도15를 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓은 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 열처리 챔버(1211)로 이동한다(S311). 열처리 챔버(1211)에서는 기판에 대해서 애싱 공정을 수행할 수 있다. 기판은 열처리 챔버(1211)에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S312). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S313). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S314). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S315).
다른 실시예로 제3처리모드(S300)는 메인 처리 단계 이후에 막 제거 단계를 포함하여 수행할 수 있다.
일 실시예로 제3처리모드(S300)에서 막 제거 단계는 습식 세정 챔버(1212)에서 제공될 수 있다. 습식 세정 챔버(1212)에서 습식 세정 공정에 의해 막 제거 공정이 수행될 수 있다.
도16은 도1의 기판 처리 장치에서 제3처리모드(S300)의 다른 실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도16을 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓은 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 열처리 챔버(1211)로 이동한다(S321). 열처리 챔버(1211)에서는 기판에 대해서 애싱 공정을 수행할 수 있다. 기판은 열처리 챔버(1211)에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S322). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S323). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S324). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 습식 세정 챔버(1212)로 이송된다(S325). 습식 세정 챔버(1212)에서는 습식 세정 공정을 통해서 막 제거 공정을 수행할 수 있다. 막 제거 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S326).
다른 실시예로 제3처리모드(S300)에서 막 제거 단계는 열처리 챔버(1211)에서 제공 될 수 잇다. 열처리 챔버(1211)에서 열처리 공정에 의해 막 제거 공정이 수행 될 수 있다.
도17은 도1의 기판 처리 장치에서 제3처리모드(S300)의 다른 실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도17을 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓은 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 열처리 챔버(1211)로 이동한다(S331). 열처리 챔버(1211)에서는 기판에 대해서 애싱 공정을 수행할 수 있다. 기판은 열처리 챔버(1211)에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S332). 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 메인공정챔버(1130)로 이송된다(S333). 메인공정챔버(1130)에서는 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정 등을 수행한다. 메인 처리 단계 후 기판은 이송 로봇(1113)에 의해 버퍼 유닛(1330)으로 이송된다(S334). 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 버퍼 유닛(1330)에서 열처리 챔버(1211)로 이송된다(S335). 열처리 챔버(1211)에서는 열처리 공정을 통해서 막 제거 공정을 수행할 수 있다. 막 제거 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S336).
다른 실시예로 기판 처리 방법에서 복수의 모드 중 제1처리모드(S100), 제2처리모드(S200) 그리고 제3처리모드(S300)는 메인 처리 단계 이후에 냉각 단계를 더 포함 할 수 있다. 냉각 단계는 로드락 챔버(1300) 내의 냉각 유닛(1310)에서 수행될 수 있다.
제4처리모드(S400)는 애싱 단계와 습식 세정 단계를 포함한다. 애싱 단계와 습식 세정 단계는 순차적으로 진행된다. 애싱 단계는 열처리 챔버(1211)에서 수행된다. 열처리 챔버(1211)에서는 기판에 대해 애싱 공정을 수행할 수 있다. 습식 세정 단계는 습식 세정 챔버(1212)에서 수행된다. 습식 세정 챔버(1212)에서는 기판에 대해 습식 세정 공정을 수행한다.
도18는 도1의 기판처리장치에서 제4처리모드(S400)에 따른 일실시예로 기판의 반송경로를 보여주는 도면이다. 이하 도18을 참조해 기판의 반송 경로를 설명한다.
기판은 로드포트(1250)에 놓은 용기에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 열처리 챔버(1211)로 이동한다(S411). 열처리 챔버(1211)에서는 기판에 대해서 애싱 공정을 수행할 수 있다. 기판은 열처리 챔버(1211)에서 인덱스 로봇(1231)에 의해 습식 세정 챔버(1212)로 이송된다(S412). 습식 세정 챔버(1212)에서는 습식 세정 공정을 수행한다. 습식 세정 단계 후 기판은 인덱스 로봇(1231)에 의해 로드포트(1250)에 놓은 용기로 이송된다(S413).
