JP3347814B2 - 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 - Google Patents
基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス製造
プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関
連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス
基板、電子部品等の各種基板を純水で洗浄した後その基
板表面を乾燥させる基板の洗浄・乾燥処理方法並びにそ
の装置に関する。
プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関
連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス
基板、電子部品等の各種基板を純水で洗浄した後その基
板表面を乾燥させる基板の洗浄・乾燥処理方法並びにそ
の装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ等の各種基板を、温水を
使用して洗浄し、その洗浄後に基板表面を乾燥させる方
法としては、従来、例えば特開平３−３０３３０号公報
に開示されているような方法が知られている。同号公報
には、基板をチャンバ内に収容し、そのチャンバ内に温
水を注入して基板を温水に浸した後、チャンバ内を温水
の蒸気圧以下に減圧して温水を沸騰させ、この温水の減
圧沸騰により基板を洗浄し、その洗浄後にチャンバ内に
純水を注入し、純水によって基板をすすいで清浄にした
後、チャンバ内の水を排出させるとともに、チャンバ内
を真空引きして、洗浄された基板を乾燥させるようにす
る基板の洗浄・乾燥処理方法が開示されている。また、
同号公報には、チャンバ内の水を排出させる際に、その
排水と同時に窒素ガスをチャンバ内に供給することによ
り、基板に塵埃が付着するのを窒素ガスによって有効に
防止するようにする技術が開示されている。
使用して洗浄し、その洗浄後に基板表面を乾燥させる方
法としては、従来、例えば特開平３−３０３３０号公報
に開示されているような方法が知られている。同号公報
には、基板をチャンバ内に収容し、そのチャンバ内に温
水を注入して基板を温水に浸した後、チャンバ内を温水
の蒸気圧以下に減圧して温水を沸騰させ、この温水の減
圧沸騰により基板を洗浄し、その洗浄後にチャンバ内に
純水を注入し、純水によって基板をすすいで清浄にした
後、チャンバ内の水を排出させるとともに、チャンバ内
を真空引きして、洗浄された基板を乾燥させるようにす
る基板の洗浄・乾燥処理方法が開示されている。また、
同号公報には、チャンバ内の水を排出させる際に、その
排水と同時に窒素ガスをチャンバ内に供給することによ
り、基板に塵埃が付着するのを窒素ガスによって有効に
防止するようにする技術が開示されている。
【０００３】また、特開平３−１６９０１３号公報に
は、密閉された容器内に温水を入れ、半導体ウエハを容
器に懸架して支持し温水中に浸漬させて洗浄した後、容
器内にウエハを移動させないよう保持した状態で、容器
内へ水と相溶性のあるイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）等の乾燥蒸気を供給するとともに、容器下部から水
を排出させ、ウエハの表面に水滴が残らないように水の
流出速度及び乾燥蒸気の流入速度を制御しながら、水を
ウエハ表面から乾燥蒸気で置換し、その後に乾燥した窒
素等の不活性で非凝縮性ガスを容器内に導入してウエハ
表面から乾燥蒸気をパージすることにより、ウエハを乾
燥させるようにする方法が開示されている。
は、密閉された容器内に温水を入れ、半導体ウエハを容
器に懸架して支持し温水中に浸漬させて洗浄した後、容
器内にウエハを移動させないよう保持した状態で、容器
内へ水と相溶性のあるイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）等の乾燥蒸気を供給するとともに、容器下部から水
を排出させ、ウエハの表面に水滴が残らないように水の
流出速度及び乾燥蒸気の流入速度を制御しながら、水を
ウエハ表面から乾燥蒸気で置換し、その後に乾燥した窒
素等の不活性で非凝縮性ガスを容器内に導入してウエハ
表面から乾燥蒸気をパージすることにより、ウエハを乾
燥させるようにする方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した特開平３−３
０３３０号公報に開示された方法では、温水により基板
を洗浄し純水で基板をすすいだ後、基板を静止させたま
まチャンバ内から排水するようにしている。このよう
に、基板を静止させた状態で排水し、チャンバ内の液面
を下げていって基板の周囲から水を排除するようにして
いるが、チャンバからの排水過程では、洗浄によって基
板表面から除去されて液中に拡散したパーティクルが液
面付近に集中する。このため、静止した基板の表面上を
液面が下降していく際に、基板の表面にパーティクルが
再付着し易い、といった問題点がある。
０３３０号公報に開示された方法では、温水により基板
を洗浄し純水で基板をすすいだ後、基板を静止させたま
まチャンバ内から排水するようにしている。このよう
に、基板を静止させた状態で排水し、チャンバ内の液面
を下げていって基板の周囲から水を排除するようにして
いるが、チャンバからの排水過程では、洗浄によって基
板表面から除去されて液中に拡散したパーティクルが液
面付近に集中する。このため、静止した基板の表面上を
液面が下降していく際に、基板の表面にパーティクルが
再付着し易い、といった問題点がある。
【０００５】また、特開平３−１６９０１３号公報に開
示された方法では、密閉容器内において温水により基板
を洗浄した後、基板を静止させたまま容器から排水する
とともに、容器内へＩＰＡ蒸気等の乾燥蒸気を供給し、
水をＩＰＡ蒸気等で置換して基板を乾燥させるようにし
ている。このように、密閉容器内で基板を静止させたま
ま水をＩＰＡ蒸気等で置換することだけで、基板の乾燥
処理を行なうようにしているため、ＩＰＡ等の有機溶剤
を多量に必要とするばかりでなく、使用される有機溶剤
の沸点、例えばＩＰＡでは８０℃の温度付近まで基板の
温度を上昇させておかないと、基板表面上に蒸気凝縮し
たＩＰＡが速やかに蒸発しないことにより、乾燥時間が
長くなってしまう、といった問題点がある。
示された方法では、密閉容器内において温水により基板
を洗浄した後、基板を静止させたまま容器から排水する
とともに、容器内へＩＰＡ蒸気等の乾燥蒸気を供給し、
水をＩＰＡ蒸気等で置換して基板を乾燥させるようにし
ている。このように、密閉容器内で基板を静止させたま
ま水をＩＰＡ蒸気等で置換することだけで、基板の乾燥
処理を行なうようにしているため、ＩＰＡ等の有機溶剤
を多量に必要とするばかりでなく、使用される有機溶剤
の沸点、例えばＩＰＡでは８０℃の温度付近まで基板の
温度を上昇させておかないと、基板表面上に蒸気凝縮し
たＩＰＡが速やかに蒸発しないことにより、乾燥時間が
長くなってしまう、といった問題点がある。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、シリコンウエハ等の基板を純水で洗
浄した後その基板表面を乾燥させる場合に、基板表面へ
のパーティクルの付着を少なく抑えることができるとと
もに、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少な
くて済み、また、基板を特に加熱したりしなくても乾燥
が速やかに行なわれるような基板の洗浄・乾燥処理方法
を提供すること、並びに、その方法を好適に実施するこ
とができる装置を提供することを技術的課題とする。
されたものであり、シリコンウエハ等の基板を純水で洗
浄した後その基板表面を乾燥させる場合に、基板表面へ
のパーティクルの付着を少なく抑えることができるとと
もに、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少な
くて済み、また、基板を特に加熱したりしなくても乾燥
が速やかに行なわれるような基板の洗浄・乾燥処理方法
を提供すること、並びに、その方法を好適に実施するこ
とができる装置を提供することを技術的課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の基
