JP2000012505A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 密閉チャンバ内への有機溶剤蒸気の供給量が
少ない場合でも、リンス処理された基板の表面を効率よ
く乾燥処理する。 【解決手段】 密閉チャンバ２０内に収納された基板処
理槽３０内で基板Ｗの表面を純水によりリンス処理した
後、その基板Ｗを密閉チャンバ２０内にイソプロピルア
ルコール蒸気を供給しつつ基板処理槽３０から引き上げ
るとき、基板処理槽３０の上方に配設した環状の枠体３
９で囲まれた空間内にイソプロピルアルコール蒸気の溜
り部を形成する。そして、基板Ｗをこのイソプロピルア
ルコール蒸気の溜り部の中を通過させて引き上げること
によって基板Ｗの表面を乾燥処理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、プ
ラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶表示装置用ガラ
ス基板、プリント基板等の基板の表面をリンス液により
リンス処理した後、当該基板の表面に有機溶剤蒸気を凝
縮させて基板の表面を乾燥処理する基板処理方法及びそ
の装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウエハ、プラズマディスプ
レイ用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プリン
ト基板等の各種基板の製造プロセスにおいて、基板処理
槽内に薬液を供給して内部に収納されている基板の表面
を薬液処理した後、その基板処理槽内にリンス液を供給
することにより薬液を流し出してリンス液と置換し、さ
らにその基板処理槽内にリンス液を供給し続けることに
よりその基板の表面をリンス処理する基板処理装置が汎
用されている。

【０００３】そして、この種の基板処理装置の１つとし
て、薬液やリンス液の供給される基板処理槽が密閉チャ
ンバ内に収納されて構成され、リンス処理の終了した基
板をイソプロピルアルコール等の有機溶剤蒸気を密閉チ
ャンバ内に供給しつつ基板処理槽から引き上げ、その基
板の表面に有機溶剤蒸気を凝縮させて当該基板の表面を
乾燥処理するようにしたものが知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な有機溶剤蒸気を密閉チャンバ内に供給しつつ基板を引
き上げるようにした基板処理装置においては、密閉チャ
ンバ内への有機溶剤蒸気の供給量が少ないと基板の表面
に有機溶剤蒸気が不均一な状態で供給されて乾燥処理が
不均一になる虞がある。そのため、上記従来の基板処理
装置においては、密閉チャンバ内への有機溶剤蒸気の供
給量を比較的多くすることにより基板表面への有機溶剤
蒸気の均一供給を図るようにしていることから、必ずし
も効率のよい乾燥処理が施されるようになっているとは
いい難かった。

【０００５】従って、本発明は、リンス液によりリンス
処理された基板の表面をより少量の有機溶剤蒸気で効率
よく乾燥処理することができる基板処理方法及びその装
置を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に係る基板処理方法は、密閉チャンバ内に
収納された基板処理槽内で基板の表面をリンス液により
リンス処理した後、前記密閉チャンバ内に有機溶剤蒸気
を供給しつつ当該基板を前記基板処理槽から引き上げて
基板の表面を乾燥処理するようにしたものであって、前
記基板処理槽内のリンス液面上方に前記有機溶剤蒸気の
溜り部を形成し、前記基板を当該溜り部の中を通過させ
て前記基板処理槽から引き上げるようにしたことを特徴
としている。

【０００７】上記方法によれば、密閉チャンバ内への有
機溶剤蒸気の供給量が少ない場合でも、リンス液面上方
の有機溶剤蒸気の濃度が高くなる結果、リンス処理され
た基板が基板処理槽から引き上げられるときに基板の表
面が濃度の高い有機溶剤蒸気と接触することになり、効
率のよい乾燥処理が行われる。

【０００８】また、請求項２に係る基板処理方法は、請
求項１に係る方法において、前記有機溶剤蒸気の溜り部
が、前記基板処理槽の上方に枠体を配設することにより
当該枠体で囲まれた空間内に形成されるようにしたこと
を特徴としている。

【０００９】上記方法によれば、枠体で囲まれた空間内
に有機溶剤蒸気の溜り部が形成される結果、リンス処理
された基板が基板処理槽から引き上げられるときに基板
の表面が濃度の高い有機溶剤蒸気と接触することにな
り、効率のよい乾燥処理が行われる。

【００１０】また、請求項３に係る基板処理方法は、請
求項１に係る方法において、前記有機溶剤蒸気の溜り部
が、リンス処理後に前記基板処理槽内のリンス液の一部
を排出してリンス液の液面を当該基板処理槽の開口面よ
りも低くすることにより当該基板処理槽の上端で囲まれ
た空間内に形成されるようにしたことを特徴としてい
る。

【００１１】上記方法によれば、基板処理槽の上端で囲
まれた空間内に有機溶剤蒸気の溜り部が形成される結
果、リンス処理された基板が基板処理槽から引き上げら
れるときに基板の表面が濃度の高い有機溶剤蒸気と接触
することになり、効率のよい乾燥処理が行われる。

【００１２】また、請求項４に係る基板処理方法は、請
求項１に係る方法において、前記基板処理槽が、その外
周に開口面からオーバーフローしたリンス液を受け入れ
る排液槽が一体に形成されたものであって、前記有機溶
剤蒸気の溜り部が、前記排液槽をその開口面が前記基板
処理槽の開口面よりも高くなるように構成することによ
り当該排液槽の上端で囲まれた空間内に形成されるよう
にしたことを特徴としている。

【００１３】上記方法によれば、排液槽の上端で囲まれ
た空間内に有機溶剤蒸気の溜り部が形成される結果、リ
ンス処理された基板が基板処理槽から引き上げられると
きに基板の表面が濃度の高い有機溶剤蒸気と接触するこ
とになり、効率のよい乾燥処理が行われる。

【００１４】また、請求項５に係る基板処理装置は、基
板の表面をリンス液によりリンス処理する基板処理槽が
密閉チャンバ内に収納されて構成され、リンス処理の終
了した基板を前記密閉チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給
しつつ前記基板処理槽から引き上げることにより当該基
板の表面を乾燥処理するようにしたものであって、少な
くとも前記基板を前記基板処理槽から引き上げるときに
前記基板処理槽内のリンス液面上方に有機溶剤蒸気の溜
り部を形成する蒸気溜り形成手段を備えたことを特徴と
している。

【００１５】上記構成によれば、密閉チャンバ内への有
機溶剤蒸気の供給量が少ない場合でも、蒸気溜り形成手
段によってリンス液面上方の有機溶剤蒸気の濃度が高く
なる結果、リンス処理された基板が基板処理槽から引き
上げられるときに基板の表面が濃度の高い有機溶剤蒸気
と接触することになり、効率のよい乾燥処理が行われ
る。

【００１６】また、請求項６に係る基板処理装置は、請
求項５に係るものにおいて、前記蒸気溜り形成手段が、
前記基板処理槽の上方に配設された環状の枠体であるこ
とを特徴としている。

【００１７】上記構成によれば、環状の枠体で囲まれた
空間内に有機溶剤蒸気の溜り部が形成される結果、リン
ス処理された基板が基板処理槽から引き上げられるとき
に基板の表面が濃度の高い有機溶剤蒸気と接触すること
になり、効率のよい乾燥処理が行われる。

【００１８】また、請求項７に係る基板処理装置は、請
求項５に係るものにおいて、前記蒸気溜り形成手段が、
リンス処理後に前記基板処理槽内のリンス液の一部を排
出してリンス液の液面を当該基板処理槽の開口面よりも
低くすることにより当該基板処理槽の上端で囲まれた空
間内に前記有機溶剤蒸気の溜り部を形成するものである
ことを特徴としている。

【００１９】上記構成によれば、基板処理槽の上端で囲
まれた空間内に有機溶剤蒸気の溜り部が形成される結
果、リンス処理された基板が基板処理槽から引き上げら
れるときに基板の表面が濃度の高い有機溶剤蒸気と接触
することになり、効率のよい乾燥処理が行われる。

【００２０】また、請求項８に係る基板処理装置は、請
求項５に係るものにおいて、前記基板処理槽が、その外
周に開口面からオーバーフローしたリンス液を受け入れ
る排液槽が一体に形成されたものであって、前記蒸気溜
り形成手段が、前記排液槽をその開口面を前記基板処理
槽の開口面よりも高くなるように構成することにより当
該排液槽の上端で囲まれた空間内に前記有機溶剤蒸気の
溜り部を形成するものであることを特徴としている。

【００２１】上記構成によれば、排液槽の上端で囲まれ
た空間内に有機溶剤蒸気の溜り部が形成される結果、リ
ンス処理された基板が基板処理槽から引き上げられると
きに基板の表面が濃度の高い有機溶剤蒸気と接触するこ
とになり、効率のよい乾燥処理が行われる。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る基板処理方法が実施される基板処理装置の概略構
成を示す図である。この図において、基板処理装置１０
は、密閉チャンバ２０と、密閉チャンバ２０内の下部位
置に配設され、半導体ウエハ等の基板Ｗに対して薬液処
理及びリンス処理を施す基板処理槽３０と、２点鎖線で
示す上昇位置と実線で示す下降位置との間で昇降し、基
板を基板処理槽３０内外に搬送するリフタ３１と、基板
処理槽３０内に薬液を供給する薬液供給部４０と、基板
処理槽３０内にリンス液である純水を供給する純水供給
部５０と、密閉チャンバ２０内に有機溶剤蒸気を供給す
る有機溶剤蒸気供給部６０と、密閉チャンバ２０内を減
圧する減圧部７０とを備えている。

【００２３】密閉チャンバ２０は、その上部に開口部２
１が形成される一方、この開口部２１を密閉状に覆う昇
降及びスライド自在の蓋部２２が配設されており、この
蓋部２２を昇降及びスライドさせて開口部２１を開放す
ることによりその開口部２１から半導体ウエハ等の基板
Ｗが搬出入されるようになっている。なお、蓋部２２
は、図略の開閉機構により自動的に開閉動作が行われ
る。

【００２４】また、密閉チャンバ２０内の上部には、有
機溶剤蒸気供給部６０から供給された有機溶剤蒸気を密
閉チャンバ２０内に供給する蒸気供給管２３が配設され
ている。この蒸気供給管２３は、図１の紙面垂直方向に
延設された管状部材からなるもので、紙面垂直方向に並
ぶ複数の穴があけられている。これらの穴は基板処理槽
３０に向けてあけられており、有機溶剤蒸気を密閉チャ
ンバ２０内の下方、好ましくは下方の基板処理槽３０内
の液面に向けて供給するようになっている。また、密閉
チャンバ２０の底面側には、第１の電磁弁２４を備えた
排液管２５が連結されており、密閉チャンバ２０内の底
部に排出された薬液やリンス処理後の純水を装置外部に
排出するようになっている。

【００２５】基板処理槽３０は、上部に矩形状の開口部
３０１を有し、複数の基板Ｗを保持したリフタ３１が昇
降することによって、複数の基板Ｗが基板処理槽３０内
部に搬入、搬出される。なお、リフタ３１は、図１の２
点鎖線で示す上昇位置において図示せぬ搬送ロボットと
の間で複数の基板Ｗそのものの授受を行う。

【００２６】また、基板処理槽３０の底部には処理液供
給ノズル３０２が設けられており、この処理液供給ノズ
ル３０２から基板処理槽３０内に処理液が供給される。
この処理液供給ノズル３０２には、薬液と純水の供給路
を兼ねた処理液供給管３３が連結され、この処理液供給
管３３には、第２の電磁弁３４を備えた第１の排液管３
５と、第３の電磁弁３６を備えた第２の排液管３７が連
結されている。第１の排液管３５は、基板処理槽３０内
の薬液や純水を一旦、密閉チャンバ２０内に排出し、第
２の排出管３７は、基板処理槽３０内の薬液や純水を直
接、装置外部に排出するようになっている。

【００２７】また、基板処理槽３０の上部外周には、開
口部３０１からオーバーフローした薬液や純水を受け入
れる開口部３８１を上部に有する排液槽３８が一体に形
成されている。なお、排液槽３８に排出された薬液や純
水は、その底部に連結された排出管３８２を介して密閉
チャンバ２０内に排出されるようになっている。

【００２８】また、基板処理槽３０の上方には、基板処
理槽３０の開口部３０１と同じ大きさの矩形状の枠体３
９が、基板処理槽３０との間に薬液や純水のオーバーフ
ローに支障の生じないギャップが形成されるようにして
配設されている。この枠体３９は、例えば、その外周面
から水平方向に突出する図略の支持体により密閉チャン
バ２０の壁面に着脱自在に取り付けられる。また、この
枠体３９は、後述するように、基板処理槽３０のリンス
液面上方に有機溶剤蒸気の溜り部Ｓ（図４）を形成する
蒸気溜り形成手段を構成するものであるため、上下方向
の寸法Ｌが基板処理槽３０における基板Ｗの搬出入に支
障の生じない範囲で長くなるように形成されることが好
ましい。

【００２９】薬液供給部４０は、本実施形態では、図略
の薬液容器に貯留されているフッ化水素酸（ＨＦ）を圧
送ポンプにより薬液供給管４１を介して基板処理槽３０
内に供給するもので、薬液供給管４１には上流側から下
流側にかけて流量計４２、流量調節弁４３、第４の電磁
弁４４が順に配設されている。流量調節弁４３は、薬液
供給管４１内を圧送される薬液流量を制御するものであ
る。なお、フッ化水素酸を基板処理槽３０内に供給する
ときには同時に純水供給部５０から純水が供給され、図
略のミキサで所定濃度の薬液とされた上で基板処理槽３
０に供給されることになる。

【００３０】純水供給部５０は、図略の純水供給源から
純水を圧送ポンプにより純水供給管５１を介して基板処
理槽３０内に供給するもので、純水供給管５１には流量
調節レギュレータ５２、流量計５３及び第５の電磁弁５
４が配設されている。流量調節レギュレータ５２は、純
水供給管５１内を圧送される純水流量を制御するもので
ある。

【００３１】有機溶剤蒸気供給部６０は、本実施形態で
は、イソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」とい
う）の蒸気を蒸気供給管６１を介して密閉チャンバ２０
内に供給するもので、蒸気供給管６１の一端が図略の窒
素（Ｎ2）ガスの供給源に連結され、他端が密閉チャン
バ２０内の蒸気供給管２３に連結されている。

【００３２】この蒸気供給管６１は、ＩＰＡ蒸気を密閉
チャンバ２０内に供給するための第１の供給管６１１
と、窒素ガスのみを密閉チャンバ２０内に供給するため
の第２の供給管６１２とに分岐されている。そして、こ
の第１の供給管６１１には、内部にヒータ６２１を有す
る蒸気発生器６２が配設され、その両側に第６の電磁弁
６３と第７の電磁弁６４とが配設されている。また、第
２の供給管６１２には、第８の電磁弁６５が配設されて
いる。

【００３３】これにより、第６，第７の電磁弁６３，６
４を開放して第８の電磁弁６５を閉じると、蒸気発生器
６２で発生されたＩＰＡ蒸気が窒素ガスをキャリアガス
として密閉チャンバ２０内に供給され、第６，第７の電
磁弁６３，６４を閉じて第８の電磁弁６５を開放する
と、窒素ガスのみが密閉チャンバ２０内に供給されるこ
とになる。なお、蒸気供給管６１の外周にはその略全長
に亘ってヒータが配設され、ＩＰＡ蒸気及び窒素ガスを
密閉チャンバ２０内に供給するときには蒸気供給管６１
が加熱されるようになっている。

【００３４】減圧部７０は、減圧管７１を介して密閉チ
ャンバ２０内を減圧するようになっており、減圧管７１
の一端が真空ポンプ７２に連結される一方、他端が密閉
チャンバ２０内に連結され、中間部に三方弁７３が配設
されている。また、三方弁７３には、排気管７４が連結
されている。これにより、三方弁７３の切替えに応じ
て、密閉チャンバ２０に真空ポンプ７２を連結してその
内部を減圧する状態と、排気管７４を介して密閉チャン
バ２０内を大気に開放する状態とに切替られるようにな
っている。

【００３５】図２は、基板処理装置１０の制御系の概略
構成を示すブロック図であり、制御部８０は、所定の演
算処理を行うＣＰＵ８１、所定の処理プログラムが記憶
されているＲＯＭ８２及び処理データを一時的に記憶す
るＲＡＭ８３から構成され、上記所定の処理プログラム
に従って基板処理装置１０の全体の動作を制御する。

【００３６】すなわち、制御部８０は、スタートスイッ
チＳＷからスタート信号が入力されると、第１の電磁弁
２４、第２の電磁弁３４、第３の電磁弁３６、第４の電
磁弁４４、第５の電磁弁５４、第６の電磁弁６３、第７
の電磁弁６４、第８の電磁弁６５、リフタ３１、流量調
整弁４３、流量調節レギュレータ５２、真空ポンプ７
２、三方弁７３、及びヒータ６２１が制御されるように
なっている。なお、制御部８０には、センサ等からも所
定の信号が入力されるようになっているが、図示を省略
している。

【００３７】次に、基板処理装置１０の処理動作の一例
につき、図３に示すフローチャートを参照しつつ説明す
る。

【００３８】まず、リフタ３１が密閉チャンバ２０内の
上部位置にセットされた状態でスタートスイッチＳＷが
ＯＮされると、純水供給部５０の第５の電磁弁５４が開
放されて基板処理槽３０内に純水が供給される（ステッ
プＳ１）。なお、開口部３０１からオーバーフローした
純水は、排液槽３８の排出管３８２を介して密閉チャン
バ２０内の底部に排出される一方、第１の電磁弁２４が
開放されて排液管２５を介して装置外部に排出される。

【００３９】その後、密閉チャンバ２０の開口部２１が
開放され、基板処理槽３０から純水がオーバーフローし
た状態で、複数の基板Ｗが基板処理槽３０に搬入され
る。この基板処理槽３０への搬入は次の通りである。ま
ず、リフタ３１が上昇位置にまで上昇し、図示せぬ搬送
ロボットから複数の基板Ｗを受け取る。そして、リフタ
３１が下降位置にまで下降することによって複数の基板
Ｗが基板処理槽３０内に搬入される。この後、開口部２
１が閉じられる。こうして、複数の基板Ｗは薬液処理に
先立ち純水によってリンス処理が施され（ステップＳ
２）、基板Ｗの表面に付着している汚染物質が除去され
る。なお、このとき、有機溶剤蒸気供給部６０の第８の
電磁弁６５が開放されて窒素ガスが密閉チャンバ２０内
にすでに供給されており、密閉チャンバ２０内は窒素ガ
スが充満した状態となっている。

【００４０】そして、基板Ｗに対して一定時間だけリン
ス処理が施されると、薬液供給部４０の第４の電磁弁４
４が開放され、フッ化水素酸が基板処理槽３０内に供給
されて基板Ｗの表面に対して薬液処理が施される（ステ
ップＳ３）。なお、このとき、流量調整弁４３によりフ
ッ化水素酸の流量を調節することによって基板処理槽３
０に供給される薬液の濃度が所定濃度に調節される。こ
の薬液は基板処理槽３０内に一定時間だけ連続的に供給
され、オーバーフローした薬液は排出管３８２及び排液
管２５を介して装置外部に排出される。

【００４１】そして、薬液処理が終了すると、第４の電
磁弁４４が閉じられて薬液の供給が停止される一方（ス
テップＳ４）、流量調整レギュレータ５２により増量さ
れた純水が基板処理槽３０内に供給されて基板Ｗに対す
るリンス処理が施される（ステップＳ５）。一定時間だ
け純水が供給されてリンス処理が終了すると、有機溶剤
蒸気供給部６０の第８の電磁弁６５が閉じられて窒素ガ
スの供給が停止される一方、第６，第７の電磁弁６３，
６４が開放され、蒸気発生器６２のヒータ６２１に通電
されて生成されたＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ２０内に供
給される（ステップＳ６）。この密閉チャンバ２０内に
供給されたＩＰＡ蒸気は、蒸気供給管２３から密閉チャ
ンバ２０の下方に向けて供給されるが、基板処理槽３０
上方の枠体３９で囲まれた空間内は他の箇所に比べてそ
の濃度が高くなっている。

【００４２】すなわち、図４に模式的に示すように、蒸
気供給管２３から排出されたＩＰＡ蒸気は、基板処理槽
３０の液面（純水面）Ｒに衝突する。この液面Ｒに衝突
したＩＰＡ蒸気は、枠体３９が存在しないときには、鎖
線で表すように液面Ｒ側方等に分散されてしまうが、本
実施形態のように枠体３９が存在するときには、実線で
表すようにその枠体３９の内周面で液面Ｒ側方への分散
が抑制されて基板処理槽３０内の液面Ｒ上方での滞留時
間が長くなることになる。このため、枠体３９で囲まれ
た空間内にＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓが形成され、枠体３９
で囲まれた空間内のＩＰＡ蒸気の濃度が高くなる。

【００４３】そして、リンス処理の終了した基板Ｗは、
上記のようにＩＰＡ蒸気が供給されている状態でリフタ
３１が上昇することにより基板処理槽３０内から取り出
され、ＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓの中を通過して基板の下端
が基板処理槽３０の液面よりも上にくるまで引き上げら
れる（ステップＳ７）。

【００４４】このとき、濃度の高いＩＰＡ蒸気が基板Ｗ
の表面で凝縮されて液体のＩＰＡとなり、その表面に付
着している純水と混ざり合って液滴として落下する結
果、基板Ｗの表面から純水が効率よく除去されることに
なる。また、基板処理槽３０から純水がオーバーフロー
した状態で基板Ｗを引き上げるので純水液面に漂う汚染
物質は基板Ｗから離れる方向に流れる。このため、基板
Ｗに汚染物質が付着しにくくなる。

【００４５】次いで、第５の電磁弁５４が閉じられて基
板処理槽３０内への純水の供給が停止される（ステップ
Ｓ８）。そして、第６，第７の電磁弁６３，６４が閉じ
られてＩＰＡ蒸気の供給が停止される一方、第８の電磁
弁６５が開放されて窒素ガスが密閉チャンバ２０内に供
給される（ステップＳ９）。この状態で、基板処理槽３
０の第２，第３の電磁弁３４，３５が開放されて基板処
理槽３０内のリンス処理後の純水が急速的に外部に排出
される（ステップＳ１０）。

【００４６】そして、基板処理槽３０内の純水の排出が
終了した後に第１、第２，第３の電磁弁２４，３４，３
５が閉じられ、減圧部７０の三方弁７３が真空ポンプ７
２側に切り換えられた状態で真空ポンプ７２が作動され
て密閉チャンバ２０内が減圧される（ステップＳ１
１）。これにより、基板Ｗの表面に残留しているリンス
液や液体のＩＰＡが蒸発し、基板Ｗの表面が乾燥され
る。

【００４７】そして、一定時間だけ減圧されると、真空
ポンプ７２の作動が停止されると共に、三方弁７３が排
気管７４側に切り換えられて密閉チャンバ２０内が大気
に開放される（ステップＳ１２）。その後、密閉チャン
バ２０の開口部２１が開放されてリフタ３１が上昇位置
にまで上昇し、図示せぬ搬送ロボットに複数の基板Ｗを
引き渡すことによって基板Ｗが外部に搬出される。これ
により、基板Ｗに対する一連の処理動作が終了する。

【００４８】以上説明した基板処理方法及び基板処理装
置１０によれば、純水によるリンス処理が終了した基板
Ｗを密閉チャンバ２０内にＩＰＡ蒸気を供給しつつ基板
処理槽３０内から引き上げるときに、基板処理槽３０の
上方に配設した枠体３９により基板処理槽３０内の液面
Ｒ上方にＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓを形成し、基板Ｗをこの
溜り部Ｓの中を通過させるようにしているので、密閉チ
ャンバ２０内へのＩＰＡ蒸気の供給量を少なくした場合
でも基板Ｗの表面が濃度の高いＩＰＡ蒸気と接触するこ
とになり、効率のよい乾燥処理を行うことができる。ま
た、簡単な構成でＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓを形成すること
ができ、複雑な部材等を必要としないことから装置が大
型化することがなく、また、コスト的にも有利なものと
なる。

【００４９】なお、上記実施形態では、枠体３９は、基
板処理槽３０の開口部３０１と同じ大きさに形成されて
いるが、基板Ｗの通過に支障がない範囲で開口部３０１
よりも小さく形成することも可能であり、また、開口部
３０１よりも大きく形成することも可能である。

【００５０】図５は、本発明の第２の実施形態に係る基
板処理方法が実施される基板処理装置の概略構成を示す
図であり、図６は、その基板処理装置の処理動作を示す
フローチャートである。

【００５１】すなわち、この第２の実施形態に係る基板
処理装置１００は、ＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓを第１の実施
形態に係る図１に示す基板処理装置１０では基板処理槽
３０の上方に枠体３９を配設することにより形成したの
に対し、基板処理槽３０内のリンス処理後の液面（純水
面）Ｒを基板処理槽３０の開口面３０２よりも低くする
ことにより形成するようにした点でのみ相違しており、
その他の構成は図２の制御系を含み基本的に同一であ
る。また、その処理動作についてもリンス処理後の液面
を低くする点を除いては基本的に同一である。従って、
同一の構成部材には同一の参照番号を付与すると共に、
同一の処理動作については同一のステップ番号を付与す
ることによりその詳細な説明を省略する。

【００５２】すなわち、基板処理装置１００では、図６
のフローチャートに示すように、基板Ｗの表面に対する
リンス処理が終了して純水の供給が停止された後に、ス
テップＳ６´において、第２の電磁弁３４を一定時間だ
け開放することにより基板処理槽３０内の純水を一部だ
け排出し、基板処理槽３０内の液面Ｒが開口面３０３よ
りも低くなるようになっている。勿論、基板処理槽３０
内の純水を一部だけ排出する動作は、制御部８０のＲＯ
Ｍ８２（図２）に記憶されている処理プログラムに基づ
き実行される。これにより、基板処理槽３０の上端に、
基板処理装置１０の枠体３９で形成されるのと同様の空
間が形成されることになる。

【００５３】このように構成された基板処理装置１００
では、図６のフローチャートに示すステップＳ７におい
てＩＰＡ蒸気が供給されると、図７に模式的に示すよう
に、蒸気供給管２３から排出されて基板処理槽３０の液
面（純水面）Ｒに衝突したＩＰＡ蒸気は、基板処理槽３
０の上端内面で液面側方への分散が抑制されて基板処理
槽３０内の液面上方での滞留時間が長くなる結果、基板
処理槽３０の上端で囲まれた空間内にＩＰＡ蒸気の溜り
部Ｓが形成されることになる。そして、リンス処理の終
了した基板Ｗは、ステップＳ８において、ＩＰＡ蒸気の
溜り部Ｓの中をを通過して下端が基板処理槽３０の液面
よりも上にくるまで引き上げられ、基板Ｗの表面から純
水が除去されることになる。なお、この第２の実施形態
では、蒸気溜り形成手段が、リンス処理後の一部の純水
の排出動作を行う制御部８０と、純水の一部が排出され
た基板処理槽３０の上端部分とで形成されることにな
る。

【００５４】以上説明した基板処理装置１００によれ
ば、純水によるリンス処理が終了した基板ＷをＩＰＡ蒸
気を供給しつつ基板処理槽３０内から引き上げるとき
に、基板処理槽３０内の純水の一部を排出して液面Ｒを
基板処理槽３０の開口面３０３よりも低くすることによ
り基板処理槽３０内の液面上方にＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓ
を形成し、基板Ｗをこの溜り部Ｓの中を通過させるよう
にしているので、密閉チャンバ２０内へのＩＰＡ蒸気の
供給量を少なくした場合でも基板Ｗの表面が濃度の高い
ＩＰＡ蒸気と接触することになり、効率のよい乾燥処理
を行うことができる。また、簡単な構成でＩＰＡ蒸気の
溜り部Ｓを形成することができ、複雑な部材等を必要と
しないことから装置が大型化することがなく、また、コ
スト的にも有利なものとなる。

【００５５】図８は、本発明の第３の実施形態に係る基
板処理方法が実施される基板処理装置の概略構成を示す
図である。すなわち、この第３の実施形態に係る基板処
理装置１２０は、ＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓを第１の実施形
態に係る図１に示す基板処理装置１０では基板処理槽３
０の上方に枠体３９を配設することにより形成したのに
対し、排液槽３８の開口面３８３を基板処理槽３０の開
口面３０３よりも高くすることにより形成するようにし
た点でのみ相違しており、その他の構成は図２の制御系
を含み基本的に同一である。従って、同一の構成部材に
は同一の参照番号を付与することによりその詳細な説明
を省略する。

【００５６】すなわち、基板処理装置１２０では、排液
槽３８の開口面３８３を基板処理槽３０の開口面３０３
よりも高くすることにより、排液槽３８の上端に、基板
処理装置１０の枠体３９で形成されるのと同様の空間が
形成されることになる。このため、図９に模式的に示す
ように、蒸気供給管２３から排出されて基板処理槽３０
の液面（純水面）Ｒに衝突したＩＰＡ蒸気は、排液槽３
８の上端の内面で液面Ｒ側方への分散が抑制されて基板
処理槽３０内の液面Ｒ上方での滞留時間が長くなる結
果、排液槽３８の上端で囲まれた空間内にＩＰＡ蒸気の
溜り部Ｓが形成されることになる。そして、リンス処理
の終了した基板Ｗは、ＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓの中を通過
して下端が基板処理槽３０の液面よりも上にくるまで引
き上げられ、基板Ｗの表面から純水が除去されることに
なる。なお、この第３の実施形態では、蒸気溜り形成手
段が、基板処理槽３０の開口面３０３よりも上方に位置
する排液槽３８の上端部分で形成されることになる。

【００５７】以上説明した基板処理装置１２０によれ
ば、純水によるリンス処理が終了した基板ＷをＩＰＡ蒸
気を供給しつつ基板処理槽３０内から引き上げるとき
に、排液槽３８をその開口面３８３が基板処理槽３０の
開口面３０３よりも高くなるように構成することにより
形成された空間部で基板処理槽３０内の液面Ｒ上方にＩ
ＰＡ蒸気の溜り部Ｓを形成し、基板Ｗをこの溜り部Ｓの
中を通過させるようにしているので、密閉チャンバ２０
内へのＩＰＡ蒸気の供給量を少なくした場合でも基板Ｗ
の表面が濃度の高いＩＰＡ蒸気と接触することになり、
効率のよい乾燥処理を行うことができる。また、簡単な
構成でＩＰＡ蒸気の溜り部Ｓを形成することができ、複
雑な部材等を必要としないことから装置が大型化するこ
とがなく、また、コスト的にも有利なものとなる。

【００５８】なお、上記のいずれの実施形態でも、有機
溶剤としてＩＰＡを使用しているが、処理する基板Ｗの
種類等に応じて他の有機溶剤を適宜選定して使用するこ
とが可能である。

【００５９】また、上記のいずれの実施形態でも、リン
ス液として純水を使用するようにしているが、リンス液
は純水に限るものではなく、純水中にオゾンを含むよう
にしたもの等であってもよい。その他、細部の構成につ
いて種々変更が可能である。

【００６０】

【発明の効果】以上のように請求項１の基板処理方法に
よれば、基板処理槽内のリンス液面上方に有機溶剤蒸気
の溜り部を形成し、基板を当該溜り部の中を通過させて
基板処理槽から引き上げるようにしているので、密閉チ
ャンバ内への有機溶剤蒸気の供給量が少ない場合でも基
板の表面を効率よく乾燥処理することができる。

【００６１】また、請求項２の基板処理方法によれば、
有機溶剤蒸気の溜り部が、基板処理槽の上方に環状の枠
体を配設することにより形成された当該枠体で囲まれた
空間内に形成されるようにしているので、簡単な構成部
材を配設するだけで基板の表面を効率よく乾燥処理する
ことができる。

【００６２】また、請求項３の基板処理方法によれば、
有機溶剤蒸気の溜り部が、リンス処理後に基板処理槽内
のリンス液の一部を排出してリンス液の液面を当該基板
処理槽の開口面よりも低くすることにより当該基板処理
槽の上端で囲まれた空間内に形成されるようにしている
ので、別部材を全く必要としないことから装置が大型化
することがなく、コスト的にも有利となる。

【００６３】また、請求項４の基板処理方法によれば、
有機溶剤蒸気の溜り部が、排液槽の開口面を基板処理槽
の開口面よりも高くなるように構成することにより当該
排液槽の上端で囲まれた空間内に形成されるようにして
いるので、特別な別部材を必要としないことから装置が
大型化することがなく、コスト的にも有利となる。

【００６４】また、請求項５の基板処理装置によれば、
少なくとも基板を基板処理槽から引き上げるときに基板
処理槽内のリンス液面上方に有機溶剤蒸気の溜り部を形
成する蒸気溜り形成手段を備えているので、密閉チャン
バ内への有機溶剤蒸気の供給量が少ない場合でも基板の
表面を効率よく乾燥処理することができる。

【００６５】また、請求項６の基板処理装置によれば、
前記蒸気溜り形成手段が、前記基板処理槽の上方に配設
された環状の枠体であるので、簡単な構成部材を配設す
るだけで基板の表面を効率よく乾燥処理することができ
る。

【００６６】また、請求項７の基板処理装置によれば、
前記蒸気溜り形成手段が、リンス処理後に前記基板処理
槽内のリンス液の一部を排出してリンス液の液面を当該
基板処理槽の開口面よりも低くすることにより当該基板
処理槽の上端で囲まれた空間内に前記有機溶剤蒸気の溜
り部を形成するものあるので、別部材を全く必要としな
いことから装置が大型化することがなく、コスト的にも
有利となる。

【００６７】また、請求項８の基板処理装置によれば、
前記蒸気溜り形成手段が、前記排液槽をその開口面が前
記基板処理槽の開口面よりも高くなるように構成するこ
とにより当該排液槽の上端で囲まれた空間内に前記有機
溶剤蒸気の溜り部を形成するものであるので、特別な別
部材を必要としないことから装置が大型化することがな
く、コスト的にも有利となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理方法が
実施される基板処理装置の概略構成を示す図である。

【図２】図１に示す基板処理装置の制御系のブロック図
である。

【図３】図１に示す基板処理装置の動作を説明するため
のフローチャートである。

【図４】図１に示す基板処理装置の有機溶剤蒸気の溜り
部の形成態様を説明するための図である。

【図５】本発明の第２の実施形態に係る基板処理方法が
実施される基板処理装置の概略構成を示す図である。

【図６】図５に示す基板処理装置の動作を説明するため
のフローチャートである。

【図７】図５に示す基板処理装置の有機溶剤蒸気の溜り
部の形成態様を説明するための図である。

【図８】本発明の第３の実施形態に係る基板処理方法が
実施される基板処理装置の概略構成を示す図である。

【図９】図８に示す基板処理装置の有機溶剤蒸気の溜り
部の形成態様を説明するための図である。

【符号の説明】

１０，１００，１２０ 基板処理装置 ２０ 密閉チャンバ ３０ 基板処理槽 ３８ 排液槽 ３９ 枠体 ４０ 薬液供給部 ５０ 純水供給部 ６０ 有機溶剤蒸気供給部 ７０ 減圧部 ８０ 制御部 ３０３ 基板処理槽の開口面 ３８２ 排液槽の開口面 Ｓ 有機溶剤蒸気の溜り部 Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3L113 AC08 AC24 AC28 AC45 AC46 AC50 AC54 AC57 AC63 AC67 AC75 AC76 AC79 AC90 BA34 CA11 CA12 DA02 DA06 DA13 DA14

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 密閉チャンバ内に収納された基板処理槽
   内で基板の表面をリンス液によりリンス処理した後、前
   記密閉チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給しつつ当該基板
   を前記基板処理槽から引き上げて基板の表面を乾燥処理
   する基板処理方法であって、前記基板処理槽内のリンス
   液面上方に前記有機溶剤蒸気の溜り部を形成し、前記基
   板を当該溜り部の中を通過させることを特徴とする基板
   処理方法。
2. 【請求項２】 前記有機溶剤蒸気の溜り部は、前記基板
   処理槽の上方に枠体を配設することにより当該枠体で囲
   まれた空間内に形成されるようにしたことを特徴とする
   請求項１記載の基板処理方法。
3. 【請求項３】 前記有機溶剤蒸気の溜り部は、リンス処
   理後に前記基板処理槽内のリンス液の一部を排出してリ
   ンス液の液面を当該基板処理槽の開口面よりも低くする
   ことにより当該基板処理槽の上端で囲まれた空間内に形
   成されるようにしたことを特徴とする請求項１記載の基
   板処理方法。
4. 【請求項４】 前記基板処理槽は、その外周に開口面か
   らオーバーフローしたリンス液を受け入れる排液槽が一
   体に形成されたものであって、前記有機溶剤蒸気の溜り
   部は、前記排液槽をその開口面が前記基板処理槽の開口
   面よりも高くなるように構成することにより当該排液槽
   の上端で囲まれた空間内に形成されるようにしたことを
   特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
5. 【請求項５】 基板の表面をリンス液によりリンス処理
   する基板処理槽が密閉チャンバ内に収納されて構成さ
   れ、リンス処理の終了した基板を前記密閉チャンバ内に
   有機溶剤蒸気を供給しつつ前記基板処理槽から引き上げ
   ることにより当該基板の表面を乾燥処理するようにした
   基板処理装置であって、少なくとも前記基板を前記基板
   処理槽から引き上げるときに前記基板処理槽内のリンス
   液面上方に有機溶剤蒸気の溜り部を形成する蒸気溜り形
   成手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記蒸気溜り形成手段は、前記基板処理
   槽の上方に配設された環状の枠体であることを特徴とす
   る請求項５記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記蒸気溜り形成手段は、リンス処理後
   に前記基板処理槽内のリンス液の一部を排出してリンス
   液の液面を当該基板処理槽の開口面よりも低くすること
   により当該基板処理槽の上端で囲まれた空間内に前記有
   機溶剤蒸気の溜り部を形成するものであることを特徴と
   する請求項５記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記基板処理槽は、その外周に開口面か
   らオーバーフローしたリンス液を受け入れる排液槽が一
   体に形成されたものであって、前記蒸気溜り形成手段
   は、前記排液槽をその開口面が前記基板処理槽の開口面
   よりも高くなるように構成することにより当該排液槽の
   上端で囲まれた空間内に前記有機溶剤蒸気の溜り部を形
   成するものであることを特徴とする請求項５記載の基板
   処理装置。