JP6228800B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板（以下、単に基板と称する）に対して、処理液により洗浄、エッチング等の処理を行った後、溶剤蒸気により基板を乾燥させる基板処理装置に関する。

従来、この種の装置として、処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、処理槽の周囲を囲ったチャンバと、チャンバ内部を減圧するための第１排出口と、チャンバ底部から気体や処理液を排出する第２排出口と、チャンバ内に溶剤蒸気を供給するノズルとを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。

このように構成された基板処理装置は、処理槽内の処理液に基板を浸漬させて洗浄を行う。洗浄処理が完了すると、チャンバ内にノズルから溶剤蒸気が供給され、チャンバ内が溶剤蒸気雰囲気とされる。次いで、基板を処理槽内から処理槽の上方へ上昇させるとともに、処理槽内の処理液をチャンバ底部に排出させ、第２排出口から処理液をチャンバ外へ排出させる。その後、第１排出口からチャンバ内を減圧させることにより、基板に付着している処理液を凝縮している溶剤とともに蒸発させて基板を乾燥させる。

特開２００７−２７３８１９号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理槽の処理液をチャンバ内に排出した際に、衝撃で処理液が飛散して液滴が発生する。また、処理液には基板を処理した際に基板から剥離された被膜の破片などが含まれており、処理液が飛散した際にパーティクルとなって滞留する。これらの液滴やパーティクルは、チャンバ底部からチャンバ上部へ向かって漂うことがあり、処理液から引き上げられた洗浄後の清浄な基板が汚染される恐れがある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液の排出に伴って生じた液滴やパーティクルをチャンバ外へ排出することにより、洗浄後の基板が汚染されることを防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽を囲うチャンバと、基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と、前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能なリフタと、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給するノズルと、チャンバ内を減圧するための第１排出口と、前記処理槽から排出された処理液をチャンバ外へ排出する第２排出口と、前記チャンバ側面に形成され、前記チャンバ内の気体を排気する第３排出口と、を備え、前記第３排出口は、前記チャンバの高さ方向における前記処理槽の上縁より下方であって、かつ、前記チャンバに排出された処理液の液面よりも上方に形成され、前記処理槽は、側面の全周にわたって雰囲気遮断板を備え、前記雰囲気遮断板は、前記チャンバの内壁との間に隙間を備え、前記処理槽の上縁付近に取り付けられていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、処理槽から処理液がチャンバへ排出されている間、第３排出口から気体を排出させることにより、処理液がチャンバ底部に衝突することに起因して生じた液滴やパーティクルをチャンバ外へ排出することができる。したがって、洗浄後の基板が汚染されることを防止できる。また、処理槽からチャンバに排出された処理液を巻き込むことなく、液滴やパーティクルだけを排出させることができ、チャンバ底部に処理液が排出されて生じた処理液の液滴やパーティクルが上方へ浮遊することを雰囲気遮断板によって抑制することができる。したがって、洗浄後の基板が汚染されるのをさらに防止できる。また、処理液による洗浄時に処理槽から周囲へ溢れる処理液を、隙間を通してチャンバ底部に流通させることができる。

また、本発明において、前記処理槽に処理液を供給して前記チャンバに処理液をオーバフローさせつつ処理液を前記処理槽に貯留させ、前記リフタを処理位置に移動させて処理液で基板を処理し、前記ノズルにより前記チャンバ内に溶剤蒸気雰囲気を形成した後、前記リフタを乾燥位置へ移動させ、前記第１排出口を介して前記チャンバ内を減圧して基板を乾燥させる処理を行い、前記処理槽内の処理液をチャンバ底部に排出した後、前記チャンバ底部から前記第２排出口を介して排出させる際に、少なくとも前記処理槽から前記チャンバへ処理液が排出されている間は、前記第３排出口から気体を排出させる制御手段をさらに備えていることが好ましい（請求項２）。制御手段は、処理槽に処理液を供給してチャンバに処理液をオーバフローさせつつ処理液を処理槽に貯留させ、リフタを処理位置に移動させて処理液で基板を処理し、ノズルによりチャンバ内を溶剤蒸気雰囲気にした後、リフタを乾燥位置へ移動させ、第１排出口を介してチャンバ内を減圧して基板を乾燥させる処理を行い、処理槽内の処理液をチャンバ底部に排出した後、チャンバ底部から第２排出口を介して排出させる。その際に、少なくとも処理槽から処理液がチャンバへ排出されている間、第３排出口から気体を排出させることにより、処理液がチャンバ底部に衝突することに起因して生じた液滴やパーティクルをチャンバ外へ排出することができる。したがって、洗浄後の基板が汚染されることを防止できる。

また、本発明において、前記制御手段は、前記第２排出口から処理液が排出されている間は、前記第３排出口から気体を排出させることが好ましい（請求項３）。第２排出口から処理液をチャンバ外へ排出する際にも、処理液の排出に伴って液滴やパーティクルが生じる恐れがある。したがって、その際に第３排出口から気体を排出させることにより、液滴やパーティクルを排出することができる。したがって、洗浄後の基板が汚染されることを防止できる。

また、本発明において、前記雰囲気遮断板は、下方に傾斜していることが好ましい（請求項４）。

（削除）

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本発明に係る基板処理装置によれば処理槽から処理液がチャンバへ排出されている間、第３排出口から気体を排出させることにより、処理液がチャンバ底部に衝突することに起因して生じた液滴やパーティクルをチャンバ外へ排出することができる。したがって、洗浄後の基板が汚染されることを防止できる。また、処理槽からチャンバに排出された処理液を巻き込むことなく、液滴やパーティクルだけを排出させることができ、チャンバ底部に処理液が排出されて生じた処理液の液滴やパーティクルが上方へ浮遊することを雰囲気遮断板によって抑制することができる。したがって、洗浄後の基板が汚染されるのをさらに防止できる。また、処理液による洗浄時に処理槽から周囲へ溢れる処理液を、隙間を通してチャンバ底部に流通させることができる。

実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。 （ａ）〜（ｄ）は、実施例１における洗浄乾燥処理の動作例を示す模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は、実施例１における洗浄乾燥処理の動作例を示す模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、実施例２における洗浄乾燥処理の動作例を示す模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、実施例２における洗浄乾燥処理の動作例を示す模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、実施例２における洗浄乾燥処理後の後処理の動作例を示す模式図である。

本発明の実施例について、洗浄乾燥処理を行う基板処理装置を例にとって以下に説明する。

以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。

本実施例に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面の奥手前方向）に沿って長軸を有し、処理液を供給するための二本の噴出管７が配設されている。各噴出管７には、供給配管９の一端側が連通接続され、供給配管９の他端側は、処理液供給源１５に連通接続されている。供給配管９には、制御弁からなる処理液弁１７が設けられており、処理液の流量が処理液弁１７で調整される。処理液供給源１５は、フッ化水素酸や、硫酸・過酸化水素水の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給配管９に供給する。

処理槽１は、その周囲をチャンバ２７で囲われている。チャンバ２７は、上部に開閉自在の上部カバー２９を備えている。リフタ３１は、起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持する。リフタ３１は、図示しない駆動機構により、チャンバ２７の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバ２７の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって昇降可能に構成されている。

上部カバー２９の下方であってチャンバ２７の上部内壁には、一対の溶剤ノズル３３と、一対の不活性ガスノズル３４とが取り付けられている。溶剤ノズル３３には、供給管３５の一端側が連通接続され、その他端側は蒸気発生タンク３７に連通接続されている。この供給管３５には、その上流側から順に、溶剤蒸気の流量を調整するための制御弁からなる蒸気弁３８と、溶剤蒸気を加熱するためのインラインヒータ４０とが設けられている。また、供給管３５がインラインヒータ４０を備えていることにより、発生された溶剤蒸気が供給管３５で凝縮することを軽減でき、溶剤濃度が低下することを防止できる。

なお、上述した溶剤ノズル３３が本発明における「ノズル」に相当する。

蒸気発生タンク３７は、蒸気発生空間である内部空間を所定温度に温調するとともに、加熱して溶剤の蒸気を発生させる。蒸気発生タンク３７の内部空間には、溶剤を供給するための溶剤供給源４３が連通接続されている。本実施例では、溶剤としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が用いられているものとする。なお、溶剤としては、イソプロピルアルコールの他に、例えば、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）がある。

不活性ガスノズル３４には、供給管４５の一端側が連通接続されている。その他端側は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源４７に連通接続されている。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ_２）が挙げられる。不活性ガス供給源４７からの不活性ガスの供給量は、不活性ガス弁４９によって調整される。不活性ガス弁４９の下流側には、インラインヒータ５０が取り付けられている。このインラインヒータ５０は、不活性ガス供給源４７からの不活性ガスを所定温度に加熱する。

チャンバ２７の側面には、その内部から気体を排出して、チャンバ２７内を減圧可能な排気管５１が接続された排気口５１ａが形成されている。排気管５１には、排気ポンプ５２が取り付けられ、排気ポンプ５２とチャンバ２７との間に開閉弁５２ａが取り付けられている。排気口５１ａの高さ位置は、処理槽１の上縁より下方であって、かつ、チャンバ２７に排出された処理液の液面よりも上方に形成されていることが好ましい。すなわち、処理槽１に貯留される処理液全てをチャンバ２７に排出したときの液面高さよりも上方に形成されることが好ましい。これにより、処理槽１からチャンバに排出された処理液を巻き込むことなく、チャンバ２７内の液滴やパーティクルだけを排出させたり、チャンバ２７内を減圧させたりすることができる。

処理槽１の底部には、排出口５７が設けられている。この排出口５７には、急速に処理槽１内の処理液を排出するためのＱＤＲ弁５９が取り付けられている。このＱＤＲ弁５９から処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ２７の底部に一旦排出される。チャンバ２７の底部には、気液分離部６１に連通接続された排出管６３が取り付けられている。排出管６３には、排液弁６５が取り付けられている。気液分離部６１は、クリーンルームのユーティリティである排気と排液にそれぞれ接続されており、排気管５１及び排出管６３から気体と液体とを取り込むとともに、それらを分離して排出する。

なお、上述した排気口５１ａが本発明における「第１排出口」に相当し、排出管６３が「第２排出口」に相当する。

処理槽１は、上縁からやや下方に、側面全周にわたって雰囲気遮断板６７が取り付けられている。雰囲気遮断板６７は、下向き傾斜面を備え、先端側がチャンバ２７の内壁面との間に隙間ｇを備えている。雰囲気遮断板６７は、下向き傾斜面を備え、雰囲気遮断板６７の先端部がチャンバ２７内壁との間に隙間ｇを備えているので、処理槽１の上縁を超えてオーバフローしてきた処理液を円滑にチャンバ２７底部へ流通させることができる。この雰囲気遮断板６７により、チャンバ２７底部に処理液が排出されて生じた処理液の液滴やパーティクルが上方へ浮遊することを抑制することができる。

また、チャンバ２７の側壁には、全周にわたって排気口６９が形成されている。排気口６９は、チャンバ２７内の気体を外部へ排出する。排気口６９には、排気管７１の一端側が連通接続されている。排気管７１の他端側は、クリーンルームのユーティリティの一つである排気に気液分離部６１と並列的に接続されていて、気液分離部６１と同じ圧力で排気が行われる。排気管７１は、制御弁である排気弁７３が取り付けられている。この排気口６９を介しての排気は、上述した排気ポンプ５２ほどの排気量を必要としない。換言すると、チャンバ２７内を負圧にするほどの排気量を必要としない。排気口６９の高さ位置は、処理槽１の上縁より下方であって、かつ、チャンバ２７に排出された処理液の液面よりも上方に形成されていることが好ましい。これにより、処理槽１からチャンバに排出された処理液を巻き込むことなく、チャンバ２７内の液滴やパーティクルだけをチャンバ２７の全周にわたって均等にかつ滞留なく円滑に排出させることができる。

なお、上述した排気口６９が本発明における「第３排出口」に相当する。

上述した処理液弁１７と、上部カバー２９と、リフタ３１と、蒸気発生タンク３７と、蒸気弁３８と、インラインヒータ５０と、不活性ガス弁４９と、インラインヒータ５０と、排気ポンプ５２と、開閉弁５２ａと、ＱＤＲ弁５９と、排液弁６５と、排気弁７３とは、制御部７５によって統括的に制御される。制御部７５は、記憶部７７を参照し、各部を制御する。記憶部７７は、制御部７５が実行する制御プログラムの他に、処理手順を規定したレシピやなどを予め記憶してある。

なお、上述した制御部７５が本発明における「制御手段」に相当する。

次に、図２及び図３を参照する。なお、図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｃ）は、実施例１における洗浄乾燥処理の動作例を示す模式図である。

図２（ａ）に示すように、制御部７５は、まず不活性ガス弁４９を開放させて窒素ガスを供給させ、チャンバ２７内の酸素を排出する。そして、制御部７５は、処理液弁１７を開放させて処理液、例えば、純水を噴出管７から処理槽１に供給させる。処理槽１の上縁を超えてオーバフローした純水は、チャンバ２７底部で回収され、排出管６３を介して気液分離部６１に送られる。このとき、制御部７５は、排気弁７３を開放して、チャンバ２７内の気体（残留する酸素や窒素）を排気口６９から排出させる。そして、制御部７５は、複数枚の基板Ｗをリフタ３１に起立姿勢で支持させた状態で、「待機位置」から「処理位置」に下降させる。制御部７５は、この状態を所定時間だけ維持させて、基板Ｗに対して純水による洗浄処理を行わせる。

このとき、上述のとおり処理槽１をオーバフローしてチャンバ２７の底部に流れ落ちる純水により、純水の液滴や、基板Ｗから純水中に離脱したパーティクルが飛散する。そして、それらがチャンバ２７の底部を浮遊するが、それらは雰囲気遮断板６７により上方への浮遊を阻止され、排気口６９を介してチャンバ２７外に排出される。また、排気口６９は、チャンバ２７の側壁全周にわたって形成されているので、チャンバ２７の下部に浮遊する液滴やパーティクルを円滑に、かつほぼ完全に排出させることができる。

図２（ｂ）に示すように、処理液弁１７を閉止させて純水の処理槽１への供給を停止する。そして、処理槽１から純水がオーバフローによりチャンバ２７底部に排出されなくなった時点、あるいは、排出されなくなった時点から所定時間が経過した時点で、排気弁７３を閉止させて排気口６９からの排気を停止させる。

図２（ｃ）に示すように、不活性ガス弁４９を閉止するとともに、蒸気弁３８を開放させる。これにより、イソプロピルアルコールの蒸気がキャリアガス（例えば、窒素ガス）によって送られて溶剤ノズル３３から供給され、チャンバ２７内がイソプロピルアルコールの蒸気雰囲気とされる。

図２（ｄ）に示すように、ＱＤＲ弁５９を開放させて処理槽１に貯留している純水をチャンバ２７の底部に急速排水させる。また、排液弁６５を開放させてチャンバ２７の底部に滞留した純水を排出させる。さらに排気弁７３を開放させて、チャンバ２７内の気体（窒素及びイソプロピルアルコールの蒸気）を排出させる。そして、リフタ３１を「乾燥位置」に上昇させて、所定時間だけその状態を維持させる。これにより基板Ｗに付着している純水にイソプロピルアルコールが凝縮して置換される。

このとき、上述のとおり処理槽１からチャンバ２７の底部に急速排出される純水、チャンバ２７底部から排出される際の流れにより、純水の液滴や、基板Ｗから純水中に離脱したパーティクルが飛散する。そして、それがチャンバ２７の底部を浮遊するが、それらは雰囲気遮断板６７により上方へ浮遊を阻止され、排気口６９を介してチャンバ２７外に排出される。また、排気口６９がチャンバ２７の側壁全周にわたって形成されていることによる効果は上述したとおりである。

図３（ａ）に示すように、蒸気弁３８及び排液弁６５を閉止させ、排気弁７３を閉止させるとともに、開閉弁５２ａを開放させて排気ポンプ５２を作動させる。これにより、チャンバ２７のイソプロピルアルコールの蒸気が排出されるとともに、チャンバ２７内が減圧される。所定圧力まで減圧が行われた後、その状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Ｗに付着しているイソプロピルアルコールを含む純水が活発に揮発して基板Ｗが乾燥処理される。

図３（ｂ）に示すように、開閉弁５２ａを閉止させるとともに排気ポンプ５２を停止させる。さらに、不活性ガス弁４９を開放させて窒素ガスをチャンバ２７内に供給して減圧状態を解消させる。

その後、図３（ｃ）に示すように、上部カバー２９を開放させ、リフタ３１を「待機位置」まで上昇させて基板Ｗに対する洗浄乾燥処理を完了する。

本実施例によると、制御部７５は、基板Ｗに対して洗浄乾燥処理を行わせる際に、少なくとも処理槽１から純水がチャンバ２７へ排出されている間（図２（ａ）及び図２（ｄ））、排気口６９から気体を排出させることにより、純水がチャンバ２７底部に衝突することに起因して生じた液滴やパーティクルをチャンバ２７外へ排出することができる。したがって、洗浄後の基板Ｗが汚染されることを防止できる。

次に、図面を参照して本発明の実施例２について説明する。なお、構成は、上述した実施例１の構成と同様であるものとする。但し、上述した実施例１では、イソプロピルアルコールの蒸気がキャリアガスにより供給されたが、本実施例２ではキャリアガスを用いずに圧力差に応じて供給される点で相違する。

