JP7246351B2 - 基板処理設備及び基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は基板処理設備及び基板処理方法に係る。
半導体工程は基板上に薄膜、異物質、パーティクル等を洗浄する工程を含む。半導体素子のデザインルール（ｄｅｓｉｇｎ ｒｕｌｅ）が減少することによって蝕刻工程や洗浄工程のような湿式工程が完了された後、薬液を乾燥する過程で薬液の表面張力によってパターンが崩壊（ｃｏｌｌａｐｓｅ）されるか、或いは隣接するパターン同士くっつくブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）不良が頻繁に発生する。また、パターン間に深く存在する微細パーティクルは基板の不良を引き起こす。
最近には、基板を洗浄する工程に超臨界流体が使用される。一例によれば、基板に処理液を供給して基板を液処理する液処理チャンバーと液処理の後に超臨界状態の流体を利用して基板から処理液を除去する高圧チャンバーが各々提供され、液処理チャンバーで処理が完了された基板は搬送ロボットによって高圧チャンバーに搬入される。
韓国特許公開第１０－２０２０－０００１４８１号公報
本発明者は超臨界流体を利用した超臨界工程で投入された基板の中で第１番目の基板と第２番目以後の基板と比較して欠陥が発生することを発見し、これを解決しようと本発明を導出した。
本発明の目的は超臨界流体を利用して基板を処理する時、処理効率を向上させることができる基板処理設備及び基板処理方法を提供することにある。
また、本発明の目的は超臨界流体を利用して基板を処理する時、基板に供給されるパーティクルが低減された基板処理設備及び基板処理方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、基板を処理する装置は、工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、前記高圧チャンバーの前記処理空間に前記工程流体を供給する流体供給ユニットと、前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ユニットと、前記供給ラインの内部に残存する工程流体をベントするプリベントユニットと、を含み、前記流体供給ユニットは、前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、前記供給ラインに設置された供給バルブと、前記供給ラインに提供されるヒーターと、を含み、前記排気ユニットは、前記高圧チャンバーに連結される排気ラインと、前記排気ラインに設置された排気バルブと、を含み、前記プリベントユニットは、一端が前記流体供給ユニットの前記供給ラインと連結され、他端がベントされる第１プリベントラインと、前記第１プリベントラインに設置された第１プリベントバルブと、を含む。
一実施形態において、前記プリベントユニットは、一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含むことができる。
一実施形態において、前記第２プリベントラインは、口径が前記第１プリベントラインの前記第２プリベントラインと連結される部分の口径より小さく提供されることができる。
一実施形態において、前記第２プリベントラインは前記排気バルブの上流で前記排気ラインと連結される。
一実施形態において、前記第２プリベントラインは前記第１プリベントバルブの下流で前記第１プリベントラインと連結される。
一実施形態において、前記第１プリベントラインの前記第２プリベントラインと連結される部分の口径は前記第２プリベントラインと連結される部分の上流の口径より小さく提供されることができる。
一実施形態において、制御器をさらに含み、前記制御器は、前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、前記供給バルブと、前記第１プリベントバルブと、前記第２プリベントバルブと、を開放することができる。
一実施形態において、前記第１プリベントラインは前記供給ラインで前記供給バルブの上流に連結される。
一実施形態において、前記供給ラインは、前記高圧チャンバーの上部に連結される上部供給ラインと、前記高圧チャンバーの下部に連結される下部供給ラインと、を含み、前記第１プリベントラインは前記下部供給ラインに連結される。
一実施形態において、前記供給バルブは、前記流体供給源で前記上部供給ラインと前記下部供給ラインの分岐地点との間に設置された第１供給バルブと、前記上部供給ラインに設置された第２供給バルブと、前記下部供給ラインに設置された第３供給バルブと、を含み、前記第１プリベントラインは前記第２供給バルブの上流で前記下部供給ラインと連結される。
一実施形態において、前記プリベントラインは前記ヒーターの下流で前記供給ラインと連結されることができる。
一実施形態において、前記プリベントラインは前記ヒーターの下流で前記供給ラインと連結されることができる。
一実施形態において、前記プリベントユニットは、一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含み、前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、第２プリベントバルブをさらに開放することができる。
また、本発明は、他の観点にしたがう基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、基板に処理液を供給して基板を液処理する液処理チャンバーと、超臨界状態の工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される超臨界チャンバーと、前記前記液処理チャンバー及び超臨界チャンバーとの間に基板を搬送する搬送ロボットと、制御器と、を含み、前記液処理チャンバーは、基板を支持する支持ユニットと、基板上に処理液を供給するノズルと、前記支持ユニットを囲み、処理空間を提供するカップと、を含み、前記超臨界チャンバーは、工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、前記供給ラインに設置された供給バルブと、前記供給ラインに提供されるヒーターと、前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ラインと、前記供給ラインの内部に残存する工程流体をベントするプリベントユニットと、を含み、前記プリベントユニットは、一端が前記供給ラインと連結され、他端がベントされる第１プリベントラインと、前記第１プリベントラインに設置された第１プリベントバルブと、を含むことができる。
本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、前記制御器は、前記液処理チャンバーによって基板処理が進行される際に前記第１プリベントバルブを開放して前記超臨界チャンバーの前記供給ラインに対するプリベントを開始することができる。
一実施形態において、前記制御器は、前記高圧チャンバーに前記液処理チャンバーで液処理された基板が搬入される前に、前記超臨界チャンバーの前記供給バルブと前記第１プリベントバルブを開放することができる。
一実施形態において、前記プリベントユニットは、一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含み、前記制御器は、前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、第２プリベントバルブをさらに開放することができる。
一実施形態において、前記第２プリベントラインは、口径が前記第１プリベントラインより小さく提供されることができる。
一実施形態において、前記第１プリベントラインの前記第２プリベントラインと連結される部分の口径は前記第２プリベントラインと連結される部分の上流の口径より小さく提供されることができる。
一実施形態において、前記処理液はリーニング防止液である。
また、本発明は基板処理装置を利用した基板処理方法を提供する。一実施形態において、前記高圧チャンバーに基板が搬入される前に、前記供給バルブと前記第１プリベントバルブを開放する。
一実施形態において、前記プリベントユニットは、一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含み、前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、第２プリベントバルブをさらに開放することができる。
本発明の一実施形態によれば、超臨界流体を利用した超臨界工程で投入された第１番目の基板の欠陥発生が低い。
また、本発明の一実施形態によれば、超臨界流体を利用して基板を処理する時、処理効率を向上させることができる。
また、本発明の一実施形態によれば、超臨界流体を利用して基板を処理する時、基板に供給されるパーティクルが減少されることができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
本発明の一実施形態による基板処理設備を概略的に示す平面図である。 図１の高圧チャンバー５００の一実施形態を概略的に示す図面である。 本発明の一実施形態による基板処理装置の概略図である。 第１プリベントライン５７１と第２プリベントライン５７２が連結される部分を示した図面である。 処理される基板がチャンバーに搬入される前、本発明の一実施形態による作動状態を示した図面である。 基板が高圧チャンバーに搬入され、高圧チャンバーが閉鎖された時点で本発明の一実施形態による作動状態を示した図面である。 基板を処理するための本発明の一実施形態による基板処理装置の作動状態を示す図面である。 基板を処理するための本発明の一実施形態による基板処理装置の作動状態を示す図面である。 一実施形態による基板の処理方法を図示する。 本発明の一実施形態による処理段階を示した図面である。 本発明のその他の一実施形態による処理段階を示した図面である。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。
図１は本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。
図１を参照すれば、基板処理設備はインデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして制御器３０を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１の方向９２とし、上部から見る時、第１の方向９２と垂直になる方向を第２方向９４とし、第１の方向９２及び第２方向９４と全て垂直になる方向を第３方向９６とする。
