JP2007165833A - 乾燥装置、乾燥方法、及び乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム - Google Patents

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Abstract

【課題】乾燥蒸気を用いた乾燥処理において、乾燥蒸気の結露によって被処理体の表面に汚染物質が付着してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、処理槽(乾燥処理槽64)の内部にガス吐出口(76,77)を設けるとともに、このガス吐出口(76,77)から被処理体(ウエハ２)に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構(78)を連通連結した乾燥装置(乾燥ユニット35)において、前記乾燥蒸気供給機構(78)は、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の57％以上とするように構成することにした。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの被処理体に対して乾燥処理を施すための乾燥装置及び乾燥方法並びに乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラムに関するものである。
従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどの製造過程において、洗浄処理した半導体ウエハや液晶基板などの被処理体に対して乾燥処理を施す乾燥工程が設けられている。この乾燥工程で用いられる処理装置としては、被処理体を乾燥させるための乾燥蒸気（ＩＰＡガス：イソプロピルアルコールの蒸気など）をキャリアガス（窒素ガスなど）とともに処理槽に供給し、処理槽の内部で被処理体の表面に乾燥蒸気を接触させて被処理体の乾燥処理を行う乾燥装置を内蔵したものが知られている（たとえば、特許文献１参照。）。
従来の乾燥装置では、処理槽に乾燥蒸気供給ノズルを配設するとともに、この乾燥蒸気供給ノズルに乾燥蒸気の供給源とキャリアガスの供給源とを混合器を介して接続し、乾燥蒸気供給ノズルから処理槽の内部に乾燥蒸気とキャリアガスとを同時に連続して供給することによって、処理槽の内部で被処理体の表面に乾燥蒸気を接触させ、これによって被処理体の乾燥処理を行うように構成していた。
特開平１１−１８６２１２号公報
ところが、上記従来の乾燥装置では、処理槽の内部に乾燥蒸気とキャリアガスとを同時に連続して供給していたために、気化した高温の乾燥蒸気が高濃度の状態のまま連続して被処理体の表面に吹き付けられていた。
このように、高温、高濃度の乾燥蒸気が被処理体の表面に連続して吹き付けられると、被処理体の表面において乾燥蒸気の結露が生じてしまい、被処理体の表面を汚染してしまうおそれがあった。
特に被処理体としてウエハを用いた場合には、ウエハの搬送時のチャッキングによってウエハの外周部の未使用領域に付着した汚染物質（パーティクルや金属又は有機不純物など）が結露した乾燥蒸気とともにウエハの内周部の使用領域にまで流れ込んで、ウエハの使用領域に汚染物質が付着してしまうおそれがあった。
そこで、請求項１に係る本発明では、処理槽の内部にガス吐出口を設けるとともに、このガス吐出口から被処理体に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構を連通連結した乾燥装置において、前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上とするように構成することにした。
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上とするように構成することにした。
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とするように構成することにした。
また、請求項４に係る本発明では、前記請求項１〜請求項３のいずれかに係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成することにした。
また、請求項５に係る本発明では、前記請求項１〜請求項４のいずれかに係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスの供給源とガス吐出口とをガス供給管で連通連結するとともに、このガス供給管の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段を配設し、この加熱手段よりも上流側のガス供給管の中途部に薬液の供給源を薬液供給管を介して連通連結し、この薬液供給管の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構を設けることにした。
また、請求項６に係る本発明では、前記請求項５に係る本発明において、前記ガス供給管と薬液供給管との連結部分よりも上流側のガス供給管にキャリアガスを予め加熱するための予熱手段を配設することにした。
また、請求項７に係る本発明では、前記請求項５又は請求項６に係る本発明において、前記ガス供給管の中途部分を複数本の分岐管に分岐し、各分岐管に前記加熱手段を配設するとともに、各加熱手段よりも上流側の分岐管の中途部に前記薬液供給管を連通連結することにした。
また、請求項８に係る本発明では、基板の洗浄処理を行う洗浄処理槽と基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽とこれら洗浄処理槽と乾燥処理槽との間で基板の搬送を行う基板搬送機構を設け、乾燥処理槽の内部にガス吐出口を設けるとともに、このガス吐出口から基板に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構を連通連結した基板処理装置において、前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上とするように構成することにした。
また、請求項９に係る本発明では、前記請求項８に係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上とするように構成することにした。
また、請求項１０に係る本発明では、前記請求項８又は請求項９に係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とするように構成することにした。
また、請求項１１に係る本発明では、前記請求項８〜請求項１０のいずれかに係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成することにした。
また、請求項１２に係る本発明では、前記請求項８〜請求項１１のいずれかに係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスの供給源とガス吐出口とをガス供給管で連通連結するとともに、このガス供給管の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段を配設し、この加熱手段よりも上流側のガス供給管の中途部に薬液の供給源を薬液供給管を介して連通連結し、この薬液供給管の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構を設けることにした。
また、請求項１３に係る本発明では、前記請求項８〜請求項１２のいずれかに係る本発明において、前記乾燥蒸気供給機構は、基板搬送機構によって基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送した後にキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成することにした。
また、請求項１４に係る本発明では、被処理体に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって被処理体の乾燥処理を行う乾燥方法において、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上とすることにした。
また、請求項１５に係る本発明では、前記請求項１４に係る本発明において、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上とすることにした。
また、請求項１６に係る本発明では、前記請求項１４又は請求項１５に係る本発明において、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とすることにした。
また、請求項１７に係る本発明では、基板の洗浄処理を洗浄処理槽で行った後に、基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送し、乾燥処理槽の内部で基板に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって基板の乾燥処理を行う基板処理方法において、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上とすることにした。
また、請求項１８に係る本発明では、前記請求項１７に係る本発明において、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上とすることにした。
また、請求項１９に係る本発明では、前記請求項１７又は請求項１８に係る本発明において、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とすることにした。
また、請求項２０に係る本発明では、被処理体に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって被処理体の乾燥処理を行う乾燥装置に被処理体の乾燥処理を実行させるための乾燥プログラムにおいて、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を供給する混合流体供給ステップと、キャリアガスだけの供給を行うキャリアガス供給ステップとを交互に行い、しかも、混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の50％以上とすることにした。
また、請求項２１に係る本発明では、前記請求項２０に係る本発明において、前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の75％以上とすることにした。
また、請求項２２に係る本発明では、前記請求項２０又は請求項２１に係る本発明において、前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の83％以下とすることにした。
また、請求項２３に係る本発明では、基板の洗浄処理を洗浄処理槽で行った後に、基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送し、乾燥処理槽の内部で基板に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって基板の乾燥処理を行う基板処理装置に基板の乾燥処理を実行させるための基板処理プログラムにおいて、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を供給する混合流体供給ステップと、キャリアガスだけの供給を行うキャリアガス供給ステップとを交互に行い、しかも、混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の50％以上とすることにした。
また、請求項２４に係る本発明では、前記請求項２３に係る本発明において、前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の75％以上とすることにした。
また、請求項２５に係る本発明では、前記請求項２３又は請求項２４に係る本発明において、前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の83％以下とすることにした。
そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。
すなわち、本発明では、被処理体の乾燥処理において、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うようにしているために、乾燥蒸気が被処理体に間欠的に供給されることになり、被処理体の表面での乾燥蒸気の結露の発生を未然に防止することができ、乾燥蒸気の結露に起因する被処理体の汚染を防止することができる。
しかも、本発明では、混合流体の供給時間が全体の供給時間の50％以上となるようにしているために、被処理体を良好に乾燥させるのに十分な乾燥蒸気を供給することができ、乾燥蒸気の不足に起因する乾燥不良の発生を防止することができる。
特に、混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上とした場合には、被処理体への汚染物質の付着数を低減することができ、被処理体をより一層良好に乾燥させることができる。
また、混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とした場合には、被処理体の表面での乾燥蒸気の結露の発生をより一層良好に防止することができ、乾燥蒸気の結露に起因する被処理体の汚染を防止することができる。
また、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うようにした場合には、被処理体に常にキャリアガスが供給されることになり、被処理体の表面でのパーティクルの巻き上がりを防止でき、被処理体へのパーティクルの再付着を防止することができる。
また、キャリアガスの供給源とガス吐出口とをガス供給管で連通連結するとともに、このガス供給管の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段を配設し、この加熱手段よりも上流側のガス供給管の中途部に薬液の供給源を薬液供給管を介して連通連結し、この薬液供給管の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構を設けているために、ガス供給管に間欠的に供給した薬液をガス供給管の内部でキャリアガスによってミスト状に拡散させた後に加熱手段で薬液を気化させることができるので、乾燥蒸気の原料となる薬液を良好に気化させることができる。
また、ガス供給管と薬液供給管との連結部分よりも上流側のガス供給管にキャリアガスを予め加熱するための予熱手段を配設しているために、予熱手段によって予め加熱したキャリアガスによってミスト状の薬液が加熱され、その後、加熱手段によって気化されることになるので、乾燥蒸気の原料となる薬液をより一層良好に気化させることができる。
また、ガス供給管の中途部分を複数本の分岐管に分岐し、各分岐管に加熱手段を配設するとともに、各加熱手段よりも上流側の分岐管の中途部に薬液供給管を連通連結しているために、各加熱手段で気化させる薬液の量を少なくすることができ、これによっても乾燥蒸気の原料となる薬液をより一層良好に気化させることができる。
以下に、本発明に係る処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、被処理体として半導体基板（ウエハ）を洗浄し、乾燥するための基板処理装置に本発明を適用した場合を例に挙げて説明する。
図１に示すように、基板処理装置１は、複数枚のウエハ２（基板）を収容したキャリア３の搬入及び搬出を行うキャリア搬入出部４と、複数のキャリア３に収容されたウエハ２を組合わせることによって一括処理するバッチ５を編成するバッチ編成部６と、各バッチ５ごとにウエハ２の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板処理部７とで構成している。
キャリア搬入出部４は、キャリア３を載置するキャリアステージ８に密閉状の開閉扉９を形成し、この開閉扉９の内側にキャリア搬送機構10を配設し、このキャリア搬送機構10によってキャリアステージ８に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリアストック11に一時的に保管するとともに、キャリア載置台12に搬入するようにしている。
また、キャリア搬入出部４は、基板処理部７で処理が完了したウエハ２が収容されたキャリア３に対し、上記搬入時とは逆に、キャリア載置台12に載置されたキャリア３を必要に応じてキャリア搬送機構10によってキャリアストック11に一時的に保管するとともに、キャリアステージ８に搬出するようにしている。
バッチ編成部６は、キャリア搬入出部４との間に密閉状の開閉扉13を形成し、この開閉扉13の内側にキャリア３に収容された複数枚のウエハ２を同時に搬送するための基板搬送機構14と、この基板搬送機構14によって搬送されたウエハ２の配列間隔を半分に変更してバッチ５を形成するためのバッチ形成機構15と、基板搬送機構14によって搬送されたウエハ２の配列順序を変更する配列順序変更機構16と、バッチ形成機構15によって形成されたバッチ５をバッチ編成部６と基板処理部７との間で受渡すとともに基板処理部７の内部での搬送を行うバッチ搬送機構17とを配設している。また、バッチ編成部６は、内部にキャリア３に収容されたウエハ２の収容状態を検出するウエハ収容状態検出センサー18とキャリア３に収容された複数枚のウエハ２のノッチの位置調整を行うノッチアライナー19を配設している。
そして、バッチ編成部６では、キャリア搬入出部４から搬入される複数個（たとえば、２個）のキャリア３にそれぞれ収容された複数枚（たとえば、２５枚）のウエハ２を組合わせて基板処理部７で一括処理する複数枚（たとえば、５０枚）のウエハ２で構成されたバッチ５を形成し、そのバッチ５を基板処理部７に受渡し、また、基板処理部７での処理が完了した後には、基板処理部７からバッチ５を受取り、元のキャリア３にウエハ２を収容して、そのキャリア３をキャリア搬入出部４に搬送するようにしている。
基板処理部７は、ウエハ２の洗浄及び乾燥を行う洗浄乾燥機構20とウエハ２の洗浄を行う洗浄機構21とで構成しており、洗浄乾燥機構20には、バッチ５を昇降機構22で昇降することによって洗浄と乾燥とを行う基板洗浄乾燥ユニット23とバッチ搬送機構17の洗浄を行う搬送機構洗浄ユニット24とが並設されており、また、洗浄機構21には、バッチ５を薬液処理する第１〜第３の薬液槽25,26,27とバッチ５を純水処理する第１〜第３の純水槽28,29,30とこれらの第１〜第３の薬液槽25,26,27と第１〜第３の純水槽28,29,30との間でバッチ５の搬送を行う第１〜第３の搬送装置31,32,33とを配設している。
また、基板処理部７は、洗浄乾燥機構20と洗浄機構21に沿ってバッチ搬送機構17を配設しており、このバッチ搬送機構17の始端部分をバッチ編成部６に配設している。
そして、基板処理部７は、バッチ編成部６で編成されたバッチ５をバッチ搬送機構17によって洗浄乾燥機構20の昇降機構22や洗浄機構21の第１〜第３の搬送装置31,32,33に搬送して、各洗浄乾燥機構20や洗浄機構21においてウエハ２の処理をバッチ５ごとに行ない、その後、処理後のバッチ５を洗浄乾燥機構20の昇降機構22や洗浄機構21の第１〜第３の搬送装置31,32,33からバッチ搬送機構17に移送し、このバッチ搬送機構17によって処理後のバッチ５をバッチ編成部６へ再び搬送するようにしている。
このように、基板処理装置１は、キャリア搬入出部４によってウエハ２をキャリア３ごとバッチ編成部６に搬入し、バッチ編成部６において基板処理部７で一括処理するバッチ５を編成して基板処理部７に受渡し、基板処理部７でバッチ５ごとに一括して処理を施し、その後、処理後のバッチ５をバッチ編成部６に受渡し、バッチ編成部６でバッチ５を構成するウエハ２をキャリア３に収容してキャリア搬入出部４に搬送し、キャリア搬入出部４によって処理後のウエハ２を収容したキャリア３を搬出するようにしている。
次に、本発明の要部となる基板洗浄乾燥ユニット23の構成について説明する。
基板洗浄乾燥ユニット23は、図２〜図４に示すように、ウエハ２をバッチ５ごと洗浄するための洗浄ユニット34と、ウエハ２をバッチ５ごと乾燥させるための乾燥ユニット35（乾燥装置）とを上下に一体的に連設した構成となっている。
この基板洗浄乾燥ユニット23は、昇降機構22にガイド桿36を連動連結するとともに、このガイド桿36の下端部にウエハ２をバッチ５ごと支持するウエハボート37を形成している。このウエハボート37は、前後一対の連結体38,39の間に４本の支持体40〜43を左右に間隔をあけて取付けており、各支持体40〜43の上端部には、ウエハ２を垂直状に支持する支持溝44〜47を前後に間隔をあけて形成している。このウエハボート37は、昇降機構22によって洗浄ユニット34と乾燥ユニット35との間でウエハ２をバッチ５ごと昇降させることができるようになっている。なお、昇降機構22には、制御部48が接続されており、この制御部48によって昇降機構22が駆動制御されている。
洗浄ユニット34は、上端部を開口した有底矩形箱型状の洗浄処理槽49の左右側壁50,51に洗浄液を供給するための洗浄液供給ノズル52,53を取付けるとともに、底壁54に排水管55を連通連結し、この排水管55の中途部に開閉バルブ56を介設し、さらには、洗浄処理槽49の上端外側部に環状のオーバーフロー槽57を取付け、このオーバーフロー槽57の底壁58に排水管59を連通連結し、この排水管59の中途部に開閉バルブ60を介設している。
ここで、洗浄液供給ノズル52,53には、純水を供給するための純水供給源61と薬液を供給するための薬液供給源62とが三方コック63を介して接続されており、この三方コック63を切り換えることによって、洗浄液供給ノズル52,53から洗浄処理槽49の内部に純水又は薬液を供給できるようにしている。また、開閉バルブ56,60や三方コック63には、制御部48が接続されており、この制御部48によって開閉バルブ56,60や三方コック63が駆動制御されている。
乾燥ユニット35は、下端部を開口した略箱型状の乾燥処理槽64の下方にシャッター機構65を配設している。このシャッター機構65は、ケーシング66の左側部にシャッター収容部67を形成し、このシャッター収容部67にシャッター68を開閉自在に収容している。
ここで、シャッター機構65は、シャッター68に開閉機構69を連動連結しており、この開閉機構69を制御部48に接続して、この制御部48によって開閉機構69を駆動制御している。
また、乾燥ユニット35は、乾燥処理槽64の上部を半円弧断面状に形成するとともに、上端部にガイド桿36を挿通させるための貫通孔70を形成し、この貫通孔70にパッキン71を取付けている。これにより、乾燥処理槽64は、ガイド桿36を挿通させた状態でも気密状態を保持できるようにしている。
ここで、乾燥処理槽64には、昇降機構72を連動連結しており、この昇降機構72を制御部48に接続し、この制御部48によって昇降機構72を駆動制御している。そして、昇降機構72によって乾燥処理槽64を下降させた場合には、乾燥処理槽64の下端部に形成したフランジ73がシャッター機構65のシャッター68に密着するようにしている。
また、乾燥ユニット35は、乾燥処理槽64の内側上部に乾燥蒸気（ＩＰＡガス：イソプロピルアルコールガスなど）をキャリアガス（窒素ガスなど）とともに供給するための左右一対の乾燥蒸気供給ノズル74,75を取付けている。
この乾燥蒸気供給ノズル74,75には、乾燥蒸気を吐出するためのガス吐出口76,77を前後に間隔をあけて形成するとともに、このガス吐出口76,77に乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給するための乾燥蒸気供給機構78を連通連結している。
この乾燥蒸気供給機構78は、キャリアガスの供給源79とガス吐出口76,77とをガス供給管80で連通連結するとともに、このガス供給管80の中途部を２本の分岐管81,82に分岐し、各分岐管81,82に乾燥蒸気の原料となる薬液（ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）を気化させるための加熱手段83,84をそれぞれ取付け、これらの加熱手段83,84よりも上流側のガス供給管80の中途部に薬液の供給源85を薬液供給管86を介して連通連結し、この薬液供給管86の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構87を介設している。
この間欠供給機構87は、薬液を貯留する薬液貯留タンク88の下部に薬液の供給源85を薬液供給管86の上流部を介して接続するとともに、薬液貯留タンク88の上部に加圧ガス（窒素ガスなど）の供給源89を接続し、さらに、薬液貯留タンク88の下部に薬液供給管86の下流部を整流器90と開閉弁91を介して接続している。また、間欠供給機構87は、薬液供給管86の下流部にドレン管92を開閉弁93を介して接続している。
また、乾燥蒸気供給機構78は、ガス供給管80と薬液供給管86との連結部分よりも上流側のガス供給管80にキャリアガスを予め加熱するための予熱手段94と開閉弁95とを取付けるとともに、分岐管81,82の合流部分よりも下流側のガス供給管80にフィルター96を取付け、このフィルター96に加熱手段97を取付けている。
そして、乾燥蒸気供給機構78は、加熱手段83,84,97と予熱手段94と開閉弁91,93,95を制御部48に接続し、この制御部48によって加熱手段83,84,97と予熱手段94と開閉弁91,93,95を駆動制御している。
すなわち、乾燥蒸気供給機構78は、制御部48で間欠供給機構87の開閉弁91,93を閉塞させるとともに、開閉弁95を開放させ、加熱手段83,84,97と予熱手段94を駆動させることによって、キャリアガスの供給源79からガス吐出口76,77を介して乾燥処理槽64の内部に所定温度のキャリアガスだけを供給することができ、一方、制御部48で開閉弁91と開閉弁95を開放させるとともに、開閉弁93を閉塞させ、加熱手段83,84,97と予熱手段94を駆動させることによって、ガス供給管80の分岐管81,82に薬液が加圧ガスの圧力により供給され、この薬液が分岐管81,82の内部でキャリアガスによってミスト状に拡散されるとともに加熱手段83,84で加熱されて乾燥蒸気となり、さらに、この乾燥蒸気が加熱手段97で加熱され、これによって、ガス吐出口76,77を介して乾燥処理槽64の内部に所定温度の乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することができるようになっている。
したがって、乾燥蒸気供給機構78は、制御部48によって間欠供給機構87の開閉弁91を間欠的に開放状態とすることで、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入し、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体をガス吐出口76,77へ供給することができるように構成されている。
このように、上記構成の乾燥ユニット35では、乾燥処理槽64の内部にガス吐出口76,77を設けるとともに、このガス吐出口76,77にウエハ２を乾燥させるための乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構78を連通連結し、乾燥蒸気供給機構78によってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を間欠的にガス吐出口76,77へ供給するように構成しているために、乾燥処理槽64の内部に乾燥蒸気が間欠的に供給され、この間欠的に供給された乾燥蒸気がウエハ２に接触してウエハ２を乾燥させることになり、乾燥蒸気とウエハ２との接触が間欠的に行われることによってウエハ２の表面での乾燥蒸気の結露の発生を未然に防止することができ、乾燥蒸気の結露に起因したウエハ２の表面の汚染を防止することができる。特に、ウエハ２の上部外周端縁（未使用領域）においては、乾燥蒸気の結露の発生を防止することで、ウエハ２の搬送時のチャッキングによって付着した汚染物質が結露した乾燥蒸気とともにウエハ２の内周部（使用領域）にまで流れ込んでしまうのを防止することができ、ウエハ２の内周部への汚染物質の付着を防止することができる。
特に、上記乾燥ユニット35では、乾燥蒸気供給機構78においてキャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を間欠的にガス吐出口76,77へ供給するようにしているために、乾燥処理槽64の内部に常にキャリアガスが供給されることになり、ウエハ２の表面でのパーティクルの巻き上がりを防止でき、ウエハ２へのパーティクルの再付着を防止することができる。
また、上記乾燥ユニット35では、キャリアガスの供給源79とガス吐出口76,77とをガス供給管80で連通連結するとともに、このガス供給管80の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段83,84を配設し、この加熱手段83,84よりも上流側のガス供給管80の中途部に薬液の供給源85を薬液供給管86を介して連通連結し、この薬液供給管86の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構87を設けているために、ガス供給管80に間欠的に供給した薬液をガス供給管80の内部でキャリアガスによってミスト状に拡散させた後に加熱手段83,84で薬液を気化させることができるので、乾燥蒸気の原料となる薬液を良好に気化させることができる。
しかも、上記乾燥ユニット35では、ガス供給管80と薬液供給管86との連結部分よりも上流側のガス供給管80にキャリアガスを予め加熱するための予熱手段94を配設しているために、予熱手段94によって予め加熱したキャリアガスによってミスト状の薬液が加熱され、その後、加熱手段83,84によって気化されることになるので、乾燥蒸気の原料となる薬液をより一層良好に気化させることができる。
さらに、上記乾燥ユニット35では、ガス供給管80の中途部分を２本の分岐管81,82に分岐し、各分岐管81,82に加熱手段83,84を配設するとともに、各加熱手段83,84よりも上流側の分岐管81,82の中途部に薬液供給管86を連通連結しているために、各加熱手段83,84で気化させる薬液の量を少なくすることができ、これによっても乾燥蒸気の原料となる薬液をより一層良好に気化させることができる。
基板洗浄乾燥ユニット23は、以上に説明したように構成しており、制御部48によって駆動制御される。この制御部48は、基板洗浄乾燥ユニット23だけでなく基板処理装置１の各部を駆動制御することができ、ＣＰＵからなるコントローラ98とこのコントローラ98に接続された記憶媒体99とで構成されている。この記憶媒体99には、各種の設定データや洗浄プログラム100と乾燥プログラム101を格納している。なお、記憶媒体99は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーでもよく、また、ハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体でもよい。
制御部48は、記憶媒体99に格納した洗浄プログラム100と乾燥プログラム101とで構成される基板処理プログラムに従って基板洗浄乾燥ユニット23を駆動制御することによって、ウエハ２の洗浄処理と乾燥処理とを続けて行うようにしている。
まず、洗浄プログラム100では、図５に示すように、まず、基板洗浄乾燥ユニット23の初期設定を行う（初期設定ステップＳ１）。
具体的には、制御部48が、図６に示すように、洗浄処理槽49の開閉バルブ56とオーバーフロー槽57の開閉バルブ60を閉塞させた状態とするとともに、開閉機構69を用いてシャッター68を開放させた状態とし、昇降機構22を用いてシャッター機構65の上方に間隔をあけてウエハボート37を配置し、昇降機構72を用いてウエハボート37の上方に間隔をあけて乾燥処理槽64を配置する。その後、制御部48が、三方コック63を駆動制御して純水供給源61から洗浄処理槽49の洗浄液供給ノズル52,53を介して洗浄処理槽49の内部に純水を供給する。このときに、制御部48は、オーバーフロー槽57の開閉バルブ60を開放状態として、洗浄処理槽49からオーバーフローした純水を排出できるようにする。
次に、洗浄プログラム100は、ウエハボート37に複数枚（たとえば、５０枚）のウエハ２からなるバッチ５を受取る（ウエハ受取ステップＳ２）。
具体的には、制御部48が、図７に示すように、バッチ搬送機構17を駆動制御してバッチ搬送機構17で搬送されたバッチ５を構成する各ウエハ２をウエハボート37の支持体40〜43に形成した支持溝44〜47に載置する。
次に、洗浄プログラム100は、ウエハボート37に載置されたウエハ２を洗浄処理槽49の内部に貯留された純水に浸漬して洗浄処理の準備を行う（洗浄準備ステップＳ３）。
具体的には、制御部48が、図８に示すように、昇降機構22を用いてウエハボート37を洗浄処理槽49の内部まで降下させることによってウエハボート37に載置されたウエハ２を洗浄処理槽49の内部に貯留された純水に浸漬する。
次に、洗浄プログラム100は、洗浄処理槽49の内部でウエハ２の洗浄処理を行う（洗浄処理ステップＳ４）。
具体的には、制御部48が、洗浄処理槽49の開閉バルブ56を閉塞させた状態とするとともにオーバーフロー槽57の開閉バルブ60を開放させた状態としたまま、三方コック63を駆動制御して薬液供給源62から洗浄処理槽49の洗浄液供給ノズル52,53を介して洗浄処理槽49の内部に薬液（洗浄液）を供給し、これにより、純水が洗浄処理槽49からオーバーフロー槽57に徐々にオーバーフローしていき、最終的には、洗浄処理槽49の内部に薬液が貯留された状態となる。その後、洗浄処理槽49の内部に貯留された薬液に浸漬されたウエハ２を薬液によって洗浄処理（薬液洗浄処理）する。その後、制御部48が、洗浄処理槽49の開閉バルブ56を閉塞させた状態とするとともにオーバーフロー槽57の開閉バルブ60を開放させた状態としたまま、三方コック63を駆動制御して純水供給源61から洗浄処理槽49の洗浄液供給ノズル52,53を介して洗浄処理槽49の内部に純水（洗浄液）を供給し、これにより、薬液が洗浄処理槽49からオーバーフロー槽57に徐々にオーバーフローしていき、最終的には、洗浄処理槽49の内部に純水が貯留された状態となる。その後、洗浄処理槽49の内部に貯留された純水に浸漬されたウエハ２を純水によって洗浄処理（リンス処理）する。なお、薬液洗浄処理時やリンス処理時に、超音波発振手段からウエハ２に超音波を照射して、超音波のエネルギーによってウエハ２から汚染物を除去するようにしてもよい。
最後に、洗浄プログラム100は、ウエハボート37に載置されたウエハ２を洗浄処理槽49の内部から乾燥処理槽64の内部へ上昇させる（ウエハ上昇ステップＳ５）。
具体的には、制御部48が、図９に示すように、昇降機構72を用いて乾燥処理槽64をシャッター機構65の直上方に降下させるとともに、昇降機構22を用いてウエハボート37を洗浄処理槽49の内部から乾燥処理槽64の内部まで上昇させることによってウエハボート37に載置されたウエハ２を乾燥処理槽64の内部に搬送する。
そして、上記洗浄プログラム100が終了してウエハ２が洗浄処理槽49から乾燥処理槽64に搬送された後に、乾燥プログラム101によるウエハ２の乾燥処理を開始する。
乾燥プログラム101では、図10に示すように、まず、シャッター機構65のシャッター68によって乾燥処理槽64の下端開口部を閉塞する（シャッター閉塞ステップＳ６）。
具体的には、制御部48が、図11に示すように、開閉機構69を用いてシャッター機構65のシャッター68を閉塞し、このシャッター68を乾燥処理槽64の下端開口部に密着させる。
次に、乾燥プログラム101は、乾燥処理槽64の内部に予め設定した所定時間だけ乾燥蒸気とキャリアガスとの混合流体を供給する（混合流体供給ステップＳ７）。
具体的には、制御部48が、開閉弁91と開閉弁95を開放させるとともに、開閉弁93を閉塞させ、加熱手段83,84,97と予熱手段94を駆動させる。これにより、ガス供給管80の分岐管81,82に薬液が加圧ガスの圧力により供給され、この薬液が分岐管81,82の内部でキャリアガスによってミスト状に拡散されるとともに加熱手段83,84で加熱されて乾燥蒸気となり、さらに、この乾燥蒸気が加熱手段97で加熱され、乾燥処理槽64の内部にガス吐出口76,77を介して所定温度の乾燥蒸気がキャリアガスとともに供給される。
次に、乾燥プログラム101は、乾燥処理槽64の内部に予め設定した所定時間だけキャリアガスだけを供給する（キャリアガス供給ステップＳ８）。
具体的には、制御部48が、間欠供給機構87の開閉弁91,93を閉塞させるとともに、開閉弁95を開放させ、加熱手段83,84,97と予熱手段94を駆動させる。これにより、キャリアガスの供給源79からガス吐出口76,77を介して乾燥処理槽64の内部に所定温度のキャリアガスだけが供給される。
次に、乾燥プログラム101は、上記混合流体供給ステップＳ７とキャリアガス供給ステップＳ８を予め設定しておいた所定回数だけ繰り返し実行したか否かを判断し（ステップＳ９）、繰り返し実行していない場合には、上記混合流体供給ステップＳ７へと戻り、一方、既に所定回数だけ繰り返し実行した場合には、洗浄処理及び乾燥処理を施したウエハ２をバッチ搬送機構17へ受渡す（ウエハ受渡ステップＳ１０）。
具体的には、制御部48が、図12に示すように、昇降機構72によって乾燥処理槽64を上昇させるとともに、バッチ搬送機構17によってウエハボート37からウエハ２を受取る。
このようにして、乾燥プログラム101では、図13に模式的に示すように、乾燥処理槽64の内部に乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する混合流体供給ステップＳ７と、乾燥処理槽64の内部にキャリアガスのみを供給するキャリアガス供給ステップＳ８とを連続して交互に繰り返し行うようにしている。
なお、上記乾燥プログラム101では、乾燥蒸気供給（混合流体供給ステップＳ７）とキャリアガス供給（キャリアガス供給ステップＳ８）とを連続して交互に繰り返し行っているが、乾燥蒸気供給（混合流体供給ステップＳ７）だけを間欠的に行ない、キャリアガス供給（キャリアガス供給ステップＳ８）を行わないようにしてもよい。
このように、上記乾燥プログラム101によって実行される乾燥処理においては、基板搬送機構14によって洗浄処理槽49から乾燥処理槽64にウエハ２を搬送した後に、乾燥処理槽64の内部にキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を供給する混合流体供給（混合流体供給ステップＳ７）を間欠的に行うことにしているために、乾燥処理槽64の内部に乾燥蒸気が間欠的に供給され、この間欠的に供給された乾燥蒸気がウエハ２に接触してウエハ２を乾燥させることになり、乾燥蒸気とウエハ２との接触が間欠的に行われることによってウエハ２の表面での乾燥蒸気の結露の発生を未然に防止することができ、乾燥蒸気の結露に起因したウエハ２の表面の汚染を防止することができる。特に、ウエハ２の上部外周端縁（未使用領域）においては、乾燥蒸気の結露の発生を防止することで、ウエハ２の搬送時のチャッキングによって付着した汚染物質が結露した乾燥蒸気とともにウエハ２の内周部（使用領域）にまで流れ込んでしまうのを防止することができ、ウエハ２の内周部への汚染物質の付着を防止することができる。
特に、上記乾燥処理では、混合流体供給（混合流体供給ステップＳ７）と、乾燥処理槽64の内部にキャリアガスのみを供給するキャリアガス供給（キャリアガス供給ステップＳ８）とを連続して交互に繰り返し行うようにしているために、乾燥処理槽64の内部に常にキャリアガスが供給されることになり、ウエハ２の表面でのパーティクルの巻き上がりを防止でき、ウエハ２へのパーティクルの再付着を防止することができる。
この混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）やキャリアガス供給を行う時間（キャリアガス供給ステップＳ８の実行時間t2）は、乾燥蒸気やキャリアガスの種類やウエハ２の表面の材質などに応じて適宜設定することができる。
本発明では、混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）の合計時間を一定にしつつ、混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）とキャリアガス供給を行う時間（キャリアガス供給ステップＳ８の実行時間t2）との比率を変化させることによって、混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）が全体の供給時間（混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）とキャリアガス供給を行う時間（キャリアガス供給ステップＳ８の実行時間t2）との合計の時間Ｔ）に占める割合を変化させて、ウエハ２の表面での汚染物質の付着数を測定し、ウエハ２の乾燥処理に適した割合を求めている。
その結果を、表１に示す。ここでは、混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）の合計時間を90秒とし、乾燥蒸気を2.0ml／秒で供給し、混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）を２秒間隔、４秒間隔、６秒間隔、８秒間隔、10秒間隔と変化させるとともに、キャリアガス供給を行う時間（キャリアガス供給ステップＳ８の実行時間t2）を２秒間隔、３秒間隔、６秒間隔、10秒間隔と変化させている。表１中において、カッコ内は混合流体供給を行う時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）が全体の時間Ｔに占める割合を示している。また、表１において、◎は汚染物質の付着数が10個未満でありウエハ２の乾燥に極めて適していることを示し、○は汚染物質の付着数が10個以上30個未満でありウエハ２の乾燥に適していることを示し、Ｘは汚染物質の付着数が30個以上でありウエハ２の乾燥に適していないことを示している。
Figure 2007165833
表１からわかるように、混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）が全体の供給時間の50％以下の場合には、ウエハ２の表面に多量の汚染物質が付着しており、ウエハ２の乾燥に適していなかった。これは、ウエハ２の表面に供給される乾燥蒸気の量が少なくなりすぎて、ウエハ２の表面での水分と乾燥蒸気との置換が十分に行われず、水分中の汚染物質がウエハ２の表面に付着してしまったと考えられる。
一方、混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）が全体の供給時間の50％以上の場合には、ウエハ２の表面への汚染物質の付着が減少し、ウエハ２の乾燥に適していた。
そのため、本発明では、混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）が全体の供給時間の50％以上となるように混合流体を供給することにした。
これにより、ウエハ２を良好に乾燥させるのに十分な乾燥蒸気を供給することができ、乾燥蒸気の不足に起因する乾燥不良の発生を防止することができる。
また、表１からわかるように、混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）が全体の供給時間の75％以上とした場合には、ウエハ２の表面への汚染物質の付着をより一層減少させることができ、ウエハ２をより一層良好に乾燥させることができる。
一方、表1の上限である混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）を全体の供給時間の83％よりも長くしてしまうと、従来の乾燥蒸気を連続して供給した場合（言い換えれば、混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）を全体の供給時間の100％とした場合）と同様に、乾燥蒸気の結露が発生してしまい、ウエハ２の乾燥に適していなかった。
したがって、混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とした場合には、ウエハ２の表面での乾燥蒸気の結露の発生をより一層良好に防止することができ、乾燥蒸気の結露に起因するウエハ２の汚染を防止することができる。
上記乾燥プログラム101による乾燥処理では、乾燥処理の開始直後から混合流体供給（混合流体供給ステップＳ７）とキャリアガス供給（キャリアガス供給ステップＳ８）とを連続して交互に繰り返し行うようにしているが、図14に模式的に示すように、乾燥処理の開始直後から一定時間t3（たとえば、20秒間）が経過するまでは、混合流体の供給を行い、その後の所定時間t4（たとえば、２秒）はキャリアガスのみの供給を行い、その後、混合流体供給（混合流体供給ステップＳ７）とキャリアガス供給（キャリアガス供給ステップＳ８）とを連続して交互に行うようにしてもよい。
乾燥処理を開始した直後には、ウエハ２の表面に洗浄水が比較的多く付着しているために、乾燥に必要な乾燥蒸気の量が多いので、混合流体の供給を連続して行い、その後、ウエハ２の表面に付着する洗浄水が少なくなってからは、乾燥に必要な乾燥蒸気の量が少なくなるので、混合流体の供給とキャリアガスの供給とを交互に行うことで、ウエハ２の表面での乾燥蒸気の結露の発生を防止して良好に乾燥を行うことができる。
また、上記乾燥プログラム101による乾燥処理では、乾燥処理の開始直後から混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t1）とキャリアガスの供給時間（キャリアガス供給ステップＳ８の実行時間t2）を変化させずに乾燥処理を行うようにしているが、図15に模式的に示すように、乾燥処理の開始直後における混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t5（たとえば、６秒））及びキャリアガスの供給時間（キャリアガス供給ステップＳ８の実行時間t6（たとえば、２秒））と、乾燥処理の開始後の所定時間（たとえば、30秒）経過後の乾燥処理における混合流体の供給時間（混合流体供給ステップＳ７の実行時間t7（たとえば、４秒））及びキャリアガスの供給時間（キャリアガス供給ステップＳ８の実行時間t8（たとえば、３秒））とを異ならせてもよい。
この場合も、乾燥処理を開始した直後には、ウエハ２の表面に洗浄水が比較的多く付着しているために、乾燥に必要な乾燥蒸気の量が多いので、比較的長く混合流体の供給を行うように混合流体供給を行う割合を多くし、その後、ウエハ２の表面に付着する洗浄水が少なくなってからは、乾燥に必要な乾燥蒸気の量が少なくなるので、比較的短く混合流体の供給を行うように混合流体供給を行う割合を少なくすることで、ウエハ２の表面での乾燥蒸気の結露の発生を防止して良好に乾燥を行うことができる。
このように、上記基板処理装置１での乾燥処理においては、乾燥蒸気供給機構78によって、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給を所定時間行い、その後（所定時間経過後）に混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行ったり、或いは、混合流体の供給時間とキャリアガスの供給時間（言い換えれば、混合流体の供給を行う割合）を途中で変化させることで、ウエハ２の状態に適応した乾燥処理を行うことができる。
なお、以上の説明においては、本発明をバッチ式の基板処理装置１に適用した場合を例に挙げて説明したが、これに限られず、単独の乾燥装置にも適用でき、また、枚葉式の処理装置にも適用できるものである。本発明は、乾燥蒸気を被処理体に向けて連続供給した場合に発生する乾燥蒸気の結露による不具合を解消する目的で乾燥蒸気を全体の50％以上の割合で間欠的に供給する構成として被処理体の乾燥処理を良好に行える効果が得られるものであり、この目的・構成・効果を共通にする技術的思想に係る乾燥装置や乾燥方法や乾燥プログラムを含む発明である。そのため、洗浄液の表面に形成した乾燥液の液層におけるマランゴニ効果を利用したマランゴニ乾燥において、乾燥液を補充する目的で乾燥液を洗浄液の表面に供給する構成としてマランゴニ効果を持続させる効果が得られる乾燥処理とは、たとえ乾燥液の補充を間欠的に行ったとしても目的・構成・効果が相違している。しかしながら、マランゴニ乾燥を行う乾燥処理において、マランゴニ効果による乾燥と併用して乾燥蒸気を被処理体に向けて間欠的に供給する場合には、本発明と目的・構成・効果が共通となり、本発明に含まれることになる。
本発明に係る基板処理装置を示す平面図。 基板洗浄乾燥ユニットを示すブロック図。 同正面断面図。 同側面断面図。 洗浄プログラムのフローチャート。 基板洗浄乾燥ユニットの動作説明図（初期設定時）。 基板洗浄乾燥ユニットの動作説明図（ウエハ受取時）。 基板洗浄乾燥ユニットの動作説明図（洗浄準備時）。 基板洗浄乾燥ユニットの動作説明図（ウエハ上昇時）。 乾燥プログラムのフローチャート。 基板洗浄乾燥ユニットの動作説明図（乾燥処理時）。 基板洗浄乾燥ユニットの動作説明図（ウエハ受渡時）。 乾燥処理時の動作を示す模式図。 乾燥処理時の動作を示す模式図。 乾燥処理時の動作を示す模式図。
符号の説明
１ 基板処理装置 ２ ウエハ
３ キャリア ４ キャリア搬入出部
５ バッチ ６ バッチ編成部
７ 基板処理部 ８ キャリアステージ
９ 開閉扉 10 キャリア搬送機構
11 キャリアストック 12 キャリア載置台
13 開閉扉 14 基板搬送機構
15 バッチ形成機構 16 配列順序変更機構
17 バッチ搬送機構 18 ウエハ収容状態検出センサー
19 ノッチアライナー 20 洗浄乾燥機構
21 洗浄機構 22 昇降機構
23 基板洗浄乾燥ユニット 24 搬送機構洗浄ユニット
25 第１の薬液槽 26 第２の薬液槽
27 第３の薬液槽 28 第１の純水槽
29 第２の純水槽 30 第３の純水槽
31 第１の搬送装置 32 第２の搬送装置
33 第３の搬送装置 34 洗浄ユニット
35 乾燥ユニット 36 ガイド桿
37 ウエハボート 38,39 連結体
40〜43 支持体 44〜47 支持溝
48 制御部 49 洗浄処理槽
50,51 左右側壁 52,53 洗浄液供給ノズル
54 底壁 55 排水管
56 開閉バルブ 57 オーバーフロー槽
58 底壁 59 排水管
60 開閉バルブ 61 純水供給源
62 薬液供給源 63 三方コック
64 乾燥処理槽 65 シャッター機構
66 ケーシング 67 シャッター収容部
68 シャッター 69 開閉機構
70 貫通孔 71 パッキン
72 昇降機構 73 フランジ
74,75 乾燥蒸気供給ノズル 76,77 ガス吐出口
78 乾燥蒸気供給機構 79 供給源
80 ガス供給管 81,82 分岐管
83,84 加熱手段 85 供給源
86 薬液供給管 87 間欠供給機構
88 薬液貯留タンク 89 供給源
90 整流器 91 開閉弁
92 ドレン管 93 開閉弁
94 予熱手段 95 開閉弁
96 フィルター 97 加熱手段
98 コントローラ 99 記憶媒体
100 洗浄プログラム 101 乾燥プログラム

Claims (25)

  1. 処理槽の内部にガス吐出口を設けるとともに、このガス吐出口から被処理体に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構を連通連結した乾燥装置において、
    前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上とするように構成したことを特徴とする乾燥装置。
  2. 前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上とするように構成したことを特徴とする請求項１に記載の乾燥装置。
  3. 前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とするように構成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の乾燥装置。
  4. 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の乾燥装置。
  5. 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスの供給源とガス吐出口とをガス供給管で連通連結するとともに、このガス供給管の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段を配設し、この加熱手段よりも上流側のガス供給管の中途部に薬液の供給源を薬液供給管を介して連通連結し、この薬液供給管の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の乾燥装置。
  6. 前記ガス供給管と薬液供給管との連結部分よりも上流側のガス供給管にキャリアガスを予め加熱するための予熱手段を配設したことを特徴とする請求項５に記載の乾燥装置。
  7. 前記ガス供給管の中途部分を複数本の分岐管に分岐し、各分岐管に前記加熱手段を配設するとともに、各加熱手段よりも上流側の分岐管の中途部に前記薬液供給管を連通連結したことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の乾燥装置。
  8. 基板の洗浄処理を行う洗浄処理槽と基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽とこれら洗浄処理槽と乾燥処理槽との間で基板の搬送を行う基板搬送機構を設け、乾燥処理槽の内部にガス吐出口を設けるとともに、このガス吐出口から基板に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給する乾燥蒸気供給機構を連通連結した基板処理装置において、
    前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上とするように構成したことを特徴とする基板処理装置。
  9. 前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上とするように構成したことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記乾燥蒸気供給機構は、前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下とするように構成したことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスに乾燥蒸気を間欠的に混入することによってキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成したことを特徴とする請求項８〜請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置。
  12. 前記乾燥蒸気供給機構は、キャリアガスの供給源とガス吐出口とをガス供給管で連通連結するとともに、このガス供給管の中途部に乾燥蒸気の原料となる薬液を気化させるための加熱手段を配設し、この加熱手段よりも上流側のガス供給管の中途部に薬液の供給源を薬液供給管を介して連通連結し、この薬液供給管の中途部に薬液を間欠的に供給する間欠供給機構を設けたことを特徴とする請求項８〜請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置。
  13. 前記乾燥蒸気供給機構は、基板搬送機構によって基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送した後にキャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行うように構成したことを特徴とする請求項８〜請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置。
  14. 被処理体に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって被処理体の乾燥処理を行う乾燥方法において、
    キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上としたことを特徴とする乾燥方法。
  15. 前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上としたことを特徴とする請求項１４に記載の乾燥方法。
  16. 前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下としたことを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の乾燥方法。
  17. 基板の洗浄処理を洗浄処理槽で行った後に、基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送し、乾燥処理槽の内部で基板に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって基板の乾燥処理を行う基板処理方法において、
    キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体の供給とキャリアガスだけの供給とを交互に行い、しかも、混合流体の供給時間を全体の供給時間の50％以上としたことを特徴とする基板処理方法。
  18. 前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の75％以上としたことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記混合流体の供給時間を全体の供給時間の83％以下としたことを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 被処理体に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって被処理体の乾燥処理を行う乾燥装置に被処理体の乾燥処理を実行させるための乾燥プログラムにおいて、
    キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を供給する混合流体供給ステップと、キャリアガスだけの供給を行うキャリアガス供給ステップとを交互に行い、しかも、混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の50％以上としたことを特徴とする乾燥プログラム。
  21. 前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の75％以上としたことを特徴とする請求項２０に記載の乾燥プログラム。
  22. 前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の83％以下としたことを特徴とする請求項２０又は請求項２１に記載の乾燥プログラム。
  23. 基板の洗浄処理を洗浄処理槽で行った後に、基板を洗浄処理槽から乾燥処理槽に搬送し、乾燥処理槽の内部で基板に向けて乾燥蒸気をキャリアガスとともに供給することによって基板の乾燥処理を行う基板処理装置に基板の乾燥処理を実行させるための基板処理プログラムにおいて、
    キャリアガスと乾燥蒸気との混合流体を供給する混合流体供給ステップと、キャリアガスだけの供給を行うキャリアガス供給ステップとを交互に行い、しかも、混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の50％以上としたことを特徴とする基板処理プログラム。
  24. 前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の75％以上としたことを特徴とする請求項２３に記載の基板処理プログラム。
  25. 前記混合流体供給ステップの実行時間を全体の供給時間の83％以下としたことを特徴とする請求項２３又は請求項２４に記載の基板処理プログラム。
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