JP2006041372A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 洗浄処理装置1は、ウエハWを液処理する液処理部2と、液処理部2の上側に設けられ、ウエハWを乾燥させる乾燥処理部3と、液処理部2と乾燥処理部3との間でウエハWを搬送するウエハガイド4と、液処理部2と乾燥処理部3との間を開閉し、その略中心に排液口91が形成されたシャッタ10と、排液口91に接続されたアスピレータ92と、排液口91の開口上に設けられた吸引制御部材93と、を有する。アスピレータ92を動作させた際に、シャッタ10の上面に沿って流れて排液口91に流入する流体流れを吸引制御部材93により生じさせ、シャッタ10上の液残りを低減する。
【選択図】図2
Description
前記液処理部の上側に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間を開閉することができるように水平方向に移動自在であり、その略中心に排液口が形成されたシャッタと、
前記排液口に接続された吸引機構と、
前記排液口の開口上に設けられ、前記吸引機構を動作させた際に、前記シャッタの上面に沿って流れて前記排液口に流入する流体流れを生じさせる吸引制御部材と、
を具備することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
前記液処理が終了した基板を前記液処理部の上方に設けられた乾燥処理部に引き上げる工程と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間をシャッタにより隔離する工程と、
前記乾燥処理部において前記基板を乾燥させる工程と、を有し、
前記基板の乾燥工程は、
前記乾燥処理部へ処理ガスの供給を開始する工程と、
前記処理ガスの供給を開始してから一定時間経過後に、前記シャッタに設けられた排液口を通して前記シャッタに落下した液体の吸引排液を開始する工程と、
前記排液口からの排液を開始してから所定時間経過後に前記処理ガスの供給を停止する工程と、
前記処理ガスの供給を停止してから所定時間経過後に前記排液口からの吸引排液を停止する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法、が提供される。
2;液処理部
3;乾燥処理部
4;ウエハガイド
5;チャンバ
6;液処理槽
10;シャッタ
71;第1ガス供給ノズル
72;第2ガス供給ノズル
73;排気ノズル
91;排液口
92;アスピレータ
93;吸引制御部材
Claims (10)
- 基板を処理液により処理する液処理部と、
前記液処理部の上側に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間を開閉することができるように水平方向に移動自在であり、その略中心に排液口が形成されたシャッタと、
前記排液口に接続された吸引機構と、
前記排液口の開口上に設けられ、前記吸引機構を動作させた際に、前記シャッタの上面に沿って流れて前記排液口に流入する流体流れを生じさせる吸引制御部材と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 前記吸引制御部材は略円錐形状であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記略円錐形状の吸引制御部材の外周端と前記シャッタの上面との間に形成される隙間は0.5mm以上1.0mm以下であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記排液口の開口径は、前記略円錐形状の吸引制御部材の外径よりも短いことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記シャッタの上面は略円錐状の凹面であり、前記排液口は前記凹面の最深部に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記吸引機構はアスピレータであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記乾燥処理部へ処理ガスの供給を開始し、所定時間が経過した後に前記排液口からの排液を開始し、その後所定時間経過後に前記処理ガスの供給を停止し、その後前記排液口からの排液を停止するように、前記処理ガス供給機構と前記吸引機構とを制御する制御装置と、
をさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記乾燥処理部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構をさらに具備し、
前記制御装置は、前記乾燥処理部への処理ガスの供給開始と実質的に同時に前記乾燥処理部へ不活性ガスの供給を開始し、前記排液口からの排液を停止した後に前記不活性ガスの前記乾燥処理部への供給を停止するように、前記不活性ガス供給機構を制御し、
前記液処理部では基板の薬液処理および水洗処理が行われ、前記乾燥処理部では前記水洗処理後の基板の乾燥処理が前記処理ガスとしてイソプロピルアルコール蒸気を用いて行われることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。 - 基板を所定の処理液で処理する液処理部において基板を液処理する工程と、
前記液処理が終了した基板を前記液処理部の上方に設けられた乾燥処理部に引き上げる工程と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間をシャッタにより隔離する工程と、
前記乾燥処理部において前記基板を乾燥させる工程と、を有し、
前記基板の乾燥工程は、
前記乾燥処理部へ処理ガスの供給を開始する工程と、
前記処理ガスの供給を開始してから一定時間経過後に、前記シャッタに設けられた排液口を通して前記シャッタに落下した液体の吸引排液を開始する工程と、
前記排液口からの排液を開始してから所定時間経過後に前記処理ガスの供給を停止する工程と、
前記処理ガスの供給を停止してから所定時間経過後に前記排液口からの吸引排液を停止する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板の液処理には純水による水洗処理が含まれ、
前記乾燥工程においては、前記処理ガスとしてイソプロピルアルコール蒸気を用い、前記乾燥処理部へのイソプロピルアルコール蒸気の供給開始と実質的に同時に前記乾燥処理部への不活性ガスの供給をさらに開始し、前記排液口からの吸引排液を停止した後に、前記乾燥処理部への不活性ガスの供給を停止することを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。
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JP2007281311A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Ses Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2013089699A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2013098304A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
WO2024051333A1 (zh) * | 2022-09-08 | 2024-03-14 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 集成化晶圆干燥方法、系统、终端及存储介质 |
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