ここで図４〜６を参照する。なお、図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜（ｄ）は、実施例２における洗浄乾燥処理の動作例を示す模式図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、実施例２における洗浄乾燥処理後の後処理の動作例を示す模式図である。

図４（ａ）に示すように、制御部７５は、まず不活性ガス弁４９を開放させて窒素ガスを供給させ、チャンバ２７内の酸素を排出する。そして、制御部７５は、処理液弁１７を開放させて処理液、例えば、純水を噴出管７から処理槽１に供給させる。処理槽１からオーバフローした純水は、チャンバ２７底部で回収されて排出管６３から気液分離部６１に送られる。そして、制御部７５は、複数枚の基板Ｗをリフタ３１に起立姿勢で支持させた状態で、「待機位置」から「処理位置」に下降させる。制御部７５は、この状態を所定時間だけ維持させて、基板Ｗに対して純水による洗浄処理を行わせる。

このとき、上述のとおり処理槽１をオーバフローしてチャンバ２７の底部に流れ落ちる純水により、純水の液滴や、基板Ｗから純水中に離脱したパーティクルが飛散する。そして、それらがチャンバ２７の底部を浮遊するが、それらは雰囲気遮断板６７により上方への浮遊を阻止され、排気口６９を介してチャンバ２７外に排出される。また、排気口６９は、チャンバ２７の側壁全周にわたって形成されているので、チャンバ２７の下部に浮遊する液滴やパーティクルを円滑に、かつほぼ完全に排出させることができる。

図４（ｂ）に示すように、処理液弁１７を閉止させて処理槽１への純水の供給を停止させる。さらに、排液弁６５を閉止させ、排気弁７３を閉止させるとともに、開閉弁５２ａを開放させて排気ポンプ５２を作動させ、チャンバ２７内を所定圧力まで減圧させる。なお、このとき不活性ガス弁４９は開放のままであり、窒素ガスの供給を継続するが、排気ポンプ５２による排気の方が強く、チャンバ２７内は減圧される。

排気ポンプ５２の作動によりチャンバ２７が所定圧力まで減圧されると、図４（ｃ）に示すように、不活性ガス弁４９を閉止させるとともに、蒸気弁３８を開放させる。すると、チャンバ２７が減圧されているので、蒸気発生タンク３７との圧力差に応じて、蒸気発生タンク３７内のイソプロピルアルコールの蒸気がチャンバ２７に導入され、チャンバ２７内がイソプロピルアルコールの蒸気雰囲気にされる。

図４（ｄ）に示すように、所定時間後に、開閉弁５２ａを閉止させるとともに排気ポンプ５２を停止させる。この状態であっても、チャンバ２７と蒸気発生タンク３７との圧力差に応じてイソプロピルアルコールの蒸気がチャンバ２７内に導入され続ける。

図５（ａ）に示すように、リフタ３１を「乾燥位置」に上昇させる。これにより、基板Ｗにイソプロピルアルコールの蒸気が凝縮して、純水がイソプロピルアルコールで置換される。

図５（ｂ）に示すように、蒸気弁３８を閉止させるとともに、不活性ガス弁４９を開放させる。さらに、開閉弁５２ａを開放させるとともに、排気ポンプ５２を作動させる。これにより、イソプロピルアルコールの蒸気がチャンバ２７外へ排出されるとともに、チャンバ２７内が窒素ガス雰囲気にされる。

図５（ｃ）に示すように、開閉弁５２ａを閉止させるとともに排気ポンプ５２を停止させ、チャンバ２７の減圧状態を解消させる。

図５（ｄ）に示すように、上部カバー２９を開放させ、リフタ３１を「待機位置」へ上昇させて基板Ｗに対する洗浄乾燥処理を完了する。

洗浄乾燥処理を終えた後、制御部７５は、次のようにして洗浄乾燥処理後の後処理を行わせる。ここで図６を参照する。なお、図６（ａ）、（ｂ）は、実施例２における洗浄乾燥処理後の後処理の動作例を示す模式図である。

図６（ａ）に示すように、制御部７５は、排液弁６５を開放し不活性ガス弁４９を開放して窒素ガスを供給させつつ処理液弁１７を開放させて純水を処理槽１に供給させ、処理槽１から純水がオーバフローした時点から所定時間で処理液弁１７を閉止させる。このとき、排気弁７３を開放して、チャンバ２７内の気体（残留する酸素や窒素）を排気口６９から排出させる。

