JP5226452B2 - チャンバ洗浄方法 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の方法は、チャンバ内に配置されている処理槽の上縁付近にまで塩酸の液面が位置するように塩酸をチャンバ内に貯留させ、液体の塩酸と、チャンバ内に形成された塩酸雰囲気によってチャンバ内壁を洗浄している。この際には、塩酸及び塩酸雰囲気の漏れを防ぐために、チャンバに設けられている排液口を塞いだり、チャンバ内の排気を停止させたりする必要があり、洗浄手順が非常に煩雑であるにも係わらず、塩酸にふれない部分では洗浄効果が低いという問題もある。さらに、密閉されたチャンバの排気を停止させるので、チャンバ内からの塩酸の漏洩が生じる恐れもある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を収容するチャンバを備えた基板処理装置におけるチャンバ洗浄方法において、(a)塩酸を貯留した容器を前記チャンバ内に導入する工程と、(b)加熱した不活性ガスを前記容器中に供給し、塩酸をバブリングさせて塩酸蒸気を発生させる工程と、(c)バブリングを停止し、前記チャンバ内の塩酸蒸気を外部へ排出する工程と、(d)前記チャンバ内に凝結して付着した塩酸を洗浄除去する工程と、を有し、前記(b)工程は、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する供給管に一端側が連通接続され、他端側が開放された接続管が用いられ、前記接続管の他端側を前記容器の液面下に配置させて実施されることを特徴とするものである。
図1は、洗浄対象であるチャンバを備えた基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
希塩酸PSを貯留した容器71を準備する。この容器71は、塩酸への耐性を備えた材料で構成され、例えば、上部が開放されたビーカ状のものである。まず、「待機位置」にあるリフタ23の支持部材25に、板状の載置台73を取り付け、この載置台73の上に容器71を載置する。
指示部67を操作し、上部カバー21を開放させてリフタ23を「乾燥位置」にまで下降させる(本発明の(a)工程に相当する)。リフタ23が「乾燥位置」に移動した後、装置のオペレータは、例えば、外観が「L」の字状を呈する接続管75を用いて、左側の不活性ガスノズル29にその一端側を連通接続するとともに、接続管75の他端側を容器71に貯留している希塩酸PSの液面下に配置する。さらに、開閉弁49を開放させるとともに、排気ポンプ51を作動させてチャンバ19内を排気させた後、上部カバー21を閉止させる。なお、予め、処理槽1には、供給・排気管3を介して、処理液供給源11から常温の純水DIWを貯留しておくことが好ましい。これは、後述する塩酸蒸気によりチャンバ19内の温度が上昇するので、処理槽1が塩化ビニル製である場合に熱で変形するのを防止するためである。
装置のオペレータは、指示部67を操作して、インラインヒータ45の加熱温度を所定値(例えば、塩酸の沸点以下であって82℃)に設定するとともに、不活性ガス弁43を所定流量となるように開放させる。なお、このときの流量は、希塩酸PSが容器71から飛散しない程度のものとする。これにより、一対の不活性ガスノズル29のうち左側だけから加熱された不活性ガスが供給され、接続管75を通して容器71内に送り込まれる。その結果、希塩酸PSがバブリングされて泡立てられるので、容器71から希塩酸PSの蒸気PSMが発生する(本発明の(b)工程に相当する)。発生した希塩酸PSの蒸気PSMは、チャンバ19内を満たすとともに、一定量が排気管47を介して排気され、チャンバ19内の隅々にまで希塩酸PSの蒸気PSMが漂って洗浄される。また、チャンバ19内の部位に蒸気PSMが凝結し、希塩酸PSが付着する。このような状態を所定時間(例えば、30分間)だけ維持させる。すると、希塩酸PSの蒸気PSMや凝結分によってチャンバ19のフッ素樹脂製で構成された部分から金属成分が溶出し、フッ素樹脂製の構成の金属成分(特に亜鉛(Zn))が低減される。
所定時間の経過後、装置のオペレータは指示部67を操作し、排液弁63を開放させるとともにQDR弁57を開放させる。これにより、処理槽1に貯留されている純水DIWがチャンバ19の外部に排出される。
処理槽1からの純水DIWの排水が完了した後、リフタ23を「処理位置」にまで下降させる。これにより接続管75の他端側(下端)が容器71内の希塩酸PSの液面から離脱するので、加熱された不活性ガスによるバブリングが停止されることになる。なお、このとき、排気管47を介してのチャンバ19内の排気が継続されているので、チャンバ19内の塩酸PSの蒸気PSMが全て排出される(本発明の(c)工程に相当する)。その後、不活性ガス弁43を閉止させて、加熱された不活性ガスの供給を停止させる。
指示部67を操作して、上部カバー21を開放させた後、図示しないハンドシャワー等の濯ぎ手段77を用いて、チャンバ19内に純水DIWを供給し、希塩酸PSの蒸気PSMの凝結分を洗い流して除去する(本発明の(d)工程に相当する)。その後、接続管75を左側の不活性ガスノズル29から取り外してチャンバ19から取り出すとともに、リフタ23を「処理位置」から「待機位置」にまで移動させる。これにより、容器71がチャンバ19の外に搬出される。
1 … 処理槽
3 … 供給・排気管
5 … 配管
19 … チャンバ
23 … リフタ
29 … 不活性ガスノズル
31 … 供給管
65 … 制御部
67 … 指示部
71 … 容器
73 … 載置台
75 … 接続管
PS … 希塩酸
PSM … 塩酸蒸気
DIW … 純水
Claims (6)
- 基板を収容するチャンバを備えた基板処理装置におけるチャンバ洗浄方法において、
(a)塩酸を貯留した容器を前記チャンバ内に導入する工程と、
(b)加熱した不活性ガスを前記容器中に供給し、塩酸をバブリングさせて塩酸蒸気を発生させる工程と、
(c)バブリングを停止し、前記チャンバ内の塩酸蒸気を外部へ排出する工程と、
(d)前記チャンバ内に凝結して付着した塩酸を洗浄除去する工程と、
を有し、
前記(b)工程は、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する供給管に一端側が連通接続され、他端側が開放された接続管が用いられ、前記接続管の他端側を前記容器の液面下に配置させて実施されることを特徴とするチャンバ洗浄方法。 - 請求項1に記載のチャンバ洗浄方法において、
前記(a)工程は、前記チャンバ外にあたる待機位置と、前記チャンバ内の下方にあたる処理位置と、前記処理位置より上方であって前記チャンバ内にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能であって、前記チャンバに対して基板の搬入出を行うためのリフタが用いられ、前記リフタに前記容器を載置させた状態で、前記リフタを前記乾燥位置に位置させて実施されることを特徴とするチャンバ洗浄方法。 - 請求項1に記載のチャンバ洗浄方法において、
前記(c)工程は、前記容器を載置した状態の前記リフタを処理位置に下降させ、前記供給管への不活性ガスの供給を停止させ、前記チャンバ内の気体を外部へ排出させることにより実施されることを特徴とするチャンバ洗浄方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載のチャンバ洗浄方法において、
前記(d)工程は、前記チャンバ内に付着した塩酸を純水で洗浄し、前記容器を前記チャンバ外へ搬出させることを特徴とするチャンバ洗浄方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載のチャンバ洗浄方法において、
前記塩酸は希塩酸であることを特徴とするチャンバ洗浄方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載のチャンバ洗浄方法において、
前記チャンバ内に配置されている処理槽は、純水が貯留されていることを特徴とするチャンバ洗浄方法。
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