インデックスモジュール１０は収納された容器８０から基板Ｗを処理モジュール２０に搬送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｗを容器８０に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２（ｌｏａｄｐｏｒｔ）とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準にロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
容器８０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板Ｗが置かれるハンド１２２を含み、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
処理モジュール２０はバッファユニット２００、搬送チャンバー３００、液処理チャンバー４００、そして高圧チャンバー５００を含む。
バッファユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板Ｗと処理モジュール２０から搬出される基板Ｗが一時的に留まる空間を提供する。
液処理チャンバー４００は基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行する。
高圧チャンバー５００は基板Ｗ上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。
搬送チャンバー３００はバッファユニット２００、液処理チャンバー４００、そして高圧チャンバー５００との間に基板Ｗを搬送する。搬送チャンバー３００はその長さ方向が第１の方向９２に提供されることができる。
バッファユニット２００はインデックスモジュール１０と搬送チャンバー３００との間に配置されることができる。液処理チャンバー４００と高圧チャンバー５００は搬送チャンバー３００の側部に配置されることができる。液処理チャンバー４００と搬送チャンバー３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。高圧チャンバー５００と搬送チャンバー３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。バッファユニット２００は搬送チャンバー３００の一端に位置されることができる。
一例によれば、液処理チャンバー４００は搬送チャンバー３００の両側に配置し、高圧チャンバー５００は搬送チャンバー３００の両側に配置され、液処理チャンバー４００は高圧チャンバー５００よりバッファユニット２００にさらに近い位置に配置されることができる。搬送チャンバー３００の一側で液処理チャンバー４００は第１の方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。また、搬送チャンバー３００の一側で高圧チャンバー５００は第１の方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＣＸＤ（Ｃ、Ｄは各々１又は１より大きい自然数）が提供されることができる。上述したことと異なりに、搬送チャンバー３００の一側には液処理チャンバー４００のみが提供され、その他側には高圧チャンバー５００のみが提供されることができる。
搬送チャンバー３００は搬送ロボット３２０を有する。搬送チャンバー３００内には横方向が第１の方向９２に提供されたガイドレール３４０が提供され、搬送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。搬送ロボット３２０は基板Ｗが置かれるハンド３２２を含み、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
バッファユニット２００は基板Ｗが置かれる複数のバッファ２２０を具備する。バッファ２２０は第３方向９６に沿って相互間に離隔されるように配置されることができる。バッファユニット２００は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と背面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送チャンバー３００と対向する面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファユニット２００に接近し、搬送ロボット３２０は背面を通じてバッファユニット２００に接近することができる。
図２は図１の高圧チャンバー５００の一実施形態を概略的に示す図面である。一実施形態によれば、高圧チャンバー５００は超臨界流体を利用して基板Ｗ上の液を除去する。高圧チャンバー５００はボディー５２０、基板支持ユニット（図示せず）、流体供給ユニット５６０、そして遮断プレート（図示せず）を有する。
ボディー５２０は乾燥工程が遂行される処理空間５０２を提供する。ボディー５２０は上体５２２（ｕｐｐｅｒ ｂｏｄｙ）と下体５２４（ｌｏｗｅｒ ｂｏｄｙ）を有し、上体５２２と下体５２４は互いに組み合わせて上述した処理空間５０２を提供する。上体５２２は下体５２４の上部に提供される。上体５２２はその位置が固定され、下体５２４はシリンダーのような駆動部材５９０によって昇下降されることができる。下体５２４が上体５２２から離隔されれば、処理空間５０２が開放され、この時、基板Ｗが搬入又は搬出される。工程を進行する時には下体５２４が上体５２２に密着されて処理空間５０２が外部から密閉される。高圧チャンバー５００はヒーター５３０を有する。一例によれば、ヒーター５３０はボディー５２０の壁内部に位置される。ヒーター５３０はボディー５２０の内部空間内に供給された流体が超臨界状態を維持するようにボディー５２０の処理空間５０２を加熱する。
一方、図面に図示されなかったが、処理空間５０２の内部には基板Ｗを支持する基板支持ユニット（図示せず）が具備されることができる。基板支持ユニット（図示せず）はボディー５２０の処理空間５０２内で基板Ｗを支持する。基板支持ユニット（図示せず）は下体５２４に設置されて基板Ｗを支持することができる。この場合、基板支持ユニット（図示せず）は基板Ｗを持ち上げて支持する形態である。又は基板支持ユニット（図示せず）は上体５２２に設置されて基板Ｗを支持することができる。この場合、基板支持ユニット（図示せず）は基板Ｗを吊り下げ支持する形態である。
排気ユニット５５０は排気ライン５５１を含む。排気ライン５５１は下体５２４に結合されることができる。ボディー５２０の処理空間５０２内の超臨界流体は排気ライン５５０を通じてボディー５２０の外部に排気される。
流体供給ユニット５６０はボディー５２０の処理空間５０２に工程流体を供給する。一例によれば、工程流体は超臨界状態に処理空間５０２に供給されることができる。これと異なりに、工程流体はガス状態に処理空間５０２に供給され、処理空間５０２内で超臨界状態に相変化されることができる。工程流体は乾燥用流体である。
一例によれば、流体供給ユニット５６０は上部供給ライン５６３と下部供給ライン５６５を有する。上部供給ライン５６３と下部供給ライン５６３は基板支持ユニット（図示せず）に置かれる基板Ｗの上部で工程流体を供給する。一例によれば、上部供給ライン５６３は上体５２２に結合される。さらに、上部供給ライン５６３は上体５２２の中央に結合されることができる。
下部供給ライン５６５は下体５２４に結合されることができる。上部供給ライン５６３には第２供給バルブ５８２が設置され、下部供給ライン５６５には第３供給バルブ５８３が設置されることができる。
下部供給ライン５６５が下体５２４と結合される場合、ボディー５２０の処理空間５０２内には遮断プレート（図示せず）（ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）が配置されることができる。遮断プレート（図示せず）は円板形状に提供されることができる。遮断プレート（図示せず）はボディー５２０の底面から上部に離隔されるように支持台（図示せず）によって支持される。支持台（図示せず）はロード形状に提供され、相互間に一定距離離隔されるように複数が配置される。下部供給ライン５６５の吐出口と排気ライン５５１の流入口は互いに干渉されない位置に具備されることができる。遮断プレート（図示せず）は下部分岐ライン（図示せず）を通じて供給された工程流体が基板Ｗに向かって直接吐出されて基板Ｗが破損されることを防止することができる。
図３は本発明の一実施形態による基板処理装置の概略図である。図３を参照して、流体供給ユニット５６０とプリベントユニット（Ｐｒｅ－Ｖｅｎｔ ｕｎｉｔ）５７０に対して詳細に説明する。
流体供給ユニット５６０は流体供給源６１０と供給ライン５６１を含む。
流体供給源６１０は高圧チャンバー５００に提供される工程流体を貯蔵する。例えば、流体供給源６１０は貯蔵タンク、又はレジャーバータンクである。例えば、工程流体は二酸化炭素である。流体供給源６１０で供給された工程流体は高圧チャンバー５００に超臨界相に提供される。
供給ライン５６１は高圧チャンバー５００と流体供給源６１０を連結する。供給ライン５６１は流体供給源６１０に貯蔵された工程流体を高圧チャンバー５００に供給する。供給ライン５６１は一地点で上部供給ライン５６３と下部供給ライン５６５に分岐される。上部供給ライン５６３は高圧チャンバー５００の上体５２２に連結され、下部供給ライン５６５は高圧チャンバー５００の下体５２４に連結される。供給ライン５６１は分岐前に第１供給バルブ５８１が設けられる。上部供給ライン５６３には第２供給バルブ５８２が設けられる。下部供給ライン５６５には第３供給バルブ５８３が設けられる。
供給ライン５６１の第１供給バルブ５８１で分岐地点の前には上流で下流方向にフィルター５９１と第１ラインヒーター５９２が設けられることができる。
上部供給ライン５６３は第２供給バルブ５８２の上流に第２ラインヒーター５９３が設けられることができる。下部供給ライン５６５は第３供給バルブ５８３の上流に第３ラインヒーター５９４が設けられることができる。
下部供給ライン５６５は供給ラインの内部に残存する工程流体をベントするプリベントユニット５７０が連結される。プリベントユニット５７０は第１プリベントライン５７１を含む。
下部供給ライン５６５には第１プリベントライン５７１が分岐される。第１プリベントライン５７１には第１プリベントバルブ５８５が設けられる。第１プリベントバルブ５８５の下流はベントされる。第１プリベントライン５７１は下部供給ライン５６５に設けられた第３ラインヒーター５９４と第３供給バルブ５８３との間で下部供給ライン５６５と連結される。
プリベントユニット５７０は第２プリベントライン５７２をさらに含む。第２プリベントライン５７２は一端は排気ライン５５１と連結され、他端は第１プリベントライン５７１と連結される。第２プリベントライン５７２には第２プリベントバルブ５８６が設けられる。排気ライン５５１には排気バルブ５８４が設けられる。排気バルブ５８４が開放されれば、高圧チャンバー５００の内部の工程流体が高圧チャンバー５００の外部に排出される。第２プリベントライン５７２は排気バルブ５８４の上流で排気ライン５５１と連結される。また、第２プリベントライン５７２は第１プリベントバルブ５８５の下流で第１プリベントライン５７１と連結される。
図４は第１プリベントライン５７１と第２プリベントライン５７２が連結される部分を示した図面である。
第１プリベントライン５７１の第２プリベントライン５７２と連結される部分５５２ａの口径Ｄ１は第２プリベントライン５７２と連結される部分の上流の口径Ｄ２より小さく提供される。また、第２プリベントライン５７２の口径Ｄ３は第１プリベントライン５７１の第２プリベントライン５７２と連結される部分５５２ａの口径Ｄ１より小さく提供される。
図５は処理される基板がチャンバーに搬入される前、本発明の一実施形態による作動状態を示した図面である。図５を参照すれば、基板が高圧チャンバー５００の内部に搬入される前に第１供給バルブ５２１と第１プリベントバルブ５８５を開放し、第２供給バルブ５８２と第３供給バルブ５８３と排気バルブ５８４と第２プリベントバルブ５８６を閉鎖状態にすることができる。各バルブの制御は制御器（図示せず）によって制御されることができる。
図６は基板が高圧チャンバーに搬入され、高圧チャンバーが閉鎖された時点で本発明の一実施形態による作動状態を示した図面である。図６を参照すれば、基板が高圧チャンバー５００の内部に搬入されて高圧チャンバー５００が閉鎖された後に続いて第２プリベントバルブ５８６を開放する。この時、第２供給バルブ５８２と第３供給バルブ５８３と排気バルブ５８４は続いて閉じた状態である。この時、第２プリベントライン５７２の口径Ｄ３が第１プリベントライン５７１のより小さく、第１プリベントライン５７１の前記第２プリベントラインと連結される部分の口径Ｄ２より小さいので、ベンチュリ効果を得ることができ、これによって高圧チャンバー５００の内部の処理空間５０２が基板を収容するために開放されることによって、流入された水蒸気等のパーティクルを高圧チャンバー５００の内部の真空度を高くすることによって除去することができる。
図７及び図８は基板を処理するための本発明の一実施形態による基板処理装置の作動状態を示す図面である。
図７を参照すれば、高圧チャンバー５００の内部にローディングされた基板Ｗ１を処理するために高圧チャンバー５００に工程流体を供給する。最初の供給は下部供給ライン５６５の第３供給バルブ５８３と供給ライン５９１の第１供給バルブ５２１のみを開放して進行されることができる。第２供給バルブ５８２と第１プリベントバルブ５８５と第２プリベントバルブ５８６と排気バルブ５８４は閉鎖されることができる。これによって、高圧チャンバー５００の内部圧力は設定圧力に高くなる。
高圧チャンバー５００の内部圧力が設定圧力に到達すれば、図８のように第２供給バルブ５８２を開放し、排気バルブ５８４は必要によって開放するか、或いは閉鎖する。基板に対する処理は一定圧力範囲内で工程流体の供給と排気を繰り返して進行されることができる。
図９は一実施形態による基板の処理方法を図示する。
基板は液処理チャンバー４００は支持ユニット４１０と、ノズル４２０と、カップ４３０を含む。
支持ユニット４１０は基板を支持する。支持ユニット４１０は工程進行の中で基板Ｗを支持し、基板Ｗを回転させる。カップ４３０は支持ユニット４１０を囲み、処理空間を提供する。ノズル４２０は基板に処理液を供給する。
ノズル４２０はノズル支持台、支持軸、そして駆動器に連結されることができる。ノズル４２０は工程位置と待機位置との間に移動されることができる。工程位置はノズル４２０がカップ４３０の垂直上部に配置された位置であり、待機位置はノズル４２０がカップ４３０の垂直上部から逸脱した位置として定義する。
ノズル４２０は１つ又は複数が提供されることができる。ノズル４２０が複数に提供される場合、処理液としてケミカル、リンス液、そして有機溶剤の各々は互いに異なるノズル４２０を通じて提供されることができる。ケミカルは強酸又は強塩基の性質を有する液である。リンス液は純水である。有機溶剤はイソプロピルアルコール蒸気と非活性ガスの混合物であるか、或いはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液である。イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）はチャンバーとチャンバーとの間に搬送される過程で基板パターンのリーニングを防止するリーニング防止液である。
一実施形態によれば、基板Ｗに供給された処理液はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。液処理チャンバー４００では基板Ｗのパターン面にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給する。基板Ｗは基板のパターン面にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が残留するまま、高圧チャンバー５００に搬送される。搬送は搬送ロボット３２０による。
図１０は本発明の一実施形態による処理段階を示した図面である。図１０を参照して、本発明の一実施形態による処理段階を説明すれば、液処理チャンバー4００で基板の液処理が開始される（Ｓ１０１）。液処理が開始された後から所定の時間が経過した後、高圧チャンバー４００のプリベントユニット５７０によるプリベントを開始する（Ｓ１０２）。Ｓ１０２段階でプリベントは第１プリベントライン５７１の第１プリベントバルブ５８５を開放することと、第２プリベントライン５７２の第２プリベントバルブ５８６を開放することと、を全て含む。
液処理が終了（Ｓ１０３）される同時に又は所定の時間経過の後、プリベントを終了する（Ｓ１０４）。その後、超臨界工程が開始される（Ｓ１０５）。一実施形態によれば、Ｓ１０４段階でプリベントは第１プリベントライン５７１の第１プリベントバルブ５８５を閉鎖することと、第２プリベントライン５７２の第２プリベントバルブ５８６を閉鎖することと、を全て含む。
他の実施形態によれば、Ｓ１０２段階でプリベントは第１プリベントライン５７１の第１プリベントバルブ５８５を開放することのみを含む。液処理が終了され（Ｓ１０３）、基板が高圧チャンバー５００に搬入された後、高圧チャンバー５００がクローズされれば、第２プリベントライン５７２の第２プリベントバルブ５８６をさらに開放する。所定の時間の間に第２プリベントバルブ５８６の開放にしたがって第２プリベントライン５７２によって処理空間５０２の内部の真空度が形成されれば、第２プリベントバルブ５８６を閉鎖し、超臨界工程を開始（Ｓ１０５）することを含む。
図１１は本発明のその他の一実施形態による処理段階を示した図面である。図１１を参照して、本発明のその他の一実施形態による処理段階を説明すれば、第１基板に対する超臨界工程が完了されれば（Ｓ２０１）、搬送ロボット３２０が第１基板を高圧チャンバー５００から搬出する（Ｓ２０２）。そして、第１供給バルブ５２１と第１プリベントバルブ５８５を開放する（Ｓ２０３）。これによって、供給ライン５６１に留まる工程流体を所定量ベントすることができる。したがって、第１番目に投入され基板と第２番目に投入される基板に対する工程流体の温度差を改善することができる。第１プリベントライン５７１を開放することによって、注入される工程流体の温度を一定に維持することができる。
搬送ロボット３２０が第２基板を高圧チャンバー５００の内部に搬入し、高圧チャンバー５００をクローズした後（Ｓ２０４）、第２プリベントバルブ５８６を開放する（Ｓ２０５）。これによって、高圧チャンバー５００の内部の真空度を高めることができる。高圧チャンバー５００の内部が所定の真空度に到達すれば、第１プリベントバルブ５８５と第２プリベントバルブ５８６を閉鎖する（Ｓ２０６）。その後、第３供給バルブ５８３を開放して処理空間５０２の内部を超臨界雰囲気に作り（Ｓ２０７）、第２供給バルブ５８２を開放して超臨界工程を進行する（Ｓ２０８）。排気バルブ５８４は必要によって開放するか、或いは閉鎖する（Ｓ２０９）。基板に対する処理は一定圧力範囲内で工程流体の供給と排気を繰り返して進行されることができる。第２基板に対する超臨界工程が完了されれば（Ｓ２１０）、上述した過程を繰り返しながら、第３基板に対する処理を進行することができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
５７１ 第１プリベントライン
５８５ 第１プリベントバルブ
５７２ 第２プリベントライン
５８６ 第２プリベントバルブ

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    超臨界状態の工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、
    前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、
    前記高圧チャンバーの前記処理空間に前記工程流体を供給する流体供給ユニットと、
    前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ユニットと、
    供給ラインの内部に残存する工程流体をベントするプリベントユニットと、を含み、
    前記流体供給ユニットは、
    前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、
    前記供給ラインに設置された供給バルブと、
    前記供給ラインに提供されるラインヒーターと、を含み、
    前記排気ユニットは、
    前記高圧チャンバーに連結される排気ラインと、
    前記排気ラインに設置された排気バルブと、を含み、
    前記プリベントユニットは、
    一端が前記流体供給ユニットの前記供給ラインと連結され、他端はベントされる第１プリベントラインと、
    前記第１プリベントラインに設置された第１プリベントバルブと、を含む基板処理装置。
  2. 前記プリベントユニットは、
    一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、
    前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第２プリベントラインは、
    口径が前記第１プリベントラインの前記第２プリベントラインと連結される部分の口径より小さく提供される請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２プリベントラインは、前記排気バルブの上流で前記排気ラインと連結される請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記第２プリベントラインは、前記第１プリベントバルブの下流で前記第１プリベントラインと連結される請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１プリベントラインの前記第２プリベントラインと連結される部分の口径は、前記第２プリベントラインと連結される部分の上流の口径より小さく提供される請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 制御器をさらに含み、
    前記制御器は、前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、
    前記供給バルブと、前記第１プリベントバルブと、前記第２プリベントバルブと、を開放する請求項２に記載の基板処理装置。
  8. 前記第１プリベントラインは、前記供給ラインで前記供給バルブの上流に連結される請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 前記供給ラインは、
    前記高圧チャンバーの上部に連結される上部供給ラインと、
    前記高圧チャンバーの下部に連結される下部供給ラインと、を含み、
    前記第１プリベントラインは、前記下部供給ラインに連結される請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 前記供給バルブは、
    前記流体供給源で前記上部供給ラインと前記下部供給ラインの分岐地点との間に設置された第１供給バルブと、
    前記上部供給ラインに設置された第２供給バルブと、
    前記下部供給ラインに設置された第３供給バルブと、を含み、
    前記第１プリベントラインは、前記第２供給バルブの上流で前記下部供給ラインと連結される請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記第１プリベントラインは、前記ラインヒーターの下流で前記供給ラインと連結される請求項１に記載の基板処理装置。
  12. 前記プリベントユニットは、
    一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、
    前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含み、
    前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、
    前記第２プリベントバルブをさらに開放する請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 基板を処理する装置において、
    基板に処理液を供給して基板を液処理する液処理チャンバーと、
    超臨界状態の工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される超臨界チャンバーと、
    前記液処理チャンバー及び超臨界チャンバーとの間に基板を搬送する搬送ロボットと、
    制御器と、を含み、
    前記液処理チャンバーは、
    基板を支持する支持ユニットと、
    基板上に処理液を供給するノズルと、
    前記支持ユニットを囲み、処理空間を提供するカップと、を含み、
    前記超臨界チャンバーは、
    工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、
    前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、
    前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、
    前記供給ラインに設置された供給バルブと、
    前記供給ラインに提供されるラインヒーターと、
    前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ラインと、
    前記供給ラインの内部に残存する工程流体をベントするプリベントユニットと、を含み、
    前記プリベントユニットは、
    一端が前記供給ラインと連結され、他端がベントされる第１プリベントラインと、
    前記第１プリベントラインに設置された第１プリベントバルブと、を含む基板処理装置。
  14. 前記制御器は、
    前記液処理チャンバーによって基板処理が進行される際に前記第１プリベントバルブを開放して前記超臨界チャンバーの前記供給ラインに対するプリベントを開始する請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記制御器は、
    前記高圧チャンバーに前記液処理チャンバーで液処理された基板が搬入される前に、
    前記超臨界チャンバーの前記供給バルブと前記第１プリベントバルブを開放する請求項１３に記載の基板処理装置。
  16. 前記プリベントユニットは、
    一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、
    前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含み、
    前記制御器は、
    前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、
    第２プリベントバルブをさらに開放する請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記第２プリベントラインは、
    口径が前記第１プリベントラインより小さく提供される請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記第１プリベントラインの前記第２プリベントラインと連結される部分の口径は、前記第２プリベントラインと連結される部分の上流の口径より小さく提供される請求項１６に記載の基板処理装置。
  19. 請求項１の基板処理装置を利用した基板処理方法において、
    前記高圧チャンバーに基板が搬入される前に、
    前記供給バルブと前記第１プリベントバルブを開放する基板処理方法。
  20. 前記プリベントユニットは、
    一端が前記排気ラインと連結され、他端が前記第１プリベントラインと連結される第２プリベントラインと、
    前記第２プリベントラインに設置された第２プリベントバルブと、をさらに含み、
    前記高圧チャンバーに基板が搬入され、前記高圧チャンバーが閉鎖された後、
    第２プリベントバルブをさらに開放する請求項１９に記載の基板処理方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220156137A (ko) * 2021-05-17 2022-11-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2023013435A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN114454085B (zh) * 2021-12-28 2022-09-30 华海清科股份有限公司 一种化学机械抛光方法及抛光系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013074243A (ja) 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP2013251550A (ja) 2012-05-31 2013-12-12 Semes Co Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2018060895A (ja) 2016-10-04 2018-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体
JP2018093063A (ja) 2016-12-02 2018-06-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6635116B1 (en) * 2000-08-29 2003-10-21 Lsi Logic Corporation Residual oxygen reduction system
US7772128B2 (en) 2006-06-09 2010-08-10 Lam Research Corporation Semiconductor system with surface modification
JP5522124B2 (ja) 2011-06-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR101536724B1 (ko) * 2012-05-31 2015-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101681190B1 (ko) * 2015-05-15 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 방법
WO2017033979A1 (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR20170133694A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 세메스 주식회사 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR101856606B1 (ko) * 2016-06-02 2018-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7001553B2 (ja) 2018-06-26 2022-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013074243A (ja) 2011-09-29 2013-04-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP2013251550A (ja) 2012-05-31 2013-12-12 Semes Co Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2018060895A (ja) 2016-10-04 2018-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体
JP2018093063A (ja) 2016-12-02 2018-06-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム

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