図６（ｂ）に示すように、処理液弁１７を閉止させて処理槽１への純水の供給を停止させるとともに、ＱＤＲ弁５９を開放させて、処理槽１内の純水をチャンバ２７底部に急速排水させる。さらに、排液弁６５を開放させてチャンバ２７の底部に貯留している純水を排出させる。また、このときも排気弁７３を開放して、チャンバ２７内の気体（残留する酸素や窒素）を排気口６９から排出させる。

次に、上記の処理を図６（ａ）、（ｂ）、（ａ）と適当な回数だけ繰り返して純水が処理槽１に貯留された状態で停止する。これにより、処理槽１の内面を洗浄して清浄にすることができる。そして、図４（ａ）のように、次の基板Ｗを洗浄乾燥処理するが、後処理中に純水が処理槽１からチャンバ２７底部に排出されている間は、排気口６９から排気を行っているので、純水がチャンバ２７底部に衝突することに起因して生じた液滴やパーティクルをチャンバ２７外へ排出することができる。したがって、次の処理において洗浄後の基板Ｗが汚染されることを防止できる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した各実施例１，２では、処理液として純水を例にとって説明したが、本発明は薬液を用いて基板を洗浄した後に、純水で処理をする場合であっても適用できる。

（２）上述した各実施例１，２では、雰囲気遮断板６７を備えている構成を例示したが、本発明は雰囲気遮断板６７が必須の構成ではない。

（３）上述した各実施例１，２では、第１排出口として排気管５１を、第２排出口として排出管６３を例示したが、本発明は第１排出口と第２排出口とを兼用することもできる。その場合には、排気管５１と排出管６３とを連結して一本の配管でチャンバ２７に連通接続させる。そして、排出させる対象に応じて排気管５１に排出させるか、排出管６３に排出させるかを選択的に切り換える構成とすればよい。

（４）上述した各実施例１，２では、排気口６９をチャンバ２７の側面全周にわたって設けているが、本発明はこのような構成に限定されるものではない。つまり、排気口６９をチャンバ２７の側面の一箇所に設ける構成としてもよい。

（５）チャンバ２７が減圧されている場合に、排気口６９を介して排気しようとするとその減圧の度合いによっては逆に排気口６９を介してクリーンルームのユーティリティの排気側から雰囲気がチャンバ２７内に流入してしまうおそれがある。この場合には、排気ポンプ５２のラインの排気管５１にオリフィスを設けて吸引力を調整して、排気ポンプ５２で排気を行ってもよい。

Ｗ … 基板
１ … 処理槽
２７ … チャンバ
３１ … リフタ
３７ … 蒸気発生タンク
３８ … 蒸気弁
４９ … 不活性ガス弁
５１ … 排気管
５２ … 排気ポンプ
５２ａ … 開閉弁
５７ … 排出口
５９ … ＱＤＲ弁
６９ … 排気口
７１ … 排気管
７３ … 排気弁
７５ … 制御部

Claims (4)

1. 処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、
   処理液を貯留する処理槽と、
   前記処理槽を囲うチャンバと、
   基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と、前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能なリフタと、
   前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給するノズルと、
   チャンバ内を減圧するための第１排出口と、
   前記処理槽から排出された処理液をチャンバ外へ排出する第２排出口と、
   前記チャンバ側面に形成され、前記チャンバ内の気体を排気する第３排出口と、
   を備え、
   前記第３排出口は、前記チャンバの高さ方向における前記処理槽の上縁より下方であって、かつ、前記チャンバに排出された処理液の液面よりも上方に形成され、
   前記処理槽は、側面の全周にわたって雰囲気遮断板を備え、
   前記雰囲気遮断板は、前記チャンバの内壁との間に隙間を備え、前記処理槽の上縁付近に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記処理槽に処理液を供給して前記チャンバに処理液をオーバフローさせつつ処理液を前記処理槽に貯留させ、前記リフタを処理位置に移動させて処理液で基板を処理し、前記ノズルにより前記チャンバ内に溶剤蒸気雰囲気を形成した後、前記リフタを乾燥位置へ移動させ、前記第１排出口を介して前記チャンバ内を減圧して基板を乾燥させる処理を行い、前記処理槽内の処理液をチャンバ底部に排出した後、前記チャンバ底部から前記第２排出口を介して排出させる際に、少なくとも前記処理槽から前記チャンバへ処理液が排出されている間は、前記第３排出口から気体を排出させる制御手段をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記制御手段は、前記第２排出口から処理液が排出されている間は、前記第３排出口から気体を排出させる基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記雰囲気遮断板は、下方に傾斜していることを特徴とする基板処理装置。

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