板の洗浄・乾燥処理方法では、洗浄槽内へ純水を供給し
洗浄槽の上部からその純水を溢れ出させて洗浄槽内部に
おいて純水の上昇水流を形成し、この純水の上昇水流に
よって基板を洗浄する工程と、前記基板を前記洗浄槽内
の純水中から引き上げ又は洗浄槽内から純水を排出して
基板を洗浄槽内の純水中から密閉された空間へ露出させ
る工程とを備え、少なくとも前記した純水中からの基板
の露出工程において、基板の上端が純水中から露出する
時点から基板の全体が純水中から露出し終わるまで、水
溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下させる作
用を有する有機溶剤の蒸気を前記密閉された空間内へ供
給するようにする。請求項２に係る発明は、請求項１記
載の方法において、洗浄槽内の純水中から基板が露出さ
せられた密閉された空間を減圧することを特徴とする。
請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２記載の方
法において、洗浄槽内の純水中からの基板の露出が開始
される時点で、純水の界面が有機溶剤の蒸気で満たされ
た状態とされることを特徴とする。
板の洗浄・乾燥処理方法では、洗浄槽内へ純水を供給し
洗浄槽の上部からその純水を溢れ出させて洗浄槽内部に
おいて純水の上昇水流を形成し、この純水の上昇水流に
よって基板を洗浄する工程と、前記基板を前記洗浄槽内
の純水中から引き上げ又は洗浄槽内から純水を排出して
基板を洗浄槽内の純水中から密閉された空間へ露出させ
る工程とを備え、少なくとも前記した純水中からの基板
の露出工程において、基板の上端が純水中から露出する
時点から基板の全体が純水中から露出し終わるまで、水
溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下させる作
用を有する有機溶剤の蒸気を前記密閉された空間内へ供
給するようにする。請求項２に係る発明は、請求項１記
載の方法において、洗浄槽内の純水中から基板が露出さ
せられた密閉された空間を減圧することを特徴とする。
請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２記載の方
法において、洗浄槽内の純水中からの基板の露出が開始
される時点で、純水の界面が有機溶剤の蒸気で満たされ
た状態とされることを特徴とする。
【０００８】また、請求項４に係る発明の基板の洗浄・
乾燥処理方法では、洗浄槽内へ純水を供給し、洗浄槽の
上部からその純水を溢れ出させて、洗浄槽内部において
純水の上昇水流を形成する工程と、基板を下降させて前
記洗浄槽内の純水中に浸漬させ、純水の上昇水流によっ
て基板を洗浄する工程と、前記基板を上昇させて前記洗
浄槽内の純水中から洗浄槽の上方側の密閉された空間へ
引き上げる工程と、前記洗浄槽内の純水を洗浄槽から排
出する工程とを備え、少なくとも前記した純水中からの
基板の引上げ工程において、基板の上端が純水中から露
出する時点から基板の全体が純水中から引き上げられる
まで、水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下
させる作用を有する有機溶剤の蒸気を前記洗浄槽の上方
側の密閉された空間内へ供給するようにする。請求項５
に係る発明は、請求項４記載の方法において、洗浄槽内
の純水中から基板が引き上げられた密閉された空間を減
圧することを特徴とする。請求項６に係る発明は、請求
項４又は請求項５記載の方法において、洗浄槽内の純水
中からの基板の引上げが開始される時点で、純水の界面
が有機溶剤の蒸気で満たされた状態とされる。 請求項７
に係る発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の方法において、水溶性でかつ基板に対する純水の表
面張力を低下させる作用を有する有機溶剤として、アル
コール類、ケトン類又はエーテル類を用いることを特徴
とする。
乾燥処理方法では、洗浄槽内へ純水を供給し、洗浄槽の
上部からその純水を溢れ出させて、洗浄槽内部において
純水の上昇水流を形成する工程と、基板を下降させて前
記洗浄槽内の純水中に浸漬させ、純水の上昇水流によっ
て基板を洗浄する工程と、前記基板を上昇させて前記洗
浄槽内の純水中から洗浄槽の上方側の密閉された空間へ
引き上げる工程と、前記洗浄槽内の純水を洗浄槽から排
出する工程とを備え、少なくとも前記した純水中からの
基板の引上げ工程において、基板の上端が純水中から露
出する時点から基板の全体が純水中から引き上げられる
まで、水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下
させる作用を有する有機溶剤の蒸気を前記洗浄槽の上方
側の密閉された空間内へ供給するようにする。請求項５
に係る発明は、請求項４記載の方法において、洗浄槽内
の純水中から基板が引き上げられた密閉された空間を減
圧することを特徴とする。請求項６に係る発明は、請求
項４又は請求項５記載の方法において、洗浄槽内の純水
中からの基板の引上げが開始される時点で、純水の界面
が有機溶剤の蒸気で満たされた状態とされる。 請求項７
に係る発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の方法において、水溶性でかつ基板に対する純水の表
面張力を低下させる作用を有する有機溶剤として、アル
コール類、ケトン類又はエーテル類を用いることを特徴
とする。
【０００９】また、請求項８に係る発明では、上記した
請求項４に係る発明の方法を実施する基板の洗浄・乾燥
処理装置を、洗浄・乾燥処理部と、この洗浄・乾燥処理
部へ純水を供給する純水供給手段、並びに、洗浄・乾燥
処理部から純水を排出する排水手段と、洗浄・乾燥処理
部において基板を昇降移動させる基板昇降手段と、洗浄
・乾燥処理部へ水溶性でかつ基板に対する純水の表面張
力を低下させる作用を有する有機溶剤の蒸気を供給する
蒸気供給手段とを備えて構成した。洗浄・乾燥処理部
は、洗浄槽、溢流水受け部及び密閉チャンバから構成さ
れており、洗浄槽には、純水を供給するための純水供給
口が形成され、上部に純水を越流させるための越流部が
形成されていて、この洗浄槽内部に純水を収容してその
純水中に基板が浸漬されるようになっており、また、そ
の洗浄槽の越流部より溢れ出た純水が溢流水受け部へ流
れ込むようになっている。そして、密閉チャンバは、そ
れら洗浄槽及び溢流水受け部の上方を閉鎖的に包囲し基
板の収容が可能である空間を有し、この密閉チャンバ内
において基板昇降手段により基板が洗浄槽の上方位置と
洗浄槽内部位置との間を昇降移動させられるようになっ
ており、また、密閉チャンバには、前記有機溶剤の蒸気
を供給するための蒸気供給口が形成されている。さら
に、洗浄槽の純水供給口に接続された純水供給管路及び
溢流水受け部に接続した排水管路には、それぞれ開閉弁
が介設されている。そして、蒸気供給手段により、少な
くとも洗浄槽内の純水中から基板を引き上げる際に、基
板の上端が純水中から露出する時点から基板の全体が純
水中から引き上げられるまで、密閉チャンバ内へ蒸気供
給口を通して前記有機溶剤の蒸気が供給されるようにな
っている。請求項９に係る発明は、請求項８記載の装置
において、洗浄・乾燥処理部を減圧する排気手段を設け
たことを特徴とする。
請求項４に係る発明の方法を実施する基板の洗浄・乾燥
処理装置を、洗浄・乾燥処理部と、この洗浄・乾燥処理
部へ純水を供給する純水供給手段、並びに、洗浄・乾燥
処理部から純水を排出する排水手段と、洗浄・乾燥処理
部において基板を昇降移動させる基板昇降手段と、洗浄
・乾燥処理部へ水溶性でかつ基板に対する純水の表面張
力を低下させる作用を有する有機溶剤の蒸気を供給する
蒸気供給手段とを備えて構成した。洗浄・乾燥処理部
は、洗浄槽、溢流水受け部及び密閉チャンバから構成さ
れており、洗浄槽には、純水を供給するための純水供給
口が形成され、上部に純水を越流させるための越流部が
形成されていて、この洗浄槽内部に純水を収容してその
純水中に基板が浸漬されるようになっており、また、そ
の洗浄槽の越流部より溢れ出た純水が溢流水受け部へ流
れ込むようになっている。そして、密閉チャンバは、そ
れら洗浄槽及び溢流水受け部の上方を閉鎖的に包囲し基
板の収容が可能である空間を有し、この密閉チャンバ内
