KR20130116850A

KR20130116850A - 기판처리장치 및 기판처리방법

Info

Publication number: KR20130116850A
Application number: KR1020130116595A
Authority: KR
Inventors: 김형준
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2011-05-31
Filing date: 2013-09-30
Publication date: 2013-10-24

Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 클러스터(cluster) 구조의 기판처리장치 및 이를 이용하는 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치의 일 실시예는, 기판이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트; 상기 기판을 처리하는 처리모듈; 및 상기 용기와 상기 처리모듈 간에 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 이송모듈;을 포함하되, 상기 처리모듈은, 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 트랜스퍼챔버, 상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치되는 로드락챔버, 상기 트랜스퍼챔버의 둘레에 상기 이송모듈과 이격 배치되어 제1처리공정을 수행하는 제1처리챔버 및 상기 트랜스퍼챔버의 둘레에 배치되어 제2처리공정을 수행하는 제2처리챔버를 포함한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{APPARATUS AND MOTHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 클러스터(cluster) 구조의 기판처리장치 및 이를 이용하는 기판처리방법에 관한 것이다.

반도체소자는 실리콘웨이퍼 등의 기판을 여러 단계의 공정으로 처리하여, 기판 상에 회로패턴을 형성하여 제조된다.

일반적으로 반도체소자는, 기판 상에 얇은 산화막을 형성하는 산화공정(oxidation process), 감광액을 도포하는 도포공정(photoresist process), 기판 상에 회로패턴에 대응되는 광을 조사하는 노광공정(exposure process), 빛이 조사된 부분의 막을 현상하는 현상공정(development process), 필요없는 부분을 선택적으로 제거하여 회로패턴을 형성하는 식각공정(etching process), 회로패턴에 연결된 부분의 기판의 내부로 불순물을 주입하는 주입공정(implantation process), 가스 등의 화학물질을 기판 표면에 증착시켜 절연막이나 전도성막을 형성하는 화학기상증착공정(CVD: Chemical Vapor Deposition process), 기판 표면에 형성된 회로에 배선을 연결하는 금속배선공정(metallization process) 등을 거쳐 제조되는데, 이러한 공정들은 각각의 공정들을 수행하는 챔버에서 처리된다.

최근에는 반도체소자가 미세화와 고집적화 됨에 따라 복합공정을 처리하기 위한 다양한 챔버들이 요구되고 있는데, 이러한 추세 속에서 반도체소자의 처리율(throughput)을 향상을 향상시키고 반도체제조공정을 보다 효율적을 처리하기 위하여 반도체제조설비에서 챔버 간의 레이아웃이 중요한 기술로 대두되고 있으며, 그 대표적인 예로 등록특허 제10-0839911호에 개시된 클러스터 구조를 가지는 반도체제조설비를 들 수 있다.

본 발명의 일 과제는, 반도체소자의 처리율을 향상시키는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 과제는, 정해진 공간에 처리공정을 수행하는 챔버가 더 많이 배치되는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 과제는, 기판의 이송경로가 단축되는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판처리장치를 제공한다.

기판처리장치의 일 실시예는, 기판이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트; 상기 기판을 처리하는 처리모듈; 및 상기 용기와 상기 처리모듈 간에 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 이송모듈;을 포함하되, 상기 처리모듈은, 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 트랜스퍼챔버, 상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치되는 로드락챔버, 상기 트랜스퍼챔버의 둘레에 상기 이송모듈과 이격 배치되어 제1처리공정을 수행하는 제1처리챔버 및 상기 트랜스퍼챔버의 둘레에 배치되어 제2처리공정을 수행하는 제2처리챔버를 포함한다.

상기 제2처리챔버는 상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치될 수 있다.

상기 제2처리챔버는, 상기 트랜스퍼챔버와 마주보는 측면에 제1개구가 형성되고, 상기 이송모듈과 마주보는 측면에 제2개구가 형성된 하우징, 상기 제1개구를 개폐하는 제1도어, 상기 제2개구를 개폐하는 제2도어, 상기 하우징 내부를 감압하는 감압부재, 상기 하우징 내에 위치되어, 상기 기판을 지지하는 지지부재 및 상기 지지부재에 놓인 기판을 가열하는 가열부재를 포함할 수 있다.

상기 제2처리챔버는, 상기 트랜스퍼챔버와 마주보는 측면에 제1개구가 형성되고, 타측은 블로킹된 하우징, 상기 제1개구를 개폐하는 제1도어, 상기 하우징 내에 위치되어, 상기 기판을 지지하는 지지부재 및 상기 지지부재에 놓인 기판을 가열하는 가열부재를 포함할 수 있다.

상기 제2처리챔버는, 플라즈마를 생성하는 플라즈마소스 및 상기 생성된 플라즈마를 상기 하우징 내부로 공급하는 공급관을 포함할 수 있다.

상기 로드락챔버는, 버퍼공간을 제공하되, 상기 트랜스퍼챔버와 마주보는 측면에 제1개구가 형성되고, 상기 이송모듈과 마주보는 측면에 제2개구가 형성된 하우징, 상기 제1개구를 개폐하는 제1도어, 상기 제2개구를 개폐하는 제2도어 및 상기 버퍼공간에 상기 기판이 놓이도록 상기 기판을 지지하는 적어도 하나의 슬롯을 포함할 수 있다.

상기 로드락챔버와 상기 제2처리챔버가 서로 적층될 수 있다.

*상기 제2처리챔버가 상기 로드락챔버의 하부에 배치될 수 있다.

상기 제2처리챔버는, 상기 로드락챔버의 하부에 배치되는 하우징, 상기 로드락챔버의 상부에 배치되어 플라즈마를 생성하는 플라즈마소스 및 상기 로드락챔버의 외벽에 설치되어 상기 생성된 플라즈마를 상기 하우징 내부로 공급하는 공급관을 구비할 수 있다.

상기 처리모듈은, 상기 제2처리챔버를 복수 개 구비할 수 있다.

상기 복수의 제2처리챔버는 각각, 하우징, 플라즈마를 생성하는 플라즈마소스 및 상기 생성된 플라즈마를 상기 하우징 내부로 공급하는 공급관을 구비할 수 있다.

상기 처리모듈은, 플라즈마를 생성하는 플라즈마소스, 상기 생성된 플라즈마를 상기 복수의 제2처리챔버 각각의 하우징 내부로 공급하는 공급관을 포함하고, 상기 공급관은 상기 플라즈마소스로부터 연결되어 상기 복수의 제2처리챔버 각각으로 분기되고, 분기되는 공급관에는 각각 밸브(V)가 구비될 수 있다.

상기 복수의 제2처리챔버가 서로 적층될 수 있다.

상기 복수의 제2처리챔버가 측방향으로 서로 나란하게 배치될 수 있다.

상기 제2처리챔버는, 상기 제1처리챔버와 적층될 수 있다.

기판처리장치의 일 실시예는, 기판이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트; 상기 기판을 처리하는 처리모듈; 및 상기 용기와 상기 처리모듈 간에 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 이송모듈;을 포함하되, 상기 처리모듈은, 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 트랜스퍼챔버, 상기 트랜스퍼챔버의 둘레에 상기 이송모듈과 이격 배치되어 제1처리공정을 수행하는 제1처리챔버; 상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치되되 서로 상이한 구조를 가지는 로드락챔버; 및 제2처리챔버;를 포함한다.

상기 로드락챔버와 상기 제2처리챔버는, 서로 적층될 수 있다.

상기 제2처리챔버는, 상기 로드락챔버의 하부에 배치될 수 있다.

상기 로드락챔버는, 버퍼공간을 제공하는 제1하우징 및 상기 버퍼공간에 상기 기판이 놓이도록 상기 기판을 지지하는 적어도 하나의 슬롯을 포함하고, 상기 제2처리챔버는, 상기 제1하우징의 하부에 배치되는 제2하우징, 상기 제2하우징 내에 위치하여 상기 기판을 지지하는 지지부재, 상기 제1하우징의 상부에 배치되어 플라즈마를 생성하는 플라즈마소스 및 상기 생성된 플라즈마를 상기 제2하우징 내부로 공급하는 공급관을 포함할 수 있다.

상기 로드락챔버와 상기 제2처리챔버가 측방향으로 나란하게 배치될 수 있다.

본 발명은 기판처리방법을 제공한다.

