JP7001553B2 - 処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法 - Google Patents
処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7001553B2 JP7001553B2 JP2018121183A JP2018121183A JP7001553B2 JP 7001553 B2 JP7001553 B2 JP 7001553B2 JP 2018121183 A JP2018121183 A JP 2018121183A JP 2018121183 A JP2018121183 A JP 2018121183A JP 7001553 B2 JP7001553 B2 JP 7001553B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow path
- treatment liquid
- temperature
- downstream
- upstream
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67271—Sorting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
特許文献1に記載の基板処理装置では、基板処理条件が変更されたときに、薬液タンク内の薬液の温度を調整するためにクーラの出力を変化させる場合がある。
また、上流路から第1分流路に流入する処理液の流量と上流路から第2分流路に流入する処理液の流量との比率を変更することによって、下流路に流入する処理液のうち、冷却されてから下流路に流入する処理液の割合が変更される。そのため、上流路から第1分流路に流入する処理液の流量と上流路から第2分流路に流入する処理液の流量との比率を変更することによって、下流路に流入する処理液の温度が変化する。したがって、基板処理条件が変更されたとしても、下流温度検出ユニットによって検出される下流検出温度が目標温度に近づくようにコントローラが流量比率変更ユニットを適宜制御すれば、下流路に流入する処理液の温度を目標温度に近い温度に維持することができる。つまり、処理液タンクへ帰還する処理液の温度を適切に調整することができる。
上流路内の処理液を冷却する必要がある場合には、上流路内の処理液の案内先を上流路の下流端に切り替えることで、上流路内の処理液を第1分流路および第2分流路に流入させて適度に冷却することができる。一方、上流路内の処理液を冷却する必要がない場合には、上流路内の処理液の案内先を上流分岐流路に切り替えることで、上流路内の処理液を冷却することなく下流路に流入させることができる。そのため、必要以上に冷却された処理液が処理液タンクに帰還することを抑制できる。したがって、処理液タンクに帰還する処理液の温度を適切に調整することができる。
一方、上流検出温度が冷却必要温度よりも低い場合には、上流路内の処理液の案内先を上流分岐流路に切り替えて、処理液を冷却することなく下流路に流入させることができる。そのため、必要以上に冷却された処理液が処理液タンクに帰還することを抑制できる。
この発明の一実施形態では、前記処理液温度調整装置が、前記下流路において前記下流温度検出ユニットによって温度が検出される被検出部分よりも下流側に分岐接続され、前記下流路から前記処理液タンク外へと処理液を導く排出流路と、前記下流路内の処理液の案内先を、前記処理液タンクおよび前記排出流路のいずれかに切り替える下流切替ユニットとをさらに含む。
この構成によれば、下流検出温度が過冷却温度よりも低い場合には、下流路内の処理液の案内先を排出流路に切り替えることで、処理液タンク外へ処理液を導くことができる。これにより、必要以上に冷却された処理液が処理液タンクに帰還することを抑制できる。
この構成によれば、排出流路内の処理液は、排出処理液タンクによって貯留される。そして、排出処理液タンク内の処理液は、排出処理液加熱ユニットによって加熱されてから処理液タンクに移送される。これにより、必要以上に冷却された状態の処理液が処理液タンクに流入することを回避することができる。そのため、処理液タンクへ帰還する処理液の温度を適切に調整することができる。さらに、排出流路内の処理液を廃棄する構成と比較して、処理液の消費量を低減することができる。
第1分流路内に処理液の流れが形成されておらず、第1分流路の被冷却部分に処理液が留まっている場合、被冷却部分内の処理液が冷却ユニットによって過剰に冷却される。この状態で、第1分流路内に処理液の流れが形成されると、過剰に冷却された処理液が処理液タンクに流れ込むおそれがある。
この発明の一実施形態では、前記処理液温度調整装置が、前記案内流路を開閉する案内流路バルブをさらに含む。そして、前記案内流路バルブが、前記上流路への処理液の流入が停止されているときに、前記案内流路を開き、前記案内流路を介して前記処理液タンクから前記第1分流路に処理液を案内する。
この構成によれば、下流路内の処理液が目標温度よりも低い場合に、下流路内の処理液を加熱ユニットで加熱することができる。処理液タンクへ帰還する処理液の温度を一層適切に調整することができる。
この構成によれば、供給流路加熱ユニットによって処理液が加熱される。そのため、加熱された処理液を、供給流路を介して基板処理ユニットに供給して、基板に対して処理液を反応させることができる。
この発明の一実施形態は、前記処理液温度調整装置と、前記供給流路と、前記基板処理ユニットとを含み、処理液で基板を処理する基板処理装置を提供する。前記基板処理ユニットは、前記基板を水平に保持しながら前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持回転ユニットと、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記基板の上面内において前記上面中央部から離れた位置に向けて処理液を吐出する副吐出口とを含む。前記供給流路は、前記処理液タンク内の処理液を下流側に向けて案内する上流供給流路と、前記上流供給流路を分流させる複数の下流供給流路とを含む。前記複数の下流供給流路は、前記主吐出口に処理液を案内する下流主供給流路と、前記副吐出口に処理液を案内する下流副供給流路とを含む。前記供給流路加熱ユニットは、前記上流供給流路内の処理液を加熱する上流供給流路加熱ユニットと、前記下流副供給流路内の処理液を加熱する下流供給流路加熱ユニットとを含む。前記上流帰還流路は、前記下流副供給流路において前記下流供給流路加熱ユニットによって加熱される部分よりも下流側の部分から分岐され、前記下流副供給流路内の処理液を前記上流路に送る。
また、上流路から第1分流路に流入する処理液の流量と上流路から第2分流路に流入する処理液の流量との比率を変更することによって、下流路に流入する処理液のうち、冷却されてから下流路に流入する処理液の割合が変更される。そのため、上流路から第1分流路に流入する処理液の流量と上流路から第2分流路に流入する処理液の流量との比率を変更することによって、下流路に流入する処理液の温度が変化する。したがって、基板処理条件が変更されたとしても、下流温度検出ユニットによって検出される下流検出温度が目標温度に近づくように第1分流路に流入する処理液の流量と第2分流路に流入する処理液の流量との比率を適宜変更することによって、下流路に流入する処理液の温度を目標温度に近い温度に維持することができる。つまり、処理液タンクへ帰還する処理液の温度を適切に調整することができる。
一方、上流検出温度が冷却必要温度よりも低い場合には、上流路内の処理液の案内先を上流分岐流路に切り替えて、処理液を冷却することなく下流路に流入させることができる。そのため、必要以上に冷却された処理液が処理液タンクに帰還することを抑制できる。
この発明の一実施形態では、処理液供給方法が、前記下流検出温度が前記目標温度よりも低い過冷却温度よりも低い場合に、前記下流路内の処理液が、前記下流路から前記処理液タンク外に案内され、前記下流検出温度が前記過冷却温度よりも高い場合に、前記下流路内の処理液が、前記処理液タンクに案内されるように、前記下流路内の処理液の案内先を切り替える下流切替工程をさらに含む。
一方、下流検出温度が過冷却温度よりも高い場合には、下流路内の処理液の案内先を処理液タンクに切り替えることができる。そのため、過冷却温度よりも高く適切に調整された温度の処理液を処理液タンクに帰還させることができる。このように、下流検出温度と過冷却温度との大小関係に応じて下流路内の案内先を適切に変更することによって、処理液タンクへ帰還する処理液の温度を適切に調整することができる。
上流路への処理液の流入が停止されているときには、第1分流路内に処理液の流れが形成されにくく、第1分流路の被冷却部分に処理液が特に留まりやすい。第1分流路の被冷却部分に留まった処理液が冷却ユニットによって過剰に冷却される。この状態で、第1分流路内に処理液の流れが形成されると、過剰に冷却された処理液が処理液タンクに流れ込むおそれがある。
この方法によれば、下流路内の処理液が目標温度よりも低い場合に、下流路内の処理液を加熱することができる。処理液タンクへ帰還する処理液の温度を一層適切に調整することができる。
この方法によれば、供給流路内の処理液が加熱される。そのため、加熱された処理液を、供給流路を介して基板処理ユニットに供給して、基板に対して処理液を反応させることができる。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の構成例を示す模式図である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する基板処理ユニット2と、基板処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)と、基板処理装置1を制御するコントローラ3(図5参照)とを含む。基板処理ユニット2内で基板Wに対して供給される処理液には、薬液やリンス液等が含まれる。
基板処理装置1は、供給配管9、薬液温度調整装置10、帰還配管11および循環配管12を含む。
上流供給配管20は、薬液タンク8内の薬液を下流側に向けて案内する上流供給流路を形成している。複数の下流供給配管21は、下流主供給配管21Aおよび第1下流副供給配管21B~第3下流副供給配管21Dを含み、これらは、それぞれ、上流供給配管20を分流させる複数の下流供給流路を形成している。下流主供給配管21Aは、下流主供給流路を形成している。複数の下流副供給配管21B~21Dは、複数の下流副供給流路をそれぞれ形成している。複数の下流供給配管21の下流端は、それぞれ、基板処理ユニット2に備えられた複数の薬液ノズル50に接続されている。
複数の上流帰還配管22は、第1上流帰還配管22B~第3上流帰還配管22Dを含み、これらは、それぞれ、複数の下流副供給配管21B~21Dの途中部に分岐接続されている。各上流帰還配管22は、対応する下流副供給配管21B~21Dから薬液温度調整装置10に薬液を送る複数の上流帰還流路を形成している。下流帰還配管23は、薬液温度調整装置10に備えられた下流配管63から薬液タンク8に薬液を送る下流帰還流路を形成している。
循環配管12の上流端は、上流供給配管20に分岐接続されている。循環配管12の下流端は薬液タンク8に接続されている。
基板処理装置1は、上流供給ヒータ30、ポンプ31、フィルタ32、上流供給バルブ33、下流主供給流量計34A、下流主供給流量調整バルブ35Aおよび下流主供給バルブ36Aを含む。
基板処理装置1は、複数の下流供給ヒータ37B~37D(第1下流供給ヒータ37B、第2下流供給ヒータ37C、第3下流供給ヒータ37D)と、複数の下流副供給バルブ36B~36D(第1下流副供給バルブ36B、第2下流副供給バルブ36C、第3下流副供給バルブ36D)と、複数の上流帰還バルブ38B~38D(第1上流帰還バルブ38B、第2上流帰還バルブ38C、第3上流帰還バルブ38D)と、循環バルブ39とを含む。
ポンプ31は、上流供給ヒータ30によって加熱される部分よりも下流側で、かつ、循環配管12の分岐位置よりも上流側で、上流供給配管20に介装されている。ポンプ31は、薬液タンク8内の薬液を上流供給配管20に送り出す。
上流供給バルブ33は、フィルタ32よりも下流側で、かつ、下流供給配管21の分岐位置よりも上流側で上流供給配管20に介装されている。上流供給バルブ33は、上流供給配管20内の流路(上流供給流路)を開閉する。
循環バルブ39は、循環配管12に介装されている。循環バルブ39は、循環配管12内の流路(循環流路)を開閉する。
基板処理ユニット2は、箱型のチャンバ7と、チャンバ7内で基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック41と、基板Wから排出された処理液を受け止める筒状のガード42と含む。
基板処理ユニット2は、スピンチャック41に保持されている基板Wの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル47を含む。リンス液ノズル47は、リンス液バルブ48が介装されたリンス液配管49に接続されている。基板処理ユニット2は、処理位置と待機位置との間でリンス液ノズル47を移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。
各薬液ノズル50は、ホルダ51によって片持ち支持されたノズル本体53を含む。ノズル本体53は、ホルダ51から水平な長手方向D1に延びるアーム部54と、アーム部54の先端54aから下方に延びる先端部55とを含む。アーム部54の先端54aは、平面視においてホルダ51から長手方向D1に最も遠い部分を意味する。
上流配管60の上流端は、第1上流帰還配管22Bの下流端に接続されており、したがって、第1上流帰還配管22B、第2上流帰還配管22Cおよび第3上流帰還配管22Dに接続されている(図1参照)。上流配管60は、供給配管9から分岐して薬液タンク8に帰還される薬液が流入する上流路を形成している。第1分流配管61および第2分流配管62の上流端は、上流配管60の下流端に接続されている。第1分流配管61および第2分流配管62は、それぞれ、上流配管60から流入する薬液を分流させる第1分流路および第2分流路を形成している。
上流分岐配管64の上流端は、上流配管60に分岐接続されている。上流分岐配管64の下流端は、下流配管63に接続されている。上流分岐配管64は、上流配管60内の薬液を、第1分流配管61および第2分流配管62を迂回し、下流配管63および下流帰還配管23を介して、薬液タンク8に案内する上流分岐流路を形成している。
案内配管66の上流端は、上流供給配管20において上流供給バルブ33よりも上流側に分岐接続されている(図1参照)。案内配管66の下流端は、第1分流配管61に接続されている。案内配管66は、下流主供給配管21A、下流副供給配管21B~21D、複数の上流帰還配管22B~22Dおよび上流配管60を介さずに、上流供給配管20内の薬液を第1分流配管61に案内する案内流路を形成している。
上流流量計70は、上流配管60において上流分岐配管64が接続された位置(上流分岐位置64a)よりも上流側で上流配管60に介装されている。上流流量計70は、上流配管60内の薬液の流量(以下では、「上流検出流量VU」という。)を検出する上流流量検出ユニット(流量検出ユニット)の一例である。
上流温度計71は、上流配管60において、上流流量計70よりも下流側で、かつ、上流バルブ72よりも上流側(この実施形態では上流分岐位置64aよりも上流側)の位置に配置されている。上流温度計71は、上流配管60内の薬液の温度(以下では、「上流検出温度TU」という。)を検出する上流温度検出ユニットの一例である。
クーラ76は、上流配管60(上流路)から第1分流配管61(第1分流路)に流入する薬液を冷却する冷却ユニットの一例である。
クーラ76は、冷媒タンク86、冷媒供給配管77、冷媒帰還配管78、および冷媒流量調整バルブ79を含む。冷媒タンク86は、冷媒を貯留するタンクである。冷媒タンク86には、冷媒供給配管77の下流端および冷媒帰還配管78の上流端が接続されている。
第2分流流量調整バルブ75は、第2分流配管62に介装されている。第2分流流量調整バルブ75は、第2分流配管62内を流れる薬液の流量を変更する。
第1分流流量調整バルブ74の開度を調整することで、上流配管60から第1分流配管61に流入する薬液の流量(以下、「第1流量VS1」という。)を変更できる。第2分流流量調整バルブ75の開度を調整することで、上流配管60から第2分流配管62に流入する薬液の流量(以下、「第2流量VS2」という。)を変更できる。
第1下流温度計80は、下流配管63において排出配管65が接続された位置(排出分岐位置65a)よりも上流側に配置されている。言い換えると、排出配管65は、第1被検出部分63aよりも下流側で下流配管63に分岐接続されている。第1下流温度計80は、下流配管63において排出分岐位置65aよりも上流側に設定された第1被検出部分63a内の薬液の温度(以下、「第1下流検出温度TL1」という。)を検出する。
下流バルブ82は、上流分岐配管64の接続位置よりも上流側で、かつ排出分岐位置65aよりも下流側で、下流配管63に介装されている。下流バルブ82は、下流配管63内の流路(下流路)を開閉するバルブである。排出バルブ84は、排出配管65に介装されている。排出バルブ84は、排出配管65内の流路(排出流路)を開閉するバルブである。
図6Aは、複数の吐出口57から薬液が供給されている薬液吐出状態の基板処理装置1の模式図である。図6Aには、上流供給バルブ33、下流主供給バルブ36Aおよび複数の下流副供給バルブ36B~36Dが開かれ、複数の上流帰還バルブ38B~38Dおよび循環バルブ39が閉じられた状態が示されている。
下流主供給配管21A内の薬液は、追加の加熱を受けることなく、主薬液ノズル50Aに設けられた主吐出口57Aに供給される。
薬液吐出状態において複数の上流帰還バルブ38B~38Dのうちの少なくともいずれかが開かれている場合、対応する下流副供給配管21B~21D内の薬液の一部は、対応する下流供給ヒータ37B~37Dによって加熱された後、複数の上流帰還配管23B~23Dを介して薬液温度調整装置10の上流配管60に流入する。上流配管60に流入した薬液の温度は、薬液温度調整装置10によって調整される(温度調整工程)。薬液温度調整装置10によって温度が調整された薬液は、薬液温度調整装置10の下流配管63から下流帰還配管23に流入する。そして、薬液は、下流帰還配管23から薬液タンク8に戻る。
薬液吐出停止状態では、薬液タンク8内の薬液は、ポンプ31によって上流供給配管20に送られる。ポンプ31によって送られた薬液の一部は、上流供給ヒータ30によって加熱された後、循環配管12を介して薬液タンク8に戻る。残りの薬液は、上流供給ヒータ30によって加熱された後、上流供給配管20から複数の下流副供給配管21B~21Dに分流される。各下流副供給配管21B~21Dに供給された薬液は、対応する下流供給ヒータ37B~37Dによって加熱される。
まず、図7Aを参照して、上流バルブ72および下流バルブ82が開かれており、上流分岐バルブ73および排出バルブ84が閉じられているときの薬液温度調整装置10による薬液の温度調整動作について説明する。
上流配管60の下流端に案内された薬液は、第1分流配管61および第2分流配管62によって分流される(分流工程)。第1分流配管61内の薬液は、クーラ76によって冷却される(冷却工程)。第1分流配管61内の薬液は、クーラ76によって冷却されながら第1分流配管61の下流端に案内される。第2分流配管62内の薬液は、冷却されることなく第2分流配管62の下流端に案内される。薬液は、第1分流配管61および第2分流配管62の下流端から、下流配管63に流入して合流する(合流工程)。
第1分流流量調整バルブ74および第2分流流量調整バルブ75を制御して第1流量VS1と第2流量VS2との比率を変更することによって、下流配管63に流入する薬液のうち、クーラ76によって冷却されてから下流配管63に流入する薬液の割合が変更される。そのため、第1流量VS1と第2流量VS2との比率を変更することによって、下流配管63に流入する薬液の温度が変化する。
具体的には、コントローラ3は、第1下流検出温度TL1が所定の目標温度TAに近づくように第1分流流量調整バルブ74および第2分流流量調整バルブ75の開度を調整して、第1流量VS1と第2流量VS2との比率を変更する(流量比率変更工程)。目標温度TAは、たとえば、循環配管12を介して上流供給配管20から薬液タンク8内の薬液の温度であり、コントローラ3に予め設定されている。
冷媒流量調整バルブ79の開度を大きくすることで、冷媒タンク86に供給される冷媒の流量が増大するので、単位時間当たりにクーラ76が被冷却部61aから奪う熱量が増大する。冷媒流量調整バルブ79の開度を小さくすることで、冷媒タンク86に供給される冷媒の流量が減少するので、単位時間当たりにクーラ76が被冷却部61aから奪う熱量が減少する。
下流ヒータ83の出力は、上流検出温度TUに応じてコントローラ3によって制御されてもよい。すなわち、上流検出温度TUが所定の加熱必要温度T1よりも高い場合には(TU>T1)、コントローラ3が、下流ヒータ83の出力を低下させ、または下流ヒータ83への電力の供給を停止する。上流検出温度TUが加熱必要温度T1よりも低い場合には(TU<T1)、コントローラ3が、下流ヒータ83の出力を上昇させ、または下流ヒータ83への電力の供給を開始する。
上流検出温度TUと加熱必要温度T1とが等しいときには(TU=T1)、下流ヒータ83の出力を変化させる必要はなく、下流ヒータ83の出力は、現状の状態で維持されればよい。
上流配管60に流入する薬液が所定の冷却必要温度T2よりも低く、クーラ76による冷却が不要な場合がある。たとえば、基板処理装置1の起動直後や、上流供給ヒータ30や複数の下流供給ヒータ37A~37Dによる薬液の加熱が停止されているときには、上流配管60に流入する薬液の温度が冷却必要温度T2よりも低くなる場合がある。また、薬液を吐出している薬液ノズル50の数が多い場合には、上流帰還配管22B~22Dから上流配管60に流入する薬液の流量が小さいため、上流帰還配管22B~22Dや上流配管60を介した放熱によって、薬液の温度が冷却必要温度T2よりも低くなる場合がある。
具体的には、図7Aに示すように、上流検出温度TUが冷却必要温度T2よりも高い場合には(TU>T2)、コントローラ3は、上流バルブ72を開き、上流分岐バルブ73を閉じる。これにより、上流配管60内の薬液の案内先が上流配管60の下流端(第1分流配管61および第2分流配管62の上流端)に切り替えられる。そのため、上流配管60内の薬液を第1分流配管61および第2分流配管62に流入させて、第1分流配管61を冷却するクーラ76によって薬液を適度に冷却することができる。これにより、適度に冷却された薬液を、下流配管63を介して薬液タンク8に帰還させることができる。
上流検出温度TUと冷却必要温度T2とが等しいときには(TU=T2)、上流配管60内の薬液の案内先を切り替える必要はなく、上流配管60内の薬液の案内先は、現状の状態で維持されればよい。
次に、下流配管63内の薬液の案内先の切替制御について説明する。
具体的には、第2下流検出温度TL2が過冷却温度T3よりも低い場合には(TL2<T3)、コントローラ3は、図7Cに示すように、下流バルブ82を閉じ、排出バルブ84を開く。これにより、下流配管63内の薬液の案内先が排出配管65に切り替えられる。排出配管65に流入した薬液は、薬液タンク8外に排出される。これにより、必要以上に冷却された薬液が薬液タンク8に帰還することを抑制できる。
第2下流検出温度TL2と過冷却温度T3とが等しいときには(TL2=T3)、下流配管63内の薬液の案内先を切り替える必要はなく、下流配管63内の薬液の案内先は、現状の状態で維持されればよい。
また、上流配管60への薬液の流入が停止されているときには、第1分流配管61内には、薬液の流れが形成されない。第1分流配管61の被冷却部分61aに薬液が留まっている場合には、被冷却部分61a内の薬液がクーラ76によって過剰に冷却されるおそれがある。この状態で、第1分流配管61に薬液の流れが形成されると、過剰に冷却された薬液が薬液タンク8に流れ込むおそれがある。
図9は、基板処理の一例を説明するための流れ図である。以下の各動作は、コントローラ3が基板処理装置1を制御することにより実行される。以下では、図2および図3を併せて参照する。
基板処理ユニット2によって基板Wが処理されるときには、複数の薬液ノズル50A~50Dがスピンチャック41の上方から退避している状態で、搬送ロボットのハンド(図示せず)によって、基板Wがチャンバ7内に搬入される。これにより、表面が上に向けられた状態で基板Wが複数のチャックピン45に渡される。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバ7の内部から退避し、チャンバ7の搬入搬出口43aがシャッタ43bで閉じられる。
次に、ノズル移動ユニット52が、複数の薬液ノズル50A~50Dを待機位置から処理位置に移動させる。これにより、複数の吐出口57が平面視で基板Wに重なる。その後、下流主供給バルブ36Aおよび複数の下流副供給バルブ36B~36Dが制御され、たとえば、薬液が複数の薬液ノズル50A~50Dから同時に吐出される(図9のステップS11)。複数の薬液ノズル50A~50Dは、ノズル移動ユニット52が複数の薬液ノズル50A~50Dを静止させている状態で薬液を吐出する。
複数の薬液ノズル50A~50Dから吐出された薬液は、回転している基板Wの上面に着液した後、遠心力によって基板Wの上面に沿って外方(回転軸線A1から離れる方向)に流れる。基板Wの上面周縁部に達した薬液は、基板Wの周囲に飛散し、ガード42の内周面に受け止められる。このようにして、薬液が基板Wの上面全域に供給され、基板Wの上面全域を覆う薬液の液膜が基板W上に形成される。これにより、基板Wの上面全域が薬液で処理される。
<第2実施形態>
図10は、この発明の第2実施形態に係る基板処理装置1Pに備えられた薬液温度調整装置10Pの構成を説明するための模式図である。図10では、今まで説明した部分と同じ部分には、同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
また、第2実施形態に係る薬液温度調整装置10Pは、下流ヒータ83を含んでおらず、その代わりに、上流分岐配管64を流れる薬液を加熱する分岐ヒータ107を含む。また、第2実施形態に係る薬液温度調整装置10Pは、案内バルブ85を含んでおらず、その代わりに、案内流量調整バルブ108を含む。
排出薬液タンク100は、排出配管65から排出された薬液が貯留されるタンクである。排出薬液タンク100は、排出処理液タンクの一例である。排出薬液タンク100には、排出配管65の下流端が接続されている。
移送ヒータ104は、移送配管101において排出循環配管102が接続されている位置よりも上流側で、移送配管101内を流れる薬液を加熱する。移送ヒータ104は、排出処理液加熱ユニットの一例である。移送ポンプ103は、移送配管101において排出循環配管102が接続されている位置よりも上流側で移送配管101に介装されている。移送ポンプ103は、排出薬液タンク100内の薬液を移送配管101に送り出す。
次に、第2実施形態に係る薬液温度調整装置10Pによる薬液の温度調整方法について説明する。第1実施形態と同様に、上流配管60には、第1上流帰還配管22B(図1参照)から薬液が送られる。上流バルブ72および下流バルブ82が開かれており、かつ、上流分岐バルブ73および排出バルブ84が閉じられている状態では、薬液は、第1実施形態と同様に、上流配管60、第1分流配管61、第2分流配管62、下流配管63および下流帰還配管23を介して薬液タンク8に帰還される。
排出薬液タンク100内の薬液は、排出循環バルブ106が開かれ、かつ、移送バルブ105が閉じられた状態で移送ポンプ103によって移送配管101に送り出される。これにより、排出循環配管102に送り出された薬液は、移送ヒータ104によって加熱され、排出循環バルブ106を介して排出薬液タンク100に戻る。これにより、排出薬液タンク100内の薬液の温度が上昇する。その後、排出循環バルブ106が閉じられ、かつ、移送バルブ105が開かれる。これにより、移送ポンプ103によって移送配管101に送り出された薬液は、下流配管63に流入し、最終的に薬液タンク8に帰還する。
また、コントローラ3は、上流検出流量VUの代わりに、上流温度計71によって検出される上流検出温度TUに基づいて案内流量調整バルブ108の開度を調整してもよい。この場合、コントローラ3は、上流検出温度TUが高いほど案内流量調整バルブ108の開度を小さくし、上流検出温度TUが低いほど案内流量調整バルブ108の開度を大きくすればよい。
たとえば、上述の各実施形態では、薬液の温度を調整する薬液温度調整装置10,10Pが基板処理装置1,1Pに設けられている。しかしながら、温度調整の対象は、薬液に限られない。たとえば、温度調整の対象がリンス液であり、処理液温度調整装置として、リンス液温度調整装置が設けられてもよい。
また、上述の各実施形態において、第1分流配管61には第1分流流量調整バルブ74が介装されており、第2分流配管62には第2分流流量調整バルブ75が介装されている。しかしながら、第1分流流量調整バルブ74および第2分流流量調整バルブ75の両方が必ずしも設けられている必要はなく、少なくとも一方が設けられていればよい。第1分流流量調整バルブ74および第2分流流量調整バルブ75のうちの一方が設けられていれば、コントローラ3が当該一方のバルブ74,75の開度を調整することによって、第1流量VS1と第2流量VS2との比率を変更することができる。
たとえば、循環検出温度TCが所定の目標循環温度よりも高い場合には、循環検出温度TCを低くして循環検出温度TCを目標循環温度に近づける必要がある。そこで、コントローラ3は、目標温度TAを低くして薬液温度調整装置10,10Pによる薬液の冷却を強める。具体的には、目標温度TAに近づくように第1下流検出温度TL1を低くするために、コントローラ3は、第1分流流量調整バルブ74の開度を大きくしたり、第2分流流量調整バルブ75の開度を小さくしたりして、クーラ76によって冷却される薬液の流量を大きくする。あるいは、コントローラ3は、冷媒流量調整バルブ79の開度を大きくすることで、単位時間当たりにクーラ76が被冷却部61aから奪う熱量を増大させる。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
1P :基板処理装置
2 :基板処理ユニット
3 :コントローラ
8 :薬液タンク(処理液タンク)
9 :供給配管(供給流路)
10 :薬液温度調整装置(処理液温度調整装置)
10P :薬液温度調整装置(処理液温度調整装置)
20 :上流供給配管(上流供給流路)
21 :下流供給配管(下流供給流路)
21A :下流主供給配管(下流主供給流路)
21B :第1下流副供給配管(下流副供給流路)
21C :第2下流副供給配管(下流副供給流路)
21D :第3下流副供給配管(下流副供給流路)
22B :上流帰還配管(上流帰還流路)
30 :上流供給ヒータ(供給流路加熱ユニット)
37B :第1下流供給ヒータ(供給流路加熱ユニット、下流供給流路加熱ユニット)
37C :第2下流供給ヒータ(供給流路加熱ユニット、下流供給流路加熱ユニット)
37D :第3下流供給ヒータ(供給流路加熱ユニット、下流供給流路加熱ユニット)
41 :スピンチャック(基板保持回転ユニット)
60 :上流配管(上流路)
61 :第1分流配管(第1分流路)
61a :被冷却部分
62 :第2分流配管(第2分流路)
63 :下流配管(下流路)
63a :第1被検出部分(被検出部分)
63b :第2被検出部分(被検出部分)
63c :被加熱部分
64 :上流分岐配管(上流分岐流路)
64a :分岐位置
65 :排出配管(排出流路)
66 :案内配管(案内流路)
70 :上流流量計(流量検出ユニット)
71 :上流温度計(上流温度検出ユニット)
72 :上流バルブ(上流切替ユニット)
73 :上流分岐バルブ(上流切替ユニット)
74 :第1分流流量調整バルブ(流量比率変更ユニット)
75 :第2分流流量調整バルブ(流量比率変更ユニット)
76 :クーラ(冷却ユニット)
77 :冷媒供給配管(冷媒供給流路)
79 :冷媒流量調整バルブ
80 :第1下流温度計(下流温度検出ユニット)
81 :第2下流温度計(下流温度検出ユニット)
82 :下流バルブ(下流切替ユニット)
83 :下流ヒータ(加熱ユニット)
84 :排出バルブ(下流切替ユニット)
85 :案内バルブ
100 :排出薬液タンク(排出処理液タンク)
101 :移送配管(移送流路)
104 :移送ヒータ(排出処理液加熱ユニット)
A1 :回転軸線
TA :目標温度
TL1 :第1下流検出温度(下流検出温度)
TL2 :第2下流検出温度(下流検出温度)
V1 :基準流量
VS1 :第1流量
VS2 :第2流量
VU :上流検出流量
W :基板
Claims (19)
- 処理液タンクから基板処理ユニットに供給される処理液の温度を調整する処理液温度調整装置であって、
前記処理液タンクから前記基板処理ユニットに供給される処理液が通る供給流路から分岐して前記処理液タンクに帰還される処理液が流入する上流路と、
前記上流路の下流端に接続され、前記上流路から流入する処理液を分流させる第1分流路および第2分流路と、
前記第1分流路および前記第2分流路の下流端に接続され、前記第1分流路および前記第2分流路から流入する処理液を合流させて前記処理液タンクに案内する下流路と、
前記第1分流路を流れる処理液を冷却する冷却ユニットと、
前記上流路から前記第1分流路に流入する処理液の流量と、前記上流路から前記第2分流路に流入する処理液の流量との比率を変更する流量比率変更ユニットと、
前記下流路を流れる処理液の温度を検出する下流温度検出ユニットと、
前記下流温度検出ユニットによって検出される下流検出温度が所定の目標温度に近づくように、前記流量比率変更ユニットを制御するコントローラとを含む、処理液温度調整装置。 - 前記上流路に分岐接続され、処理液を前記処理液タンクに案内する上流分岐流路と、
前記上流路内の処理液の案内先を、前記上流路の下流端および前記上流分岐流路のいずれかに切り替える上流切替ユニットとをさらに含む、請求項1に記載の処理液温度調整装置。 - 前記上流路内を流れる処理液の温度を検出する上流温度検出ユニットをさらに含み、
前記上流切替ユニットが、前記上流温度検出ユニットによって検出される上流検出温度が冷却必要温度よりも低い場合に、前記上流路内の処理液の案内先を前記上流分岐流路に切り替え、前記上流検出温度が前記冷却必要温度よりも高い場合に、前記上流路内の処理液の案内先を前記上流路の下流端に切り替える、請求項2に記載の処理液温度調整装置。 - 前記下流路において前記下流温度検出ユニットによって温度が検出される被検出部分よりも下流側に分岐接続され、前記下流路から前記処理液タンク外へと処理液を導く排出流路と、
前記下流路内の処理液の案内先を、前記処理液タンクおよび前記排出流路のいずれかに切り替える下流切替ユニットとをさらに含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の処理液温度調整装置。 - 前記下流切替ユニットが、前記下流検出温度が前記目標温度よりも低い過冷却温度よりも低い場合に、前記下流路内の処理液の案内先を前記排出流路に切り替え、前記下流検出温度が前記過冷却温度よりも高い場合に、前記下流路内の処理液の案内先を前記処理液タンクに切り替える、請求項4に記載の処理液温度調整装置。
- 前記排出流路から流入する処理液を貯留する排出処理液タンクと、
前記排出処理液タンク内の処理液を加熱する排出処理液加熱ユニットと、
前記排出処理液タンク内の処理液を前記処理液タンクに移送する移送流路とをさらに含む、請求項4または5に記載の処理液温度調整装置。 - 前記処理液タンクから、前記第1分流路において前記冷却ユニットによって冷却される被冷却部分よりも上流側の部分へ、処理液を案内する案内流路をさらに含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の処理液温度調整装置。
- 前記案内流路を開閉する案内流路バルブをさらに含み、
前記案内流路バルブが、前記上流路への処理液の流入が停止されているときに、前記案内流路を開き、前記案内流路を介して前記処理液タンクから前記第1分流路に処理液を案内する、請求項7に記載の処理液温度調整装置。 - 前記下流路において前記下流温度検出ユニットよりも下流側に設定された被加熱部分内の処理液を加熱する加熱ユニットをさらに含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の処理液温度調整装置。
- 前記上流路内を流れる処理液の流量を検出する流量検出ユニットをさらに含み、
前記冷却ユニットが、前記第1分流路を流れる処理液と熱交換する冷媒が流通する冷媒流路と、前記冷媒流路を流れる前記冷媒の流量を調整する冷媒流量調整ユニットとを含み、
前記コントローラが、前記流量検出ユニットによって検出された上流検出流量が所定の基準流量よりも大きい場合には、前記冷媒の流量が大きくなるように前記冷媒流量調整ユニットを制御し、前記上流検出流量が所定の基準流量よりも小さい場合には、前記冷媒の流量が小さくなるように前記冷媒流量調整ユニットを制御する、請求項1~9のいずれか一項に記載の処理液温度調整装置。 - 前記供給流路内の処理液を加熱する供給流路加熱ユニットと、
前記供給流路において前記供給流路加熱ユニットによって加熱される部分よりも下流側の部分から分岐され、前記供給流路内の処理液を前記上流路に送る上流帰還流路とをさらに含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の処理液温度調整装置。 - 請求項11に記載の処理液温度調整装置と、前記供給流路と、前記基板処理ユニットとを含み、処理液で基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板処理ユニットが、前記基板を水平に保持しながら前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持回転ユニットと、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記基板の上面内において前記上面中央部から離れた位置に向けて処理液を吐出する副吐出口とを含み、
前記供給流路が、前記処理液タンク内の処理液を下流側に向けて案内する上流供給流路と、前記上流供給流路を分流させる複数の下流供給流路とを含み、
前記複数の下流供給流路が、前記主吐出口に処理液を案内する下流主供給流路と、前記副吐出口に処理液を案内する下流副供給流路とを含み、
前記供給流路加熱ユニットが、前記上流供給流路内の処理液を加熱する上流供給流路加熱ユニットと、前記下流副供給流路内の処理液を加熱する下流供給流路加熱ユニットとを含み、
前記上流帰還流路が、前記下流副供給流路において前記下流供給流路加熱ユニットによって加熱される部分よりも下流側の部分から分岐され、前記下流副供給流路内の処理液を前記上流路に送る、基板処理装置。 - 処理液を貯留する処理液タンク内の処理液を、供給流路を介して基板処理ユニットに供給する供給工程と、
前記供給流路から分岐して前記処理液タンクに帰還される処理液が流入する上流路の下流端に接続された第1分流路および第2分流路によって、前記上流路を流れる処理液を分流させる分流工程と、
前記第1分流路を流れる処理液を冷却ユニットによって冷却する冷却工程と、
前記第1分流路および前記第2分流路から処理液を下流路に流入させて合流させて前記処理液タンクに案内する合流工程と、
前記下流路を流れる処理液の温度である下流検出温度を下流温度検出ユニットによって検出する下流温度検出工程と、
前記下流温度検出ユニットによって検出される下流検出温度が所定の目標温度に近づくように、前記上流路から前記第1分流路に流入する処理液の流量と、前記上流路から前記第2分流路に流入する処理液の流量との比率を変更する流量比率変更工程とを含む、処理液供給方法。 - 前記上流路を流れる処理液の温度である上流検出温度を検出する上流温度検出工程と、
前記上流検出温度が冷却必要温度よりも低い場合に、前記上流路内の処理液が、前記上流路に分岐接続され処理液を前記処理液タンクに帰還させる上流分岐流路に案内され、前記上流検出温度が前記冷却必要温度よりも高い場合に、前記上流路内の処理液が前記上流路の下流端に案内されるように、前記上流路内の処理液の案内先を切り替える上流切替工程とをさらに含む、請求項13に記載の処理液供給方法。 - 前記下流検出温度が前記目標温度よりも低い過冷却温度よりも低い場合に、前記下流路内の処理液が、前記下流路から前記処理液タンク外に案内され、前記下流検出温度が前記過冷却温度よりも高い場合に、前記下流路内の処理液が、前記処理液タンクに案内されるように、前記下流路内の処理液の案内先を切り替える下流切替工程をさらに含む、請求項13または14に記載の処理液供給方法。
- 前記上流路への処理液の流入が停止される流入停止工程と、
前記上流路への処理液の流入が停止されているときに、前記第1分流路に設定された被冷却部分よりも上流側の部分へ処理液を案内する案内工程とをさらに含む、請求項15に記載の処理液供給方法。 - 前記下流路内の処理液を加熱する加熱工程をさらに含む、請求項13~16のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
- 前記冷却ユニットに備えられた冷媒流路に、前記第1分流路を流れる処理液と熱交換する冷媒を流通させる冷媒流通工程と、
前記上流路内を流れる処理液の流量である上流検出流量を流量検出ユニットによって検出する流量検出工程と、
前記上流検出流量が所定の基準流量よりも大きい場合には、前記冷媒流路を流れる冷媒の流量が大きくなり、前記上流検出流量が所定の基準流量よりも小さい場合には、前記冷媒流路を流れる冷媒の流量が小さくなるように、前記冷媒流路内を流れる冷媒の流量を調整する冷媒流量調整工程とをさらに含む、請求項13~17のいずれか一項に記載の処理液供給方法。 - 前記供給流路内の処理液を加熱する供給流路加熱工程と、
前記供給流路内で加熱された処理液を、前記上流路に送る上流帰還工程とをさらに含む、請求項13~18のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018121183A JP7001553B2 (ja) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | 処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
KR1020190066664A KR102202855B1 (ko) | 2018-06-26 | 2019-06-05 | 처리액 온도 조정 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 |
CN201910549224.0A CN110648941B (zh) | 2018-06-26 | 2019-06-24 | 处理液温度调节装置、基板处理装置及处理液供给方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018121183A JP7001553B2 (ja) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | 処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020004803A JP2020004803A (ja) | 2020-01-09 |
JP7001553B2 true JP7001553B2 (ja) | 2022-01-19 |
Family
ID=69009389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018121183A Active JP7001553B2 (ja) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | 処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7001553B2 (ja) |
KR (1) | KR102202855B1 (ja) |
CN (1) | CN110648941B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102489739B1 (ko) | 2019-09-26 | 2023-01-20 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법 |
KR102262250B1 (ko) | 2019-10-02 | 2021-06-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 |
KR102378329B1 (ko) | 2019-10-07 | 2022-03-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN112577571B (zh) * | 2020-12-11 | 2024-04-16 | 浙江启尔机电技术有限公司 | 一种具有传感器标定流路的供液系统及其标定方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015167161A (ja) | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP2016162922A (ja) | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060225769A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Gentaro Goshi | Isothermal control of a process chamber |
JP5173500B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 |
JP5714449B2 (ja) | 2011-08-25 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP6205225B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板検査装置及び基板温度調整方法 |
JP5909477B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2016-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び液供給装置 |
US10403517B2 (en) * | 2015-02-18 | 2019-09-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
CN109037111B (zh) | 2015-02-25 | 2022-03-22 | 株式会社思可林集团 | 基板处理装置 |
JP6461641B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-01-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2018
- 2018-06-26 JP JP2018121183A patent/JP7001553B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-05 KR KR1020190066664A patent/KR102202855B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-24 CN CN201910549224.0A patent/CN110648941B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015167161A (ja) | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP2016162922A (ja) | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020004803A (ja) | 2020-01-09 |
KR20200001481A (ko) | 2020-01-06 |
CN110648941A (zh) | 2020-01-03 |
KR102202855B1 (ko) | 2021-01-14 |
CN110648941B (zh) | 2023-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7001553B2 (ja) | 処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法 | |
US11056335B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US10297476B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US9793176B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP6916633B2 (ja) | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 | |
US10790169B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6865626B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US10403517B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6489475B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009231732A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6361071B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6478692B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20180106841A (ko) | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 | |
JP6461641B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2016157854A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6489479B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6432941B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6509583B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6485904B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6461636B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005260087A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7001553 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |