JP2000100777A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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- JP2000100777A JP2000100777A JP10271148A JP27114898A JP2000100777A JP 2000100777 A JP2000100777 A JP 2000100777A JP 10271148 A JP10271148 A JP 10271148A JP 27114898 A JP27114898 A JP 27114898A JP 2000100777 A JP2000100777 A JP 2000100777A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フッ化水素を含む水溶液により洗浄もしくは
エッチングされた基板の表面に洗浄な酸化膜を形成する
場合に、基板の表面全体に均一に洗浄な酸化膜を形成で
き、基板表面にパーティクルが付着してウエハが汚染さ
れることも防止できる方法を提供する。 【手段】 処理槽１０内に収容されフッ化水素を含む水
溶液中に基板Ｗを浸漬させて基板を洗浄もしくはエッチ
ングした後に、処理槽内へオゾンが溶解し脱気されたオ
ゾン水を供給し、そのオゾン水中に基板を浸漬させて基
板の表面に清浄な酸化膜を形成する。
エッチングされた基板の表面に洗浄な酸化膜を形成する
場合に、基板の表面全体に均一に洗浄な酸化膜を形成で
き、基板表面にパーティクルが付着してウエハが汚染さ
れることも防止できる方法を提供する。 【手段】 処理槽１０内に収容されフッ化水素を含む水
溶液中に基板Ｗを浸漬させて基板を洗浄もしくはエッチ
ングした後に、処理槽内へオゾンが溶解し脱気されたオ
ゾン水を供給し、そのオゾン水中に基板を浸漬させて基
板の表面に清浄な酸化膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を、フ
ッ化水素を含む水溶液中に浸漬させて洗浄もしくはエッ
チングする基板処理方法、ならびに、その方法を実施す
るために使用される基板処理装置に関する。
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を、フ
ッ化水素を含む水溶液中に浸漬させて洗浄もしくはエッ
チングする基板処理方法、ならびに、その方法を実施す
るために使用される基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいて、基板、例えばシリコンウエハの表面に被着され
たシリコン酸化膜を全面的もしくは部分的に除去する場
合は、フッ化水素酸（フッ酸）やバッファードフッ酸
（フッ化水素とフッ化アンモニウムと水との混合液）な
どのフッ化水素を含む水溶液（以下、「ＨＦ水溶液」と
いう）を使用し、ウエハが収容された処理槽内へＨＦ水
溶液を供給しあるいはＨＦ水溶液が収容された処理槽内
へウエハを投入して、ウエハをＨＦ水溶液中に浸漬させ
ることにより、ウエハを洗浄もしくはエッチングするよ
うにしている。そして、洗浄もしくはエッチング後に、
ウエハを純水で水洗してウエハの表面からＨＦ水溶液な
どを除去し、ウエハを乾燥させる。
おいて、基板、例えばシリコンウエハの表面に被着され
たシリコン酸化膜を全面的もしくは部分的に除去する場
合は、フッ化水素酸（フッ酸）やバッファードフッ酸
（フッ化水素とフッ化アンモニウムと水との混合液）な
どのフッ化水素を含む水溶液（以下、「ＨＦ水溶液」と
いう）を使用し、ウエハが収容された処理槽内へＨＦ水
溶液を供給しあるいはＨＦ水溶液が収容された処理槽内
へウエハを投入して、ウエハをＨＦ水溶液中に浸漬させ
ることにより、ウエハを洗浄もしくはエッチングするよ
うにしている。そして、洗浄もしくはエッチング後に、
ウエハを純水で水洗してウエハの表面からＨＦ水溶液な
どを除去し、ウエハを乾燥させる。
【０００３】ところで、ＨＦ水溶液を用いて洗浄もしく
はエッチングされたシリコンウエハは、ウエハ素材面で
あるシリコン面が露出して活性な表面（ベアシリコン
面）を呈しており、そのまま空気に曝されると空気中の
汚染物質が極めて吸着され易い表面状態となっている。
そこで、例えば特開昭６２−２９３６１８号公報に開示
されているように、水洗後に、ウエハが収容された処理
槽内の純水中へ酸素あるいはオゾンをバブリングして、
ウエハの表面上に清浄な自然酸化膜を形成し、ウエハ表
面に空気中の汚染物質が吸着するのを防止する、といっ
たことが行われている。
はエッチングされたシリコンウエハは、ウエハ素材面で
あるシリコン面が露出して活性な表面（ベアシリコン
面）を呈しており、そのまま空気に曝されると空気中の
汚染物質が極めて吸着され易い表面状態となっている。
そこで、例えば特開昭６２−２９３６１８号公報に開示
されているように、水洗後に、ウエハが収容された処理
槽内の純水中へ酸素あるいはオゾンをバブリングして、
ウエハの表面上に清浄な自然酸化膜を形成し、ウエハ表
面に空気中の汚染物質が吸着するのを防止する、といっ
たことが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＨＦ水
溶液により洗浄もしくはエッチングされたシリコンウエ
ハの表面は、上記したように活性な状態にあり、このよ
うな表面状態をもつウエハが浸漬させられている純水中
へ酸素あるいはオゾンをバブリングすると、疎水性であ
るウエハ表面に気泡が付着し易い。ウエハの表面に気泡
が付着すると、ウエハ表面において自然酸化膜が形成さ
れない部分が斑に生じ、空気中の汚染物質が吸着され易
い部分が出来る。また、ウエハの表面に気泡が付着する
と、純水中のパーティクルは気泡に付着し易いために、
気泡の付着個所に形成された気液界面にパーティクルが
集まって、ウエハが汚染される、といった問題点があ
る。
溶液により洗浄もしくはエッチングされたシリコンウエ
ハの表面は、上記したように活性な状態にあり、このよ
うな表面状態をもつウエハが浸漬させられている純水中
へ酸素あるいはオゾンをバブリングすると、疎水性であ
るウエハ表面に気泡が付着し易い。ウエハの表面に気泡
が付着すると、ウエハ表面において自然酸化膜が形成さ
れない部分が斑に生じ、空気中の汚染物質が吸着され易
い部分が出来る。また、ウエハの表面に気泡が付着する