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 1100: 처리 모듈
1200: 인덱스 모듈 1300: 로드락 챔버
1110: 이송챔버 1130: 메인공정챔버
1210: 보조공정챔버 1230: 이송프레임
1250: 로드 포트 1310: 냉각 유닛
1330: 버퍼 유닛 100: 열처리 챔버
200: 습식 세정 챔버 300: 열처리 챔버
S100: 제1처리모드 S200: 제2처리모드
S300: 제3처리모드 S400: 제4처리모드

Claims (32)

  1. 기판에 대해 메인처리를 수행하는 메인공정챔버를 가지는 처리 모듈과;
    기판이 수용된 용기가 놓이는 로드포트, 기판에 대해서 보조처리를 수행하는 보조공정챔버, 그리고 기판을 이송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈과, 그리고
    상기 처리 모듈과 상기 인덱스 모듈 사이에 배치된 로드락 챔버를 포함하되,
    상기 처리 모듈, 상기 로드락 챔버, 그리고 상기 보조공정챔버는 제1방향을 따라 순차적으로 배치되고,
    상기 인덱스 로봇은 상기 로드포트, 상기 보조공정챔버, 상기 로드락 챔버에 각각 기판을 반송 가능하게 제공되며,
    상기 보조공정챔버는 기판에 대해 애싱 공정을 수행하는 열처리 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인덱스 모듈은 그 길이방향이 상기 제1방향을 따라 제공되는 가이드를 포함하며, 상기 인덱스 로봇은 상기 가이드를 따라서 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 메인공정챔버는 건식 세정 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 메인공정챔버는 건식 식각 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 로드락 챔버는
    상기 보조공정챔버와 상기 처리 모듈간에 기판 이송시 상기 기판이 머무르는 버퍼 유닛과;
    기판을 냉각시키는 냉각 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 버퍼 유닛과 상기 냉각 유닛은 상하로 서로 적층되게 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서
    상기 보조공정챔버는,
    기판에 대해 습식 세정을 수행하는 습식 세정 챔버를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제6항, 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드락 챔버와 상기 보조공정챔버는 각각 복수 개가 제공되며,
    상기 로드락 챔버들은 상기 인덱스 로봇을 기준으로 상기 제1방향의 일측 및 타측에 각각 제공되며, 상기 보조공정챔버들은 상기 인덱스 로봇을 기준으로 상기 제1방향의 일측 및 타측에 각각 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제12항 있어서,
    상기 로드락 챔버들은 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 배치되고,
    상기 보조공정챔버들은 상기 제2방향에 따라 배치되는 기판 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 처리 모듈은 기판을 반송하는 이송로봇이 제공된 이송 챔버를 더 포함하며,
    상기 이송 챔버의 둘레에 상기 메인공정챔버와 상기 로드락 챔버가 배치되는 기판 처리 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 열처리 챔버는;
    하우징과
    상기 하우징 내에 배치되며 기판을 지지하는 기판 지지유닛과;
    상기 하우징 내에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와;
    상기 기판 지지 유닛에 제공되어 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 기판에 대해 메인처리를 수행하는 메인공정챔버와, 기판을 반송시키는 이송 챔버를 포함하는 처리 모듈과;
    기판이 수용된 용기가 놓이는 로드포트, 기판에 대해서 보조처리를 수행하는 보조공정챔버, 그리고 기판을 이송하는 인덱스 로봇을 포함하는 인덱스 모듈과;
    상기 처리 모듈과 상기 인덱스 모듈 사이에 배치된 로드락 챔버를 포함하되,
    상기 인덱스 로봇의 양측면에 로드락 챔버가 각 측면에 한 개씩 배치되고,
    상기 로드락 챔버는 제1로드락 챔버와 제2로드락 챔버로 제공되며,
    상기 보조공정챔버는 제1보조공정챔버와 제2보조공정챔버로 제공되며,
    상기 인덱스 로봇의 일측에 제1로드락 챔버가 제공되고,
    상기 인덱스 로봇의 타측에 제2로드락 챔버가 제공되며,
    상기 제1보조공정챔버는 상기 인덱스 로봇의 일측에 배치된 제1로드락 챔버와 제1방향으로 제공되고,
    상기 제2보조공정챔버는 상기 인덱스 로봇의 타측에 배치된 제2로드락 챔버와 상기 제1방향으로 제공되며,
    상기 제1로드락 챔버와 상기 제1보조공정챔버와 상기 로드포트는 순차적으로 상기 제1방향을 따라 배치되며,
    상기 제2로드락 챔버와 상기 제2보조공정챔버와 상기 로드포트는 순차적으로 상기 제1방향을 따라 배치되며,
    상기 인덱스 로봇은 상기 제1로드락 챔버, 상기 제2로드락 챔버, 상기 제1보조공정챔버, 상기 제2보조공정챔버, 상기 로드포트에 놓인 용기에 기판을 반송 가능하게 제공되고,
    상기 제1보조공정챔버는 기판에 대해 애싱 공정을 수행하는 열처리 챔버로 제공되고,
    상기 제2보조공정챔버는 기판에 대해 습식 세정 공정을 수행하는 습식 세정 챔버로 제공되는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 인덱스 모듈은 그 길이방향이 상기 제1방향을 따라 제공되는 가이드를 포함하며, 상기 인덱스 로봇은 상기 가이드를 따라서 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  18. 제16항의 상기 기판 처리 장치를 이용해 기판을 처리 하되,
    기판에 따라 복수의 모드 중 선택된 모드에 따라 기판을 처리하며,
    상기 복수의 모드는 상기 기판에 대해 처리를 수행하는 공정이 서로 상이한 기판 처리 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 복수의 모드는 제1처리모드를 포함하며,
    상기 제1처리모드는,
    상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계;및
    상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 막 제거 단계는 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정에 의해 이루어지는 습식 세정 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 막 제거 단계는 상기 열처리 챔버에서 열처리 공정에 의해 이루어지는 열처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 막 제거 단계는, 상기 열처리 챔버에서 열처리 공정에 의해 이루어지는 열처리 단계; 및
    상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정에 의해 이루어지는 습식 세정 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 복수의 모드는 제2처리모드를 포함하며,
    상기 제2처리모드는,
    상기 보조공정챔버에서 상기 기판에 대해 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변화시키는 표면처리 단계;및
    상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계;및
    상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 막 제거 단계는 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정에 의해 이루어지는 습식 세정 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 막 제거 단계는 상기 열처리 챔버에서 열처리 공정에 의해 이루어지는 열처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 열처리 챔버는 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변경하는 가스를 공급하는 구조로 제공되고,
    상기 표면 처리 단계는 상기 열처리 챔버에서 수행되는 기판 처리 방법.
  27. 제23항에 있어서,
    상기 습식 세정 챔버는 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변화시키는 화학액을 공급하는 구조로 제공되고,
    상기 표면 처리 단계는 상기 습식 세정 챔버에서 수행되는 기판 처리 방법.
  28. 제18항에 있어서,
    상기 보조공정챔버는 애싱 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되며,
    상기 복수의 모드는 제3처리모드를 포함하며,
    상기 제3처리 모드는
    상기 보조공정챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계;및
    상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  30. 제18항에 있어서,
    상기 보조공정챔버는 애싱 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되며,
    상기 복수의 모드는 제4처리 모드를 포함하며,
    상기 열처리 챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계;및
    상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정 공정을 수행하는 습식 세정 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  31. 제19항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로드락 챔버는 상기 기판 이송시 상기 기판이 머무르는 버퍼 유닛과 기판을 냉각시키는 냉각 유닛을 포함하고,
    상기 메인 처리 단계 이후에,
    상기 냉각 유닛에서 상기 기판을 냉각하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  32. 제16항의 상기 기판 처리 장치를 이용해 기판을 처리 하되,
    기판에 따라 복수의 모드 중 선택된 모드에 따라 기판을 처리 하되,
    상기 보조공정챔버는 애싱 공정을 수행할 수 있는 구조로 제공되며,
    상기 복수의 모드는 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계 및 상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함하는 제1처리 모드;
    상기 보조공정챔버에서 상기 기판에 대해 기판의 표면을 친수성 또는 소수성으로 변화시키는 표면처리 단계 및 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 공정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계 및 상기 메인 처리 단계 이후에 상기 보조공정챔버에서 기판상에 잔류하는 반응 부산물을 제거하는 부산물 제거 공정을 포함하는 막 제거 단계를 포함하는 제2처리 모드;
    상기 보조공정챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계 및 상기 메인공정챔버에서 상기 기판에 대해 건식 세정 또는 건식 식각 공정을 수행하는 메인 처리 단계를 포함하는 제3처리 모드;
    그리고 상기 열처리 챔버에서 애싱 공정을 수행하는 애싱 단계;및 상기 습식 세정 챔버에서 습식 세정 공정을 수행하는 습식 세정 단계를 포함하는 제4처리 모드 중에서 적어도 2개 이상의 모드를 포함하는 기판 처리 방법.
KR1020140048143A 2014-04-22 2014-04-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR101612416B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140048143A KR101612416B1 (ko) 2014-04-22 2014-04-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW103139617A TWI579955B (zh) 2014-04-22 2014-11-14 基板處理設備及基板處理方法
US14/576,822 US20150303094A1 (en) 2014-04-22 2014-12-19 Apparatus and method for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140048143A KR101612416B1 (ko) 2014-04-22 2014-04-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150122322A KR20150122322A (ko) 2015-11-02
KR101612416B1 true KR101612416B1 (ko) 2016-04-15

Family

ID=54322625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140048143A KR101612416B1 (ko) 2014-04-22 2014-04-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150303094A1 (ko)
KR (1) KR101612416B1 (ko)
TW (1) TWI579955B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170352562A1 (en) * 2016-06-02 2017-12-07 Applied Materials, Inc. Dodecadon transfer chamber and processing system having the same
US11935770B2 (en) * 2021-02-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Modular mainframe layout for supporting multiple semiconductor process modules or chambers
US20230207358A1 (en) * 2021-12-29 2023-06-29 Applied Materials, Inc. Foup or cassette storage for hybrid substrate bonding system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003021642A2 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
TW200746268A (en) * 2006-04-11 2007-12-16 Applied Materials Inc Process for forming cobalt-containing materials
US7595005B2 (en) * 2006-12-11 2009-09-29 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ashing a substrate using carbon dioxide
JP2010034505A (ja) * 2008-06-30 2010-02-12 Canon Anelva Corp 積層ロードロックチャンバおよびそれを備えた基板処理装置
KR101290527B1 (ko) * 2011-05-31 2013-07-30 주식회사 테스 기판처리시스템 및 이를 이용한 기판처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201541548A (zh) 2015-11-01
KR20150122322A (ko) 2015-11-02
US20150303094A1 (en) 2015-10-22
TWI579955B (zh) 2017-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757936B (zh) 用於處理基板的設備、系統和方法
KR101390900B1 (ko) 기판처리장치
JP4999808B2 (ja) 基板処理装置
KR101400157B1 (ko) 기판처리장치, 기판처리설비 및 기판처리방법
KR101612416B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20200083286A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR102413131B1 (ko) 건식처리와 습식처리를 위한 하이브리드 기판처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
KR102238879B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP4974996B2 (ja) 基板処理装置
US20080156359A1 (en) Systems and methods for modular and configurable substrate cleaning
KR20100024220A (ko) 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법
KR100978127B1 (ko) 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법
KR102584510B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102550896B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2005175036A (ja) 基板処理装置
KR102161794B1 (ko) 부품 세정 장치 및 방법
KR102275076B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100978129B1 (ko) 기판 이송 방법
CN116092974A (zh) 用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
KR20230125752A (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기록 매체
KR20090126578A (ko) 기판 이송 방법
JP2008160021A (ja) 基板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置
KR20130116850A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20090126583A (ko) 기판 이송 방법
KR20100008562A (ko) 기판 이송 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190329

Year of fee payment: 4