기판처리방법의 일 실시예는, 기판이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트, 상기 기판을 처리하는 처리모듈 및 상기 용기와 상기 처리모듈 간에 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 이송모듈을 포함하되, 상기 처리모듈이 트랜스퍼챔버, 제1처리챔버, 로드락챔버 및 제2처리챔버를 포함하는 기판처리장치를 이용하는 기판처리방법에 있어서, 상기 용기에 수납된 기판이 상기 이송모듈로부터 상기 로드락챔버를 거쳐 상기 처리모듈로 진입하는 단계; 상기 제1처리챔버가 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치되는 상기 제2처리챔버가 제2처리공정을 수행하는 단계; 및 상기 처리모듈로부터 상기 이송모듈로 상기 기판이 반송되는 단계;를 포함한다.

상기 기판을 상기 이송모듈로 반송하는 단계는, 상기 제2처리공정을 수행한 후 상기 제2처리챔버에서 직접 상기 이송모듈로 상기 기판을 반송할 수 있다.

상기 기판이 제2처리챔버로 진입하기 전, 상기 제2처리챔버의 압력을 감압하는 단계;를 더 포함할 수 있다.

상기 기판을 상기 이송모듈로 반송하는 단계는, 상기 제2처리공정을 수행한 후 상기 트랜스퍼챔버의 반송로봇이 상기 제2처리챔버로부터 상기 로드락챔버로 상기 기판을 반송하는 단계 및 상기 이송모듈의 반송로봇이 상기 로드락챔버로부터 상기 기판을 인출하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 제1처리공정은, 식각공정, 박리공정, 애싱공정, 스트립공정 및 증착공정 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

상기 제2처리공정은, 클리닝공정, 스트립공정, 애싱공정 및 가열공정 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

본 발명에 의하면, 반도체소자의 처리율이 향상될 수 있다.

본 발명에 의하면, 제2처리챔버가 이송모듈과 트랜스퍼모듈 사이에 배치됨에 따라 기판처리장치에 처리챔버가 더 많이 제공될 수 있다.

본 발명에 의하면, 제2처리챔버가 적층되어 배치됨에 따라 기판처리장치에 처리챔버가 더 많이 제공될 수 있다.

본 발명에 의하면, 제2처리챔버로부터 이송모듈로 기판이 바로 반송되므로, 기판의 이송경로가 단축될 수 있다.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 일 실시예에 관한 평면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 로드락챔버에 관한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 1의 제2처리챔버에 관한 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 도 1의 로드락챔버와 제2처리챔버의 배치에 관한 사시도이다.
도 9는 도 1의 로드락챔버와 제2처리챔버의 배치에 관한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 도 1의 플라즈마소스의 연결관계에 관한 도면이다.
도 12는 서로 적층된 제2처리챔버의 배치에 관한 사시도이다.
도 13은 다른 챔버와 적층되지 아니한 제2처리챔버에 관한 사시도이다.
도 14는 제1처리챔버와 제2처리챔버가 적층된 기판처리장치에 관한 평면도이다.
도 15는 제1처리챔버와 제2처리챔버의 배치에 관한 사시도이다.
도 16은 이송모듈과 기판을 교환하지 아니하는 제2처리챔버의 단면도이다.
도 17은 본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예에 관한 순서도이다.
도 18은 본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예에서 기판의 이동경로에 관한 도면이다.
도 19는 본 발명에 따른 기판처리방법의 제2실시예에 관한 순서도이다.
도 20은 본 발명에 따른 기판처리방법의 제2실시예에서 기판의 이동경로에 관한 도면이다.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

*이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)에 관하여 설명한다.

기판처리장치(1000)는 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정을 수행한 뒤 다시 외부로 반송하는 장치이다.

여기서, 기판(S)은 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판, 그래핀(graphene) 등을 포함하는 것은 물론 상술한 예 이외에도 반도체소자, 디스플레이 및 그 외의 박막에 회로가 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념으로 해석되어야 한다.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예에 관하여 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예에 관한 평면도이다.

기판처리장치(1000)는, 로드포트(1100), 이송모듈(1200) 및 처리모듈(1300)을 포함한다. 로드포트(1100)에는 기판(S)이 수납되는 용기(C)가 놓인다. 이송모듈(1200)은 용기(C)와 처리모듈(1300) 간에 기판(S)을 반송한다. 처리모듈(1300)에서는 기판에 대한 공정이 수행된다.

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수납되는 용기(C)가 놓인다.

용기(C)에는 하나 또는 복수의 기판(S)이 수납될 있다. 예를 들어, 용기(C)에는 25장의 기판(S)이 수용될 수 있다.

용기(C)의 내부공간은 외부와 격리되어 밀폐될 수 있다. 예를 들어, 용기(C)는 밀폐형 용기인 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod)가 사용될 수 있다. 이러한 용기(C)의 내부공간이 밀폐됨에 따라 내부에 수납된 기판(S)이 오염되는 것이 방지될 수 있다.

용기(C)는 외부로부터 반송되어 로드포트(1100)에 로딩되거나 로드포트(1100)에서 언로딩되어 외부로 반송된다.

예를 들어, 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(overhead transfer) 등의 반송장치에 의해 다른 기판처리장치로부터 반송되어 로드포트(1100)에 로딩되거나 또는 로드포트(1100)에서 언로딩되어 다른 기판처리장치로 반송될 수 있다.

용기(C)의 반송, 로딩 및 언로딩은 오버헤드트랜스퍼 외에 자동안내차량(automatic guided vehicle), 레일안내차량(rail guided vehicle) 등의 다른 반송장치나 작업자에 의해 수행될 수도 있다.

기판처리장치(1000)에는 하나 또는 복수의 로드포트(1100)가 제공되며, 로드포트(1100)는 이송모듈(1200)의 일측에 배치된다. 로드포트(1100)가 복수인 경우에는 복수의 로드포트(1100)는 서로 밀접하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 세 개의 로드포트(1100)가 이송모듈(1200)의 처리모듈(1300)과 마주보는 일측의 반대측에 이송모듈(1200)의 길이방향(x)에 따라 나란하게 배치될 수 있다. 로드포트(1100)의 수나 배치는 이와 상이할 수 있다.

이송모듈(1200)은 용기(C)와 처리모듈(1300) 간에 기판(S)을 반송한다. 예를 들어, 이송모듈(1200)은 용기(C)로부터 기판(S)을 인출하여 처리모듈(1300)로 반송하거나 처리모듈(1300)로부터 기판(S)을 인출하여 용기(C)로 반송할 수 있다.

이송모듈(1200)은 하우징(1210)과 반송로봇(1220)을 포함한다.

하우징(1210)은 외부와 격리되는 내부공간을 제공한다. 하우징(1210)은 대체로 직육면체 형상으로 제공되지만, 하우징(1210)의 형상은 이와 상이할 수 있다.

하우징(1210)의 일측은 로드포트(1100)와 마주본다. 상기 일측에는 기판(S)이 출입하는 개구가 형성되며, 상기 개구를 개폐하는 도어(D)가 제공된다. 하우징(1210)의 다른 일측은 처리모듈(1300)과 마주본다. 상기 다른 일측에는 기판(S)이 출입하는 개구가 형성되며, 상기 개구를 개폐하는 도어(D)가 제공된다. 상기 일측과 상기 다른 일측은 서로 반대측일 수 있다.

하우징(1210)의 상면에는 하우징(1210)의 내부공간의 공기를 정류하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 이에 따라 하우징(1210) 내부공간에서 정류된 공기가 위에서 아래 방향으로 흐르게 되며, 하우징(1210)의 내부공간이 외부보다 청정하게 유지될 수 있다.

하우징(1210)의 내부에는 용기(C)를 개폐하는 용기오프너가 제공될 수 있다. 용기오프너에 의해 용기(C)가 열리면 반송로봇(1220)이 용기(C)로부터 기판(S)을 인출할 수 있다. 또는 반송로봇(1210)에 의해 기판(S)이 반송되어 용기(C)에 수용되면 용기오프너가 용기(C)를 닫을 수 있다.

반송로봇(1220)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 처리모듈(1300) 간에 기판(S)을 반송한다.

반송로봇(1220)은 하우징(1210)의 내부에 위치한다. 예를 들어, 반송로봇(1220)은 하우징(1210)의 중앙부에 고정되어 위치할 수 있다. 다른 예를 들어, 반송로봇(1220)은 이송모듈(1200)의 길이방향(x)에 따라 하우징(1210)에 형성된 반송레일을 따라 이동하도록 제공될 수 있다.

반송로봇(1220)은 수직방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전을 하는 핸드(1225)를 가질 수 있다. 반송로봇(1220)의 핸드(1225)는 하나 또는 복수일 수 있다.

처리모듈(1300)은 기판(S)에 대하여 처리공정을 수행한다.

처리모듈(1300)은, 로드락챔버(1310), 트랜스퍼챔버(1320), 제1처리챔버(1330) 및 제2처리챔버(1340)를 포함한다. 로드락챔버(1310)는 트랜스퍼챔버(1320)와 이송모듈(1200) 사이에 배치되어 둘 사이의 기판(S)이 교환되는 버퍼공간(B)을 제공한다. 트랜스퍼챔버(1320)는 기판(S)을 반송하는 로봇을 포함하여 용기(C)와 처리모듈(1200)간에 기판을 반송한다. 제1처리챔버(1330)는 트랜스퍼챔버(1320)의 둘레에 배치되어 제1처리공정을 수행한다. 제2처리챔버(1340)는 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320)의 사이에 배치되어 제2처리공정을 수행한다.

이하에서는 처리모듈(1300)의 구성에 관하여 설명한다. 상술한 구성요소가 모두 필수적인 것은 아니므로, 처리모듈(1300)은 상술한 구성요소의 일부를 선택적으로 포함할 수 있다.

로드락챔버(1310)는 용기(C)와 처리모듈(1300) 간에 반송되는 기판(S)이 놓이는 버퍼공간(B)을 제공한다. 버퍼공간은 로드락챔버의 외벽을 형성하는 하우징에 의해 외부와 격리될 수 있다. 버퍼공간(B)에는 용기(C)와 처리모듈(1300) 간에 반송되는 기판(S)이 일시적으로 머무를 수 있다.

로드락챔버(1310)는 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치된다.

처리모듈(1300)에는 적어도 하나의 로드락챔버(1310)가 제공된다. 로드락챔버(1310)가 복수인 경우에는, 로드락챔버(1310)는 측방향, 즉 이송모듈(1200)의 길이방향(x)에 따라 나란히 배치되거나 서로 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 두 개의 로드락챔버(1310)가 일측은 이송모듈(1200)과 마주보고, 다른 일측은 트랜스퍼챔버(1320)와 마주보도록 배치될 수 있다.

도 2 및 도 3은 도 1의 로드락챔버(1310)에 관한 단면도이다. 도 2는 도 1의 A-A방향의 단면도이고, 도 3은 도 1의 B-B방향의 단면도이다.

로드락챔버(1310)의 상기 일측에는 이송모듈(1200)과 기판(S)을 교환하는 개구가 형성되며, 상기 개구를 개폐하는 도어(D)가 제공된다. 로드락챔버(1310)의 상기 다른 일측에는 트랜스퍼챔버(1320)와 기판(S)을 교환하는 개구가 형성되며, 상기 개구를 개폐하는 도어(D)가 제공된다. 상기 일측과 상기 다른 일측은 서로 반대측일 수 있다.

로드락챔버(1310)의 내부에는 기판(S)이 놓이는 적어도 하나의 버퍼슬롯(1311)이 제공된다. 버퍼슬롯(1311)은 복수 일 수 있다. 예를 들어, 로드락챔버(1210)에는 4개의 버퍼슬롯(1311)이 제공될 수 있다.

복수의 버퍼슬롯(1311)은 서로 수직방향으로 이격되어 로드락챔버(1310)의 내벽에 형성될 수 있다. 버퍼슬롯(1311)은 기판(S)의 가장자리 부분을 지지하는 이격된 플레이트의 형상으로 제공될 수 있다. 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320)의 반송로봇(1220, 1325)의 핸드(1225, 1326)는 양 플레이트 사이의 이격된 공간을 따라 수직방향으로 이동하여 버퍼슬롯(1311)에 기판(S)에 놓거나 버퍼슬롯(1311)에 놓인 기판(S)을 집어 들 수 있다. 이에 따라 로드락챔버(1310)를 통해 이송모듈(1200) 및 처리모듈(1300) 간에서 기판(S)이 반송될 수 있다.

로드락챔버(1310)는 로드락챔버(1310)의 내부압력을 제어하는 감압부재(1315)를 포함한다. 감압부재(1315)는 버퍼공간의 압력을 제어한다. 감압부재(1315)는 감압펌프(1316)와 펌프라인(1317)에 의해 구현될 수 있다. 감압펌프(1316)는 외부전원을 이용하여 공기를 흡입한다. 펌프라인(1317)은 감압펌프(1316)를 로드락챔버(1310) 내부로 연결한다. 펌프라인(1317)에는 공기의 흐름을 제어하는 밸브(V)가 제공될 수 있다.

일반적으로 처리모듈(1300)의 내부압력은 기판(S)에 대한 공정을 수행하기 적합한 환경을 제공하기 위하여 미리 설정된 압력으로 유지되는데, 이에 따라 이송모듈(1200)과 처리모듈(1300)은 서로 상이한 내부압력을 가지게 된다. 예를 들어, 이송모듈(1200)의 내부는 대기압이고, 처리모듈(1300)의 내부는 진공상태일 수 있다. 물론, 이송모듈(1200)과 처리모듈(1300)의 내부압력이 반드시 상이해야 하는 것은 아니므로, 이송모듈(1200)과 처리모듈(1300)은 동일한 내부압력을 가질 수 있다.

감압부재(1315)는, 이송모듈(1200)과 처리모듈(1300) 간에서 기판(S)이 반송되는 과정에서 로드락챔버(1310)를 통해 이송모듈(1200)로부터 처리모듈(1300)로 공기가 유입되는 것을 방지하기 위해 로드락챔버(1310)의 내부압력을 제어할 수 있다. 예를 들어, 대기압인 이송모듈(1200)로부터 로드락챔버(1310)로 기판(S)이 들어온 후 진공상태인 트랜스퍼챔버(1320)로 기판(S)을 내보내기 전에 감압부재(1315)는 버퍼공간을 진공상태로 감압할 수 있다. 이에 따라 처리모듈(1300)의 내부압력이 유지될 수 있다.

트랜스퍼챔버(1320)는 둘레에 배치된 챔버 간에 기판(S)을 반송한다. 트랜스퍼챔버(1320)는 다각형의 형상을 가질 수 있다. 트랜스퍼챔버(1320)의 둘레에는 로드락챔버(1310), 제1처리챔버(1330) 및 제2처리챔버(1340)가 배치된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리모듈(1300)의 중앙부에 육각형 형상의 트랜스퍼챔버(1320)가 배치되고, 둘레에 로드락챔버(1310), 제1처리챔버(1330) 및 제2처리챔버(1340)가 배치될 수 있다. 다만, 트랜스퍼챔버(1320)의 형상 및 배치는 이와 상이할 수 있다.

트랜스퍼챔버(1320)는 기판(S)을 반송하는 반송로봇(1325)을 가진다. 트랜스퍼챔버(1320)는 반송로봇(1325)을 이용하여 그 둘레에 배치된 챔버들 간의 기판(S)의 반송을 한다.

반송로봇(1325)은 트랜스퍼챔버(1320)의 내부에 위치한다. 반송로봇(1325)은 트랜스퍼챔버(1320)의 중앙부에 고정되어 위치할 수 있다. 반송로봇(1325)은 수직방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전을 하는 핸드(1326)를 가질 수 있다. 반송로봇(1325)의 핸드(1326)는 하나 또는 복수일 수 있다.

제1처리챔버(1330)는 제1처리공정을 수행한다. 예를 들어, 제1처리공정은 식각공정, 박리공정, 애싱공정, 스트립공정 또는 증착공정일 수 있다. 다만, 제1처리공정이 상술한 예에 한정되는 것은 아니다.

처리모듈(1300)에는 하나 또는 복수의 제1처리챔버(1330)가 제공된다. 제1처리챔버(1330)가 복수인 경우에는, 복수의 제1처리챔버(1330)의 일부 또는 전부는 서로 동일한 공정을 수행할 수 있다. 또는 복수의 제1처리챔버(1330)의 일부 또는 전부가 서로 상이한 공정을 수행할 수 있다.

제1처리챔버(1330)는 트랜스퍼챔버(1320)의 둘레에 배치된다. 이때, 제1처리챔버(1330)는 이송모듈(1200)과 이격된 위치에 배치될 수 있다.

제1처리챔버(1330)의 내부압력은 제1처리공정을 수행하기 적합한 환경을 제공하기 위하여 미리 설정된 압력으로 유지되는데, 예를 들어, 대기압보다 낮은 압력이나 진공상태로 유지될 수 있다.

제1처리챔버(1330)는 상술한 제1공정을 수행하기 위하여 제공되는 일반적인 공지의 구성 및 구조를 가질 수 있다. 제2처리챔버(1340)는 제2처리공정을 수행한다. 예를 들어, 제2처리공정은 세정공정, 클리닝공정, 스트립공정, 애싱공정, 가열공정, 베이킹공정일 수 있다. 대체로 제2처리공정은, 제1처리공정이 처리된 후 수행되는 후속공정이나 또는 제2처리공정에 앞서 수행되는 선행공정일 수 있다. 예를 들어, 제2처리공정은 제1처리공정으로 식각공정이 수행된 경우 그에 따라 기판에 발생한 불순물을 제거하는 세공정정이나 잔존하는 감광막을 제거하는 스트립공정, 애싱공정일 또는 베이킹공정일 수 있다. 여기서, 이러한 공정은 플라즈마(P)를 이용하여 수행될 수 있을 것이다. 다른 예를 들어, 제1처리공정이 식각공정인 경우, 제2처리공정은 그 앞서 감광막의 접착력을 높이거나 감광막을 굳히는 어드히젼공정 또는 소프트베이킹공정 등일 수 있다. 물론, 제2처리공정이 상술한 예만으로 한정되지는 않는다.

처리모듈(1300)에는 적어도 하나의 제2처리챔버(1340)가 제공된다. 제2처리챔버(1340)가 복수인 경우에는, 복수의 제2처리챔버(1340)는 서로 동일한 공정을 수행할 수 있다.

제2처리챔버(1340)는 트랜스퍼챔버(1320)와 이송모듈(1200) 사이에 배치된다. 한편, 제2처리챔버(1340)는 위치 상으로 로드락챔버(1310)와 같은 위치 또는 유사한 위치에 배치될 수 있지만 그 구성은 서로 상이하다.

트랜스퍼챔버(1320)와 이송모듈(1200) 사이에 배치된 제2처리챔버(1340)는 이송모듈(1200)과 처리모듈(1300) 간에서 기판(S)이 반송되도록 할 수 있다.

제2처리챔버(1340)는 제2처리공정을 수행한 후에 이송모듈(1200)로 직접 기판(S)을 반송할 수 있다. 예를 들어, 제2처리챔버(1340)는 트랜스퍼챔버(1320)의 반송로봇(1325)에 의해 제2처리챔버(1340)로 반송된 기판(S)에 대하여 제2처리공정을 수행하고, 제2처리공정이 가해진 기판(S)은 제2처리챔버(1340)로부터 직접 이송모듈(1200)로 반송될 수 있다. 이송모듈(1200)의 반송로봇(1220)은 제2처리챔버(1340)로부터 기판(S)을 인출하여 용기(C)에 수납할 수 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예의 제2처리챔버(1340)의 구성에 관하여 설명한다.

도 4는 및 도 5는 도 1의 제2처리챔버(1340)에 관한 단면도이다.

제2처리챔버(1340)는 하우징(1341), 지지부재(1342), 가열부재(1343), 감압부재(1345), 플라즈마소스(1348) 및 공급관(1349)을 포함한다. 다만, 상술한 구성요소가 전부 필수적인 구성요소는 아니므로, 제2처리챔버(1340)는 상술한 구성요소의 전부 또는 일부를 선택적으로 포함할 수 있다. 이에 따라 제2처리챔버(1340)가 복수인 경우에는, 각 제2처리챔버(1340)의 구성은 서로 동일 또는 상이할 수 있다.

하우징(1341)은 외부와 격리되는 내부공간을 제공한다.

하우징(1341)은 일측이 트랜스퍼챔버(1320)와 마주보도록 제공된다. 상기 일측에는 기판(S)이 출입하는 개구가 형성되며, 상기 개구를 개폐하는 도어(D)가 제공된다. 하우징(1341)은 다른 일측이 트랜스퍼모듈과 마주보도록 제공된다. 상기 다른 일측에는 기판(S)이 출입하는 개구가 형성되며, 상기 개구를 개폐하는 도어(D)가 제공된다. 상기 일측과 상기 다른 일측은 서로 반대측일 수 있다.

지지부재(1342)는 하우징(1341)의 내부에 위치하여 기판(S)을 지지한다. 지지부재(1342)의 상면에는 기판(S)이 로딩될 수 있다. 지지부재(1342)의 상면은 기판(S)보다 큰 면적을 가지며, 기판(S)과 유사한 형상을 가질 수 있다. 지지부재(1342)에는 기판(S)이 안착되기 전에 기판(S)이 놓이는 리프트핀이 제공될 수 있으며, 리프트핀에 기판(S)이 놓이면 상하로 이동하여 기판(S)이 지지부재(1342)에 안착될 수 있다.

가열부재(1343)는 지지부재(1342)에 로딩된 기판(S)을 가열한다. 예를 들어, 가열부재(1343)는 외부 전원을 공급받아 열을 발생시키는 발열체 또는 기판(S)에 가열된 유체나 가스를 분사하는 장치일 수 있다. 다만, 가열부재(1343)는 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 제2처리공정을 수행하는데 있어서 기판(S)을 가열할 필요가 없는 경우에는, 제2처리챔버(1340)가 가열부재(1343)를 포함하지 아니할 수도 있다.

가열부재(1343)는 지지부재(1342)의 내부에 설치될 수 있다. 가열부재(1343)는 열을 발생시켜 지지부재(1342)를 통해 기판(S)에 열을 전달하여 기판(S)을 소정의 온도로 가열할 수 있다. 지지부재(1342)는 열전도율이 높고 열변형이 작은 재질로 제공될 수 있다.

감압부재(1345)는 제2처리챔버(1340)의 내부압력을 제어한다. 감압부재(1345)는 감압펌프(1346) 및 펌프라인(1347)을 가질 수 있다. 감압펌프(1346)는 외부 전원에 의해 공기를 흡입하고, 펌프라인(1347)은 감압펌프(1346)와 로드락챔버(1310)를 연결할 수 있다.

감압부재(1345)는, 제2처리챔버(1340)를 통해 이송모듈(1200)과 처리모듈(1300) 간에서 기판(S)이 반송되는 과정에 의해 처리모듈(1300)의 압력이 변하는 것을 방지하기 위하여 제2처리챔버(1340)의 내부압력을 제어할 수 있다.

예를 들어, 감압부재(1345)는 대기압인 이송모듈(1200)로부터 기판(S)을 내보낸 후 진공상태인 트랜스퍼챔버(1320)로 기판(S)을 받기 전에 제2처리챔버(1340)의 내부에 진공압을 인가할 수 있다. 이에 따라 처리모듈(1300)의 내부압력이 진공상태로 유지될 수 있다.

플라즈마소스(1348)는 하우징(1341)의 외부에 위치하여 플라즈마(P)를 생성한다.

플라즈마소스(1348)는 가스공급부 및 플라즈마발생기를 포함한다. 가스공급부는 가스를 공급하고, 플라즈마발생기는 공급된 가스를 이용하여 플라즈마(P)를 발생시킨다. 플라즈마발생기는 리모트 플라즈마발생기(remote plasma generator)일 수 있다.

공급관(1349)은 플라즈마소스(1348)에서 생성된 플라즈마(P)를 하우징(1341) 내부에 공급한다. 공급관(1349)에 따라 하우징(1341)으로 공급되는 플라즈마(P)는 샤워헤드를 통해 분사될 수 있다.

다만, 플라즈마소스(1348)가 반드시 하우징(1341)의 외부에 위치하여야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 하우징(1341) 내부로 가스가 공급되고, 하우징(1341) 내부에 용량성 결합형 플라즈마 발생기(CCP: Capacitively Coupled Plasma generator) 또는 유도결합형 플라즈마 발생기(ICP: Inductively Coupled Plasma generator)가 설치되어 공급된 가스를 이용하여 하우징(1341) 내부에서 직접 플라즈마(P)를 생성할 수도 있다.

이에 따라 제2처리챔버(1340)는 플라즈마(P)를 공급받아 플라즈마(P)를 이용하는 제2처리공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 제2처리챔버(1340)는 플라즈마(P)를 이용하여 클리닝공정을 수행할 수 있다.

다만, 제2처리공정을 수행하는데 있어서 플라즈마(P)를 이용할 필요가 없는 경우에는, 제2처리챔버(1340)가 플라즈마소스(1348) 및 공급관(1349)을 포함하지 아니할 수 있으며, 제2처리공정을 수행하는데 있어서 필요한 다른 구성요소가 플라즈마소스(1348) 및 공급관(1349)을 대체할 수도 있다. 예를 들어, 제2처리챔버(1340)가 케미컬을 이용하여 클리닝공정을 수행하는 경우에는, 플라즈마소스(1348) 대신 케미컬을 공급하는 케미컬공급부를 가질 수 있다. 도 5에는 제2처리챔버(1340)가 플라즈마소스(1348) 및 공급관(1349)을 가지지 아니하고 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예의 제2처리챔버(1340)의 배치에 관하여 설명한다.

도 6 내지 도 8은 도 1의 로드락챔버(1310)와 제2처리챔버(1340)의 배치에 관한 사시도이다.

제2처리챔버(1340)는 로드락챔버(1310)와 함께 배치되어 제공된다.

제2처리챔버(1340)와 로드락챔버(1310)는 상하로 적층되어 배치될 수 있다. 다만, 로드락챔버(1310)와 제2처리챔버(1340)의 배치는 이와 상이할 수 있다.

제2처리챔버(1340)가 로드락챔버(1310)의 하부에 배치되어 적층될 수 있다. 도 6을 참고하면, 하나의 제2처리챔버(1340)가 로드락챔버(1310)의 하부에 배치되어 적층되고, 이송모듈(1200)의 길이방향(x)으로 나란하게 다른 로드락챔버(1310)들이 서로 적층될 수 있다.

한편, 처리모듈(1300)에는 적어도 하나의 제2처리챔버(1340)가 제공될 수 있다. 제2처리챔버(1340)가 복수인 경우에는, 이송모듈(1200)의 길이방향(x)으로 나란하게 제공될 수 있다. 도 7을 참고하면, 두 개의 제2처리챔버(1340)가 각각 로드락챔버(1310)의 하부에 배치되어 적층될 수 있다.

제2처리챔버(1340)가 로드락챔버(1310)의 상부에 배치되어 적층될 수 있다. 이때, 하부에 로드락챔버(1310), 로드락챔버(1310)의 상부에 제2처리챔버(1340)의 하우징(1341), 제2처리챔버(1340)의 하우징(1341)의 상부에 플라즈마소스(1348)가 적층되어 배치될 수 있다. 도 8을 참고하면, 두 개의 제2처리챔버(1340)가 각각 로드락챔버(1310)의 상부에 배치되어 적층될 수 있다.

*제2처리챔버(1340)의 일부가 로드락챔버(1310)의 상부에 배치되고, 다른 일부가 로드락챔버(1310)의 하부에 배치되어 적층될 수 있다. 예를 들어, 로드락챔버(1310)를 사이에 두고 로드락챔버(1310)의 상부 또는 하부에 제2처리챔버(1340)의 하우징(1341)이 배치되고, 반대측에 제2처리챔버(1340)의 플라즈마소스(1348)가 배치되어 적층될 수 있다.

도 9는 로드락챔버(1310)와 제2처리챔버(1340)의 배치에 관한 단면도이다. 도 9를 참고하면, 제2처리챔버(1340)의 하우징(1341)이 로드락챔버(1310)의 하부에 배치되고, 플라즈마소스(1348)는 로드락챔버(1310)의 상부에 배치되어 있고, 공급관(1349)은 플라즈마소스(1348)로부터 로드락챔버(1310)의 외벽의 내부에 매설되어 제2처리챔버(1340)의 내부로 이어지도록 제공될 수 있다. 다만, 플라즈마소스(1348)의 위치와 공급관(1349)의 형태는 이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마소스(1348)는 로드락챔버(1310)의 측면, 플라즈마소스(1348)의 측면이나 하부에 위치할 수 있고, 공급관(1349)은 외벽을 따라 설치될 수 있다.

한편, 서로 적층된 제2처리챔버(1340)와 로드락챔버(1310)는 감압부재(1315, 1345)를 공유할 수 있다. 로드락챔버(1310)와 제2처리챔버(1340)는 각각 별도의 감압펌프(1316, 1346)를 가지거나 또는 하나의 감압펌프(1316, 1346)를 공유할 수 있다. 감압펌프(1316, 1346)를 공유하는 경우에는 펌프라인(1317, 1347)이 감압펌프(1316, 1346)로부터 연장되어 중간에 분기되어 로드락챔버(1310)와 제2처리챔버(1340)로 각각 연결될 수 있다. 분기된 펌프라인(1317, 1347)에는 각각 공기의 흐름을 제어하는 밸브(V)가 설치된다.

또한, 상술한 바와 같이, 처리모듈(1300)에는 적어도 하나의 제2처리챔버(1340)가 제공될 수 있는데, 제2처리챔버(1340)가 복수인 경우에는 각각 플라즈마소스(1348)를 가지거나 또는 플라즈마소스(1348)를 서로 공유할 수 있다.

도 10 및 도 11은 도 1의 플라즈마소스(1348)의 연결관계에 관한 도면이다.

예를 들어, 복수의 제2처리챔버(1340)는 각각 플라즈마소스(1348)를 가질 수 있다. 도 10을 참고하면, 두 개의 제2처리챔버(1340)가 각각 별개의 플라즈마소스(1348)를 가지고, 서로 다른 공급관(1349)을 통해 각각의 플라즈마소스(1348)와 연결될 수 있다.

다른 예를 들어, 복수의 제2처리챔버(1340)가 플라즈마소스(1348)를 공유할 수 있다. 도 11을 참고하면, 두 개의 제2처리챔버(1340)가 하나의 플라즈마소스(1348)를 공유하며, 공급관(1349)이 플라즈마소스(1348)로부터 연장되어 중간에 분기되어 각각의 제2처리챔버(1340)로 연결될 수 있다. 분기된 공급관(1349)에는 각각 플라즈마(P)의 흐름을 제어하는 밸브(V)가 설치된다. 예를 들어, 플라즈마소스(1348)의 일측으로부터 메인 공급관이 연장되어 중간에 각각 하나의 제2처리챔버(1340)로 플라즈마(P)를 공급하는 제1분기관, 다른 제2처리챔버(1340)로 플라즈마(P)를 공급하는 제2분기관으로 분기되고, 각각의 분기관에는 밸브(V)가 구비될 수 있다. 이러한 밸브(V)에 의해서 복수의 제2처리챔버(1340) 중 제2처리공정이 수행되는 챔버로 플라즈마(P)가 선택적으로 제공될 수 있다.

제2처리챔버(1340)가 복수인 경우에는, 감압부재(1345)도 플라즈마소스(1348)와 유사하게 제공될 수 있다. 복수의 제2처리챔버(1340)는 각각 별도의 감압펌프(1346)를 가지거나 또는 감압펌프(1346)를 공유할 수 있다. 감압펌프(1346)를 공유하는 경우에는 펌프라인(1347)이 감압펌프(1346)로부터 연장되어 중간에 분기되어 각각의 제2처리챔버(1340)로 연결될 수 있다. 분기된 펌프라인(1347)에는 각각 공기의 흐름을 제어하는 밸브(V)가 설치된다.

한편, 위에서는 플라즈마소스(1348)와 공급관(1349)이 제2처리챔버(1340)에 포함되는 것으로 설명하였으나, 플라즈마소스(1348)가 반드시 제2처리챔버(1340)의 구성요소로 포함되어야 하는 것은 아니며, 플라즈마소스(1348)나 공급관(1349)은 제2처리챔버(1340)의 외부에 처리모듈(1300)의 구성요소로써 제공될 수 있다.

상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예에 따르면, 제2처리챔버(1340)가 로드락챔버(1310)와 적층되어 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치됨에 따라 트랜스퍼챔버(1320)의 둘레에 더 많은 제1처리챔버(1330)가 제공될 수 있다.

또한, 제2처리챔버(1340)가 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치되어 직접 이송모듈(1200)로 기판(S)을 반송함에 따라 기판(S)의 이송경로가 단축될 수 있다.

따라서, 기판처리장치(1000)에 더 많은 제1처리챔버(1330)가 제공되고 기판(S)의 불필요한 반송이 줄어듦에 따라 기판(S) 처리율이 향상될 수 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 변형예에 관하여 설명한다.

상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예에 따르면, 제2처리챔버(1340)는 로드락챔버(1310)와 적층되어 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치된다.

그러나, 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치되는 제2처리챔버(1340)가 반드시 로드락챔버(1310)와 적층되어야 하는 것은 아니다.

도 12는 서로 적층된 제2처리챔버(1340)의 배치에 관한 사시도이다.

처리모듈(1300)에 복수의 제2처리챔버(1340)가 제공되는 경우에는, 제2처리챔버(1340)는 다른 제2처리챔버(1340)와 적층되어 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치될 수 있다. 도 12를 참고하면, 두 개의 제2처리챔버(1340)가 서로 적층되어 배치되고, 두 개의 로드락챔버(1310)가 서로 적층되어 배치될 수 있다.

제2처리챔버(1340)가 서로 적층된 경우에는, 각각 감압부재(1345)나 플라즈마소스(1348)를 가지거나 또는 감압부재(1345)나 플라즈마소스(1348)를 서로 공유할 수 있다.

또한, 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치되는 제2처리챔버(1340)가 반드시 다른 챔버와 적층되어 배치되어야만 하는 것은 아니다.

도 13은 다른 챔버와 적층되지 아니한 제2처리챔버(1340)에 관한 사시도이다.

도 13을 참고하면, 하나의 제2처리챔버(1340)가 단독으로 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 위치하고, 이송모듈(1200)의 길이방향(x)으로 나란하게 서로 적층된 두 개의 로드락챔버(1310)가 배치될 수 있다.

또한, 제2처리챔버(1340)가 반드시 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치되어야 하는 것은 아니며, 트랜스퍼챔버(1320)의 둘레에 이송모듈(1200)과 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2처리챔버(1340)는 제1챔버와 적층되어 배치될 수 있다.

도 14는 제1처리챔버(1330)와 제2처리챔버(1340)가 적층된 기판처리장치(1000)에 관한 평면도이고, 도 15는 제1처리챔버(1330)와 제2처리챔버(1340)의 배치에 관한 사시도이다. 도 14 및 도 15를 참고하면, 제2처리챔버(1340)가 제1처리챔버(1330)의 상부에 적층되어 배치될 수 있다.

한편, 상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예에 따르면, 제2처리챔버(1340)는 직접 이송모듈(1200)로 기판(S)은 반송한다.

그러나, 제2처리챔버(1340)가 반드시 직접 기판(S)을 이송모듈(1200)로 반송해야 하는 것은 아니며, 제2처리챔버(1340)는 이송모듈(1200)과 기판(S)을 교환하지 아니할 수 있다.

도 16은 이송모듈(1200)과 기판(S)을 교환하지 아니하는 제2처리챔버(1340)의 단면도이다.

제2처리챔버(1340)의 트랜스퍼챔버(1320)와 마주보는 하우징(1341)의 일측에는 개구가 형성되고, 상기 개구를 개폐하는 도어(D)가 형성된다.

그러나, 제2처리챔버(1340)의 하우징(1341)의 상기 일측을 제외한 다른 일측 전부에는 개구와 도어(D)가 없고, 블로킹된다.

이에 따라 제2처리챔버(1340)는 트랜스퍼챔버(1320)와만 기판(S)을 교환하고 이송모듈(1200)과는 기판(S)을 교환하지 아니한다.

제2처리챔버(1340)는 이송모듈(1200)과 기판(S)을 교환하지 아니하는 경우에는 이송모듈(1200)과의 기판(S) 교환에 의한 처리모듈(1300)의 내부압력의 변화는 발생하지 아니한다. 따라서, 제2처리챔버(1340)는 감압부재(1345)를 포함하지 아니할 수도 있다.

제2처리챔버(1340)는 이송모듈(1200)로 직접 기판(S)을 반송할 수 없으므로, 제2처리챔버(1340)에서 제2처리공정이 수행된 기판(S)은 트랜스퍼챔버(1320)의 반송로봇(1325)에 의해 제2처리챔버(1340)로부터 인출되어 로드락챔버(1310)로 반송되고, 로드락챔버(1310)로 들어간 기판(S)은 다시 이송모듈(1200)의 반송로봇(1220)에 의해 인출되어 용기(C)에 수납될 수 있다.

이처럼, 트랜스퍼챔버(1320)와 마주보는 일측에만 개구가 형성되고, 다른 일측은 전부 블로킹된 제2처리챔버(1340)는 이송모듈(1200)과 트랜스퍼챔버(1320) 사이에 배치되거나 또는 이송모듈(1200)과 이격되어 트랜스퍼챔버(1320)의 둘레에 배치될 수 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)를 이용하여 설명한다.

본 발명에 따른 기판처리방법을 설명함에 있어서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)를 이용하는 것은 설명을 용이하게 하기 위한 것에 불과하므로, 본 발명에 따른 기판처리방법이 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)에 의하여 한정되는 것은 아니다.

따라서, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 본 발명에 따른 기판처리장치(1000) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 기능을 수행하는 다른 기판처리장치를 이용하여 수행될 수 있다.

도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예의 순서도 및 기판(S)의 이동경로에 관한 도면이다.

본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예는, 도 17에 도시된 바와 같이, 이송모듈(1200)이 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 수납된 기판(S)을 처리모듈(1300)로 반송하는 단계(S110), 트랜스퍼챔버(1320)가 제1처리챔버(1330)로 기판(S)을 반송하는 단계(S120), 제1처리챔버(1330)가 제1처리공정을 수행하는 단계(S130), 트랜스퍼챔버(1320)가 기판(S)을 제2처리챔버(1340)로 반송하는 단계(S140), 제2처리챔버(1340)가 제2처리공정을 수행하는 단계(S150) 및 기판(S)이 제2처리챔버(1340)로부터 직접 이송모듈(1200)로 반송되는 단계(S160)을 포함할 수 있다.

이송모듈(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 수납된 기판(S)을 처리모듈(1300)로 반송한다(S110).

이송모듈(1200)은 용기(C)로부터 수납된 기판(S)을 인출한다.

이송모듈(1200)의 용기오프너가 용기(C)를 열고, 이송모듈(1200)의 반송로봇(1220)이 용기(C)로부터 기판(S)을 인출한다. 반송로봇(1220)이 복수의 핸드(1225)를 가지는 경우에는 동시에 복수 개의 기판(S)을 인출할 수 있다.

이송모듈(1200)은 인출된 기판(S)을 로드락챔버(1310)로 반송한다.

로드락챔버(1310)의 이송모듈(1200)과 마주보는 일측에 형성된 개구가 열리면, 이송모듈(1200)의 반송로봇(1220)이 로드락챔버(1310)로 기판(S)을 반송한다.

로드락챔버(1310)의 내부에 기판(S)이 유입되면, 기판(S)은 버퍼슬롯(1311)에 안착된다. 로드락챔버(1310)의 버퍼슬롯(1311)이 복수인 경우에는 복수의 기판(S)이 로드락챔버(1310)의 버퍼슬롯(1311) 각각에 안착될 수 있다.

기판(S)이 안착되면, 로드락챔버(1310)의 도어(D)에 의해 개구가 닫혀 로드락챔버(1310) 내부의 버퍼공간(B)이 외부와 격리된다.

처리모듈(1300)의 내부압력과 이송모듈(1200)의 내부압력이 상이한 경우에는, 로드락챔버(1310)의 감압부재(1315)가 로드락챔버(1310)의 내부압력을 처리모듈(1300)의 내부압력으로 제어한다. 예를 들어, 이송모듈(1200)의 하우징(1210) 내부가 대기압이고, 트랜스퍼챔버(1320), 제1처리챔버(1330) 및 제2처리챔버(1340)가 진공상태인 경우, 로드락챔버(1310)는 기판(S)이 유입된 후 도어(D)를 닫고 감압부재(1315)가 내부를 진공으로 감압할 수 있다.

감압이 충분히 이루어지면, 로드락챔버(1310)는 트랜스퍼챔버(1320)와 마주보는 다른 일측에 형성된 개구를 열어 기판(S)이 트랜스퍼챔버(1320)로 반송되도록 한다.

트랜스퍼챔버(1320)가 제1처리챔버(1330)로 기판(S)을 반송한다(S120).

로드락챔버(1310)의 상기 일측의 개구가 열리면, 트랜스퍼챔버(1320)의 반송로봇(1325)이 로드락챔버(1310)로부터 제1처리챔버(1330)로 기판(S)을 반송한다. 반송로봇(1325)의 핸드(1326)와 제1처리챔버(1330)가 복수인 경우에는 동시에 복수의 기판(S)을 반송할 수도 있다. 또한, 공정레시피에 따라 기판(S)에 대하여 복수의 제1처리공정을 수행하는 것이 요구되는 경우에는 공정레시피에 따라 복수의 제1처리챔버(1330)에 순차적으로 기판(S)이 반송될 수도 있다.

제1처리챔버(1330)가 제1처리공정을 수행한다(S130).

기판(S)이 제1처리챔버(1330) 내로 유입되면, 제1처리챔버(1330)는 기판(S)에 대하여 제1처리공정을 수행한다. 제1처리공정에 관해서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예에서 상술한 바 있다.

트랜스퍼챔버(1320)가 기판(S)을 제2처리챔버(1340)로 반송한다(S140).

기판(S)에 대하여 제1처리공정이 수행되면, 트랜스퍼챔버(1320)의 반송로봇(1325)이 기판(S)을 제2처리챔버(1340)로 반송한다.

반송로봇(1325)의 핸드(1326)가 복수이고, 제2처리챔버(1340)가 복수이거나 또는 하나의 제2처리챔버(1340)가 복수의 기판(S)을 수용할 수 있는 경우에는 동시에 복수의 기판(S)을 반송할 수도 있다.

제2처리챔버(1340)로 기판(S)이 유입되기 전에 제2처리챔버(1340)의 감압부재(1345)가 내부압력을 제어할 수 있다.

상술한 바와 같이, 처리모듈(1300)과 이송모듈(1200)은 그 내부압력이 서로 상이할 수 있다. 후술할 바와 같이, 제2처리챔버(1340)는 이송모듈(1200)과 직접 기판(S)을 교환하는데 이 과정에서 이송모듈(1200)로부터 제2처리챔버(1340)로 공기가 유입될 수 있다. 따라서, 제2처리챔버(1340)의 감압부재(1345)는 트랜스퍼챔버(1320)와 기판(S)을 교환하기 전에 트랜스퍼챔버(1320)를 비롯한 처리모듈(1300)의 내부압력을 유지하기 위해 제2처리챔버(1340)의 내부를 감압할 수 있다. 예를 들어, 감압부재(1345)는 제2처리챔버(1340) 내부에 진공압을 인가할 수 있다.

제2처리챔버(1340)가 제2처리공정을 수행한다(S150).

기판(S)이 제2처리챔버(1340) 내로 유입되면, 제2처리챔버(1340)는 기판(S)에 대하여 제2처리공정을 수행한다. 제2처리공정에 관해서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)의 일 실시예에서 상술한 바 있다.

기판(S)이 제2처리챔버(1340)의 하우징(1341)으로 유입되면, 기판(S)은 지지부재(1342)에 안착된다.

기판(S)이 지지부재(1342)에 안착되면, 제2처리챔버(1340)가 제2처리공정을 수행한다.

예를 들어, 제2처리챔버(1340)는 플라즈마(P)를 이용하여 클리닝공정을 수행할 수 있다. 기판(S)이 지지부재(1342)에 안착되면, 가열부재(1343)는 기판(S)을 소정의 온도로 가열한다. 기판(S)이 충분히 가열되면, 플라즈마소스(1348)에서 생성된 플라즈마(P)가 공급관(1349)을 통해 하우징(1341) 내부로 공급되고, 플라즈마(P)에 의해 기판(S) 상의 오염물질 내지는 불순물이 제거되어 기판(S)이 세정된다.

기판(S)이 제2처리챔버(1340)로부터 직접 이송모듈(1200)로 반송될 수 있다(S160).

제2처리공정이 수행된 후 제2처리챔버(1340)는 직접 기판(S)을 이송모듈(1200)로 반송한다.

제2처리공정이 종료되면 제2처리챔버(1340)의 하우징(1341)의 이송모듈(1200)과 마주보는 일측에 형성된 개구가 열리고, 이송모듈(1200)의 반송로봇(1220)이 제2처리챔버(1340)로부터 기판(S)을 인출한다.

제2처리챔버(1340)로부터 인출된 기판(S)의 이송모듈(1200)의 반송로봇(1220)에 의해 용기(C)에 수용될 수 있다.

상술한 본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예에 따르면, 기판(S)에 대하여 제2처리공정이 처리된 후 기판(S)이 제2처리공정으로부터 직접 이송모듈(1200)로 반송됨에 따라 불필요하게 제2처리챔버(1340)로부터 로드락챔버(1310)로, 로드락챔버(1310)에서 이송모듈(1200)로 반송되는 과정을 거치지 아니하므로 기판(S)의 처리율이 향상될 수 있다.

또한, 제2처리챔버(1340)가 로드락챔버(1310)와 적층된 형태로 제공됨에 따라 트랜스퍼챔버(1320)의 둘레에 더 많은 제1처리챔버(1330)를 배치할 수 있다. 제1처리챔버(1330)에서 수행되는 제1처리공정을 수행하는데 가장 많은 시간이 소요될 수 잇는데, 이 경우에는 기판(S)의 전체 처리율은 제1처리공정의 개수가 증감함에 따라 향상될 수 있다. 따라서, 처리모듈(1300)이 더 많은 수의 제1처리챔버(1330)를 가짐에 따라 기판(S)의 전체 처리율이 향상될 수 있다.

도 19 및 도 20은 본 발명에 따른 기판처리방법의 제2실시예에 관한 순서도 및 기판(S)의 이동경로에 관한 도면이다.

본 발명에 따른 기판처리방법의 제2실시예는, 도 19에 도시된 바와 같이, 이송모듈(1200)이 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 수납된 기판(S)을 로드락챔버(1310)로 반송하는 단계(S210), 트랜스퍼챔버(1320)가 제1처리챔버(1330)로 기판(S)을 반송하는 단계(S220), 제1처리챔버(1330)가 제1처리공정을 수행하는 단계(S230), 트랜스퍼챔버(1320)가 기판(S)을 제2처리챔버(1340)로 반송하는 단계(S240), 제2처리챔버(1340)가 제2처리공정을 수행하는 단계(S250), 트랜스퍼챔버(1320)가 로드락챔버(1310)로 기판(S)을 반송하는 단계(S260) 및 기판(S)이 이송모듈(1200)로 반송되는 단계(S270)을 포함할 수 있다.

이송모듈(1200)이 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 수납된 기판(S)을 로드락챔버(1310)로 반송하는 단계(S210), 트랜스퍼챔버(1320)가 제1처리챔버(1330)로 기판(S)을 반송하는 단계(S220), 제1처리챔버(1330)가 제1처리공정을 수행하는 단계(S230)는 본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예에서 상술한 내용과 동일 또는 유사하게 수행될 수 있다.

트랜스퍼챔버(1320)가 기판(S)을 제2처리챔버(1340)로 반송한다(S240).

제1처리챔버(1330)에서 제1처리공정이 수행되면, 트랜스퍼챔버(1320)의 반송로봇(1325)이 기판(S)을 제1처리챔버(1330)로부터 제2처리챔버(1340)로 반송한다. 이때, 제2처리챔버(1340)는 트랜스퍼챔버(1320)와 이송모듈(1200)의 사이에 배치되며, 트랜스퍼챔버(1320)와 마주보는 하우징(1341)의 일측에는 개구가 형성되어 있으나, 이송모듈(1200)과 마주보는 일측은 개구가 없이 블로킹되어 있다.

후술되는 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리방법의 제2실시예에서는 기판(S)이 제2처리챔버(1340)와 이송모듈(1200)이 직접적으로 기판(S)을 교환하지는 아니하므로 감압부재(1345)가 하우징(1341) 내부를 감압하지 아니할 수도 있다.

제2처리챔버(1340)가 제2처리공정을 수행한다(S250). 제2처리챔버(1340)는 본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예에서와 동일 또는 유사하게 제2처리공정을 수행할 수 있다.

트랜스퍼챔버(1320)가 로드락챔버(1310)로 기판(S)을 반송한다(S260).

제2처리공정이 수행된 후 트랜스퍼챔버(1320)의 이송로봇은 제2처리챔버(1340)로부터 기판(S)을 인출한다. 이송로봇은 인출한 기판(S)을 로드락챔버(1310)로 반송한다.

한편, 기판(S)이 로드락챔버(1310)로 반송되도록 로드락챔버(1310)의 이송모듈(1200)과 마주보는 일측의 도어(D)가 열리기 전에 로드락챔버(1310)의 감압부재(1315)가 로드락챔버(1310) 내부압력을 제어할 수 있다.

기판(S)이 이송모듈(1200)로 반송된다(S260).

기판(S)은 이송모듈(1200)의 반송로봇(1220)에 의해 인출된다. 이에 따라 기판(S)은 로드락챔버(1310)로부터 이송모듈(1200)로 반송되며, 반송로봇(1220)은 기판(S)을 다시 용기(C)에 수용할 수 있다. 기판(S)이 용기(C)에 수납되면, 수납되면 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼 등의 장비에 의해 외부로 반송될 수 있다.

상술한 본 발명에 따른 기판처리방법의 제1실시예 및 제2실시예에서는 제1처리공정이 제2처리공정보다 먼저 수행되고 있다. 이때, 제2처리공정은 제1처리공정에 대한 후속공정일 수 있다. 예를 들어, 제2처리공정이 식각공정인 경우, 제2처리공정은 세정공정이나, 스트립공정 또는 애싱공정일 수 있다.

그러나, 제1처리공정이 반드시 제2처리공정보다 먼저 수행되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 제2처리공정은 제1처리공정의 선행공정일 수 있다. 예를 들어, 제1처리공정이 식각공정인 경우, 제2처리공정은 소프트베이킹공정, 세정공정, 어드히젼공정 등일 수 있다.

이처럼, 제1처리공정에 앞선 선행공정으로 제2처리공정이 수행되어야 하는 경우에는, 본 발명에 따른 기판처리방법이 상술한 제1, 제2실시예로부터 변형되어 적용될 수 있다.

먼저 제1실시예는 다음과 같이 변형되어 적용될 수 있다.

단계 S110에서 용기에 수납된 기판(S)이 로드락챔버(1310) 대신 제2처리챔버(1340)을 통해 처리모듈(1300)로 반송될 수 있다.

이 과정 중에 제2처리챔버(1340)에서는 제2처리공정이 수행된다. 즉, 단계 S150이 단계 S110 이후에 바로 수행된다. 이로 인해, 로드락챔버(1310)를 거치지 아니하고 이송모듈(1200)로부터 직접 제2처리챔버(1340)로 기판(S)이 진입하여 바로 제2처리공정이 수행되어 기판(S)의 이송경로가 단축되고, 이송경로 상에서 처리공정이 진행되어 기판(S)의 처리율이 향상될 수 잇다.

제2처리공정이 수행되면, 기판(S)은 제2처리챔버(1340)으로부터 제1처리챔버(1330)로 반송된다. 즉, 단계 S120에서 기판(S)이 로드락챔버(1310) 대신 제2처리챔버(1340)로부터 제1처리챔버(1330)로 반송되는 것이다. 이후, 단계 S130이 수행된다.

단계 S140에서는 기판(S)이 제1처리챔버(1330)로부터 제2처리챔버(1340) 대신 로드락챔버(1310)로 이송된다.

단계 S150은 이미 수행되었으므로, 바로 단계 S160이 수행되는데, 이때 기판(S)은 제2처리챔버(1340) 대신 로드락챔버(1310)에서 이송모듈(1200)로 기판(S)이 반송된다.

다음으로 제2실시예는 다음과 같이 변형되어 적용될 수 있다.

단계 S210은 그대로 수행된다. 단계 S220대신 단계 S240이 수행된다. 즉, 로드락챔버(1310)으로부터 제1처리챔버(1330) 대신 제2처리챔버(1340)로 기판(S)이 반송되는 것이다. 이어서 단계 S250이 수행된다.

제2처리공정이 수행되면, S220을 수행한다. 즉, 로드락챔버(1310) 대신 제2처리챔버(1340)로부터 제1처리챔버(1330)로 기판(S)이 이송되는 것이다. 이어서 단계 S230이 수행된다.

제`처리공정이 종료되면, 단계 S260과 단계 S270이 수행된다. 여기서, 단계 S260에서는 기판(S)이 제2처리챔버(1340) 대신 제1처리챔버(1330)로부터 로드락챔버(1310)으로 반송될 것이다.

상술한 제1실시예와 제2실시예의 변형예에 따라, 제1처리공정의 선행공정으로 제2처리공정이 수행될 수 있다.

상술한 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 각 실시예를 구성하는 단계는 필수적인 것은 아니며, 따라서 각 실시예는 상술한 단계를 선택적으로 포함할 수 있다. 나아가, 각 실시예들은 서로 개별적으로 또는 조합되어 이용될 수 있으며, 각 실시예를 구성하는 단계들도 다른 실시예를 구성하는 단계들과 개별적으로 또는 조합되어 이용될 수 있다.

또한, 각 실시예를 구성하는 각 단계는 반드시 설명된 순서에 따라 수행되어야 하는 것은 아니며, 나중에 설명된 단계가 먼저 설명된 단계보다 먼저 수행될 수도 있다.

또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

1000: 기판처리장치
1100: 로드포트
1200: 이송모듈
1210: 하우징
1220: 반송로봇
1225: 핸드
1300: 처리모듈
1310: 로드락챔버
1311: 버퍼슬롯
1315: 감압부재
1316: 감압펌프
1317: 펌프라인
1320: 트랜스퍼챔버
1325: 반송로봇
1326: 핸드
1330: 제1처리챔버
1340: 제2처리챔버
1341: 하우징
1342: 지지부재
1343: 가열부재
1345: 감압부재
1346: 감압펌프
1347: 펌프라인
1348: 플라즈마소스
1349: 공급관
C: 용기
x: 이송모듈의 길이방향
D: 도어
S: 기판
B: 버퍼공간
P: 플라즈마
V: 밸브

Claims

기판이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트;
상기 기판을 처리하는 처리모듈; 및
상기 용기와 상기 처리모듈 간에 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 이송모듈;을 포함하되,
상기 처리모듈은,
상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 트랜스퍼챔버,
상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치되는 로드락챔버,
상기 트랜스퍼챔버의 둘레에 상기 이송모듈과 이격 배치되어 제1처리공정을 수행하는 제1처리챔버 및
상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치되어 제2처리공정을 수행하는 제2처리챔버를 포함하되,
상기 제2처리챔버는,
플라즈마를 생성하는 플라즈마소스 및
상기 생성된 플라즈마를 상기 하우징 내부로 공급하는 공급관을 포함하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 제2처리챔버는,
상기 트랜스퍼챔버와 마주보는 측면에 제1개구가 형성되고, 상기 이송모듈과 마주보는 측면에 제2개구가 형성된 하우징,
상기 제1개구를 개폐하는 제1도어,
상기 제2개구를 개폐하는 제2도어,
상기 하우징 내부를 감압하는 감압부재,
상기 하우징 내에 위치되어, 상기 기판을 지지하는 지지부재 및
상기 지지부재에 놓인 기판을 가열하는 가열부재를 포함하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 제2처리챔버는,
상기 트랜스퍼챔버와 마주보는 측면에 제1개구가 형성되고, 타측은 블로킹된 하우징,
상기 제1개구를 개폐하는 제1도어,
상기 하우징 내에 위치되어, 상기 기판을 지지하는 지지부재 및
상기 지지부재에 놓인 기판을 가열하는 가열부재를 포함하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 로드락챔버는,
버퍼공간을 제공하되, 상기 트랜스퍼챔버와 마주보는 측면에 제1개구가 형성되고, 상기 이송모듈과 마주보는 측면에 제2개구가 형성된 하우징,
상기 제1개구를 개폐하는 제1도어,
상기 제2개구를 개폐하는 제2도어 및
상기 버퍼공간에 상기 기판이 놓이도록 상기 기판을 지지하는 적어도 하나의 슬롯을 포함하는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 로드락챔버와 상기 제2처리챔버가 서로 적층되는 기판처리장치.
제1항에 있어서,
상기 제2처리챔버가 상기 로드락챔버의 하부에 배치되는 기판처리장치.
기판이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트, 상기 기판을 처리하는 처리모듈 및 상기 용기와 상기 처리모듈 간에 상기 기판을 반송하는 로봇이 제공되는 이송모듈을 포함하되, 상기 처리모듈이 트랜스퍼챔버, 제1처리챔버, 로드락챔버 및 제2처리챔버를 포함하는 기판처리장치를 이용하는 기판처리방법에 있어서,
상기 용기에 수납된 기판이 상기 이송모듈로부터 상기 로드락챔버를 거쳐 상기 처리모듈로 진입하는 단계;
상기 제1처리챔버가 제1처리공정을 수행하는 단계;
상기 트랜스퍼챔버와 상기 이송모듈 사이에 배치되는 상기 제2처리챔버가 제2처리공정을 수행하는 단계; 및
상기 처리모듈로부터 상기 이송모듈로 상기 기판이 반송되는 단계;를 포함하되,
상기 제2처리공정은, 클리닝공정, 스트립공정, 애싱공정 및 가열공정 중 적어도 하나를 포함하는 기판처리방법.
제7항에 있어서,
상기 기판을 상기 이송모듈로 반송하는 단계는,
상기 제2처리공정을 수행한 후 상기 제2처리챔버에서 직접 상기 이송모듈로 상기 기판을 반송하는 기판처리방법.
제8항에 있어서,
상기 기판이 제2처리챔버로 진입하기 전, 상기 제2처리챔버의 압력을 감압하는 단계;를 더 포함하는 기판처리방법.
제7항에 있어서,
상기 기판을 상기 이송모듈로 반송하는 단계는,
상기 제2처리공정을 수행한 후 상기 트랜스퍼챔버의 반송로봇이 상기 제2처리챔버로부터 상기 로드락챔버로 상기 기판을 반송하는 단계 및 상기 이송모듈의 반송로봇이 상기 로드락챔버로부터 상기 기판을 인출하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
제7항 내지 제10항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제1처리공정은, 식각공정, 박리공정, 애싱공정, 스트립공정 및 증착공정 중 적어도 하나를 포함하는 기판처리방법.
제7항 내지 제10항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제2처리공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정인 기판처리방법.