において基板昇降手段により基板が洗浄槽の上方位置と
洗浄槽内部位置との間を昇降移動させられるようになっ
ており、また、密閉チャンバには、前記有機溶剤の蒸気
を供給するための蒸気供給口が形成されている。さら
に、洗浄槽の純水供給口に接続された純水供給管路及び
溢流水受け部に接続した排水管路には、それぞれ開閉弁
が介設されている。そして、蒸気供給手段により、少な
くとも洗浄槽内の純水中から基板を引き上げる際に、基
板の上端が純水中から露出する時点から基板の全体が純
水中から引き上げられるまで、密閉チャンバ内へ蒸気供
給口を通して前記有機溶剤の蒸気が供給されるようにな
っている。請求項９に係る発明は、請求項８記載の装置
において、洗浄・乾燥処理部を減圧する排気手段を設け
たことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記した請求項１及び請求項４に係る各発明の
方法によれば、基板は、洗浄槽内部に形成される純水の
上昇水流中に置かれることによって洗浄され、その表面
からパーティクルが除去される。そして、基板表面から
除去されて純水中へ拡散していったパーティクルは、洗
浄槽の上部から溢れ出る純水と共に洗浄槽から排出され
るので、純水中に含まれるパーティクルの量は極めて少
なくなる。また、少なくとも純水中からの基板の引上げ
又は洗浄槽内からの純水の排出により基板を純水中から
密閉された空間へ露出させる工程において、基板の上端
が純水中から露出する時点から基板の全体が純水中から
露出し終わるまで、水溶性でかつ基板に対する純水の表
面張力を低下させる作用を有する有機溶剤の蒸気が密閉
された空間内へ供給されて、基板表面が有機溶剤の蒸気
と接触するので、基板表面の表面張力が低下し、このた
め、基板表面に水滴が残らず、乾燥が促進させられると
ともに、純水中にパーティクルが僅かに残存していて
も、基板表面へのパーティクルの付着は殆んど起こらな
い。請求項２及び請求項５に係る各発明の方法では、洗
浄槽内の純水中から基板が露出させられた密閉された空
間が減圧されるので、減圧による有機溶剤の沸点降下に
より、基板表面で純水と置換した有機溶剤は速やかに蒸
発し、基板表面は短時間で乾燥することになる。請求項
３及び請求項６に係る各発明の方法では、洗浄槽内の純
水中からの基板の露出が開始される時点で純水の界面が
有機溶剤の蒸気で満たされているので、純水中からの基
板の露出部分が直ちにかつ確実に有機溶剤の蒸気と接触
する。また、請求項７に係る発明の方法では、洗浄槽内
の純水中から露出させられた基板の周囲へアルコール
類、ケトン類又はエーテル類が供給されることにより、
基板表面の表面張力が低下することになる。
方法によれば、基板は、洗浄槽内部に形成される純水の
上昇水流中に置かれることによって洗浄され、その表面
からパーティクルが除去される。そして、基板表面から
除去されて純水中へ拡散していったパーティクルは、洗
浄槽の上部から溢れ出る純水と共に洗浄槽から排出され
るので、純水中に含まれるパーティクルの量は極めて少
なくなる。また、少なくとも純水中からの基板の引上げ
又は洗浄槽内からの純水の排出により基板を純水中から
密閉された空間へ露出させる工程において、基板の上端
が純水中から露出する時点から基板の全体が純水中から
露出し終わるまで、水溶性でかつ基板に対する純水の表
面張力を低下させる作用を有する有機溶剤の蒸気が密閉
された空間内へ供給されて、基板表面が有機溶剤の蒸気
と接触するので、基板表面の表面張力が低下し、このた
め、基板表面に水滴が残らず、乾燥が促進させられると
ともに、純水中にパーティクルが僅かに残存していて
も、基板表面へのパーティクルの付着は殆んど起こらな
い。請求項２及び請求項５に係る各発明の方法では、洗
浄槽内の純水中から基板が露出させられた密閉された空
間が減圧されるので、減圧による有機溶剤の沸点降下に
より、基板表面で純水と置換した有機溶剤は速やかに蒸
発し、基板表面は短時間で乾燥することになる。請求項
３及び請求項６に係る各発明の方法では、洗浄槽内の純
水中からの基板の露出が開始される時点で純水の界面が
有機溶剤の蒸気で満たされているので、純水中からの基
板の露出部分が直ちにかつ確実に有機溶剤の蒸気と接触
する。また、請求項７に係る発明の方法では、洗浄槽内
の純水中から露出させられた基板の周囲へアルコール
類、ケトン類又はエーテル類が供給されることにより、
基板表面の表面張力が低下することになる。
【００１１】上記した作用に加え、請求項４に係る発明
の方法によれば、基板を静止させたまま排水して基板の
周囲から水を排除するのではなく、基板を上昇させて洗
浄槽内の純水中から引き上げるようにしているので、基
板表面へのパーティクルの再付着がさらに低減する。そ
して、上記した構成の請求項８に係る発明の基板洗浄・
乾燥処理装置によれば、請求項４に係る発明の方法が効
果的に実施される。また、請求項９に係る発明の装置に
よれば、請求項５に係る発明の方法が効果的に実施され
る。
の方法によれば、基板を静止させたまま排水して基板の
周囲から水を排除するのではなく、基板を上昇させて洗
浄槽内の純水中から引き上げるようにしているので、基
板表面へのパーティクルの再付着がさらに低減する。そ
して、上記した構成の請求項８に係る発明の基板洗浄・
乾燥処理装置によれば、請求項４に係る発明の方法が効
果的に実施される。また、請求項９に係る発明の装置に
よれば、請求項５に係る発明の方法が効果的に実施され
る。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１３】図１は、この発明に係る基板の洗浄・乾燥
処理方法を実施する装置の全体構成の１例を示す概略図
であり、図２は、その装置の洗浄・乾燥処理部の構成を
示す側面断面図である。
処理方法を実施する装置の全体構成の１例を示す概略図
であり、図２は、その装置の洗浄・乾燥処理部の構成を
示す側面断面図である。
【００１４】まず、洗浄・乾燥処理部10の構成について
説明する。洗浄・乾燥処理部10は、洗浄槽12、溢流水受
け部14及び密閉チャンバ16から構成されている。洗浄槽
12には、その底部に純水供給口18が形成され、一方、そ
の上部に越流部20が形成されていて、越流部20を越えて
洗浄槽12から溢れ出た純水が溢流水受け部14内へ流れ込
むように、洗浄槽12と溢流水受け部14とで二重槽構造と
なっている。また、洗浄槽12は、その内部に収容された
純水中に基板、例えばシリコンウエハを複数枚収容した
カセットＣが完全に浸漬され得るような内容積を有して
いる。そして、洗浄槽12及び溢流水受け部14の上方空間
は、密閉チャンバ16によって閉鎖的に包囲されている。
密閉チャンバ16の前面側には、複数枚のウエハを収容し
たカセットＣを出し入れするための開口22が形成されて
おり、その開口22を開閉自在に気密に閉塞することがで
きる密閉蓋24が設けられている。また、密閉チャンバ16
の側壁面には、蒸気供給口26が形成されている。さら
に、密閉チャンバ16の外壁面には、それを被覆するよう
にラバーヒータ25が配設されており、また、密閉蓋24に
は、密閉チャンバ16の内壁面の温度を検出するための温
度計27が、密閉蓋24の壁面を貫通して取り付けられてい
る。
説明する。洗浄・乾燥処理部10は、洗浄槽12、溢流水受
け部14及び密閉チャンバ16から構成されている。洗浄槽
12には、その底部に純水供給口18が形成され、一方、そ
の上部に越流部20が形成されていて、越流部20を越えて
洗浄槽12から溢れ出た純水が溢流水受け部14内へ流れ込
むように、洗浄槽12と溢流水受け部14とで二重槽構造と
なっている。また、洗浄槽12は、その内部に収容された
純水中に基板、例えばシリコンウエハを複数枚収容した
カセットＣが完全に浸漬され得るような内容積を有して
いる。そして、洗浄槽12及び溢流水受け部14の上方空間
は、密閉チャンバ16によって閉鎖的に包囲されている。
密閉チャンバ16の前面側には、複数枚のウエハを収容し
たカセットＣを出し入れするための開口22が形成されて
おり、その開口22を開閉自在に気密に閉塞することがで
きる密閉蓋24が設けられている。また、密閉チャンバ16
の側壁面には、蒸気供給口26が形成されている。さら
に、密閉チャンバ16の外壁面には、それを被覆するよう
にラバーヒータ25が配設されており、また、密閉蓋24に
は、密閉チャンバ16の内壁面の温度を検出するための温
度計27が、密閉蓋24の壁面を貫通して取り付けられてい
る。
【００１５】また、密閉チャンバ16内には、ウエハを収
容したカセットＣを保持する保持部材28が配設されてお
り、この保持部材28を上下方向に往復移動させて、保持
部材28に保持されたカセットＣを、二点鎖線で示した洗
浄槽上方位置と実線で示した洗浄槽内部位置との間で昇
降移動させる昇降駆動機構が密閉チャンバ16に併設され
ている。昇降駆動機構は、上端部が保持部材28に連接さ
れた駆動ロッド30、この駆動ロッド30を摺動自在に支持
する軸受装置32、駆動プーリ34及び従動プーリ36、両プ
ーリ34、36間に掛け渡され、駆動ロッド30の下端部が固
着されたベルト38、並びに、駆動プーリ34を回転駆動す
る駆動用モータ40から構成されている。尚、上記保持部
材28により複数のウエハを直接保持させることにより、
カセットＣを省略する構成とすることも可能である。
容したカセットＣを保持する保持部材28が配設されてお
り、この保持部材28を上下方向に往復移動させて、保持
部材28に保持されたカセットＣを、二点鎖線で示した洗
浄槽上方位置と実線で示した洗浄槽内部位置との間で昇
降移動させる昇降駆動機構が密閉チャンバ16に併設され
ている。昇降駆動機構は、上端部が保持部材28に連接さ
れた駆動ロッド30、この駆動ロッド30を摺動自在に支持
する軸受装置32、駆動プーリ34及び従動プーリ36、両プ
ーリ34、36間に掛け渡され、駆動ロッド30の下端部が固
着されたベルト38、並びに、駆動プーリ34を回転駆動す
る駆動用モータ40から構成されている。尚、上記保持部
材28により複数のウエハを直接保持させることにより、
カセットＣを省略する構成とすることも可能である。
【００１６】洗浄槽12の純水供給口18には、純水供給源
に連通接続された純水供給管路42が管路44、46を介して
連通接続されており、純水供給管路42には、エアー開閉
弁48、フィルター装置50及びボール弁52が介設されてい
る。また、純水供給管路42の途中に純水リターン管路54
が分岐接続されており、純水リターン管路54にはエアー
開閉弁56が介設されている。洗浄槽12の純水供給口18
は、純水供給管路42とは別に、管路44から分岐した純水
排出管路58に連通接続されており、純水排出管路58は、
管路60を介してドレンに接続している。一方、溢流水受
け部14には排水口62が形成され、その排水口62に管路64
を介して排水管路66が連通接続されており、排水管路66
は、純水排出管路58と合流して管路60を介しドレンに接
続している。純水排出管路58及び排水管路66には、それ
ぞれエアー開閉弁68、70が介設されている。
に連通接続された純水供給管路42が管路44、46を介して
連通接続されており、純水供給管路42には、エアー開閉
弁48、フィルター装置50及びボール弁52が介設されてい
る。また、純水供給管路42の途中に純水リターン管路54
が分岐接続されており、純水リターン管路54にはエアー
開閉弁56が介設されている。洗浄槽12の純水供給口18
は、純水供給管路42とは別に、管路44から分岐した純水
排出管路58に連通接続されており、純水排出管路58は、
管路60を介してドレンに接続している。一方、溢流水受
け部14には排水口62が形成され、その排水口62に管路64
を介して排水管路66が連通接続されており、排水管路66
は、純水排出管路58と合流して管路60を介しドレンに接
続している。純水排出管路58及び排水管路66には、それ
ぞれエアー開閉弁68、70が介設されている。
【００１７】さらに、洗浄槽12の純水供給口18は、管路
46から分岐した真空排気管路72に連通接続されており、
一方、溢流水受け部14の排水口62は、管路64から分岐し
た真空排気管路74に連通接続されている。各真空排気管
路72、74には、エアー開閉弁76、78がそれぞれ介設され
ており、両真空排気管路72、74は合流し、真空排気管路
80を介して水封式真空ポンプ82に連通接続している。図
中の84は、真空排気管路80に介設されたボール弁であ
る。
46から分岐した真空排気管路72に連通接続されており、
一方、溢流水受け部14の排水口62は、管路64から分岐し
た真空排気管路74に連通接続されている。各真空排気管
路72、74には、エアー開閉弁76、78がそれぞれ介設され
ており、両真空排気管路72、74は合流し、真空排気管路
80を介して水封式真空ポンプ82に連通接続している。図
中の84は、真空排気管路80に介設されたボール弁であ
る。
【００１８】また、密閉チャンバ１６の蒸気供給口２６
には、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ２）ガスの供給源に
連通接続された蒸気供給用管路８６が連通接続されてお
り、蒸気供給用管路８６には、エアー開閉弁８８、ヒー
タ９０、アルコール蒸気発生ユニット９２及びフィルタ
ー９４が介設されている。アルコール蒸気発生ユニット
９２では、メチルアルコール、エチルアルコール、ＩＰ
Ａ等のアルコール類の蒸気が生成される。尚、アルコー
ル類以外に、アルコール類と同様に水溶性でかつ基板に
対する純水の表面張力を低下させる作用を有する有機溶
剤として、アセトン、ジエチルケトン等のケトン類、メ
チルエーテル、エチルエーテル等のエーテル類、エチレ
ングリコール等の多価アルコールなどを使用することも
できるが、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場
に多く提供されている点などからすると、ＩＰＡを使用
するのが最も好ましい。このアルコール蒸気発生ユニッ
ト９２におけるアルコール蒸気の発生方法としては、ア
ルコール中に不活性ガスを吹き込む方法、バブリングす
る方法、超音波を利用する方法など、適宜の方法を使用
するようにすればよい。また、アルコール蒸気発生ユニ
ット９２には、温調機能が備わっており、所定温度に調
節されたアルコール蒸気が生成されるようになってい
る。さらに、この蒸気供給用管路８６の途中には、エア
ー開閉弁８８とヒータ９０との間の区間で分岐しアルコ
ール蒸気発生ユニット９２とフィルター９４との間の区
間で合流する分岐管路９５が設けられており、その分岐
管路９５にイオナイザー９６及びエアー開閉弁９８が介
設されている。そして、エアー開閉弁８８が開いた状態
で、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスがヒータ９０
によって加熱され、その加熱された窒素ガスにより、ア
ルコール蒸気発生ユニット９２で発生したアルコール蒸
気が蒸気供給用管路８６を通して送られ、アルコール蒸
気が窒素ガスと共にフィルター９４によって清浄化され
た後、蒸気供給口２６を通して密閉チャンバ１６内へ供
給される構成となっている。また、エアー開閉弁９８を
開くことにより、窒素ガス供給源から送られヒータ９０
によって加熱された窒素ガスをイオナイザー９６によっ
てイオン化させ、その加熱されかつイオン化されフィル
ター９４によって清浄化された窒素ガスを蒸気供給口２
６を通して密閉チャンバ１６内へ供給することができる
ようにもなっている。
には、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ２）ガスの供給源に
連通接続された蒸気供給用管路８６が連通接続されてお
り、蒸気供給用管路８６には、エアー開閉弁８８、ヒー
タ９０、アルコール蒸気発生ユニット９２及びフィルタ
ー９４が介設されている。アルコール蒸気発生ユニット
９２では、メチルアルコール、エチルアルコール、ＩＰ
Ａ等のアルコール類の蒸気が生成される。尚、アルコー
ル類以外に、アルコール類と同様に水溶性でかつ基板に
対する純水の表面張力を低下させる作用を有する有機溶
剤として、アセトン、ジエチルケトン等のケトン類、メ
チルエーテル、エチルエーテル等のエーテル類、エチレ
ングリコール等の多価アルコールなどを使用することも
できるが、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場
に多く提供されている点などからすると、ＩＰＡを使用
するのが最も好ましい。このアルコール蒸気発生ユニッ
ト９２におけるアルコール蒸気の発生方法としては、ア
ルコール中に不活性ガスを吹き込む方法、バブリングす
る方法、超音波を利用する方法など、適宜の方法を使用
するようにすればよい。また、アルコール蒸気発生ユニ
ット９２には、温調機能が備わっており、所定温度に調
節されたアルコール蒸気が生成されるようになってい
る。さらに、この蒸気供給用管路８６の途中には、エア
ー開閉弁８８とヒータ９０との間の区間で分岐しアルコ
ール蒸気発生ユニット９２とフィルター９４との間の区
間で合流する分岐管路９５が設けられており、その分岐
管路９５にイオナイザー９６及びエアー開閉弁９８が介
設されている。そして、エアー開閉弁８８が開いた状態
で、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスがヒータ９０
によって加熱され、その加熱された窒素ガスにより、ア
ルコール蒸気発生ユニット９２で発生したアルコール蒸
気が蒸気供給用管路８６を通して送られ、アルコール蒸
気が窒素ガスと共にフィルター９４によって清浄化され
た後、蒸気供給口２６を通して密閉チャンバ１６内へ供
給される構成となっている。また、エアー開閉弁９８を
開くことにより、窒素ガス供給源から送られヒータ９０
によって加熱された窒素ガスをイオナイザー９６によっ
てイオン化させ、その加熱されかつイオン化されフィル
ター９４によって清浄化された窒素ガスを蒸気供給口２
６を通して密閉チャンバ１６内へ供給することができる
ようにもなっている。
【００１９】さらに、この装置には、温度計27の検出信
号に基づいてラバーヒータ25を制御することにより、密
閉チャンバ16の内壁面の温度を所定温度、例えば温純水
の温度以上に所望期間保持させるための制御器100が設
けられている。
号に基づいてラバーヒータ25を制御することにより、密
閉チャンバ16の内壁面の温度を所定温度、例えば温純水
の温度以上に所望期間保持させるための制御器100が設
けられている。
【００２０】次に、上記した構成の基板の洗浄・乾燥処
理装置を使用し、基板、例えばシリコンウエハの洗浄及
び乾燥処理を行なう方法の１例について説明する。
理装置を使用し、基板、例えばシリコンウエハの洗浄及
び乾燥処理を行なう方法の１例について説明する。
【００２１】まず、エアー開閉弁４８、７０を開き、そ
れ以外のエアー開閉弁５６、６８、７６、７８、８８、
９８を閉じた状態で、純水供給源から純水供給管路４２
及び管路４６、４４を通して純水、例えば温純水を送
り、洗浄槽１２内へその底部の純水供給口１８から温純
水を連続して供給することにより、洗浄槽１２の内部に
温純水の上昇水流を形成する。このとき、洗浄槽１２内
部を満たした温純水は、その上部の越流部２０から溢れ
出て、溢流水受け部１４内へ流入し、溢流水受け部１４
から排水口６２を通り、排水管路６６及び管路６０を通
ってドレンに排出される。また、同時に、ラバーヒータ
２５により密閉チャンバ１６の壁面を加熱する。この加
熱は、密閉蓋２４の壁面に取り付けられた温度計２７の
検出信号に基づき、制御器１００によってラバーヒータ
２５を制御し、密閉チャンバ１６の内壁面の温度が所定
温度、例えば温純水の温度（１例として６０°）以上に
保持されるように行なわれる。このように密閉チャンバ
１６の内壁面を加熱しておくことにより、後述するウエ
ハの洗浄中や温純水中からのウエハの引上げ過程におい
て、密閉チャンバ１６の内壁面などへの水蒸気の結露が
起こらず、アルコール蒸気がウエハの周囲へ供給された
際に、その蒸気の熱エネルギーが結露した水滴で奪われ
る、といったことが防止されて、ウエハの乾燥効率が向
上することになる。そして、カセットＣに収容された複
数枚のウエハが開口２２を通して密閉チャンバ１６内へ
搬入され、密閉蓋２４が気密に閉塞される。
れ以外のエアー開閉弁５６、６８、７６、７８、８８、
９８を閉じた状態で、純水供給源から純水供給管路４２
及び管路４６、４４を通して純水、例えば温純水を送
り、洗浄槽１２内へその底部の純水供給口１８から温純
水を連続して供給することにより、洗浄槽１２の内部に
温純水の上昇水流を形成する。このとき、洗浄槽１２内
部を満たした温純水は、その上部の越流部２０から溢れ
出て、溢流水受け部１４内へ流入し、溢流水受け部１４
から排水口６２を通り、排水管路６６及び管路６０を通
ってドレンに排出される。また、同時に、ラバーヒータ
２５により密閉チャンバ１６の壁面を加熱する。この加
熱は、密閉蓋２４の壁面に取り付けられた温度計２７の
検出信号に基づき、制御器１００によってラバーヒータ
２５を制御し、密閉チャンバ１６の内壁面の温度が所定
温度、例えば温純水の温度（１例として６０°）以上に
保持されるように行なわれる。このように密閉チャンバ
１６の内壁面を加熱しておくことにより、後述するウエ
ハの洗浄中や温純水中からのウエハの引上げ過程におい
て、密閉チャンバ１６の内壁面などへの水蒸気の結露が
起こらず、アルコール蒸気がウエハの周囲へ供給された
際に、その蒸気の熱エネルギーが結露した水滴で奪われ
る、といったことが防止されて、ウエハの乾燥効率が向
上することになる。そして、カセットＣに収容された複
数枚のウエハが開口２２を通して密閉チャンバ１６内へ
搬入され、密閉蓋２４が気密に閉塞される。
【００２２】次に、昇降駆動機構を作動させ、保持部材
28に保持されたカセットＣを図２の実線位置まで下降さ
せて、洗浄槽12内の温純水中にウエハを浸漬させ、温純
水の上昇水流中にウエハを所定時間置くことによりウエ
ハを洗浄する。これにより、ウエハの表面からパーティ
クルが除去される。そして、ウエハ表面から除去されて
温純水中へ拡散していったパーティクルは、洗浄槽12の
上部の越流部20から溢れ出る温純水と共に洗浄槽12から
排出される。
28に保持されたカセットＣを図２の実線位置まで下降さ
せて、洗浄槽12内の温純水中にウエハを浸漬させ、温純
水の上昇水流中にウエハを所定時間置くことによりウエ
ハを洗浄する。これにより、ウエハの表面からパーティ
クルが除去される。そして、ウエハ表面から除去されて
温純水中へ拡散していったパーティクルは、洗浄槽12の
上部の越流部20から溢れ出る温純水と共に洗浄槽12から
排出される。
【００２３】ウエハの洗浄が終了すると、昇降駆動機構
を作動させて、保持部材２８に保持されたカセットＣを
図２の二点鎖線で示した位置まで上昇させ、ウエハを洗
浄槽１２内の温純水中から引き上げる。このようにウエ
ハを上昇させて温純水中から引き上げるようにしている
ので、温純水中に拡散していったパーティクルがウエハ
の表面に再付着するといったことは起こらない。そし
て、温純水中からウエハを引上げ始めるのと同時に、エ
アー開閉弁８８を開いて、窒素供給源から蒸気供給用管
路８６を通して窒素ガスを送り、密閉チャンバ１６内へ
蒸気供給口２６からアルコール蒸気を送り込んで、温純
水中から引き上げられている途中のウエハの周囲へアル
コール蒸気を供給する。このアルコール蒸気の供給は、
温純水中からのウエハの引上げが完全に終了するまで行
なう。尚、温純水中からのウエハの引上げ開始以前にエ
アー開閉弁８８を開き、密閉チャンバ１６内へアルコー
ル蒸気を供給するようにし、温純水中からのウエハの引
上げ開始時点で純水界面がアルコール蒸気で満たされた
状態になっているようにしておいてもよい。また、ウエ
ハの周囲へのアルコール蒸気の供給開始時点で、ラバー
ヒータ２５による密閉チャンバ１６の壁面の加熱操作を
終了する。勿論、引き続き、ウエハの乾燥が終了するま
で密閉チャンバ１６の壁面を加熱するようにしても差し
支えない。
を作動させて、保持部材２８に保持されたカセットＣを
図２の二点鎖線で示した位置まで上昇させ、ウエハを洗
浄槽１２内の温純水中から引き上げる。このようにウエ
ハを上昇させて温純水中から引き上げるようにしている
ので、温純水中に拡散していったパーティクルがウエハ
の表面に再付着するといったことは起こらない。そし
て、温純水中からウエハを引上げ始めるのと同時に、エ
アー開閉弁８８を開いて、窒素供給源から蒸気供給用管
路８６を通して窒素ガスを送り、密閉チャンバ１６内へ
蒸気供給口２６からアルコール蒸気を送り込んで、温純
水中から引き上げられている途中のウエハの周囲へアル
コール蒸気を供給する。このアルコール蒸気の供給は、
温純水中からのウエハの引上げが完全に終了するまで行
なう。尚、温純水中からのウエハの引上げ開始以前にエ
アー開閉弁８８を開き、密閉チャンバ１６内へアルコー
ル蒸気を供給するようにし、温純水中からのウエハの引
上げ開始時点で純水界面がアルコール蒸気で満たされた
状態になっているようにしておいてもよい。また、ウエ
ハの周囲へのアルコール蒸気の供給開始時点で、ラバー
ヒータ２５による密閉チャンバ１６の壁面の加熱操作を
終了する。勿論、引き続き、ウエハの乾燥が終了するま
で密閉チャンバ１６の壁面を加熱するようにしても差し
支えない。
【００２４】尚、エアー開閉弁88を開いて密閉チャンバ
16内へアルコール蒸気を供給する前に、エアー開閉弁98
を開いて、窒素供給源から分岐管路95を通して加熱され
た窒素ガス（イオン化されていることは不要）を密閉チ
ャンバ16内へ送り込むようにし、フィルター94を加温し
ておくことが好ましい。また、エアー開閉弁88を開いて
密閉チャンバ16内へアルコール蒸気を供給するのと併行
し、エアー開閉弁98も開いて、加熱されイオン化された
窒素ガスを密閉チャンバ16内へ送り込むようにしてもよ
い。このように加熱されイオン化された窒素ガスを密閉
チャンバ16内へ送り込むことにより、密閉チャンバ16が
耐食性材料で形成されて絶縁体構造となっていることに
より密閉チャンバ16内に静電気が多量に発生（２〜１０
ｋＶ）しても、その静電気は、イオン化された窒素ガス
によって電気的に中和されて消失する。このため、静電
気が原因となってウエハの表面にパーティクルが付着す
るといったことが有効に防止される。
16内へアルコール蒸気を供給する前に、エアー開閉弁98
を開いて、窒素供給源から分岐管路95を通して加熱され
た窒素ガス（イオン化されていることは不要）を密閉チ
ャンバ16内へ送り込むようにし、フィルター94を加温し
ておくことが好ましい。また、エアー開閉弁88を開いて
密閉チャンバ16内へアルコール蒸気を供給するのと併行
し、エアー開閉弁98も開いて、加熱されイオン化された
窒素ガスを密閉チャンバ16内へ送り込むようにしてもよ
い。このように加熱されイオン化された窒素ガスを密閉
チャンバ16内へ送り込むことにより、密閉チャンバ16が
耐食性材料で形成されて絶縁体構造となっていることに
より密閉チャンバ16内に静電気が多量に発生（２〜１０
ｋＶ）しても、その静電気は、イオン化された窒素ガス
によって電気的に中和されて消失する。このため、静電
気が原因となってウエハの表面にパーティクルが付着す
るといったことが有効に防止される。
【００２５】温純水中からのウエハの引上げが終了する
と、エアー開閉弁48を閉じるとともにエアー開閉弁56を
開いて、洗浄槽12への温純水の供給を停止させ、同時
に、エアー開閉弁68を開いて、洗浄槽12内の温純水を純
水排出管路58及び管路60を通してドレンへ排出し、洗浄
槽12からの温純水の排出が終わると、エアー開閉弁68、
70を閉じる。また、洗浄槽12から温純水を排出し始める
のと同時に、エアー開閉弁76、78を開いて、水封式真空
ポンプ82を作動させ、各真空排気管路72、74及び真空排
気管路80を通して密閉チャンバ16内を真空排気し、密閉
チャンバ16内を減圧状態にすることにより、ウエハの表
面に凝縮して純水と置換したアルコールを蒸発させてウ
エハを乾燥させる。尚、温純水中からのウエハの引上げ
が終了して密閉チャンバ16内の減圧操作を開始した時点
で、エアー開閉弁88を閉じて密閉チャンバ16内へのアル
コール蒸気の供給を停止するようにするが、密閉チャン
バ16内の減圧操作時にもアルコール蒸気を少量だけ密閉
チャンバ16内へ供給し続けてもよい。また、密閉チャン
バ16内の減圧操作と密閉チャンバ16内へのアルコール蒸
気の供給操作とを交互に繰り返すようにしてもよい。
と、エアー開閉弁48を閉じるとともにエアー開閉弁56を
開いて、洗浄槽12への温純水の供給を停止させ、同時
に、エアー開閉弁68を開いて、洗浄槽12内の温純水を純
水排出管路58及び管路60を通してドレンへ排出し、洗浄
槽12からの温純水の排出が終わると、エアー開閉弁68、
70を閉じる。また、洗浄槽12から温純水を排出し始める
のと同時に、エアー開閉弁76、78を開いて、水封式真空
ポンプ82を作動させ、各真空排気管路72、74及び真空排
気管路80を通して密閉チャンバ16内を真空排気し、密閉
チャンバ16内を減圧状態にすることにより、ウエハの表
面に凝縮して純水と置換したアルコールを蒸発させてウ
エハを乾燥させる。尚、温純水中からのウエハの引上げ
が終了して密閉チャンバ16内の減圧操作を開始した時点
で、エアー開閉弁88を閉じて密閉チャンバ16内へのアル
コール蒸気の供給を停止するようにするが、密閉チャン
バ16内の減圧操作時にもアルコール蒸気を少量だけ密閉
チャンバ16内へ供給し続けてもよい。また、密閉チャン
バ16内の減圧操作と密閉チャンバ16内へのアルコール蒸
気の供給操作とを交互に繰り返すようにしてもよい。
【００２６】ウエハの乾燥が終了すると、真空ポンプ82
を停止させて、密閉チャンバ16内を減圧下から大気圧下
へ戻すようにする。尚、上記したように、密閉チャンバ
16内へアルコール蒸気を供給するのと併行して加熱され
イオン化された窒素ガスを密閉チャンバ16内へ送り込む
ようにしたときは、減圧状態下でのウエハの乾燥が終了
するまで加熱されイオン化された窒素ガスを少量だけ密
閉チャンバ16内へ供給し続け、ウエハの乾燥が終了した
後密閉チャンバ16内を大気圧下へ戻すまでの間も、密閉
チャンバ16内へ加熱された窒素ガス（イオン化されてい
ることは不要）を供給するようにしてもよい。そして、
最後に、エアー開閉弁98を閉じて、密閉チャンバ16への
窒素ガスの供給を停止した後、密閉蓋24を開放し、洗浄
・乾燥処理が終了したウエハを収容したカセットＣが開
口22を通して密閉チャンバ16外へ取り出される。
を停止させて、密閉チャンバ16内を減圧下から大気圧下
へ戻すようにする。尚、上記したように、密閉チャンバ
16内へアルコール蒸気を供給するのと併行して加熱され
イオン化された窒素ガスを密閉チャンバ16内へ送り込む
ようにしたときは、減圧状態下でのウエハの乾燥が終了
するまで加熱されイオン化された窒素ガスを少量だけ密
閉チャンバ16内へ供給し続け、ウエハの乾燥が終了した
後密閉チャンバ16内を大気圧下へ戻すまでの間も、密閉
チャンバ16内へ加熱された窒素ガス（イオン化されてい
ることは不要）を供給するようにしてもよい。そして、
最後に、エアー開閉弁98を閉じて、密閉チャンバ16への
窒素ガスの供給を停止した後、密閉蓋24を開放し、洗浄
・乾燥処理が終了したウエハを収容したカセットＣが開
口22を通して密閉チャンバ16外へ取り出される。
【００２７】以上の一連のウエハ洗浄・乾燥処理工程に
おけるタイムチャートを図３に示す。
おけるタイムチャートを図３に示す。
【００２８】以上説明した基板の洗浄及び乾燥処理方法
では、基板を洗浄槽内の純水中に浸漬させて洗浄した
後、基板を上昇させて洗浄槽内の純水中から引き上げ、
その基板引上げ工程においてアルコール蒸気を基板の周
囲へ供給し、その後に、洗浄槽内の純水を洗浄槽から排
出して基板の周囲を減圧するようにしているが、基板を
洗浄槽内の純水中に浸漬させて洗浄した後、基板を洗浄
槽内において静止させたままで、洗浄槽内の純水を洗浄
槽から排出することにより、基板を純水中から露出さ
せ、その排水工程においてアルコール蒸気を基板の周囲
へ供給し、その後に、基板の周囲を減圧するようにする
こともできる。
では、基板を洗浄槽内の純水中に浸漬させて洗浄した
後、基板を上昇させて洗浄槽内の純水中から引き上げ、
その基板引上げ工程においてアルコール蒸気を基板の周
囲へ供給し、その後に、洗浄槽内の純水を洗浄槽から排
出して基板の周囲を減圧するようにしているが、基板を
洗浄槽内の純水中に浸漬させて洗浄した後、基板を洗浄
槽内において静止させたままで、洗浄槽内の純水を洗浄
槽から排出することにより、基板を純水中から露出さ
せ、その排水工程においてアルコール蒸気を基板の周囲
へ供給し、その後に、基板の周囲を減圧するようにする
こともできる。
【００２９】尚、上記した説明では、窒素ガス供給源か
ら送られる窒素ガスをヒータによって加熱し、その加熱
された窒素ガスにより、アルコール蒸気発生ユニットで
発生したアルコール蒸気を密閉チャンバ内へ送るように
しているが、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスを加
熱せずに、その窒素ガスによってアルコール蒸気を密閉
チャンバ内へ送り込むようにしてもよい。また、洗浄槽
内において基板を洗浄するのに温純水ではなく純水を使
用するようにしてもよい。また、密閉チャンバの壁面を
加熱する手段としては、上記説明並びに図面に示したよ
うなラバーヒータに代えて、ＵＶランプ等を使用するよ
うにしてもよいし、また、特に必要が無ければ、密閉チ
ャンバの壁面を加熱しなくてもよい。
ら送られる窒素ガスをヒータによって加熱し、その加熱
された窒素ガスにより、アルコール蒸気発生ユニットで
発生したアルコール蒸気を密閉チャンバ内へ送るように
しているが、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスを加
熱せずに、その窒素ガスによってアルコール蒸気を密閉
チャンバ内へ送り込むようにしてもよい。また、洗浄槽
内において基板を洗浄するのに温純水ではなく純水を使
用するようにしてもよい。また、密閉チャンバの壁面を
加熱する手段としては、上記説明並びに図面に示したよ
うなラバーヒータに代えて、ＵＶランプ等を使用するよ
うにしてもよいし、また、特に必要が無ければ、密閉チ
ャンバの壁面を加熱しなくてもよい。
【００３０】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、請求項１及び請求項４に係る各発明
の方法により基板の洗浄及び乾燥処理を行なうようにし
たときは、洗浄によって基板の表面から一旦除去された
パーティクルが基板表面に再付着するといったことを殆
んど無くすことができるとともに、基板を特に加熱した
りしなくても基板表面の乾燥が速やかに行なわれ、一連
の洗浄・乾燥処理における作業効率を向上させることが
できる。請求項２及び請求項５に係る各発明の方法で
は、基板表面の乾燥がより速やかに行なわれるので、乾
燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なくて済む
ようにできる。請求項３及び請求項６に係る各発明の方
法では、基板表面の乾燥がより速やかに行なわれるの
で、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なく
て済むようにできる。請求項３及び請求項６に係る各発
明の方法では、純水中からの基板の露出部分が直ちにか
つ確実に有機溶剤の蒸気と接触するので、基板表面の乾
燥をより促進することができる。また、請求項７に係る
発明の方法では、洗浄槽内の純水中から露出させられた
基板の表面へアルコール類、ケトン類又はエーテル類が
供給されて、基板表面の表面張力が確実に低下すること
により、請求項１及び請求項４に係る各発明の上記効果
が確実に奏されることとなる。
かつ作用するので、請求項１及び請求項４に係る各発明
の方法により基板の洗浄及び乾燥処理を行なうようにし
たときは、洗浄によって基板の表面から一旦除去された
パーティクルが基板表面に再付着するといったことを殆
んど無くすことができるとともに、基板を特に加熱した
りしなくても基板表面の乾燥が速やかに行なわれ、一連
の洗浄・乾燥処理における作業効率を向上させることが
できる。請求項２及び請求項５に係る各発明の方法で
は、基板表面の乾燥がより速やかに行なわれるので、乾
燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なくて済む
ようにできる。請求項３及び請求項６に係る各発明の方
法では、基板表面の乾燥がより速やかに行なわれるの
で、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なく
て済むようにできる。請求項３及び請求項６に係る各発
明の方法では、純水中からの基板の露出部分が直ちにか
つ確実に有機溶剤の蒸気と接触するので、基板表面の乾
燥をより促進することができる。また、請求項７に係る
発明の方法では、洗浄槽内の純水中から露出させられた
基板の表面へアルコール類、ケトン類又はエーテル類が
供給されて、基板表面の表面張力が確実に低下すること
により、請求項１及び請求項４に係る各発明の上記効果
が確実に奏されることとなる。
【００３１】また、請求項４に係る発明の方法により基
板の洗浄・乾燥処理を行なうようにしたときは、上記し
た効果に加え、基板表面へのパーティクルの再付着をさ
らに低減させることができる。そして、請求項８に係る
発明の基板洗浄・乾燥処理装置を使用すれば、請求項４
に係る発明の基板洗浄・乾燥処理方法を好適に実施する
ことができ、また、請求項９に係る発明の装置を使用す
れば、請求項５に係る発明の方法を好適に実施すること
ができる。
板の洗浄・乾燥処理を行なうようにしたときは、上記し
た効果に加え、基板表面へのパーティクルの再付着をさ
らに低減させることができる。そして、請求項８に係る
発明の基板洗浄・乾燥処理装置を使用すれば、請求項４
に係る発明の基板洗浄・乾燥処理方法を好適に実施する
ことができ、また、請求項９に係る発明の装置を使用す
れば、請求項５に係る発明の方法を好適に実施すること
ができる。
【図１】この発明に係る基板の洗浄・乾燥処理方法を実
施する装置の全体構成の１例を示す概略図である。
施する装置の全体構成の１例を示す概略図である。
【図２】図１に示した装置の洗浄・乾燥処理部の構成を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図３】この発明の方法による一連のウエハ洗浄・乾燥
処理工程におけるタイムチャートの１例を示す図であ
る。
処理工程におけるタイムチャートの１例を示す図であ
る。
10 洗浄・乾燥処理部 12 洗浄槽 14 溢流水受け部 16 密閉チャンバ 18 純水供給口 20 越流部 24 密閉蓋 25 ラバーヒータ 26 蒸気供給口 27 温度計 28 保持部材 30 駆動ロッド 38 ベルト 40 駆動用モータ 42 純水供給管路 48、56、68、70、76、78、88 エアー開閉弁 58 純水排出管路 62 排水口 66 排水管路 72、74、80 真空排気管路 82 水封式真空ポンプ 86 蒸気供給用管路 90 ヒータ 92 アルコール蒸気発生ユニット 100 制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−291128（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−80924（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−54443（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−354129（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−6830（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/04 F26B 5/04
Claims (9)
- 【請求項１】 洗浄槽内へ純水を供給し洗浄槽の上部か
らその純水を溢れ出させて洗浄槽内部において純水の上
昇水流を形成し、この純水の上昇水流によって基板を洗
浄する工程と、 前記基板を前記洗浄槽内の純水中から密閉された空間へ
露出させる工程とを備え、 少なくとも前記した純水中からの基板の露出工程におい
て、基板の上端が純水中から露出する時点から基板の全
体が純水中から露出し終わるまで、水溶性でかつ基板に
対する純水の表面張力を低下させる作用を有する有機溶
剤の蒸気を前記密閉された空間内へ供給する基板の洗浄
・乾燥処理方法。 - 【請求項２】 洗浄槽内の純水中から基板が露出させら
れた密閉された空間が減圧される請求項１記載の基板の
洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項３】 洗浄槽内の純水中からの基板の露出が開
始される時点で、純水の界面が有機溶剤の蒸気で満たさ
れた状態とされる請求項１又は請求項２記載の基板の洗
浄・乾燥処理方法。 - 【請求項４】 洗浄槽内へ純水を供給し、洗浄槽の上部
からその純水を溢れ出させて、洗浄槽内部において純水
の上昇水流を形成する工程と、 基板を下降させて前記洗浄槽内の純水中に浸漬させ、純
水の上昇水流によって基板を洗浄する工程と、 前記基板を上昇させて前記洗浄槽内の純水中から洗浄槽
の上方側の密閉された空間へ引き上げる工程と、 前記洗浄槽内の純水を洗浄槽から排出する工程とを備
え、 少なくとも前記した純水中からの基板の引上げ工程にお
いて、基板の上端が純水中から露出する時点から基板の
全体が純水中から引き上げられるまで、水溶性でかつ基
板に対する純水の表面張力を低下させる作用を有する有
機溶剤の蒸気を前記洗浄槽の上方側の密閉された空間内
へ供給する 基板の洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項５】 洗浄槽内の純水中から基板が引き上げら
れた密閉された空間が減圧される請求項４記載の基板の
洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項６】 洗浄槽内の純水中からの基板の引上げが
開始される時点 で、純水の界面が有機溶剤の蒸気で満た
された状態とされる請求項４又は請求項５記載の基板の
洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項７】 水溶性でかつ基板に対する純水の表面張
力を低下させる作用を有する有機溶剤がアルコール類、
ケトン類又はエーテル類である請求項１ないし請求項６
のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理方法。 - 【請求項８】 純水を供給するための純水供給口を有す
るとともに純水を越流させるための越流部を上部に有
し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬され
るようにする洗浄槽と、 この洗浄槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する
純水供給手段と、 前記洗浄槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢
流水受け部と、 この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、 前記洗浄槽の前記純水供給口に接続した純水供給管路及
び前記溢流水受け部に接続した排水管路にそれぞれ介設
された各開閉弁と、 前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を
昇降移動させる基板昇降手段と、 水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下させる
作用を有する有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給
口を有し、前記洗浄槽及び前記溢流水受け部の上方を閉
鎖的に包囲し基板の収容が可能である密閉チャンバと、 少なくとも前記洗浄槽内の純水中から基板を露出させる
際に、基板の上端が純水中から露出する時点から基板の
全体が純水中から引き上げられるまで、前記密閉チャン
バ内へ前記蒸気供給口を通して前記有機溶剤の蒸気を供
給する蒸気供給手段とを備えてなる基板の洗浄・乾燥処
理装置。 - 【請求項９】 密閉チャンバ内を排気して減圧する排気
手段が設けられた請求項８記載の基板の洗浄・乾燥処理
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14008693A JP3347814B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
| KR1019940010329A KR0131171B1 (ko) | 1993-05-17 | 1994-05-11 | 기판의 세정 및 건조장치 |
| US08/245,241 US5520744A (en) | 1993-05-17 | 1994-05-17 | Device for rinsing and drying substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14008693A JP3347814B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27333699A Division JP3348053B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 基板の洗浄・乾燥処理方法ならびにその処理装置 |
| JP27333799A Division JP3348054B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 基板の洗浄・乾燥処理方法ならびにその処理装置 |
| JP2002157234A Division JP3676756B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 基板の洗浄・乾燥処理装置 |
| JP2002157233A Division JP3982573B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 基板の洗浄・乾燥処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326073A JPH06326073A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3347814B2 true JP3347814B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=15260636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14008693A Expired - Lifetime JP3347814B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5520744A (ja) |
| JP (1) | JP3347814B2 (ja) |
| KR (1) | KR0131171B1 (ja) |
Families Citing this family (121)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0168486B1 (ko) * | 1993-05-17 | 1999-01-15 | 야마다 시게아키 | 세정제, 세정방법 및 세정장치 |
| US5575079A (en) * | 1993-10-29 | 1996-11-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate drying apparatus and substrate drying method |
| US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
| US5730162A (en) * | 1995-01-12 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrates |
| JPH08211592A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-08-20 | Nikon Corp | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 |
| JP3464843B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2003-11-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置における基板処理方法および基板処理装置 |
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| US5778554A (en) * | 1996-07-15 | 1998-07-14 | Oliver Design, Inc. | Wafer spin dryer and method of drying a wafer |
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| US6050275A (en) * | 1996-09-27 | 2000-04-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
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