JP2003045843A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機溶剤の蒸気の消費量を削減できる基板処
理技術を提供する。 【解決手段】 処理槽２０において基板Ｗの洗浄処理が
終了した後、供給ノズル４０から窒素ガスを供給しつつ
処理槽２０内から純水が排出される。そして、処理槽２
０内に基板Ｗが保持された状態で供給ノズル４０からＩ
ＰＡ蒸気流ＦＩを処理槽２０の開口部２０ｐに向けて吐
出する。これにより、処理槽２０にＩＰＡ蒸気が流入
し、処理槽２０内の基板Ｗが乾燥される。その結果、Ｉ
ＰＡ蒸気の供給は収容器１０より容積が小さい処理槽２
０に行えば足りることとなるため、有機溶剤の蒸気の消
費量を削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水による洗浄処
理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、
フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以
下、単に「基板」と称する）の乾燥処理を行う基板処理
技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処理を
順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプロピ
ルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有機溶
剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処
理装置が用いられている。特に、基板上に形成されるパ
ターンの構造の複雑化、微細化が進展している近年にお
いては、ＩＰＡの蒸気を供給しつつ純水から基板を引き
揚げる引き揚げ乾燥方式が主流になりつつある。

【０００３】従来の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置
は、図１０に示すように純水による洗浄処理を行う処理
槽９２を収容器９０の内部に収容している。処理槽９２
における基板Ｗの洗浄処理終了後に、収容器９０内に窒
素ガスを供給しつつ基板Ｗを昇降機構９３によって処理
槽９２から引き揚げてから、図１０中矢印ＦＩ９に示す
ように、供給ノズル９１からＩＰＡ蒸気を吐出する。こ
れにより、収容器９０内がＩＰＡ蒸気で満たされて、基
板ＷにＩＰＡが凝縮し、それが乾燥することにより、付
着した純水がＩＰＡに置換され、基板の乾燥処理が行わ
れることとなる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
引き揚げ乾燥方式の基板処理装置においては、収容器９
０内全体にＩＰＡ蒸気を供給しなければならず、ＩＰＡ
の消費量が多いという問題が発生していた。

【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、有機溶剤の蒸気の消費量を削減できる基板処理
技術を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、純水による基板の洗浄処理が終
了した後、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であっ
て、純水を貯留し、前記純水中に基板を浸漬して洗浄処
理を行う処理槽と、前記処理槽を収容する収容器と、前
記処理槽内で前記基板を保持する保持手段と、前記保持
手段により前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前記
処理槽に貯留された純水を排水する排水手段と、前記排
水手段により排水された前記処理槽において前記保持手
段により前記基板を保持しつつ、有機溶剤の蒸気を前記
処理槽内に流入させる流入手段とを備える。

【０００７】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記処理槽内に不活性ガ
スを流入させつつ、前記排水手段は、前記純水を排水す
る。

【０００８】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記流入
手段は、前記処理槽における開口部の近傍に設けられ、
前記開口部に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する吐出
部を有する。

【０００９】また、請求項４の発明は、請求項３の発明
に係る基板処理装置において、前記吐出部は、不活性ガ
スの吐出も可能である。

【００１０】また、請求項５の発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの
蒸気である。

【００１１】また、請求項６の発明は、請求項１ないし
請求項５のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記保持手段は、相互に間隔を隔てた複数の基板を
一括して保持する。

【００１２】また、請求項７の発明は、純水を貯留可能
な処理槽と、前記処理槽を収容する収容器とを有する基
板処理装置を利用する基板処理方法であって、前記処理
槽に貯留される純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う
処理工程と、前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前
記処理槽に貯留された純水を排水する排水工程と、排水
された前記処理槽において前記基板を保持しつつ、有機
溶剤の蒸気を前記処理槽内に流入させる流入工程とを備
える。

【００１３】また、請求項８の発明は、請求項７の発明
に係る基板処理方法において、前記排水工程は、前記処
理槽内に不活性ガスを流入させつつ、前記純水を排水す
る工程を有する。

【００１４】また、請求項９の発明は、請求項７または
請求項８の発明に係る基板処理方法において、前記流入
工程は、前記処理槽における開口部の近傍に設けられる
吐出部から、前記開口部に向けて前記有機溶剤の蒸気を
吐出する吐出工程を有する。

【００１５】また、請求項１０の発明は、請求項９の発
明に係る基板処理方法において、前記吐出部は、不活性
ガスの吐出も可能である。

【００１６】また、請求項１１の発明は、請求項７ない
し請求項１０のいずれかの発明に係る基板処理方法にお
いて、前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコール
の蒸気である。

【００１７】また、請求項１２の発明は、請求項７ない
し請求項１１のいずれかの発明に係る基板処理方法にお
いて、前記流入工程では、相互に間隔を隔てた複数の基
板を一括して保持しつつ、前記有機溶剤の蒸気を前記処
理槽内に流入させる。

【００１８】

【発明の実施の形態】＜基板処理装置の要部構成＞図１
は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の正面図で
ある。また、図２は、図１のII−II位置から見た断面図
である。なお、図１および以下の各図にはそれらの方向
関係を明確にするため、ＸＹ平面を水平面としＺ軸方向
を鉛直方向とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

【００１９】この基板処理装置１は、純水による洗浄処
理が終了した基板を、有機溶剤であるＩＰＡにより乾燥
させる装置であって、主として収容器１０と、処理槽２
０と、昇降機構３０と、供給ノズル４０とを備えてい
る。

【００２０】処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水
（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留し
て基板に順次表面処理を行う槽であり、収容器１０の内
部に収容されている。処理槽２０の底部近傍には処理液
吐出ノズル（図示省略）が配置されており、図外の処理
液供給源からその処理液吐出ノズルを介して処理槽２０
内に処理液を供給することができる。この処理液は処理
槽２０の底部から供給されてオーバーフロー面、すなわ
ち処理槽２０の開口部２０ｐから溢れ出る。また、処理
槽２０では、後述する排液バルブ４６（図３参照）の開
放によって処理槽２０内に貯留された処理液を排出する
ことも可能である。

【００２１】収容器１０は、その内部に処理槽２０、昇
降機構３０、供給ノズル４０等を収容する筐体である。
収容器１０の上部１１は、概念的に図示されたスライド
式開閉機構１２によって開閉可能とされている（以下の
図２〜図９では、この開閉機構１２を図示省略）。収容
器１０の上部１１を開放した状態では、その開放部分か
ら基板の搬出入を行うことができる。一方、収容器１０
の上部１１を閉鎖した状態では、その内部を密閉空間と
することができる。

【００２２】昇降機構３０は、処理槽２０に貯留されて
いる処理液に一組の複数の基板Ｗ（ロット）を浸漬させ
る機構である。昇降機構３０は、リフター３１と、リフ
ターアーム３２と、基板Ｗを保持する３本の保持棒３
３、３４、３５とを備えている。３本の保持棒３３、３
４、３５のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで
基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔
にてＸ方向に配列して設けられている。それぞれの保持
溝は、切欠状の溝である。３本の保持棒３３、３４、３
５はリフターアーム３２に固設され、リフターアーム３
２はリフター３１によって鉛直方向（Ｚ方向）に昇降可
能に設けられている。

【００２３】このような構成により、昇降機構３０は３
本の保持棒３３、３４、３５によってＸ方向に相互に平
行に配列されて一括保持された複数の基板Ｗを処理槽２
０に貯留されている処理液に浸漬する位置（図１の実線
位置）とその処理液から引き揚げた位置（図１の仮想線
位置）との間で昇降させることができる。なお、リフタ
ー３１には、リフターアーム３２を昇降させる機構とし
て、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリやベルト
を用いたベルト機構など種々の公知の機構を採用するこ
とが可能である。また、昇降機構３０を図１の２点鎖線
位置に位置させるとともに、収容器１０の上部１１を開
放することにより、装置外部の基板搬送ロボットと昇降
機構３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができ
る。

【００２４】また、処理槽２０の外部には、上記のオー
バーフロー面の近傍、換言すれば開口部２０ｐの近傍に
２本の供給ノズル４０が設けられている。吐出部として
機能する供給ノズル４０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って
伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて配列
された複数の吐出孔４１を備えている。複数の吐出孔４
１のそれぞれは、吐出方向を処理槽２０の開口部２０ｐ
に向けるように形成されている。そして、供給ノズル４
０のそれぞれは、複数の吐出孔４１から処理槽２０の開
口部２０ｐに向けてＩＰＡ蒸気を吐出し、処理槽２０内
に当該ＩＰＡ蒸気を含む雰囲気を形成することができ
る。

【００２５】供給ノズル４０には、収容器１０外部の供
給機構から、ＩＰＡ蒸気や、不活性ガスである窒素ガス
等を供給することができる。図３は、基板処理装置１の
配管等の構成を示す模式図である。供給ノズル４０は、
ＩＰＡ供給源４２および窒素ガス供給源４４と配管を介
して接続されている。ＩＰＡバルブ４３を開放すること
によって、ＩＰＡ供給源４２から供給ノズル４０にＩＰ
Ａ蒸気を供給することができる。供給ノズル４０に供給
されたＩＰＡ蒸気は、複数の吐出孔４１のそれぞれから
処理槽２０の開口部２０ｐに向けて、基板Ｗの主面に平
行な流れを形成して吐出される。なお、このとき、キャ
リアガスとしては、窒素ガスが使用されている。

【００２６】また、窒素ガスバルブ４５を開放すること
によって、窒素ガス供給源４４から供給ノズル４０に窒
素ガスを供給することができる。供給ノズル４０に供給
された窒素ガスは、複数の吐出孔４１のそれぞれから処
理槽２０の開口部２０ｐに向けて、基板Ｗの主面に平行
な流れを形成して吐出される。

【００２７】すなわち、窒素ガスバルブ４５を閉鎖して
ＩＰＡバルブ４３を開放すれば供給ノズル４０から処理
槽２０の開口部２０ｐに向けてＩＰＡ蒸気を供給するこ
とができ、逆にＩＰＡバルブ４３を閉鎖して窒素ガスバ
ルブ４５を開放すれば処理槽２０の開口部２０ｐに向け
て窒素ガスを供給することができる。

【００２８】また、処理槽２０の底部と装置外の排液ラ
インとは配管を介して接続されており、その配管には排
液バルブ４６が介挿されている。この排液バルブ４６を
開放することによって、処理槽２０内の処理液が排出さ
れることとなる。

【００２９】なお、図３に示すＩＰＡバルブ４３、窒素
ガスバルブ４５および排液バルブ４６は、いずれも制御
部５０によってその動作が制御される。この制御部５０
および排液バルブ４６が排水手段として機能することと
なる。

【００３０】＜基板処理装置１における乾燥処理＞図４
は、基板処理装置１における基板処理の動作を説明する
フローチャートである。また、図５から図９は、基板処
理装置１における処理の様子を説明する図である。以下
では、基板処理装置１の処理手順について図４から図９
を参照しつつ説明する。

【００３１】上記の基板処理装置１において基板Ｗに処
理を行うときは、まず、昇降機構３０が図外の基板搬送
ロボットから複数の基板Ｗを受け取る。そして、収容器
１０が密閉されるとともに、昇降機構３０がＸ方向に相
互に間隔を隔てて一括保持した複数の基板Ｗを降下さ
せ、基板Ｗを処理槽２０内に搬入するための開口部２０
ｐから処理槽２０に貯留された純水中に浸漬させる(ス
テップＳ１)。この段階においては、処理槽２０に純水
が供給され続けており、処理槽２０の上端のオーバーフ
ロー面からは純水が溢れ出し続けている。処理槽２０か
ら溢れ出した純水は、処理槽２０の上端部外側に設けら
れた回収部によって回収され、装置外の排液ラインに排
出される。

【００３２】ステップＳ２では、基板の洗浄処理を行
う。ここでは、処理槽２０に貯留された純水に複数の基
板Ｗを浸漬した状態を維持しつつ、処理槽２０に薬液ま
たは純水を順次供給することによりエッチングや洗浄処
理を予め定められた順序に従って進行させる（図５の状
態）。この段階においても、処理槽２０の上端から薬液
または純水が溢れ出し続けており、溢れ出した処理液は
上記の回収部によって回収される。

【００３３】そして、図５の状態においては、図５中矢
印ＦＮ４に示すように、供給ノズル４０から窒素ガスを
処理槽２０の開口部２０ｐに向けて吐出する。これによ
り、収容器１０の内部が窒素雰囲気となり、窒素雰囲気
下で基板Ｗの処理が進行することとなる。

【００３４】基板Ｗに対する表面処理が進行すると、や
がて最終の仕上洗浄処理に至る。本実施形態では、仕上
洗浄処理も通常の洗浄処理と同じく、処理槽２０に純水
を貯留し、その純水中に複数の基板Ｗを浸漬することに
よって行われる。なお、最終の仕上洗浄処理の段階にお
いても窒素ガスの供給が行われており、供給ノズル４０
から窒素ガスが吐出され、窒素雰囲気下にて仕上洗浄処
理が行われる。

【００３５】ステップＳ３では、処理槽２０に貯留され
た純水を排水する。すなわち、処理槽２０内における基
板Ｗの洗浄処理(ステップＳ２)が終了すると、図６に示
すように、基板Ｗを処理槽２０内に保持したまま、処理
槽２０内に貯留された純水を排水する。ここでも、図６
中矢印ＦＮ５にて示すように、供給ノズル４０から基板
Ｗに対して窒素ガスを吐出し、処理槽２０内に窒素ガス
を流入させる。これにより、基板Ｗの表面全体が窒素で
覆われることとなる。

【００３６】上記のように処理槽２０内で基板Ｗを保持
した状態で排水する、すなわち処理槽２０内の界面(水
面)を低下させることで基板Ｗを収容器１０内の雰囲気
に露出させる場合には、純水から基板Ｗを引き揚げるこ
とで基板を露出させる場合に対して、引き揚げに伴う基
板Ｗの揺れ(振動)が発生することがないため、界面付近
で生じうる基板へのパーティクルの再付着を効果的に防
止できる。特に、雰囲気への基板Ｗの露出速度を上げた
い場合には、基板Ｗを保持して排水する方法が有効とな
る。

【００３７】ステップＳ４では、ＩＰＡ蒸気（キャリア
ガスとしての窒素ガスを含む）を処理槽２０内に流入さ
せる。すなわち、処理槽２０内の排水(ステップＳ３)が
終了した後、基板Ｗを引き揚げず、図７に示すように保
持手段として機能する昇降機構３０が複数の基板Ｗを処
理槽２０内に保持したまま、図７中矢印ＦＩにて示すよ
うに、供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気を処理槽２０内に
流入させる。すなわち、処理槽２０内において窒素ガス
にさらされていた基板ＷがＩＰＡ蒸気で乾燥されること
となる。これにより、混合気体でなく単一の気体つまり
ＩＰＡのみが基板Ｗに作用し、基板Ｗの表面全体がＩＰ
Ａで覆われることとなる。

【００３８】このステップＳ４の動作により、ＩＰＡ蒸
気の供給は、収容器１０より容積が小さい処理槽２０内
に行えば足りるため、ＩＰＡガスの消費量を削減でき
る。例えば、収容器１０の容積をＶａ、処理槽２０の容
積をＶｂとすると、収容器１０内全体にＩＰＡ蒸気を充
満させる従来の方法に比べて、ＩＰＡの消費量を原理的
にはＶａ／Ｖｂ程度に低減できることとなる。

【００３９】ステップＳ５では、図８に示すように、基
板Ｗを処理槽２０内に保持したまま、図８中矢印ＦＮ７
に示すように供給ノズル４０から窒素ガスを処理槽２０
内に吐出する。この窒素ガスの供給により、処理槽２０
内における基板の乾燥が終了し、収容器１０内のＩＰＡ
蒸気が排出されることとなる。なお、ＩＰＡ蒸気は、収
容器１０に設けられる排気用の配管(図示せず)から収容
器１０の外部に排出される。

【００４０】ステップＳ６では、処理槽２０から基板Ｗ
を引き揚げる。この際、収容器１０の内部が窒素ガス雰
囲気を形成し、図９に示すように、供給ノズル４０から
窒素ガス流ＦＮ８を吐出しつつ、昇降機構３０が複数の
基板Ｗを引き揚げる。

【００４１】その後、基板Ｗが図１中の仮想線位置にま
で到達した時点で、昇降機構３０が停止し、基板Ｗの引
き揚げが完了する。この時点においては、供給ノズル４
０からのガス供給が停止される。そして、基板Ｗが図１
中の仮想線位置まで引き揚げられると、基板Ｗは基板搬
送ロボットに渡されて一連の処理が終了する。

【００４２】以上の基板処理装置１の動作により、処理
槽２０内で基板Ｗを保持しつつＩＰＡ蒸気を流入させる
ため、ＩＰＡ蒸気の供給量を削減でき、乾燥効率が向上
する。

【００４３】＜変形例＞ ・上記の実施形態については、ＩＰＡ蒸気と窒素ガスと
を同一の供給ノズルから吐出するようにしているが、そ
れぞれ別のノズルから吐出するようにしても良い。

【００４４】・上記の実施形態については、有機溶剤の
蒸気として、ＩＰＡ蒸気を例にして説明したが、低分子
アルコール、シリコーン、ハイドロフィオロエーテル
（ＨＦＥ）等の有機溶剤の蒸気を使用することも可能で
ある。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１２の発明によれば、排水された処理槽において基
板を保持しつつ、有機溶剤の蒸気を処理槽内に流入させ
るため、有機溶剤の蒸気の消費量を削減できる。また、
処理槽内で基板を保持しつつ純水を排水するため、基板
に対するパーティクルの再付着を抑制できる。

【００４６】特に、請求項２および請求項８の発明にお
いては、有機溶剤の蒸気を処理槽内に流入させる前に、
処理槽内に不活性ガスを流入させつつ、純水を排水する
ため、有機溶剤の蒸気による基板乾燥が適切に開始でき
る。

【００４７】また、請求項３および請求項９の発明にお
いては、処理槽における開口部の近傍に設けられる吐出
部から開口部に向けて有機溶剤の蒸気を吐出するため、
処理槽内に有機溶剤の蒸気を適切に流入させることがで
きる。

【００４８】また、請求項４および請求項１０の発明に
おいては、吐出部が不活性ガスの吐出も可能であるた
め、収容器内の省スペース化が図れる。

【００４９】また、請求項５および請求項１１の発明に
おいては、有機溶剤の蒸気がイソプロピルアルコールの
蒸気であるため、効率よく基板の乾燥が行える。

【００５０】また、請求項６および請求項１２の発明に
おいては、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括して保
持するため、基板処理を効率的に行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１の正面
図である。

【図２】図１のII−II位置から見た断面図である。

【図３】基板処理装置１の配管等の構成を示す模式図で
ある。

【図４】基板処理装置１における基板処理の動作を説明
するフローチャートである。

【図５】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図６】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図７】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図８】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図９】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図１０】従来例に係る基板乾燥処理の様子を説明する
図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 １０ 収容器 ２０ 処理槽 ３０ 昇降機構 ４０ 供給ノズル ＦＮ 窒素ガス流 ＦＩ ＩＰＡ蒸気流 Ｗ 基板

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA18 FA21 FA30 HA01 3B201 AA01 AB47 BB01 BB93 BB95 BB99 CC12 4G059 AA08 AB19 AC30

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 純水による基板の洗浄処理が終了した
   後、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、 純水を貯留し、前記純水中に基板を浸漬して洗浄処理を
   行う処理槽と、 前記処理槽を収容する収容器と、 前記処理槽内で前記基板を保持する保持手段と、 前記保持手段により前記処理槽内で前記基板を保持しつ
   つ、前記処理槽に貯留された純水を排水する排水手段
   と、 前記排水手段により排水された前記処理槽において前記
   保持手段により前記基板を保持しつつ、有機溶剤の蒸気
   を前記処理槽内に流入させる流入手段と、を備えること
   を特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記処理槽内に不活性ガスを流入させつつ、前記排水手
   段は、前記純水を排水することを特徴とする基板処理装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 前記流入手段は、 前記処理槽における開口部の近傍に設けられ、前記開口
   部に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する吐出部、を有
   することを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記吐出部は、不活性ガスの吐出も可能であることを特
   徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気
   であることを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記保持手段は、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括
   して保持することを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 純水を貯留可能な処理槽と、前記処理槽
   を収容する収容器とを有する基板処理装置を利用する基
   板処理方法であって、 前記処理槽に貯留される純水中に基板を浸漬して洗浄処
   理を行う処理工程と、 前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前記処理槽に貯
   留された純水を排水する排水工程と、 排水された前記処理槽において前記基板を保持しつつ、
   有機溶剤の蒸気を前記処理槽内に流入させる流入工程
   と、を備えることを特徴とする基板処理方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理方法におい
   て、 前記排水工程は、 前記処理槽内に不活性ガスを流入させつつ、前記純水を
   排水する工程、を有することを特徴とする基板処理方
   法。
9. 【請求項９】 請求項７または請求項８に記載の基板処
   理方法において、 前記流入工程は、 前記処理槽における開口部の近傍に設けられる吐出部か
   ら、前記開口部に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する
   吐出工程、を有することを特徴とする基板処理方法。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の基板処理方法におい
    て、 前記吐出部は、不活性ガスの吐出も可能であることを特
    徴とする基板処理方法。
11. 【請求項１１】 請求項７ないし請求項１０のいずれか
    に記載の基板処理方法において、 前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気
    であることを特徴とする基板処理方法。
12. 【請求項１２】 請求項７ないし請求項１１のいずれか
    に記載の基板処理方法において、 前記流入工程では、相互に間隔を隔てた複数の基板を一
    括して保持しつつ、前記有機溶剤の蒸気を前記処理槽内
    に流入させることを特徴とする基板処理方法。