JP4688741B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の装置は、減圧されているチャンバ内の処理槽に純水が貯留された状態であると、基板の乾燥処理に悪影響が生じる恐れがあるので、チャンバ内を減圧する前に、大気圧の状態で処理槽内の純水を排出する必要がある。つまり、チャンバの減圧中に排水を行うことができないので、処理液での処理から乾燥処理へという基板処理のスループットが悪くなるという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理液中から溶剤雰囲気中に移動させることにより基板を乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、前記処理槽に備えられ、前記処理槽に処理液を注入するための注入管と、基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と前記チャンバ内であって前記処理槽上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な保持機構と、前記チャンバ内に溶剤の蒸気を供給する供給手段と、前記処理槽から排出される処理液を前記チャンバ外で回収するバッファタンクと、前記チャンバ内を減圧する第1の減圧手段と、前記バッファタンク内を減圧する第2の減圧手段と、前記供給手段により前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、前記保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、前記第1の減圧手段により前記チャンバ内を第1の圧力まで減圧させるとともに、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させるまでに、前記第2の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第1の圧力以下の第2の圧力に調整する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させる際には、前記第2の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第1の圧力以下の第2の圧力に調整するとともに、前記第1の減圧手段を操作して、前記チャンバ内の圧力が前記第1の圧力になるように減圧させ、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させた後は、前記第1の減圧手段を操作して、前記チャンバを前記注入管からも減圧させることを特徴とするものである。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成図である。
図3は、実施例2に係る基板処理装置の概略構成図である。なお、上述した実施例1と同じ構成について、同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
すなわち、処理槽1は、内槽3のみで外槽5を備えていない。また、内槽3の排出口50には、QDR弁55Aが設けられ、QDR弁55Aから排液すると、内槽3内の処理液がチャンバ23内に一旦排出される。チャンバ23の底部には、バッファタンク53に連通接続された排出管51Aが取り付けられ、ここに排液弁57Aが設けられている。この排液弁57Aを開放することにより、チャンバ23底部に貯留された処理液がバッファタンク53に排出される。
1 … 処理槽
3 … 内槽
5 … 外槽
7 … 注入管
9 … 配管
11 … 供給管
13 … 吸引管
15 … 処理液供給源
19 … 第1真空ポンプ(第1の減圧手段)
27 … リフタ(保持機構)
48 … 第2真空ポンプ(第1の減圧手段)
53 … バッファタンク
55 … QDR弁
57 … 排液弁
65 … 第3真空ポンプ(第2の減圧手段)
71 … 制御部(制御手段)
PS1 … 第1の圧力
PS2 … 第2の圧力
Claims (3)
- 基板を処理液中から溶剤雰囲気中に移動させることにより基板を乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
前記処理槽に備えられ、前記処理槽に処理液を注入するための注入管と、
基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と前記チャンバ内であって前記処理槽上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な保持機構と、
前記チャンバ内に溶剤の蒸気を供給する供給手段と、
前記処理槽から排出される処理液を前記チャンバ外で回収するバッファタンクと、
前記チャンバ内を減圧する第1の減圧手段と、
前記バッファタンク内を減圧する第2の減圧手段と、
前記供給手段により前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、前記保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、前記第1の減圧手段により前記チャンバ内を第1の圧力まで減圧させるとともに、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させるまでに、前記第2の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第1の圧力以下の第2の圧力に調整する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させる際には、前記第2の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第1の圧力以下の第2の圧力に調整するとともに、前記第1の減圧手段を操作して、前記チャンバ内の圧力が前記第1の圧力になるように減圧させ、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させた後は、前記第1の減圧手段を操作して、前記チャンバを前記注入管からも減圧させることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理液中から溶剤雰囲気中に移動させることにより基板を乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
前記処理槽に備えられ、前記処理槽に処理液を注入するための注入管と、
基板を保持し、前記処理槽内の処理位置と前記チャンバ内であって前記処理槽上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な保持機構と、
前記チャンバ内に溶剤の蒸気を供給する供給手段と、
前記処理槽から前記チャンバ内に排出された処理液を前記チャンバ外で回収するバッファタンクと、
前記チャンバ内を減圧する第1の減圧手段と、
前記バッファタンク内を減圧する第2の減圧手段と、
前記供給手段により前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせ、前記保持機構により基板を処理位置から乾燥位置に移動させ、前記第1の減圧手段により前記チャンバ内を第1の圧力まで減圧させるとともに、前記チャンバ内に排出された処理液を前記バッファタンクに排出させるまでに、前記第2の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第1の圧力以下の第2の圧力に調整する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記処理槽内の処理液を前記バッファタンクに排出させる際には、前記第2の減圧手段を操作して、前記バッファタンク内の圧力を前記第1の圧力以下の第2の圧力に調整するとともに、前記第1の減圧手段を操作して、前記チャンバ内の圧力が前記第1の圧力になるように減圧させ、前記チャンバ内に排出された処理液を前記バッファタンクに排出させた後は、前記第1の減圧手段を操作して、前記チャンバを前記注入管からも減圧させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記チャンバ内を第1の圧力に減圧させるまでに、前記バッファタンク内の圧力を予め第2の圧力に調整しておくことを特徴とする基板処理装置。
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JP4982320B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
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DE102015215728A1 (de) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Dürr Ecoclean GmbH | Anlage für das Behandeln eines Werkstücks mit einem Prozessfluid |
JP7169777B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP7040849B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2022-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法 |
KR102346529B1 (ko) * | 2019-06-24 | 2021-12-31 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
CN113496927B (zh) * | 2021-05-30 | 2022-06-24 | 山东华楷微电子装备有限公司 | 一种半导体硅片表面液体清理设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163508A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | 基板の乾燥方法および装置 |
JPH07335601A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002110621A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2002350049A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-04 | Rohm Co Ltd | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
JP2003273061A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Chem Art Technol:Kk | 処理方法及び処理システム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100328797B1 (ko) * | 1997-04-14 | 2002-09-27 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판건조장치및기판처리장치 |
JP3552190B2 (ja) | 1997-09-10 | 2004-08-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置ならびに基板乾燥方法 |
JP3681329B2 (ja) | 2000-10-20 | 2005-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板表面処理方法及び基板表面処理装置 |
TWI283441B (en) * | 2001-03-14 | 2007-07-01 | Sumitomo Precision Prod Co | Substrate treating device |
TWI275141B (en) * | 2004-07-01 | 2007-03-01 | Future Vision Inc | Substrate processor |
JP2006156648A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163508A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | 基板の乾燥方法および装置 |
JPH07335601A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002110621A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2002350049A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-04 | Rohm Co Ltd | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
JP2003273061A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Chem Art Technol:Kk | 処理方法及び処理システム |
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