KR102395352B1 - 반송 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판의 반송에 대해 미처리의 기판에의 열의 영향을 억제한다. 진공으로 보지된 진공 반송실과, 상기 진공 반송실에 접속된 제 1 처리실, 제 2 처리실 및 전실과, 상기 진공 반송실에 배치되고, 상기 제 1 처리실, 상기 제 2 처리실 및 상기 전실의 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 전실로부터 반출한 기판을 상기 제 1 처리실과 상기 제 2 처리실의 순서로 연속해서 반송하는 공정을 각 기판에 대해 반복 실시하는 반송 방법에 있어서, 상기 제 1 처리실과 상기 제 2 처리실을, 상기 제 1 처리실의 온도가 상기 제 2 처리실의 온도보다 저온으로 되듯이 각각 가열하는 제 1 공정과, 상기 기판 반송 장치에 의해 상기 제 1 처리실로부터 처리완료의 기판을 수취하여, 상기 제 2 처리실에 반송하는 제 2 공정과, 상기 기판 반송 장치에 의해 상기 전실로부터 미처리의 기판을 수취하여, 상기 제 1 처리실에 반송하는 제 3 공정을 포함하며, 상기 제 2 공정 및 상기 제 3 공정은 기판마다 반복 실행되고, 상기 제 3 공정은 상기 제 1 처리실에 기판이 탑재되어 있지 않은 경우에 실행되는, 반송 방법이 제공된다.

Description

반송 방법{TRANSFER METHOD}
본 개시는 반송 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 특허문헌 1은, 진공 반송실에 복수의 처리실을 접속한 클러스터형의 기판 처리 장치에 있어서, 진공 반송실에 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 마련하고, 기판 반송 장치에 구비된 2개의 아암에 의해 각 처리실에 대해서 기판을 주고받음을 실시하는 것을 제안하고 있다.
일본 특허 공개 제 2011-205044 호 공보
본 개시는, 기판의 반송에 있어서 미처리의 기판에의 열의 영향을 억제하는 것이 가능한 기술을 제공한다.
본 개시의 하나의 태양에 의하면, 진공으로 보지된 진공 반송실과, 상기 진공 반송실에 접속된 제 1 처리실, 제 2 처리실 및 전실과, 상기 진공 반송실에 배치되고, 상기 제 1 처리실, 상기 제 2 처리실 및 상기 전실의 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치에서, 상기 전실로부터 반출한 기판을 상기 제 1 처리실과 상기 제 2 처리실의 순서로 연속해서 반송하는 공정을 각 기판에 대해서 반복 실시하는 반송 방법에 있어서, 상기 제 1 처리실과 상기 제 2 처리실을, 상기 제 1 처리실의 온도가 상기 제 2 처리실의 온도보다 저온이 되도록 각각 가열하는 제 1 공정과, 상기 기판 반송 장치에 의해 상기 제 1 처리실로부터 처리완료의 기판을 수취하고, 상기 제 2 처리실에 반송하는 제 2 공정과, 상기 기판 반송 장치에 의해 상기 전실로부터 미처리의 기판을 수취하고, 상기 제 1 처리실에 반송하는 제 3 공정을 구비하며, 상기 제 2 공정 및 상기 제 3 공정은, 기판마다 반복 실행되고, 상기 제 3 공정은, 상기 제 1 처리실에 기판이 탑재되어 있지 않은 경우에 실행되는, 반송 방법이 제공된다.
하나의 측면에 의하면, 기판의 반송에 있어서 미처리의 기판에의 열의 영향을 억제할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시형태에 관한 시리얼 반송의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 일 실시형태에 관한 반송 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
이하, 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조해서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 도면부호를 부여하는 것으로 중복되는 설명을 생략한다.
[기판 처리 장치의 구성]
우선, 본 개시의 일 실시형태에 관한 기판 처리 장치(10)에 대해서, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은 일 실시형태에 관한 기판 처리 장치(10)의 일례를 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치(10)는, 진공으로 보지되고, 기판의 일례인 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 진공 반송실(1)과, 진공 반송실(1)의 주위에서 각각 기밀로 접속되고, 웨이퍼(W)에 대해서 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리 모듈을 구비한다. 이 예에서는, 처리 모듈은 예를 들면 4개 설치되어 있지만, 2개 이상 설치되어 있으면 좋다. 이하에서는, 4개의 처리 모듈을 처리실 PM1, PM2, PM3, PM4라고 하고, 총칭해서 처리실 PM이라고 한다. 본 실시형태에서는, 처리실 PM1은 제 1 처리실의 일례이며, 처리실 PM4는 제 2 처리실의 일례이다. 4개의 처리실 PM1~PM4 및 2개의 로드록실(21)은 6각형의 진공 반송실(1)의 각 변에 각각 접속되어 있다.
처리실 PM1에서는, 내부가 예를 들면 30℃ 정도(상온의 범위)의 소정 온도로 가열된 상태로 웨이퍼(W)에 소정의 처리가 실행된다. 처리실 PM4에서는, 처리실 PM1의 온도보다 고온이며, 예를 들면 150~200℃의 범위의 소정 온도로 가열된 상태로 웨이퍼(W)에 소정의 처리가 실행된다. 이하, 처리실 PM1에서 행해지는 처리를 「저온 처리」라고도 하고, 처리실 PM4에서 행해지는 처리를 「고온 처리」라고도 말한다.
예를 들면, 처리실 PM1은 COR(Chemical Oxide Removal) 처리실이라도 좋고, 처리실 PM4는 PHT(Post Heat Treatment) 처리실이라도 좋다. 이 경우, 처리실 PM1에서 행해지는 저온 처리로서는, 실리콘의 웨이퍼(W) 상에 부착한 이물, 예를 들면 자연 산화막 등의 산화막과 예를 들면 암모니아(NH3) 가스 및 불화 수소(HF) 가스 등의 가스 분자를 화학 반응시키는 처리를 일례로서 들 수 있다. 이 경우, 부생성물로서 주로 (NH4)2SiF6이 생성된다. 처리실 PM4에서 행해지는 고온 처리로서는, COR 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 가열하고, COR 처리의 화학 반응에 의해서 웨이퍼(W) 상에 생성한 부생성물을 기화(승화)시켜 웨이퍼(W)로부터 제거하는 처리를 일례로서 들 수 있다.
다만, 처리실 PM1에서 행해지는 저온 처리 및 처리실 PM4에서 행해지는 고온 처리는 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리실 PM4에서 행해지는 고온 처리로서는, 플라즈마를 이용한 드라이 에칭 처리, 애싱 처리라도 좋다. 그 외의 고온 처리로서는, 열 CVD(Chemical Vapor Deposition)나 ALD(Atomic Layer Deposition)에 의한 성막 처리, 어닐 처리라도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)에 포함되는 수분을 제거하기 위해서 웨이퍼(W)를 예를 들면 200℃ 정도로 가열하는 수분 제거 처리라도 좋다. 그리고, 처리실 PM1 및 처리실 PM4는, 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대, 실내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급로 및 실내를 진공 배기하는 배기관 등을 가지고 있다. 처리실 PM2 및 처리실 PM3에 대해도 처리실 PM4에서 처리완료의 웨이퍼(W)의 성막 처리나, 드라이 에칭 처리, 애싱 처리, 클리닝 처리 등을 할 수 있다.
진공 반송실(1)의 내부에는, 기판 반송 장치(2)가 배치되어 있다. 기판 반송 장치(2)는 제 1 반송 아암(11)과 제 2 반송 아암(12)의 2개의 아암을 갖고, 2개의 아암의 한쪽 또는 양쪽 모두 위에 웨이퍼(W)를 보지해서 반송한다.
제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)은, 진공 반송실(1)의 바닥면에 마련된 회전 기구(13)에 의해 동축 둘레로 회전 가능하게 그리고 승강 가능하게 구성되어 있다. 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)의 선단부는, 각각 예를 들면 U자형으로 형성되어 웨이퍼(W)를 보지하는 픽(14, 15)을 이루고, 처리실 PM1~ 처리실 PM4 및 2개의 로드록실(21)에 대해서 수평 방향으로 각각 독립해 진퇴 가능하게 구성되어 있다.
제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)은, 예를 들면 회전 기구(13)로부터 신장될 때의 진행 방향이 서로 역방향이 되도록 회전 기구(13)에 각각 접속되어 있다. 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)의 진퇴 및 승강과, 각 처리실 PM 내의 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대에 마련된 승강 핀의 승강과의 협동 작용에 의해 각 처리실 PM 및 로드록실(21)의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 실행한다.
로드록실(21)은 진공 반송실(1)에 기밀로 접속되어, 내부의 분위기를 진공 분위기와 대기 분위기와의 사이에 있어서 전환한다. 본 실시형태에서는, 로드록실(21)은 2개 설치되어 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
2개의 로드록실(21)에는, 대기 분위기에 있어서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 공통의 대기 반송실(22)이 기밀로 접속되어 있다. 대기 반송실(22)에는, 예를 들면 25매의 웨이퍼(W)가 수납된 FOUP3을 탑재하기 위한 로드 포트(23)의 탑재대가 복수 개소에 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 탑재대는 4개소에 설치되지만, 이것으로 한정되지 않는다. 압압 기구(3a)는 탑재대 위의 FOUP3을 대기 반송실(22) 측으로 압박하도록 기능한다.
대기 반송실(22)의 내부에는, 로드록실(21)과 FOUP3과의 사이에 있어서 웨이퍼(W)의 주고받음을 실행하기 위해서, 연직축 둘레로 회전 가능하게 및 대기 반송실(22)의 길이방향에 배열된 로드 포트(23)를 따라서 평행으로 이동 가능하게 구성된 대기 반송 아암(24)이 설치되어 있다. 2개의 로드록실(21)의 사이에는, 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 실행하는 얼라이먼트 기구(25)가 설치되어 있다.
진공 반송실(1)과 처리실 PM1~PM4의 사이, 진공 반송실(1)과 로드록실(21)의 사이, 로드록실(21)과 대기 반송실(22)의 사이에는 각각 게이트 밸브(G)가 설치되고, 게이트 밸브(G)의 개폐에 의해 웨이퍼(W)를 기밀로 반송한다.
이러한 구성의 기판 처리 장치(10)는, 예를 들어 컴퓨터로 구성되는 제어부(30)를 구비한다. 제어부(30)는 기판 처리 장치(10)의 전체를 제어한다. 제어부(30)는 메모리 및 CPU를 갖고, 메모리에는 각 처리실 PM에서 처리를 실시하기 위해서 사용되는 프로그램 및 레시피가 기억되어 있다. 프로그램에는, 처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램이 포함된다. 레시피에는, 처리실 PM이 가열되는 온도 등의 프로세스 조건이나 처리 순서, 웨이퍼(W)의 반송 경로가 설정되어 있다.
CPU는, 메모리에 기억된 프로그램 및 레시피에 따라, FOUP3으로부터 취출된 웨이퍼(W)를 대기 반송 아암(24), 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)을 이용해서 소정의 경로에서 복수의 처리실 PM에 반송한다. 그리고, CPU는, 레시피에 설정된 프로세스 조건에 근거해서 각 처리실 PM에서 소정의 처리를 실행한다. 프로그램은, 컴퓨터 기억 매체, 예를 들면 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광학 자기 디스크) 등의 기억부에 격납되어 제어부(30)에 인스톨되어도 좋고, 통신 기능을 사용해 다운로드해도 좋다.
FOUP3으로부터 반출된 미처리의 웨이퍼(W)는, 대기 반송 아암(24)에 의해 로드록실(21)에 반송된다. 다음에, 미처리의 웨이퍼(W)는, 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)을 이용해 로드록실(21)→기판 반송 장치(2)→처리실 PM1에 반송되고, 처리실 PM1에서 저온 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 처리실 PM1→기판 반송 장치(2)→처리실 PM4에 반송되어, 처리실 PM4에서 고온 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 처리실 PM4→기판 반송 장치(2)→처리실 PM2 또는 처리실 PM3→기판 반송 장치(2)→로드록실(21)에 반송되어, 처리실 PM2 또는 처리실 PM3에서 성막 처리 후, FOUP3에 되돌려진다.
이와 같이, 로드록실(21)로부터 반출한 웨이퍼(W)를 처리실 PM1, 처리실 PM4의 순서로 연속해서 반송하고, 각 처리실 PM1, PM4에서 각각의 처리를 실시하는 공정을 각 웨이퍼(W)에 대해 반복 실시한다. 이상과 같이, 각 웨이퍼(W)가 2개 이상의 상이한 처리실 PM에 순서대로 연속해서 반송되는(떠돌아다님) 반송 방법을 「시리얼 반송」이라고도 말한다. 또한, 로드록실(21)은 전실의 일례이며, 처리실 PM1은 전실로부터 반출한 웨이퍼(W)를 반입하는 제 1 처리실의 일례이며, 처리실 PM4는 제 1 처리실로부터 반출한 웨이퍼(W)를 반입하는 제 2 처리실의 일례이다.
로드록실(21)로부터 반출한 웨이퍼(W)는 선두의 처리실 PM1에서 저온 처리된다. 종래의 반송 방법에서는, 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)의 한쪽에 의해 로드록실(21)로부터 다음의 미처리의 웨이퍼(W)를 반출하고, 보지한 상태로, 처리실 PM1에서 앞의 웨이퍼(W)를 처리하고 있는 동안, 진공 반송실(1) 내의 처리실 PM1의 앞에서 대기한다.
종래에는, 처리실 PM1에서 앞의 웨이퍼(W)의 처리가 종료하면, 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)의 다른쪽을 처리실 PM1에 넣고, 처리완료의 웨이퍼(W)를 처리실 PM1로부터 반출한다. 그리고, 즉시 대기하고 있던 다음의 미처리의 웨이퍼(W)를 처리실 PM1에 반송한다. 이와 같이, 종래의 반송 방법에서는 2개의 반송 아암을 이용해서 한쪽의 반송 아암에서 처리실 PM1로부터 처리완료의 웨이퍼(W)를 반출하고, 다른쪽의 반송 아암에서 미처리의 웨이퍼(W)를 처리실 PM1에 반입하는 것으로, 처리실 PM1에서 처리하는 웨이퍼(W)를 바꿔 넣는다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)를 효율적으로 반송하고, 반송 시간을 단축할 수 있다.
그러나, 종래의 반송 방법에서는, 한쪽의 반송 아암에서 미처리의 웨이퍼(W)를 보지한 상태로, 다른쪽의 반송 아암을 저온의 처리실 PM1 내에 넣는다. 미처리의 웨이퍼(W)를 보지한 한쪽의 반송 아암은, 예를 들면 연속한 반송에 의해 200℃ 정도의 처리실 PM4로부터 열을 받고 있다. 이와 함께, 처리실 PM4의 처리에 의해 고온으로 되어 있는 웨이퍼(W)를 반송하는 것으로 고온의 웨이퍼(W)로부터도 열을 받고 있다.
이와 같이 해서 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)이 복수의 웨이퍼(W)를 연속해서 반송하는 것으로 처리실 PM4 및 고온의 웨이퍼(W)로부터의 입열에 의해 고온이 된다. 그리고, 종래의 반송 방법에서는, 고온으로 된 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12) 위에 미처리의 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 처리실 PM1의 앞에서 대기한다. 이 때문에, 대기하고 있는 동안에 미처리의 웨이퍼(W)에 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)으로부터 열이 전해져, 미처리의 웨이퍼(W)의 프로세스 결과에 열의 영향이 생기는 경우가 있다.
이러한 과제에 대해서, 본 실시형태에 관한 반송 방법에서는, 미처리의 웨이퍼(W)에의 열영향을 최소한으로 억제하기 위해서, 미처리의 웨이퍼(W)가 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)에 탑재되어 있는 시간을 최소한으로 한다.
구체적 방법으로서는, 본 실시형태에서는, 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼(W)가 있는 경우, 미처리의 웨이퍼(W)는 로드록실(21)로부터 진공 반송실(1)에 반송하지 않고, 로드록실(21)에서 대기시킨다.
한편, 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼(W)가 없는 경우, 로드록실(21)에 반송된 미처리의 웨이퍼(W)를 로드록실(21)로부터 처리실 PM1에 반송한다. 이것에 의해, 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12) 위에 미처리의 웨이퍼(W)를 보지하는 시간을 최소화할 수 있다. 따라서, 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)으로부터 미처리의 웨이퍼(W)에 전해지는 열을 최소한으로 할 수 있다. 이것에 의해, 미처리의 웨이퍼(W)의 프로세스 결과(막의 균일성이나 웨이퍼(W)의 저항값 등)에의 열의 영향을 최소한으로 할 수 있다.
다음에, 도 2를 참조하여, 일 실시형태에 관한 시리얼 반송의 구체적인 예를 설명한다. 여기에서는, 웨이퍼(W)의 반송 경로를, FOUP3→로드록실(21)→진공 반송실(1)→처리실 PM1→진공 반송실(1)→처리실 PM4→진공 반송실(1)→처리실 PM2 또는 처리실 PM3→진공 반송실(1)→로드록실(21)→FOUP3으로 한다. 다만, 반송 경로는 이것으로 한정되지 않고, 2 이상이 상이한 처리실에 연속해서 순서대로 반송하는 시리얼 반송을 행하는 경로이면 좋다.
이하에서는 웨이퍼(W)의 반송 경로에 있어서 진공 반송실(1)을 생략해서 설명한다. 도 2의 (a)에는, 3매의 웨이퍼가 각 처리실 PM에 순서대로 반송된 상태가 도시되어 있다. 우선, 로트(lot)의 1매째의 웨이퍼(101)가 FOUP3→로드록실(21)→처리실 PM1→처리실 PM4→처리실 PM2의 순서로 반송된다. 다음에, 2매째의 웨이퍼(102)가 FOUP3→로드록실(21)→처리실 PM1→처리실 PM4의 순서로 반송된다. 다음에, 3매째의 웨이퍼(103)가 FOUP3→로드록실(21)→처리실 PM1의 순서로 반송된다. 또한, 4번째의 웨이퍼(104)가 로드록실(21)에 반송된 상태로 대기하고 있다.
이 상태에서, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼(103)가 있는 경우, 제어부(30)는 웨이퍼(104)를 로드록실(21)로부터 진공 반송실(1)에 반송하지 않는다. 처리실 PM1에 웨이퍼(103)가 없는 경우, 제어부(30)는 웨이퍼(104)를 로드록실(21)로부터 진공 반송실(1)에 반송한다.
도 2의 (a)의 예에서는, 선두의 처리실 PM1에서 웨이퍼(103)의 처리가 종료하면, 제 1 반송 아암(11)이 처리실 PM1에 넣어지고, 처리완료의 웨이퍼(103)를 처리실 PM1로부터 반출한다. 제어부(30)는 처리실 PM1로부터 웨이퍼(W)를 반출한 것을 기판 반송 장치(2)로부터의 통신에 의해 통지된다. 이것에 의해, 제어부(30)는 처리실 PM1로부터 웨이퍼가 반출된 것을 판정할 수 있다.
도 2의 (b)의 예에서는, 기판 반송 장치(2)는, 제 1 반송 아암(11)이 웨이퍼(103)를 보지한 상태로 회전 기구(13)에 의해 동축 둘레로 회전하고, 처리실 PM4의 앞에서 웨이퍼(102)의 처리가 종료할 때까지 대기한다. 웨이퍼(102)의 처리가 종료하면, 제 2 반송 아암(12)이 처리실 PM4에 넣어지고, 처리완료의 웨이퍼(102)를 처리실 PM4로부터 반출한다. 그리고, 제 1 반송 아암(11)이 처리실 PM4에 넣어지면, 처리실 PM4에 웨이퍼(103)를 탑재한다.
제 2 반송 아암(12)에 보지된 웨이퍼(102)는, 처리실 PM2 또는 처리실 PM3 중 비어 있는 어느 하나의 처리실(도 2의 (b)의 예에서는 처리실 PM3)에 반입된다. 처리실 PM2 또는 처리실 PM3의 모두 비어 있지 않은 경우, 어느 하나가 빌때까지 제 2 반송 아암(12) 위에 웨이퍼(102)를 보지하고, 대기한다. 처리실 PM2 또는 처리실 PM3에서 처리가 종료하면, 처리가 종료한 처리실로부터 제 1 반송 아암(11)에 의해 처리완료의 웨이퍼를 취출하고, 그 처리실에 대기하고 있던 웨이퍼(102)를 반입한다.
도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼(W)가 없는 경우, 제 1 반송 아암(11)에 의해 웨이퍼(104)를 로드록실(21)로부터 취출하고, 반송 동작을 정지하지 않고 처리실 PM1에 반송한다. 이 때, 제 2 반송 아암(12)에는 처리완료의 웨이퍼는 보지되어 있지 않다.
[반송 처리]
이상, 반송 동작에 대해 설명했다. 다음에, 제어부(30)가 실행하는 반송 처리에 대해서 도 3을 참조해서 설명한다. 도 3은 일 실시형태에 관한 반송 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 상술한 바와 같이, 일 실시형태에 관한 기판 처리 장치(10)에서는 처리실 PM1에 있어서 웨이퍼(W)에 대해서 저온 처리가 실행되고, 처리실 PM4에 있어서 고온 처리가 실행된다.
우선, 제어부(30)는 시리얼 반송의 경로 정보를 메모리로부터 취득한다(S10). 본 예에서는, 웨이퍼(W)가 처리실 PM1→처리실 PM4→처리실 PM2 또는 처리실 PM3에서 나타나는 상이한 복수의 처리실 PM을 떠돌아다니는 시리얼 반송의 경로 정보를 취득한다. 또한, 반송 경로는 상기의 경로로 한정되지 않고, 예를 들면 PM2 또는 처리실 PM3에의 반송을 실시하지 않아도 좋다.
다음에, 제어부(30)는 반송 경로의 모든 처리실 PM1, PM4, PM2, PM3을 처리실마다 미리 설정된 소정 온도로 가열한다(S12). 예를 들면, 처리실 PM1은 약 30℃, 처리실 PM4는 약 150~약 200℃, 처리실 PM2 및 PM3은 약 400~약 500℃로 가열되어도 좋다. 모든 처리실이 소정의 온도에 제어된 후, S14 이후의 웨이퍼의 반송을 개시하고, 도 1에 도시하는 로드 포트(23)에 탑재된 FOUP3을 압압 기구(3a)에 의해 대기 반송실(22) 측으로 압박하면, FOUP3의 덮개와 함께 대기 반송실(22)의 측벽의 개폐 도어가 개방된다. 그 다음에, 대기 반송 아암(24)에 의해 FOUP3으로부터 1매째의 웨이퍼(101)를 취출하고, 로드록실(21)에 반입한다. 로드록실(21)을 기밀로 폐쇄해서 내부의 분위기를 대기 분위기로부터 진공 분위기로 전환한 후, 로드록실(21)에 있어서의 진공 반송실(1) 측의 게이트 밸브(G)를 개방한다. 그리고, 제 1 반송 아암(11)에 의해 1매째의 웨이퍼(101)를 취출하고, 처리실 PM1에 반입한다(S14).
웨이퍼(101)에 대해서 처리실 PM1에 대해 저온 처리(예를 들면 COR 처리)를 종료한 후, 제어부(30)는 취득한 시리얼 반송의 경로 정보에 따라 웨이퍼(101)를 처리실 PM4에 반송해서 고온 처리(예를 들면 PHT 처리)를 실시한다. 그 후, 처리실 PM2 또는 처리실 PM3에 반송하고, 소정의 성막 처리를 실시한다. 이와 같이 각 처리실 PM에서 웨이퍼(W)를 처리 후, 로드록실(21)로부터 FOUP3에 되돌린다(S16).
제어부(30)는 다음의 미처리의 웨이퍼(102)가 로드록실(21)에 대기하고 있는지를 판정한다(S18). 다음의 미처리의 웨이퍼(102)가 로드록실(21)에 대기하고 있는 경우, 제어부(30)는 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼가 있는지를 판정한다(S20).
선두의 처리실 PM1에 웨이퍼가 있다고 판정되었을 경우, 제어부(30)는 처리실 PM1에서 웨이퍼의 처리가 종료할 때까지 기다린다. 제어부(30)는 처리가 종료하면, 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)에 의해 처리완료의 웨이퍼를 처리실 PM1로부터 처리실 PM4에 반송한다(S22).
한편, S20에 있어서, 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼가 없다고 판정되었을 경우, 제어부(30)는, 즉시 다음의 미처리의 웨이퍼(102)를 로드록실(21)로부터 처리실 PM1에 반송하고(S24), S16으로 돌아와, S16 이후의 처리를 반복한다. 또한, S18에 있어서, 로드록실(21)에 다음의 미처리의 웨이퍼가 대기하고 있지 않고, 웨이퍼(W)의 처리를 종료한다고 판정되면(S26), 본 처리를 종료한다.
본 실시형태에 의하면, 예를 들면, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼(103)가 있는 경우, 다음의 미처리의 웨이퍼(104)는 로드록실(21)로부터 진공 반송실(1)에 반송하지 않고, 로드록실(21)에서 대기시킨다.
한편, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼(103)가 없는 경우, 로드록실(21)의 미처리의 웨이퍼(104)를, 진공 반송실(1) 내에서 반송 동작을 정지하지 않고 처리실 PM1에 반송한다.
이것에 의해, 본 실시형태에 관한 반송 방법에서는, 고온으로 된 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)에 다음의 미처리의 웨이퍼를 보지한 상태로 선두의 처리실에 있어서의 웨이퍼의 처리가 종료할 때까지 대기하지 않는다. 이것에 의해, 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)으로부터 미처리의 웨이퍼(W)가 받는 열의 영향을 최소한으로 억제할 수 있다. 이것에 의해, 미처리의 웨이퍼(W)의 프로세스 결과에의 영향을 최소한으로 할 수 있다.
또한, 동일 로트 내의 복수매의 웨이퍼에의 열의 영향에 의한 불균형을 최소한으로 억제할 수 있다. 예를 들면, 1매째의 웨이퍼를 반송할 때, 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)은 처리완료의 웨이퍼(W)나 고온의 처리실 PM4로부터의 열의 주고받음이 없고, 온도가 상승하고 있지 않다. 이 때문에, 1매째의 웨이퍼가 반송 아암 측으로부터 받는 열의 영향은 거의 없거나 있어도 작다. 이것에 대해서, 2매째 이후의 웨이퍼는, 그 이전에 처리된 웨이퍼나 고온의 처리실 PM4로부터 열의 주고받음이 있던 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12) 위에 보지되어 반송되기 때문에, 1매째의 웨이퍼보다 받는 열의 영향은 크다.
이 결과, 동일 로트의 복수매의 웨이퍼(W)의 사이에서, 막의 균일성이나 웨이퍼의 저항값 등의 프로세스 결과가 상이하게 되는 일이 있어, 웨이퍼(W)의 처리 상태에 불균형이 나온다. 이것에 대해서, 본 실시형태에 관한 반송 방법에서는, 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼가 있는 경우, 미처리의 웨이퍼를 로드록실(21)로부터 진공 반송실(1)에 반송하지 않는다. 그리고, 선두의 처리실 PM1에 웨이퍼가 없는 경우, 미처리의 웨이퍼를 로드록실(21)로부터 반출하고, 반송 동작을 정지하지 않고, 즉시 처리실 PM1에 반송한다. 이것에 의해, 반송중에 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)으로부터 미처리의 웨이퍼에의 열의 영향을 최소한으로 억제할 수 있다. 이것에 의해, 동일 로트 내의 복수매의 웨이퍼에의 열의 영향에 의한 불균형을 최소한으로 억제할 수 있다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 관한 반송 방법은, 반송의 경로로 되어 모든 처리실 PM을 처리실마다 정해진 소정 온도로 가열하는 공정(도 3의 S12: 제 1 공정)을 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(2)에 의해 처리실 PM1로부터 처리완료의 웨이퍼(W)를 수취하고, 처리실 PM4에 반송하는 공정(S22: 제 2 공정)을 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(2)에 의해 로드록실(21)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 수취하고, 처리실 PM1에 반송하는 공정(S24: 제 3 공정)을 구비한다.
제 2 공정 및 제 3 공정은 웨이퍼(W)마다 반복 실행된다. 또한, 제 2 공정은 제 3 공정보다 우선해 실행된다. 도 2의 (b)의 예에서는, 제 2 공정은 제 1 반송 아암(11)에 의해 처리실 PM1로부터 처리완료의 웨이퍼(103)를 반출한다. 처리실 PM4에 웨이퍼(102)가 있는 경우, 제 1 반송 아암(11)에 웨이퍼(103)를 보지한 상태로 대기한다. 처리실 PM4에서 처리가 종료하면, 제 2 반송 아암(12)에 의해 처리실 PM4로부터 처리완료의 웨이퍼(102)를 반출하고, 웨이퍼(103)를 처리실 PM4에 반입한다.
그 후, 즉시 제 1 반송 아암(11)의 동작을 개시하고, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 로드록실(21)로부터 웨이퍼(104)를 취출하고, 처리실 PM1에 반송한다. 이 때, 로드록실(21)로부터 웨이퍼(104)를 취출하기 전에, 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12)이 로드록실(21)의 앞에서 대기하는 시간은 거의 발생하지 않는다.
이것에 의해, 제 3 공정은, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이 처리실 PM1에 웨이퍼가 탑재되어 있지 않은 경우에 실행되기 때문에, 반송 동작을 정지하지 않고, 로드록실(21)로부터 처리실 PM1에 미처리의 웨이퍼(104)를 반송할 수 있다.
이것에 의해, 제 1 반송 아암(11) 또는 제 2 반송 아암(12) 위에 미처리의 웨이퍼(W)를 보지하는 시간을 최소화할 수 있다. 이 결과, 제 1 반송 아암(11) 및 제 2 반송 아암(12)으로부터 미처리의 웨이퍼(W)에의 열의 영향을 최소한으로 억제할 수 있다. 이것에 의해, 미처리의 웨이퍼(W)의 프로세스 결과에의 영향을 최소한으로 할 수 있다.
금회 개시된 일 실시형태에 관한 반송 방법은 모든 점에 있어서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각할 수 있어야 하는 것이다. 상기의 실시형태는, 첨부의 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하는 일이 없이, 여러가지 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있을 수 있고, 또한 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
본 개시된 처리실 PM은 Capacitively Coupled Plasma(CCP), Inductively Coupled Plasma(ICP), Radial Line Slot Antenna(RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), Helicon Wave Plasma(HWP)의 어느 타입에서도 적용 가능하다.
본 명세서에서는, 기판의 일례로서 웨이퍼(W)를 들어 설명했다. 그러나, 기판은, 이것으로 한정하지 않고, FPD(Flat Panel Display)에 이용되는 각종 기판, 프린트 기판 등이라도 좋다.
1: 진공 반송실
2: 기판 반송 장치
3: FOUP
10: 기판 처리 장치
11: 제 1 반송 아암
12: 제 2 반송 아암
14, 15: 픽
21: 로드록실
22: 대기 반송실
23: 로드 포트
24: 대기 반송 아암
30: 제어부
PM, PM1~PM4: 처리실

Claims (7)

  1. 진공으로 보지된 진공 반송실과, 상기 진공 반송실에 접속된 제 1 처리실, 제 2 처리실 및 전실(preliminary chamber)과, 상기 진공 반송실에 배치되고, 상기 제 1 처리실, 상기 제 2 처리실 및 상기 전실의 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치에서, 상기 전실로부터 반출한 기판을 상기 제 1 처리실과 상기 제 2 처리실의 순서로 연속해서 반송하는 공정을 각 기판에 대해서 반복 실시하는 반송 방법에 있어서,
    상기 제 1 처리실과 상기 제 2 처리실을, 상기 제 1 처리실의 온도가 상기 제 2 처리실의 온도보다 저온으로 되도록 각각 가열하는 제 1 공정과,
    상기 기판 반송 장치에 의해 상기 제 1 처리실로부터 처리완료의 기판을 수취하여, 상기 제 2 처리실에 반송하는 제 2 공정과,
    상기 기판 반송 장치에 의해 상기 전실로부터 미처리의 기판을 수취하여, 상기 제 1 처리실에 반송하는 제 3 공정을 포함하며,
    상기 제 2 공정 및 상기 제 3 공정은 기판마다 반복 실행되며,
    상기 제 3 공정은,
    상기 제1처리실에 기판이 탑재되어 있는 경우, 상기 미처리의 기판은 상기 전실로부터 상기 진공 반송실로 반송하지 않고, 상기 전실에서 대기시키는 공정과,
    상기 제 1 처리실에 기판이 탑재되어 있지 않은 경우, 상기 전실로부터 상기 미처리의 기판을 수취해서, 상기 진공 반송실에서 대기하는 것 없이, 상기 제 1 처리실로 반송하는 공정을 포함하고,
    상기 제 3 공정에 있어서 상기 미처리의 기판이 상기 진공 반송실에서 대기하는 시간이 최소화되어, 상기 미처리의 기판이 상기 제 1 처리실로 반송되기 전에 상기 미처리의 기판의 가열이 방지되는
    반송 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은 상기 제 3 공정보다 우선해서 실행되는
    반송 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 반송 장치는 2개의 아암을 구비하는
    반송 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 3 공정은, 상기 기판 반송 장치가 구비하는 한쪽의 아암에 상기 전실로부터 미처리의 기판을 수취하고, 다른쪽의 아암에 기판을 보지하지 않는 상태로 상기 미처리의 기판을 상기 제 1 처리실에 반송하는
    반송 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 반송 장치는 상기 제 2 처리실과의 사이에서 기판을 반송할 때에 열을 받는
    반송 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108549A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Tokyo Electron Ltd クラスタツールの処理システム及び滞在時間監視プログラム
JP2011205044A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0846013A (ja) * 1994-05-23 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd マルチチャンバ処理システム用搬送装置
TW418429B (en) * 1998-11-09 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP2000195925A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Anelva Corp 基板処理装置
JP4353903B2 (ja) 2005-01-07 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 クラスタツールの処理システム
JP5387444B2 (ja) * 2010-02-25 2014-01-15 株式会社ニコン 搬送装置および基板接合装置
JP6013792B2 (ja) * 2012-06-12 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送装置
JP6697984B2 (ja) * 2016-08-31 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP6270952B1 (ja) * 2016-09-28 2018-01-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体。

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108549A (ja) 2004-10-08 2006-04-20 Tokyo Electron Ltd クラスタツールの処理システム及び滞在時間監視プログラム
JP2011205044A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置

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Publication number Publication date
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