JP6361071B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6361071B2 JP6361071B2 JP2015035518A JP2015035518A JP6361071B2 JP 6361071 B2 JP6361071 B2 JP 6361071B2 JP 2015035518 A JP2015035518 A JP 2015035518A JP 2015035518 A JP2015035518 A JP 2015035518A JP 6361071 B2 JP6361071 B2 JP 6361071B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upstream
- substrate
- liquid
- processing liquid
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 230
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 179
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 317
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 180
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 137
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 101100441413 Caenorhabditis elegans cup-15 gene Proteins 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
前記処理液供給システムは、タンクと、上流ヒータと、供給流路と、複数の上流流路と、複数の吐出口と、複数のリターン流路と、複数の下流ヒータと、下流切替ユニットと、複数のリターン流量調整バルブと、を含む。前記タンクは、前記供給流路に供給される処理液を貯留する。前記上流ヒータは、処理液を加熱することにより前記タンク内の処理液の温度を調整する。前記供給流路は、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内する。前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された処理液を前記複数の吐出口に向けて案内する。前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含み、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路を介して供給された処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて吐出する。前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口に接続された複数の副上流流路と、を含む。前記複数のリターン流路は、前記複数の副吐出口よりも上流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路から供給された処理液を前記タンクに向けて案内する。前記複数の下流ヒータは、前記リターン流路と前記副上流流路との接続位置よりも上流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる処理液を加熱する。前記下流切替ユニットは、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数の吐出口に供給される吐出状態と、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数のリターン流路に供給される吐出停止状態と、を含む複数の状態のいずれかに切り替わる。前記複数のリターン流量調整バルブは、前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記吐出停止状態のときに前記供給流路から前記複数の上流流路に供給される処理液の流量を、前記吐出状態のときに前記供給流路から前記複数の上流流路に供給される処理液の流量よりも減少させる。
この発明によれば、吐出中だけでなく、吐出停止中にも、処理液が下流ヒータに供給され、下流ヒータによって加熱される。吐出停止中に下流ヒータに加熱された処理液は、上流流路からリターン流路に流れる。タンクに向かってリターン流路内を流れる処理液は、クーラーによって冷却される。したがって、クーラーによって冷却された処理液が、タンクに戻る。そのため、タンク内の処理液の温度の変動をさらに抑えることができる。
この発明によれば、複数の吐出口に処理液を供給する流路が多段階で分岐している。すなわち、供給流路が複数の上流流路に分岐しており(第1分岐)、複数の上流流路に含まれる分岐上流流路が複数の下流流路に分岐している(第2分岐)。したがって、分岐上流流路が複数の上流流路に含まれていない場合と比較して、吐出口の数を増加させることができる。これにより、基板上の処理液の温度の均一性をさらに高めることができ、処理の均一性をさらに高めることができる。
この発明によれば、複数の下流流路の上流端がチャンバー内に配置されている。分岐上流流路は、チャンバー内で複数の下流流路に分岐している。したがって、分岐上流流路がチャンバーの外で分岐している場合と比較して、各下流流路の長さ(液体が流れる方向の長さ)を短縮できる。これにより、処理液から下流流路への伝熱による処理液の温度低下を抑制できる。