と、純水中のパーティクルは気泡に付着し易いために、
気泡の付着個所に形成された気液界面にパーティクルが
集まって、ウエハが汚染される、といった問題点があ
る。
【０００５】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッ
チングされた基板の表面に洗浄な酸化膜を形成する場合
において、基板の表面全体に均一に洗浄な酸化膜を形成
することができ、基板の表面にパーティクルが付着して
ウエハが汚染される、といったことも防止することがで
きる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法
を好適に実施することができる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
されたものであり、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッ
チングされた基板の表面に洗浄な酸化膜を形成する場合
において、基板の表面全体に均一に洗浄な酸化膜を形成
することができ、基板の表面にパーティクルが付着して
ウエハが汚染される、といったことも防止することがで
きる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法
を好適に実施することができる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
処理槽内に収容されたＨＦ水溶液中に基板を浸漬させて
基板を洗浄もしくはエッチングする基板処理方法におい
て、ＨＦ水溶液で基板を洗浄もしくはエッチングした後
に、前記処理槽内へオゾンが溶解し脱気されたオゾン水
を供給して、そのオゾン水中に基板を浸漬させて基板の
表面に清浄な酸化膜を形成することを特徴とする。
処理槽内に収容されたＨＦ水溶液中に基板を浸漬させて
基板を洗浄もしくはエッチングする基板処理方法におい
て、ＨＦ水溶液で基板を洗浄もしくはエッチングした後
に、前記処理槽内へオゾンが溶解し脱気されたオゾン水
を供給して、そのオゾン水中に基板を浸漬させて基板の
表面に清浄な酸化膜を形成することを特徴とする。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板処理方法において、処理槽が配設された空間を不活性
ガス雰囲気にして基板の処理を行うことを特徴とする。
板処理方法において、処理槽が配設された空間を不活性
ガス雰囲気にして基板の処理を行うことを特徴とする。
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板処理方法において、オゾン水で基板の
表面に清浄な酸化膜を形成した後に、基板を搬出する前
に引き続いて基板の乾燥処理を行うことを特徴とする。
求項２記載の基板処理方法において、オゾン水で基板の
表面に清浄な酸化膜を形成した後に、基板を搬出する前
に引き続いて基板の乾燥処理を行うことを特徴とする。
【０００９】請求項４に係る発明は、下部に液体供給口
を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、
内部に基板が搬入されて収容される処理槽と、この処理
槽内へ前記液体供給口を通してＨＦ水溶液を供給する薬
液供給手段とを備えた基板処理装置において、前記処理
槽内へ前記液体供給口を通してオゾンが溶解し脱気され
たオゾン水を供給するオゾン水供給手段を設けたことを
特徴とする。
を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、
内部に基板が搬入されて収容される処理槽と、この処理
槽内へ前記液体供給口を通してＨＦ水溶液を供給する薬
液供給手段とを備えた基板処理装置において、前記処理
槽内へ前記液体供給口を通してオゾンが溶解し脱気され
たオゾン水を供給するオゾン水供給手段を設けたことを
特徴とする。
【００１０】請求項５に係る発明は、請求項４記載の基
板処理装置において、処理槽を処理チャンバ内に閉鎖的
に配設し、前記処理チャンバ内へ不活性ガスを供給して
処理チャンバの内部空間を不活性ガス雰囲気にする不活
性ガス供給手段を設けたことを特徴とする。
板処理装置において、処理槽を処理チャンバ内に閉鎖的
に配設し、前記処理チャンバ内へ不活性ガスを供給して
処理チャンバの内部空間を不活性ガス雰囲気にする不活
性ガス供給手段を設けたことを特徴とする。
【００１１】請求項６に係る発明は、請求項４または請
求項５記載の基板処理装置において、処理槽を処理チャ
ンバ内に閉鎖的に配設し、前記処理槽内から液体を排出
させる排液手段を設けるとともに、前記処理チャンバ内
を真空排気する排気手段を設けたことを特徴とする。
求項５記載の基板処理装置において、処理槽を処理チャ
ンバ内に閉鎖的に配設し、前記処理槽内から液体を排出
させる排液手段を設けるとともに、前記処理チャンバ内
を真空排気する排気手段を設けたことを特徴とする。
【００１２】請求項１に係る発明の基板処理方法による
と、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッチングされた基
板が収容された処理槽内へオゾン水が供給されて、その
オゾン水中に基板が浸漬させられることにより、オゾン
水中に溶解したオゾンによって基板の表面が酸化され基
板の表面に清浄な酸化膜が形成されるが、オゾン水は脱
気されていて気泡を含んでいないので、その際に、基板
の表面に気泡が付着することは無い。このため、基板の
表面において酸化膜が形成されない部分が斑に生じて、
空気中の汚染物質が吸着され易い部分が出来たり、気泡
の付着個所に気液界面が形成されて、パーティクルが付
着したりする、といった心配が無い。
と、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッチングされた基
板が収容された処理槽内へオゾン水が供給されて、その
オゾン水中に基板が浸漬させられることにより、オゾン
水中に溶解したオゾンによって基板の表面が酸化され基
板の表面に清浄な酸化膜が形成されるが、オゾン水は脱
気されていて気泡を含んでいないので、その際に、基板
の表面に気泡が付着することは無い。このため、基板の
表面において酸化膜が形成されない部分が斑に生じて、
空気中の汚染物質が吸着され易い部分が出来たり、気泡
の付着個所に気液界面が形成されて、パーティクルが付
着したりする、といった心配が無い。
【００１３】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
基板の処理が不活性ガス雰囲気中で行われるので、ＨＦ
水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨＦ水
溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、といった
ことが抑えられる。このため、基板の表面に酸化膜が斑
に形成されることが防止される。
基板の処理が不活性ガス雰囲気中で行われるので、ＨＦ
水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨＦ水
溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、といった
ことが抑えられる。このため、基板の表面に酸化膜が斑
に形成されることが防止される。
【００１４】請求項３に係る発明の基板処理方法では、
オゾン水により基板の表面に清浄な酸化膜を形成した後
に、基板を搬出する前に引き続いて基板の乾燥処理が行
われるので、最終工程である乾燥が終了するまで基板は
大気雰囲気中に置かれない。このため、基板を処理槽内
から搬出して乾燥処理部へ搬送する過程で基板の表面に
パーティクルが付着する、といったことを心配する必要
が無くなる。
オゾン水により基板の表面に清浄な酸化膜を形成した後
に、基板を搬出する前に引き続いて基板の乾燥処理が行
われるので、最終工程である乾燥が終了するまで基板は
大気雰囲気中に置かれない。このため、基板を処理槽内
から搬出して乾燥処理部へ搬送する過程で基板の表面に
パーティクルが付着する、といったことを心配する必要
が無くなる。
【００１５】請求項４に係る発明の基板処理装置を使用
すると、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッチングされ
た基板が収容された処理槽内へ液体供給口を通してオゾ
ン水が供給されて、そのオゾン水中に基板が浸漬させら
れることにより、オゾン水中に溶解したオゾンによって
基板の表面が酸化され基板の表面に清浄な酸化膜が形成
される。この際、オゾン水は脱気されていて気泡を含ん
でいないので、基板の表面に気泡が付着することは無
い。このため、基板の表面において酸化膜が形成されな
い部分が斑に生じて、空気中の汚染物質が吸着され易い
部分が出来たり、気泡の付着個所に気液界面が形成され
て、パーティクルが付着したりする、といった心配が無
い。
すると、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッチングされ
た基板が収容された処理槽内へ液体供給口を通してオゾ
ン水が供給されて、そのオゾン水中に基板が浸漬させら
れることにより、オゾン水中に溶解したオゾンによって
基板の表面が酸化され基板の表面に清浄な酸化膜が形成
される。この際、オゾン水は脱気されていて気泡を含ん
でいないので、基板の表面に気泡が付着することは無
い。このため、基板の表面において酸化膜が形成されな
い部分が斑に生じて、空気中の汚染物質が吸着され易い
部分が出来たり、気泡の付着個所に気液界面が形成され
て、パーティクルが付着したりする、といった心配が無
い。
【００１６】請求項５に係る発明の基板処理装置では、
不活性ガス供給手段により、内部に処理槽が閉鎖的に配
設された処理チャンバ内へ不活性ガスを供給して、処理
チャンバの内部空間を不活性ガス雰囲気にし、基板の処
理を不活性ガス雰囲気中で行うことができるので、ＨＦ
水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨＦ水
溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、といった
ことが抑えられる。このため、基板の表面に酸化膜が斑
に形成されることが防止される。
不活性ガス供給手段により、内部に処理槽が閉鎖的に配
設された処理チャンバ内へ不活性ガスを供給して、処理
チャンバの内部空間を不活性ガス雰囲気にし、基板の処
理を不活性ガス雰囲気中で行うことができるので、ＨＦ
水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨＦ水
溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、といった
ことが抑えられる。このため、基板の表面に酸化膜が斑
に形成されることが防止される。
【００１７】請求項６に係る発明の基板処理装置では、
オゾン水により基板の表面に清浄な酸化膜を形成した後
に、処理槽内に基板を収容したまま、排液手段により処
理槽内から液体を排出させ、次いで、内部に処理槽が閉
鎖的に配設された処理チャンバ内を排気手段で真空排気
することにより、処理チャンバ内において基板の乾燥処
理を行うことができるので、最終工程である乾燥が終了
するまで基板は大気雰囲気中に置かれない。このため、
基板を処理槽内から搬出して乾燥処理部へ搬送する過程
で基板の表面にパーティクルが付着する、といったこと
を心配する必要が無くなる。
オゾン水により基板の表面に清浄な酸化膜を形成した後
に、処理槽内に基板を収容したまま、排液手段により処
理槽内から液体を排出させ、次いで、内部に処理槽が閉
鎖的に配設された処理チャンバ内を排気手段で真空排気
することにより、処理チャンバ内において基板の乾燥処
理を行うことができるので、最終工程である乾燥が終了
するまで基板は大気雰囲気中に置かれない。このため、
基板を処理槽内から搬出して乾燥処理部へ搬送する過程
で基板の表面にパーティクルが付着する、といったこと
を心配する必要が無くなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００１９】図１は、この発明に係る基板処理方法を実
施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この基板処理装置は、下部に液体供
給口１２を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部
１４を有し内部に基板Ｗが搬入されて収容される処理槽
１０を備えている。処理槽１０の底部には、排液口１６
が形設されており、その排液口１６に、排液バルブ２０
が介挿された排液管１８が連通して接続されている。
施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この基板処理装置は、下部に液体供
給口１２を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部
１４を有し内部に基板Ｗが搬入されて収容される処理槽
１０を備えている。処理槽１０の底部には、排液口１６
が形設されており、その排液口１６に、排液バルブ２０
が介挿された排液管１８が連通して接続されている。
【００２０】処理槽の下部の液体供給口１２には、液体
供給管２２が連通して接続されており、液体供給管２２
には、ＨＦ水溶液の供給源に接続された薬液供給管２
４、純水の供給源に接続された純水供給管２６、およ
び、オゾン（Ｏ３）水供給源に接続されたオゾン水供給
管２８がそれぞれ連通しており、各供給管２４、２６、
２８には開閉制御弁３０、３２、３４がそれぞれ介挿し
て設けられている。オゾン水供給源からオゾン水供給管
２８を通して供給されるオゾン水には、オゾンが溶解し
ているとともに、脱気されて気泡が含まれていない。
供給管２２が連通して接続されており、液体供給管２２
には、ＨＦ水溶液の供給源に接続された薬液供給管２
４、純水の供給源に接続された純水供給管２６、およ
び、オゾン（Ｏ３）水供給源に接続されたオゾン水供給
管２８がそれぞれ連通しており、各供給管２４、２６、
２８には開閉制御弁３０、３２、３４がそれぞれ介挿し
て設けられている。オゾン水供給源からオゾン水供給管
２８を通して供給されるオゾン水には、オゾンが溶解し
ているとともに、脱気されて気泡が含まれていない。
【００２１】気泡を含まないオゾン水を生成するには、
周知の方法を利用すればよく、例えば、酸素中での無声
放電やイオン交換膜等を使用した水の電気分解などによ
って発生させたオゾンガスを、ポンプ等で超純水を撹拌
しながらその超純水中に溶解させた後、余計な気泡を除
去するようにする。オゾン水中からオゾンや酸素などの
気泡を除去する方法としては、気泡が含まれたオゾン水
を密閉された気液分離槽に一旦溜め、気液分離槽内の液
面上の空間を排気して、或る程度の時間が経過した後
に、気液分離槽から液面下のオゾン水をポンプで取り出
すようにすればよい。また、気体透過膜材によって形設
された液流路を、周囲を気密に密閉した真空チャンバの
内部に収容した脱気モジュールを使用し、気泡を含んだ
オゾン水を液流路に流すとともに、真空チャンバ内の密
閉空間を真空吸引するようにして、液流路を流れるオゾ
ン水から気泡を除去するようにしてもよい。
周知の方法を利用すればよく、例えば、酸素中での無声
放電やイオン交換膜等を使用した水の電気分解などによ
って発生させたオゾンガスを、ポンプ等で超純水を撹拌
しながらその超純水中に溶解させた後、余計な気泡を除
去するようにする。オゾン水中からオゾンや酸素などの
気泡を除去する方法としては、気泡が含まれたオゾン水
を密閉された気液分離槽に一旦溜め、気液分離槽内の液
面上の空間を排気して、或る程度の時間が経過した後
に、気液分離槽から液面下のオゾン水をポンプで取り出
すようにすればよい。また、気体透過膜材によって形設
された液流路を、周囲を気密に密閉した真空チャンバの
内部に収容した脱気モジュールを使用し、気泡を含んだ
オゾン水を液流路に流すとともに、真空チャンバ内の密
閉空間を真空吸引するようにして、液流路を流れるオゾ
ン水から気泡を除去するようにしてもよい。
【００２２】処理槽１０は、蓋３８を開閉させることに
より基板Ｗの搬入および搬出を行うことができるととも
に密閉することが可能である処理チャンバ３６内に収容
されている。処理チャンバ３６の内部には、処理チャン
バ３６内へ搬入された基板Ｗを受け取って処理槽１０の
内部へ挿入し、処理が終わった基板Ｗを処理槽１０内か
ら取り出すための昇降機４０が配設されている。また、
処理チャンバ３６の底部には、気液排出口４２が形設さ
れており、気液排出口４２に気液排出管４４が連通して
接続されている。気液排出管４４には、開閉制御弁４８
が介挿された排液管４６、および、開閉制御弁５２が介
挿され真空ポンプ５４に接続された排気管５０がそれぞ
れ連通している。
より基板Ｗの搬入および搬出を行うことができるととも
に密閉することが可能である処理チャンバ３６内に収容
されている。処理チャンバ３６の内部には、処理チャン
バ３６内へ搬入された基板Ｗを受け取って処理槽１０の
内部へ挿入し、処理が終わった基板Ｗを処理槽１０内か
ら取り出すための昇降機４０が配設されている。また、
処理チャンバ３６の底部には、気液排出口４２が形設さ
れており、気液排出口４２に気液排出管４４が連通して
接続されている。気液排出管４４には、開閉制御弁４８
が介挿された排液管４６、および、開閉制御弁５２が介
挿され真空ポンプ５４に接続された排気管５０がそれぞ
れ連通している。
【００２３】また、処理チャンバ３６の内部には、ガス
吹出しノズル５６が設けられており、ガス吹出しノズル
５６には、不活性ガス、例えば窒素ガスの供給源に接続
されたガス供給管５８が連通して接続されている。ガス
供給管５８には、第１ヒータ６０、開閉制御弁６２、第
２ヒータ６４およびフィルタ６６がそれぞれ介在して設
けられている。
吹出しノズル５６が設けられており、ガス吹出しノズル
５６には、不活性ガス、例えば窒素ガスの供給源に接続
されたガス供給管５８が連通して接続されている。ガス
供給管５８には、第１ヒータ６０、開閉制御弁６２、第
２ヒータ６４およびフィルタ６６がそれぞれ介在して設
けられている。
【００２４】ガス供給管５８には、第１ヒータ６０と開
閉制御弁６２との間の位置で分岐し開閉制御弁６２と第
２ヒータ６４との間の位置で合流するバイパス管６８
ａ、６８ｂが設けられており、バイパス管６８ａ、６８
ｂの途中に、有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）７０が貯留され密閉されて液面上の密閉空間
にバイパス管６８ａの窒素ガス導入口およびバイパス管
６８ｂのＩＰＡ蒸気流出口がそれぞれ連通したＩＰＡ蒸
気生成槽７２が設けられている。また、バイパス管６８
ａ、６８ｂには開閉制御弁７６、７８が介挿されてい
る。ＩＰＡ蒸気生成槽７２には、内部に貯留されたＩＰ
Ａ７０を加熱するためのヒータ７４が付設されている。
そして、ＩＰＡ蒸気生成槽７２では、ヒータ７４により
ＩＰＡ７０を加熱してＩＰＡ蒸気を発生させ、その発生
したＩＰＡ蒸気を、窒素ガスをキャリアガスとして、バ
イパス管６８ｂからガス供給管５８を通して処理チャン
バ３６内のガス吹出しノズル５６へ供給することができ
るように構成されている。
閉制御弁６２との間の位置で分岐し開閉制御弁６２と第
２ヒータ６４との間の位置で合流するバイパス管６８
ａ、６８ｂが設けられており、バイパス管６８ａ、６８
ｂの途中に、有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）７０が貯留され密閉されて液面上の密閉空間
にバイパス管６８ａの窒素ガス導入口およびバイパス管
６８ｂのＩＰＡ蒸気流出口がそれぞれ連通したＩＰＡ蒸
気生成槽７２が設けられている。また、バイパス管６８
ａ、６８ｂには開閉制御弁７６、７８が介挿されてい
る。ＩＰＡ蒸気生成槽７２には、内部に貯留されたＩＰ
Ａ７０を加熱するためのヒータ７４が付設されている。
そして、ＩＰＡ蒸気生成槽７２では、ヒータ７４により
ＩＰＡ７０を加熱してＩＰＡ蒸気を発生させ、その発生
したＩＰＡ蒸気を、窒素ガスをキャリアガスとして、バ
イパス管６８ｂからガス供給管５８を通して処理チャン
バ３６内のガス吹出しノズル５６へ供給することができ
るように構成されている。
【００２５】上記した構成を有する基板処理装置を使用
して行われる基板処理操作の１例について説明する。
して行われる基板処理操作の１例について説明する。
【００２６】最初に、純水供給管２６および液体供給管
２２を通して処理槽１０の液体供給口１２へ純水を供給
し、処理槽１０内へ純水を流入させてその内部に純水を
満たし処理槽１０の上部の溢流部１４から純水が溢れ出
る状態にする。この際、処理チャンバ３６の底部の気液
排出口４２から気液排出管４４および排液管４６を通っ
て排水されている。この排液操作は、以後も継続して行
われる。また、ガス供給管５８を通してガス吹出し口５
６へ窒素ガスが供給され、ガス吹出し口５６から処理チ
ャンバ３６内へ窒素ガスが供給されて、処理チャンバ３
６の内部空間が窒素ガス雰囲気とされる。この状態は、
処理の間中、継続して維持され、基板Ｗの一連の処理が
窒素ガス雰囲気中で行われることにより、ＨＦ水溶液中
やオゾン水中などに空気中の酸素が溶解してＨＦ水溶液
中やオゾン水中などの溶存酸素量が増加する、といった
ことが抑えられる。
２２を通して処理槽１０の液体供給口１２へ純水を供給
し、処理槽１０内へ純水を流入させてその内部に純水を
満たし処理槽１０の上部の溢流部１４から純水が溢れ出
る状態にする。この際、処理チャンバ３６の底部の気液
排出口４２から気液排出管４４および排液管４６を通っ
て排水されている。この排液操作は、以後も継続して行
われる。また、ガス供給管５８を通してガス吹出し口５
６へ窒素ガスが供給され、ガス吹出し口５６から処理チ
ャンバ３６内へ窒素ガスが供給されて、処理チャンバ３
６の内部空間が窒素ガス雰囲気とされる。この状態は、
処理の間中、継続して維持され、基板Ｗの一連の処理が
窒素ガス雰囲気中で行われることにより、ＨＦ水溶液中
やオゾン水中などに空気中の酸素が溶解してＨＦ水溶液
中やオゾン水中などの溶存酸素量が増加する、といった
ことが抑えられる。
【００２７】そして、処理チャンバ３６の蓋３８が解放
され、処理しようとする基板Ｗが処理チャンバ３６内へ
搬入されて処理槽１０内へ挿入され、処理槽１０内の純
水中に基板Ｗが浸漬させられ、基板Ｗが純水で水洗され
る。次に、純水の供給を停止させるとともに、薬液供給
管２４および液体供給管２２を通して処理槽１０の液体
供給口１２へＨＦ水溶液を供給し、処理槽１０内へＨＦ
水溶液を流入させて、ＨＦ水溶液により処理槽１０の上
部の溢流部１４から純水を押し出し、処理槽１０の内部
をＨＦ水溶液で置換し、処理槽１０の内部にＨＦ水溶液
を満たし処理槽１０の上部の溢流部１４からＨＦ水溶液
が溢れ出る状態にする。この状態において、基板ＷがＨ
Ｆ水溶液中に浸漬させられて洗浄もしくはエッチングさ
れる。
され、処理しようとする基板Ｗが処理チャンバ３６内へ
搬入されて処理槽１０内へ挿入され、処理槽１０内の純
水中に基板Ｗが浸漬させられ、基板Ｗが純水で水洗され
る。次に、純水の供給を停止させるとともに、薬液供給
管２４および液体供給管２２を通して処理槽１０の液体
供給口１２へＨＦ水溶液を供給し、処理槽１０内へＨＦ
水溶液を流入させて、ＨＦ水溶液により処理槽１０の上
部の溢流部１４から純水を押し出し、処理槽１０の内部
をＨＦ水溶液で置換し、処理槽１０の内部にＨＦ水溶液
を満たし処理槽１０の上部の溢流部１４からＨＦ水溶液
が溢れ出る状態にする。この状態において、基板ＷがＨ
Ｆ水溶液中に浸漬させられて洗浄もしくはエッチングさ
れる。
【００２８】次に、ＨＦ水溶液の供給を停止させるとと
もに、純水供給管２６および液体供給管２２を通して処
理槽１０の液体供給口１２へ純水を供給し、処理槽１０
内へ純水を流入させて、純水により処理槽１０の上部の
溢流部１４からＨＦ水溶液を押し出し、処理槽１０の内
部を純水で置換し、処理槽１０の内部に純水を満たし処
理槽１０の上部の溢流部１４から純水が溢れ出る状態に
する。この状態において、基板Ｗが純水中に浸漬させら
れて水洗される。続いて、純水の供給を停止させるとと
もに、オゾン水供給管２８および液体供給管２２を通し
て処理槽１０の液体供給口１２へ脱気されたオゾン水を
供給し、処理槽１０内へオゾン水を流入させて、オゾン
水により処理槽１０の上部の溢流部１４から純水を押し
出し、処理槽１０の内部をオゾン水で置換し、処理槽１
０の内部にオゾン水を満たし処理槽１０の上部の溢流部
１４からオゾン水が溢れ出る状態にする。このようにし
て基板Ｗがオゾン水中に浸漬させられた状態となること
により、オゾン水中に溶解したオゾンによって基板Ｗ、
例えばシリコンウエハの表面が酸化されウエハ表面に清
浄なシリコン自然酸化膜が形成される。この際、オゾン
水は脱気されていて気泡を含んでいないので、基板Ｗの
表面に気泡が付着することは無い。このため、基板Ｗの
表面において酸化膜が形成されない部分が斑に生じた
り、基板Ｗの表面にパーティクルが付着し易い気液界面
が形成されたりする、といったことが無い。
もに、純水供給管２６および液体供給管２２を通して処
理槽１０の液体供給口１２へ純水を供給し、処理槽１０
内へ純水を流入させて、純水により処理槽１０の上部の
溢流部１４からＨＦ水溶液を押し出し、処理槽１０の内
部を純水で置換し、処理槽１０の内部に純水を満たし処
理槽１０の上部の溢流部１４から純水が溢れ出る状態に
する。この状態において、基板Ｗが純水中に浸漬させら
れて水洗される。続いて、純水の供給を停止させるとと
もに、オゾン水供給管２８および液体供給管２２を通し
て処理槽１０の液体供給口１２へ脱気されたオゾン水を
供給し、処理槽１０内へオゾン水を流入させて、オゾン
水により処理槽１０の上部の溢流部１４から純水を押し
出し、処理槽１０の内部をオゾン水で置換し、処理槽１
０の内部にオゾン水を満たし処理槽１０の上部の溢流部
１４からオゾン水が溢れ出る状態にする。このようにし
て基板Ｗがオゾン水中に浸漬させられた状態となること
により、オゾン水中に溶解したオゾンによって基板Ｗ、
例えばシリコンウエハの表面が酸化されウエハ表面に清
浄なシリコン自然酸化膜が形成される。この際、オゾン
水は脱気されていて気泡を含んでいないので、基板Ｗの
表面に気泡が付着することは無い。このため、基板Ｗの
表面において酸化膜が形成されない部分が斑に生じた
り、基板Ｗの表面にパーティクルが付着し易い気液界面
が形成されたりする、といったことが無い。
【００２９】オゾン水による基板Ｗの処理が終わると、
オゾン水の供給を停止させるとともに、純水供給管２６
および液体供給管２２を通して処理槽１０の液体供給口
１２へ純水を供給し、処理槽１０内へ純水を流入させ
て、純水により処理槽１０の上部の溢流部１４からオゾ
ン水を押し出し、処理槽１０の内部を純水で置換し、処
理槽１０の内部に純水を満たし処理槽１０の上部の溢流
部１４から純水が溢れ出る状態にする。この状態におい
て、基板Ｗが純水中に浸漬させられて水洗される。
オゾン水の供給を停止させるとともに、純水供給管２６
および液体供給管２２を通して処理槽１０の液体供給口
１２へ純水を供給し、処理槽１０内へ純水を流入させ
て、純水により処理槽１０の上部の溢流部１４からオゾ
ン水を押し出し、処理槽１０の内部を純水で置換し、処
理槽１０の内部に純水を満たし処理槽１０の上部の溢流
部１４から純水が溢れ出る状態にする。この状態におい
て、基板Ｗが純水中に浸漬させられて水洗される。
【００３０】続いて、処理槽１０内に基板Ｗを収容した
まま、あるいは、昇降機４０により処理槽１０内の純水
中から基板Ｗを引き上げて処理チャンバ３６の内部空間
に保持した後に、処理槽１０の排液口１６から排液管１
８を通して排水する。この際、窒素ガス供給源から供給
される窒素ガスがバイパス６８ａ、６８ｂを通るように
して、ＩＰＡ蒸気を、ガス供給管５８を通して処理チャ
ンバ３６内のガス吹出しノズル５６へ供給し、ガス吹出
しノズル５６から処理チャンバ３６内の基板Ｗの表面に
向けてＩＰＡ蒸気を噴射させるようにする。これによ
り、基板Ｗの表面に付着した水滴にＩＰＡが溶解して、
基板Ｗの表面から水滴が蒸発し易くなる。そして、処理
チャンバ３６内のガス吹出しノズル５６への窒素ガスお
よびＩＰＡ蒸気の供給を停止させた後、真空ポンプ５４
を駆動させ、気液排出管４４および排気管５０を通して
処理チャンバ３６の内部を真空排気することにより、処
理チャンバ３６内に保持された基板Ｗを速やかに減圧乾
燥させる。このように、処理チャンバ３６の内部に基板
Ｗを保持したままで基板Ｗの乾燥処理を行うことによ
り、最終工程である乾燥が終了するまで基板Ｗは空気に
触れないことになる。このため、基板Ｗを処理チャンバ
３６内から搬出して乾燥処理部へ搬送する過程で基板Ｗ
の表面にパーティクルが付着する、といったことを心配
する必要が無くなる。
まま、あるいは、昇降機４０により処理槽１０内の純水
中から基板Ｗを引き上げて処理チャンバ３６の内部空間
に保持した後に、処理槽１０の排液口１６から排液管１
８を通して排水する。この際、窒素ガス供給源から供給
される窒素ガスがバイパス６８ａ、６８ｂを通るように
して、ＩＰＡ蒸気を、ガス供給管５８を通して処理チャ
ンバ３６内のガス吹出しノズル５６へ供給し、ガス吹出
しノズル５６から処理チャンバ３６内の基板Ｗの表面に
向けてＩＰＡ蒸気を噴射させるようにする。これによ
り、基板Ｗの表面に付着した水滴にＩＰＡが溶解して、
基板Ｗの表面から水滴が蒸発し易くなる。そして、処理
チャンバ３６内のガス吹出しノズル５６への窒素ガスお
よびＩＰＡ蒸気の供給を停止させた後、真空ポンプ５４
を駆動させ、気液排出管４４および排気管５０を通して
処理チャンバ３６の内部を真空排気することにより、処
理チャンバ３６内に保持された基板Ｗを速やかに減圧乾
燥させる。このように、処理チャンバ３６の内部に基板
Ｗを保持したままで基板Ｗの乾燥処理を行うことによ
り、最終工程である乾燥が終了するまで基板Ｗは空気に
触れないことになる。このため、基板Ｗを処理チャンバ
３６内から搬出して乾燥処理部へ搬送する過程で基板Ｗ
の表面にパーティクルが付着する、といったことを心配
する必要が無くなる。
【００３１】基板Ｗの乾燥処理が終了すると、処理チャ
ンバ３６の蓋３８を解放させて、基板Ｗを処理チャンバ
３６内から搬出し、一連の処理が完了する。
ンバ３６の蓋３８を解放させて、基板Ｗを処理チャンバ
３６内から搬出し、一連の処理が完了する。
【００３２】この発明に係る基板処理方法は、上記した
形態以外にも種々の形態で実施し得る。例えば、特に必
要が無ければ、処理チャンバ３６内へ窒素ガス等の不活
性ガスを供給しなくてもよいし、また、基板Ｗの乾燥処
理は、処理チャンバ３６内で行わずに、基板Ｗを処理チ
ャンバ３６内から搬出して乾燥処理部へ搬送しその乾燥
処理部で行うようにしてもよい。
形態以外にも種々の形態で実施し得る。例えば、特に必
要が無ければ、処理チャンバ３６内へ窒素ガス等の不活
性ガスを供給しなくてもよいし、また、基板Ｗの乾燥処
理は、処理チャンバ３６内で行わずに、基板Ｗを処理チ
ャンバ３６内から搬出して乾燥処理部へ搬送しその乾燥
処理部で行うようにしてもよい。
【００３３】また、上記した実施形態では、処理チャン
バ３６内へ搬入された基板Ｗを、純水が満たされた処理
槽１０内へ挿入するようにしたが、最初から処理槽１０
の内部にＨＦ水溶液を満たしておき、処理チャンバ３６
内へ搬入された基板Ｗを直ちに処理槽１０内のＨＦ水溶
液中に浸漬させるようにしてもよい。さらに、ＨＦ水溶
液により基板Ｗを洗浄もしくはエッチングした後、水洗
処理を行わずに、ＨＦ水溶液をオゾン水で置換して、オ
ゾン水により基板Ｗの表面に清浄な酸化膜を形設する工
程を行うようにしてもよいし、オゾン水による基板Ｗの
処理が終わった後、水洗処理を行わないで、そのまま基
板Ｗを乾燥処理するようにしてもよい。
バ３６内へ搬入された基板Ｗを、純水が満たされた処理
槽１０内へ挿入するようにしたが、最初から処理槽１０
の内部にＨＦ水溶液を満たしておき、処理チャンバ３６
内へ搬入された基板Ｗを直ちに処理槽１０内のＨＦ水溶
液中に浸漬させるようにしてもよい。さらに、ＨＦ水溶
液により基板Ｗを洗浄もしくはエッチングした後、水洗
処理を行わずに、ＨＦ水溶液をオゾン水で置換して、オ
ゾン水により基板Ｗの表面に清浄な酸化膜を形設する工
程を行うようにしてもよいし、オゾン水による基板Ｗの
処理が終わった後、水洗処理を行わないで、そのまま基
板Ｗを乾燥処理するようにしてもよい。
【００３４】
【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理方法によ
ると、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッチングされた
基板の表面に洗浄な酸化膜を形成する場合に、基板表面
に気泡が付着することが無いので、基板の表面全体に均
一に洗浄な酸化膜が形成され、基板表面において酸化膜
の形成されない部分が斑に生じる、といったことが起こ
らないため、基板の表面に空気中の汚染物質が吸着され
ることを有効に防止することができる。また、基板の表
面に気泡が付着し易い気液界面が形成されることがない
ため、基板表面がパーティクルの付着によって汚染され
る、といったことも防止することができる。
ると、ＨＦ水溶液により洗浄もしくはエッチングされた
基板の表面に洗浄な酸化膜を形成する場合に、基板表面
に気泡が付着することが無いので、基板の表面全体に均
一に洗浄な酸化膜が形成され、基板表面において酸化膜
の形成されない部分が斑に生じる、といったことが起こ
らないため、基板の表面に空気中の汚染物質が吸着され
ることを有効に防止することができる。また、基板の表
面に気泡が付着し易い気液界面が形成されることがない
ため、基板表面がパーティクルの付着によって汚染され
る、といったことも防止することができる。
【００３５】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
ＨＦ水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨ
Ｆ水溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、とい
ったことが抑えられるので、基板の表面に酸化膜が斑に
形成されることをより効果的に防止することができる。
ＨＦ水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨ
Ｆ水溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、とい
ったことが抑えられるので、基板の表面に酸化膜が斑に
形成されることをより効果的に防止することができる。
【００３６】請求項３に係る発明の基板処理方法では、
最終工程である乾燥が終了するまで基板は大気雰囲気中
に置かれないので、基板を処理槽内から搬出して乾燥処
理部へ搬送する過程で基板の表面にパーティクルが付着
する、といった可能性を無くすことができる。
最終工程である乾燥が終了するまで基板は大気雰囲気中
に置かれないので、基板を処理槽内から搬出して乾燥処
理部へ搬送する過程で基板の表面にパーティクルが付着
する、といった可能性を無くすことができる。
【００３７】請求項４に係る発明の基板処理装置を使用
すると、請求項１に係る発明の基板処理方法を好適に実
施することができるので、基板の表面全体に均一に洗浄
な酸化膜を形成することができ、このため、基板の表面
に空気中の汚染物質が吸着されることを有効に防止する
ことができる。また、基板の表面に気泡が付着し易い気
液界面が形成されることがないため、基板表面がパーテ
ィクルの付着によって汚染される、といったことも防止
することができる。
すると、請求項１に係る発明の基板処理方法を好適に実
施することができるので、基板の表面全体に均一に洗浄
な酸化膜を形成することができ、このため、基板の表面
に空気中の汚染物質が吸着されることを有効に防止する
ことができる。また、基板の表面に気泡が付着し易い気
液界面が形成されることがないため、基板表面がパーテ
ィクルの付着によって汚染される、といったことも防止
することができる。
【００３８】請求項５に係る発明の基板処理装置では、
ＨＦ水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨ
Ｆ水溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、とい
ったことを抑えることができるため、基板の表面に酸化
膜が斑に形成されることをより効果的に防止することが
できる。
ＨＦ水溶液中やオゾン水中に空気中の酸素が溶解してＨ
Ｆ水溶液中やオゾン水中の溶存酸素量が増加する、とい
ったことを抑えることができるため、基板の表面に酸化
膜が斑に形成されることをより効果的に防止することが
できる。
【００３９】請求項６に係る発明の基板処理装置では、
最終工程である乾燥が終了するまで基板は大気雰囲気中
に置かれないので、基板を処理槽内から搬出して乾燥処
理部へ搬送する過程で基板の表面にパーティクルが付着
する、といった可能性を無くすことができる。
最終工程である乾燥が終了するまで基板は大気雰囲気中
に置かれないので、基板を処理槽内から搬出して乾燥処
理部へ搬送する過程で基板の表面にパーティクルが付着
する、といった可能性を無くすことができる。
【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使
用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。
用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。
Ｗ 基板 １０ 処理槽 １２ 液体供給口 １４ 溢流部 １６ 排液口 １８ 排液管 ２０ 排液バルブ ２２ 液体供給管 ２４ 薬液供給管 ２６ 純水供給管 ２８ オゾン水供給管 ３０、３２、３４、４８、５２、６２、７６、７８ 開
閉制御弁 ３６ 処理チャンバ ３８ 蓋 ４０ 昇降機 ４２ 気液排出口 ４４ 気液排出管 ４６ 排液管 ５０ 排気管 ５４ 真空ポンプ ５６ ガス吹出しノズル ５８ ガス供給管 ６０、６４、７４ ヒータ ６６ フィルタ ６８ａ、６８ｂ バイパス管 ７０ イソプロピルアルコール（ＩＰＡ） ７２ ＩＰＡ蒸気生成槽
閉制御弁 ３６ 処理チャンバ ３８ 蓋 ４０ 昇降機 ４２ 気液排出口 ４４ 気液排出管 ４６ 排液管 ５０ 排気管 ５４ 真空ポンプ ５６ ガス吹出しノズル ５８ ガス供給管 ６０、６４、７４ ヒータ ６６ フィルタ ６８ａ、６８ｂ バイパス管 ７０ イソプロピルアルコール（ＩＰＡ） ７２ ＩＰＡ蒸気生成槽
Claims (6)
- 【請求項１】 処理槽内に収容されフッ化水素を含む水
溶液中に基板を浸漬させて基板を洗浄もしくはエッチン
グする基板処理方法において、 フッ化水素を含む水溶液で基板を洗浄もしくはエッチン
グした後に、前記処理槽内へオゾンが溶解し脱気された
オゾン水を供給して、そのオゾン水中に基板を浸漬させ
て基板の表面に清浄な酸化膜を形成することを特徴とす
る基板処理方法。 - 【請求項２】 処理槽が配設された空間を不活性ガス雰
囲気にして基板の処理が行われる請求項１記載の基板処
理方法。 - 【請求項３】 オゾン水で基板の表面に清浄な酸化膜を
形成した後に、基板を搬出する前に引き続いて基板の乾
燥処理が行われる請求項１または請求項２記載の基板処
理方法。 - 【請求項４】 下部に液体供給口を有するとともに上部
に液体が溢れ出す溢流部を有し、内部に基板が搬入され
て収容される処理槽と、 この処理槽内へ前記液体供給口を通してフッ化水素を含
む水溶液を供給する薬液供給手段と、を備えた基板処理
装置において、 前記処理槽内へ前記液体供給口を通してオゾンが溶解し
脱気されたオゾン水を供給するオゾン水供給手段を設け
たことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 処理槽が処理チャンバ内に閉鎖的に配設
され、前記処理チャンバ内へ不活性ガスを供給して処理
チャンバの内部空間を不活性ガス雰囲気にする不活性ガ
ス供給手段が設けられた請求項４記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 処理槽が処理チャンバ内に閉鎖的に配設
され、前記処理槽内から液体を排出させる排液手段が設
けられるとともに、前記処理チャンバ内を真空排気する
排気手段が設けられた請求項４または請求項５記載の基
板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271148A JP2000100777A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271148A JP2000100777A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100777A true JP2000100777A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17496005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10271148A Pending JP2000100777A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100777A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1176632A1 (de) * | 2000-07-27 | 2002-01-30 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
| JP2002176025A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法 |
| JP2006269960A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法 |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP10271148A patent/JP2000100777A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1176632A1 (de) * | 2000-07-27 | 2002-01-30 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
| JP2002118088A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-04-19 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体ウェハを化学的に処理する方法 |
| US6451124B1 (en) | 2000-07-27 | 2002-09-17 | Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleiterma Terialien Ag | Process for the chemical treatment of semiconductor wafers |
| JP2002176025A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法 |
| JP2006269960A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040324 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041124 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050119 |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050124 |
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| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050210 |