処理液が基板よりも高温である場合、処理液の熱が基板に奪われる。また、基板と共に処理液が回転するので、基板上の処理液は、空気によって冷却されながら、基板の上面に沿って外方に流れる。基板の各部の周速は、回転軸線から離れるにしたがって増加する。基板上の処理液は、周速が大きいほど冷却され易い。また、基板の上面を径方向に等間隔で複数の円環状の領域に分割できると仮定すると、各領域の面積は、回転軸線から離れるにしたがって増加する。表面積が大きいと、処理液から円環状の領域に熱が移動し易い。そのため、吐出口から吐出される処理液の温度が全て同じであると、十分な温度の均一性が得られない場合がある。
図1および図2は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の処理液供給システムを示す模式図である。図1は、吐出状態の処理液供給システムを示しており、図2は、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する処理ユニット2と、処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)と、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。制御装置3は、演算部と記憶部とを含むコンピュータである。
図3に示すように、処理ユニット2は、箱型のチャンバー7と、チャンバー7内で基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック11と、基板Wから排出された処理液を受け止める筒状のカップ15と含む。
図4に示すように、複数のアーム部28は、第1ノズル26A〜第4ノズル26Dの順番で、長手方向D1に直交する水平な配列方向D2に並んでいる。複数のアーム部28は、同じ高さに配置されている。配列方向D2に隣接する2つのアーム部28の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図4は、複数のアーム部28が等間隔で配置されている例を示している。
ノズル移動ユニット24は、カップ15のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線A2まわりにホルダ25を回動させることにより、平面視で基板Wを通る円弧状の経路に沿って複数のノズル26を移動させる。これにより、処理位置と待機位置との間で複数のノズル26が水平に移動する。処理ユニット2は、複数のノズル26の待機位置の下方に配置された有底筒状の待機ポット35を含む。待機ポット35は、平面視でカップ15のまわりに配置されている。
以下の説明では、第1ノズル26Aに対応する構成の先頭および末尾に、それぞれ「第1」および「A」を付ける場合がある。たとえば、第1ノズル26Aに対応する上流流路48を、「第1上流流路48A」という場合がある。第2ノズル26B〜第4ノズル26Dに対応する構成についても同様である。
図5に示すように、ノズル本体27は、処理液を案内する樹脂チューブ30と、樹脂チューブ30を取り囲む断面筒状の芯金31と、芯金31の外面を覆う断面筒状の樹脂コーティング32とを含む。第1ノズル26A以外の各ノズル26は、さらに、ノズル本体27の先端部29に取り付けられたノズルヘッド33を含む。
処理液供給システムは、薬液を貯留する薬液タンク41と、薬液タンク41から送られた薬液を案内する薬液流路42と、薬液流路42内を流れる薬液を室温(たとえば20〜30℃)よりも高い上流温度で加熱することにより薬液タンク41内の薬液の温度を調整する上流ヒータ43と、薬液タンク41内の薬液を薬液流路42に送るポンプ44と、薬液流路42内の薬液を薬液タンク41に戻す循環流路40とを含む。
処理液供給システムは、供給流路47から供給された液体を複数の吐出口34に向けて案内する複数の上流流路48と、複数の上流流路48内を流れる液体の流量を検出する複数の流量計49と、複数の上流流路48内を流れる液体の流量を変更する複数の流量調整バルブ50と、複数の上流流路48をそれぞれ開閉する複数の吐出バルブ51とを含む。図示はしないが、流量調整バルブ50は、流路を開閉するバルブ本体と、バルブ本体の開度を変更するアクチュエータとを含む。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。
図1および図2では、分岐上流流路が2つの下流流路52に分岐している例を示している。図5では、分岐上流流路が3つの下流流路52に分岐している例を示している。第2上流流路48Bから分岐した3つの下流流路52は、それぞれ、同じノズルヘッド33に設けられた3つの吐出口34(内側吐出口、中間吐出口、および外側吐出口)に接続されている。第3上流流路48Cおよび第4上流流路48Dについても、第2上流流路48Bと同様である。第1上流流路48Aは、第1ノズル26Aに設けられた第1吐出口34Aに接続されている。
薬液タンク41内の薬液は、ポンプ44によって薬液流路42に送られる。ポンプ44によって送られた薬液は、上流ヒータ43によって加熱された後、薬液流路42から供給流路47に流れ、供給流路47から複数の上流流路48に流れる。第1上流流路48A以外の複数の上流流路48(分岐上流流路)に供給された薬液は、下流ヒータ53によって加熱された後、複数の下流流路52に流れる。
薬液タンク41内の薬液は、ポンプ44によって薬液流路42に送られる。ポンプ44によって送られた薬液の一部は、上流ヒータ43によって加熱された後、循環流路40を介して薬液タンク41に戻る。ポンプ44によって送られた残りの薬液は、薬液流路42から供給流路47に流れ、供給流路47から第1上流流路48A以外の複数の上流流路48に流れる。
前述のように、吐出停止中であっても、薬液を下流ヒータ53に流し続け、下流ヒータ53に薬液を加熱させる。これにより、下流ヒータ53の温度が安定した状態を維持できる。さらに、下流ヒータ53によって加熱された薬液を薬液タンク41に戻すので、薬液の消費量を低減できる。
しかしながら、薬液タンク41が処理ユニット2に近いと、下流ヒータ53によって吐出停止中に加熱された薬液は、十分に温度低下せずに薬液タンク41に戻る。薬液タンク41内の薬液の温度が設定温度を超えると、液温が自然に設定温度以下になるまで長時間待つ必要がある。
処理ユニット2によって基板Wが処理されるときには、複数のノズル26がスピンチャック11の上方から退避しており、スプラッシュガード17が下位置に位置している状態で、搬送ロボットのハンド(図示せず)によって、基板Wがチャンバー7内に搬入される。これにより、表面が上に向けられた状態で基板Wが複数のチャックピン13の上に置かれる。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバー7の内部から退避し、チャンバー7の搬入搬出口8aがシャッター9で閉じられる。
図8に示す測定値A〜測定値Cにおける基板Wの処理条件は、薬液を吐出するノズルを除き、同一である。
測定値Aは、複数のノズル26を静止させながら、複数の吐出口34(10個の吐出口34)に薬液を吐出させて、基板Wをエッチングしたときのエッチング量の分布を示している。
測定値Cでは、基板Wの中央部から離れるにしたがってエッチング量が減少しており、エッチング量の分布が山形の曲線を示している。つまり、エッチング量は、薬液の着液位置で最も大きく、着液位置から離れるにしたがって減少している。これに対して、測定値Aおよび測定値Bでは、測定値Cと比較して、基板Wの中央部以外の位置でのエッチング量が増加しており、エッチングの均一性が大幅に改善されている。
供給流路47を流れる処理液は、上流流路48または下流流路52から吐出口34に供給され、回転軸線A1まわりに回転する基板Wの上面に向けて吐出される。複数の吐出口34は、回転軸線A1からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されている。したがって、1つの吐出口34だけに処理液を吐出させる場合と比較して、基板W上の処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。
また本実施形態では、第1吐出口34Aと第2吐出口34Bとが平面視で径方向Drに並んでいる。複数の吐出口34が平面視で径方向Drに並ぶように、同じ長さの複数のノズル26を長手方向D1に直交する水平方向に並べると、複数のノズル26全体の幅が増加する(図9参照)。複数の吐出口34が平面視で径方向Drに並ぶように、長さが異なる複数のノズル26を鉛直方向に並べると、複数のノズル26全体の高さが増加する(図10参照)。
たとえば、前記実施形態では、ノズル26の数が、4本である場合について説明したが、ノズル26の数は、2または3本であってもよいし、5本以上であってもよい。
前記実施形態では、薬液タンク41に向かってリターン流路54を流れる薬液をクーラー56で冷却する場合について説明したが、リターン流路54を介して薬液タンク41に戻る薬液の流量の調整によって、薬液タンク41内の薬液を設定温度付近に維持できるのであれば、クーラー56を省略してもよい。つまり、リターン流路54を流れる薬液をクーラー56で冷却せずに薬液タンク41に戻してもよい。
前記実施形態では、ノズルヘッド33が第1ノズル26Aに設けられておらず、第1ノズル26A以外の全てのノズル26にノズルヘッド33が取り付けられている場合について説明したが、第1ノズル26Aを含む全てのノズル26にノズルヘッド33が設けられていてもよい。これとは反対に、全てのノズル26にノズルヘッド33が設けられていなくてもよい。
前記実施形態では、分岐上流流路(第1上流流路48A以外の上流流路48)が、チャンバー7内で複数の下流流路52に分岐している場合について説明したが、分岐上流流路は、チャンバー7の外で分岐していてもよい。
前記実施形態では、複数のノズル26を静止させながら、複数のノズル26に薬液を吐出させる場合について説明したが、複数のノズル26をノズル回動軸線A2まわりに回動させながら、複数のノズル26に薬液を吐出させてもよい。
前記実施形態では、供給流路47に薬液を供給する薬液流路42が設けられている場合について説明したが、供給流路47に液体を供給する複数の処理液流路が設けられていてもよい。
図11は、処理前後における薄膜の厚みと基板Wに供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。図11の一点鎖線は、処理前の膜厚を示しており、図11の二点鎖線は、処理後の膜厚を示している。図11の実線は、基板Wに供給される処理液の温度を示している。図11の横軸は、基板Wの半径を示している。処理前の膜厚は、基板処理装置1以外の装置(たとえば、ホストコンピュータ)から基板処理装置1に入力されてもよいし、基板処理装置1に設けられた測定機によって測定されてもよい。
この場合、処理前の膜厚が相対的に大きい位置に相対的に高温の処理液が供給され、処理前の膜厚が相対的に小さい位置に相対的に低温の処理液が供給される。基板Wの表面に形成された薄膜のエッチング量は、高温の処理液が供給される位置で相対的に増加し、低温の処理液が供給される位置で相対的に減少する。そのため、処理後の薄膜の厚みが均一化される。
3 :制御装置
5 :流体ボックス
7 :チャンバー
11 :スピンチャック(基板保持ユニット)
24 :ノズル移動ユニット
25 :ホルダ
26A〜26D :第1〜第4ノズル
27 :ノズル本体
28 :アーム部
28a :先端
29 :先端部
33 :ノズルヘッド
34A :第1吐出口(最内吐出口、主吐出口)
34B :第2吐出口(副吐出口)
34C :第3吐出口(副吐出口)
34D :第4吐出口(副吐出口)
41 :薬液タンク
42 :薬液流路
43 :上流ヒータ
45 :供給バルブ
47 :供給流路
48A :第1上流流路(最内上流流路、主上流流路)
48B :第2上流流路(分岐上流流路、副上流流路)
48C :第3上流流路(分岐上流流路、副上流流路)
48D :第4上流流路(分岐上流流路、副上流流路)
50 :流量調整バルブ(リターン流量調整バルブ)
51 :吐出バルブ(下流切替ユニット)
52 :下流流路
53 :下流ヒータ
54 :リターン流路
55 :リターンバルブ(下流切替ユニット)
A1 :回転軸線
D1 :長手方向
D2 :配列方向
Dr :径方向
W :基板
Claims (6)
- 基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、
タンクと、上流ヒータと、供給流路と、複数の上流流路と、複数の吐出口と、複数のリターン流路と、複数の下流ヒータと、下流切替ユニットと、複数のリターン流量調整バルブと、を含み、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給システムとを含み、
前記タンクは、前記供給流路に供給される処理液を貯留し、
前記上流ヒータは、処理液を加熱することにより前記タンク内の処理液の温度を調整し、
前記供給流路は、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内し、
前記複数の上流流路は、前記供給流路から分岐しており、前記供給流路から供給された処理液を前記複数の吐出口に向けて案内し、
前記複数の吐出口は、前記基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する主吐出口と、前記上面中央部から離れており、前記回転軸線からの距離が異なる、前記基板の上面内の複数の位置に向けてそれぞれ処理液を吐出する複数の副吐出口と、を含み、前記回転軸線からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、前記複数の上流流路を介して供給された処理液を前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に向けて吐出し、
前記複数の上流流路は、前記主吐出口に接続された主上流流路と、前記複数の副吐出口に接続された複数の副上流流路と、を含み、
前記複数のリターン流路は、前記複数の副吐出口よりも上流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路から供給された処理液を前記タンクに向けて案内し、
前記複数の下流ヒータは、前記リターン流路と前記副上流流路との接続位置よりも上流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副上流流路を流れる処理液を加熱し、
前記下流切替ユニットは、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数の吐出口に供給される吐出状態と、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数のリターン流路に供給される吐出停止状態と、を含む複数の状態のいずれかに切り替わり、
前記複数のリターン流量調整バルブは、前記複数の上流流路にそれぞれ接続されており、前記吐出停止状態のときに前記供給流路から前記複数の上流流路に供給される処理液の流量を、前記吐出状態のときに前記供給流路から前記複数の上流流路に供給される処理液の流量よりも減少させる、基板処理装置。 - 前記処理液供給システムは、前記タンクに向かって前記複数のリターン流路を流れる処理液を冷却するクーラーをさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給システムは、複数の下流流路をさらに含み、
前記複数の副上流流路は、いずれも、前記複数の下流流路に分岐した分岐上流流路であり、前記下流流路ごとに前記副吐出口が設けられている、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板を収容するチャンバーをさらに含み、
前記分岐上流流路は、前記チャンバー内で前記複数の下流流路に分岐している、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記上流ヒータは、上流温度で処理液を加熱することにより前記タンク内の処理液の温度を調整し、
前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路を流れる液体を前記上流温度よりも高温の下流温度で加熱する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給システムは、第1ノズルと、第2ノズルと、をさらに含み、
前記複数の吐出口は、前記第1ノズルに設けられた第1吐出口と、前記第2ノズルに設けられた第2吐出口と、を含み、前記回転軸線に直交する径方向に平面視で並んでおり、
前記第1ノズルは、水平な長手方向に延びる第1アーム部と、前記第1アーム部の先端から下方に延びる第1先端部と、を含み、
前記第2ノズルは、前記長手方向に延びる第2アーム部と、前記第2アーム部の先端から下方に延びる第2先端部と、を含み、
前記第1アーム部および第2アーム部は、前記長手方向に直交する水平な配列方向に並んでおり、
前記第1アーム部の先端と前記第2アーム部の先端は、前記第1アーム部の先端が前記回転軸線側に位置するように、平面視で前記長手方向に離れている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035518A JP6361071B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 基板処理装置 |
CN201610092133.5A CN105914167B (zh) | 2015-02-25 | 2016-02-19 | 基板处理装置 |
CN201810886178.9A CN109037111B (zh) | 2015-02-25 | 2016-02-19 | 基板处理装置 |
TW105105098A TWI642098B (zh) | 2015-02-25 | 2016-02-22 | 基板處理裝置 |
US15/051,034 US10297476B2 (en) | 2015-02-25 | 2016-02-23 | Substrate processing apparatus |
KR1020160021058A KR101838373B1 (ko) | 2015-02-25 | 2016-02-23 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035518A JP6361071B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016157852A JP2016157852A (ja) | 2016-09-01 |
JP6361071B2 true JP6361071B2 (ja) | 2018-07-25 |
Family
ID=56826387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015035518A Active JP6361071B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6361071B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6865626B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-04-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6979852B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2021-12-15 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
JP7130388B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-09-05 | 株式会社Kelk | 液体加熱装置及び洗浄システム |
KR102620012B1 (ko) * | 2021-09-10 | 2024-01-02 | (주)디바이스이엔지 | 처리액 순환구조를 포함하는 기판 처리 어셈블리 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3398272B2 (ja) * | 1995-12-05 | 2003-04-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薬液吐出ノズル |
JP2005217226A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
JP5173500B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 |
JP2013026381A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6203098B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-09-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2015
- 2015-02-25 JP JP2015035518A patent/JP6361071B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016157852A (ja) | 2016-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102502045B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US10297476B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102035946B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP6418555B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2018193921A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6861553B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6489475B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6361071B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6478692B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6504540B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6461641B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6489479B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6432941B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6509583B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6485904B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6461636B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170829 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6361071 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |